| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 具有高质量、稳定输出光束及长寿命高转换效率的非线性晶体的激光器 | CN201280044059.X | 2012-06-28 | CN103782458B | 2017-06-20 | 弗拉基米尔·德里宾斯基; 勇-霍·亚历克斯·庄; 约瑟夫·J·阿姆斯特朗; 约翰·费尔登 |
| 本发明揭示一种可以低温操作的锁模激光器系统，其可包含退火频率转换晶体及用以在所述低温标准操作期间维持所述晶体的退火状况的外壳。在一个实施例中，所述晶体可具有增加的长度。第一光束塑形光学器件可经配置以将来自光源的光束聚焦到位于所述晶体中或所述晶体接近处的光束腰处的椭圆形横截面。谐波分离块可将来自所述晶体的输出分成在空间上分离的不同频率的光束。在一个实施例中，所述锁模激光器系统可进一步包含第二光束塑形光学器件，其经配置以将椭圆形横截面的所要频率光束转换成具有例如圆形横截面的所要纵横比的光束。 | ||||||
| 2 | 波导型光元件 | CN201680002932.7 | 2016-03-24 | CN106716235A | 2017-05-24 | 柳川哲平; 近藤胜利; 藤野哲也; 市川润一郎 |
| 在本发明的波导型光元件中，有效地防止由于经由偏压电极对基板施加强电场而产生的漂移现象的加速。波导型光元件具备：基板(100)，具有电光效应；两个光波导(104、106)，配置在所述基板表面；非导电层(120)，配置在所述基板上，由介电常数比该基板低的材料构成；及控制电极(150)，配置在所述非导电层上，用于对所述两个光波导分别施加电场而在该两个光波导之间产生折射率差，所述非导电层由含有氧化硅、铟的氧化物和钛的氧化物且钛氧化物摩尔浓度与铟氧化物摩尔浓度之比为1.2以上的材料构成，对所述控制电极施加在所述基板产生1V/μm以上的电场的电压。 | ||||||
| 3 | 一种基于马赫-曾德干涉的硅基铌酸锂薄膜光调制器 | CN201510875527.3 | 2015-12-02 | CN106033154A | 2016-10-19 | 姜城 |
| 本发明提供一种基于马赫-曾德干涉的硅基铌酸锂薄膜光调制器，包括行波电极，铌酸锂波导层，下包层，地电极和衬底，所述的衬底上表面覆盖所述的地电极；所述的地电极上表面覆盖所述的下包层；所述的下包层上表面覆盖所述的铌酸锂铌酸锂波导层；所述的铌酸锂波导层上表面覆盖所述的行波电极；所述的铌酸锂波导层包括铌酸锂晶体和钛扩散条波导，所述的铌酸锂晶体设置在钛扩散条波导的下表面中部。本发明的铌酸锂波导层的设置，在实现低功耗驱动的同时降低了调制器的尺寸，提高了器件的稳定性，具有制作工艺简便，器件尺寸小，稳定性好等优点，便于推广和使用。 | ||||||
| 4 | 铌酸锂外调制器的精确控制方法 | CN201510828144.0 | 2015-11-25 | CN105334644A | 2016-02-17 | 杨江; 孙尧丰; 汪滨波; 黄维 |
| 本发明公开了一种铌酸锂外调制器的精确控制方法，具体步骤如下：步骤一：偏置控制器中的微控制器检测出扰动基频信号传输函数、谐波信号传输函数；步骤二：微控制器记录基频信号与谐波信号的极值，并通过计算二次谐波抑制比的变化曲线得到Q值；步骤三：根据步骤二中得出的Q值来作为偏置电压控制参考变量。本发明的铌酸锂外调制器的精确控制方法的响应速度和控制精度更高、控制稳定性更好。 | ||||||
| 5 | 光波导元件 | CN201180013168.0 | 2011-03-09 | CN102792198B | 2015-12-16 | 石川泰弘; 近藤胜利; 宫崎德一; 及川哲 |
| 本发明的目的在于提供一种光波导元件，其能够抑制MZ型波导的合波部中的不需要的高次模的激发、实现输出光的稳定化、并高效地导出放射模式光。在基板上形成有马赫-曾德尔型波导的光波导元件中，向该马赫-曾德尔型波导的射出侧的合波部（13）输入的2个波导（11、12）的倾角为0度，该合波部合波后的波导是多模波导，从该合波部输出的波导由3分支波导构成，该3分支波导由输出主波导（14）和夹着该输出主波导的2个输出副波导（15、16）构成。 | ||||||
| 6 | 光波导元件及其制造方法 | CN201280035340.7 | 2012-07-19 | CN103688213B | 2015-11-25 | 藤野哲也; 栗原雅尚; 神力孝; 菅又徹 |
| 本发明提供抑制了直流漂移的光波导元件的制造方法，进而提供能够在制造工艺的中途调整直流漂移而改善制造的成品率的光波导元件的制造方法。该光波导元件的制造方法包括在具有电光效应的基板形成光波导的工序、形成缓冲层的工序、形成电极的工序，其特征在于，在形成该缓冲层后加入了1阶段或多阶段的界面扩散层热调整工序(S1，S2)，该界面扩散层热调整工序用于利用加热来调整该缓冲层内的特定物质的浓度分布。 | ||||||
| 7 | 液晶显示器和制造液晶显示器的方法 | CN201510076776.6 | 2015-02-12 | CN104849915A | 2015-08-19 | 洪锡埈; 梁智星; 林泰佑; 李善旭; 蔡景泰 |
| 本发明涉及液晶显示器和制造液晶显示器的方法。液晶显示器包括：基板；薄膜晶体管；像素电极；顶层；液晶层；以及多个间隔部。薄膜晶体管布置在基板上。像素电极连接至薄膜晶体管。顶层被布置为面向像素电极。通过像素电极与顶层之间的多个微腔形成液晶层，其中，微腔包括液晶材料。间隔部在彼此相邻的微腔之间，其中，间隔部可包括有机材料并且彼此并排地排布。 | ||||||
| 8 | 高功率电磁和频发生器系统 | CN201080058326.X | 2010-10-14 | CN102667605B | 2015-03-18 | 莫滕·托尔豪基; 杰斯伯·里特普·莫滕森; 杰斯伯·鲁贝奇·拉斯姆森 |
| 一种高功率和频场发生器系统包括：至少第一电磁源，如激光器，用于产生沿着传播路径发射的第一基本场和第二基本场；以及沿着所述传播路径串联排列的第一非线性部件和第二非线性部件，其中：第一非线性部件适合于从第一基本场和第二基本场产生第一和频场，第一和频场具有第一偏振；第二非线性部件适合于从入射的第一和第二基本场产生第二和频场，第二和频场具有第二偏振；第一和频场和第二和频场二者沿着所述传播路径传播，并且其中所述系统具有包括第一和频场和第二和频场的输出，并且其中第一偏振方向与第二偏振方向形成角度，使得这两个偏振不平行。 | ||||||
| 9 | 光波导元件及其制造方法 | CN201280035340.7 | 2012-07-19 | CN103688213A | 2014-03-26 | 藤野哲也; 栗原雅尚; 神力孝; 菅又徹 |
| 本发明提供抑制了直流漂移的光波导元件的制造方法，进而提供能够在制造工艺的中途调整直流漂移而改善制造的成品率的光波导元件的制造方法。该光波导元件的制造方法包括在具有电光效果的基板形成光波导的工序、形成缓冲层的工序、形成电极的工序，其特征在于，在形成该缓冲层后加入了1阶段或多阶段的界面扩散层热调整工序（S1，S2），该界面扩散层热调整工序用于利用加热来调整该缓冲层内的特定物质的浓度分布。 | ||||||
| 10 | 高次谐波生成元件的制造方法 | CN200910128913.0 | 2009-03-13 | CN101533201B | 2013-08-07 | 吉野隆史 |
| 本发明提供一种高次谐波生成元件的制造方法。在通过有机树脂粘结剂将波长转换层夹在上下基板之间的结构的高次谐波生成元件中，防止元件的端面中的反射防止膜的剥落或裂纹，并且防止元件的端面附近的粘接层的燃烧破坏。制作以下的芯片12，该芯片具有：支撑基板(2)、具有设置了周期极化反转结构的光波导的波长转换层(5)、有机树脂制成的基底粘接层(3)、设置在波长转换层(5)的上表面一侧的上侧基板(11)、以及粘接波长转换层(5)和上侧基板(11)的有机树脂制成的上侧粘接层(10)。对该芯片(12)进行热处理。然后，在光波导的入射侧端面以及出射侧端面上分别形成防止反射膜。 | ||||||
| 11 | 光波导元件 | CN201180013168.0 | 2011-03-09 | CN102792198A | 2012-11-21 | 石川泰弘; 近藤胜利; 宫崎德一; 及川哲 |
| 本发明的目的在于提供一种光波导元件，其能够抑制MZ型波导的合波部中的不需要的高次模的激发、实现输出光的稳定化、并高效地导出放射模式光。在基板上形成有马赫-曾德尔型波导的光波导元件中，向该马赫-曾德尔型波导的射出侧的合波部（13）输入的2个波导（11、12）的倾角为0度，该合波部合波后的波导是多模波导，从该合波部输出的波导由3分支波导构成，该3分支波导由输出主波导（14）和夹着该输出主波导的2个输出副波导（15、16）构成。 | ||||||
| 12 | 高功率电磁和频发生器系统 | CN201080058326.X | 2010-10-14 | CN102667605A | 2012-09-12 | 莫滕·托尔豪基; 杰斯伯·里特普·莫滕森; 杰斯伯·鲁贝奇·拉斯姆森 |
| 一种高功率和频场发生器系统包括：至少第一电磁源，如激光器，用于产生沿着传播路径发射的第一基本场和第二基本场；以及沿着所述传播路径串联排列的第一非线性部件和第二非线性部件，其中：第一非线性部件适合于从第一基本场和第二基本场产生第一和频场，第一和频场具有第一偏振；第二非线性部件适合于从入射的第一和第二基本场产生第二和频场，第二和频场具有第二偏振；第一和频场和第二和频场二者沿着所述传播路径传播，并且其中所述系统具有包括第一和频场和第二和频场的输出，并且其中第一偏振方向与第二偏振方向形成角度，使得这两个偏振不平行。 | ||||||
| 13 | 光学器件 | CN201080052993.7 | 2010-11-24 | CN102667578A | 2012-09-12 | 泷泽亨; 野崎孝明; 阿部洋辅 |
| 本发明的光学器件(20)是使形成了光波导路(8)的光学元件(6)接合到基板(2)的器件，特征在于，在与光学元件(6)的基板(2)对置的面上，形成光波导路(8)和用于加热光波导路(8)的薄膜加热器(4)，光学元件(6)和基板(2)通过由金属材料构成的第1接合部(12)和第2接合部(14)接合，经由第1接合部(12)和第2接合部(14)，薄膜加热器(4)与基板(2)上的布线导通连接。通过设为这样的构成，不需要另外设置导通连接用的布线，从而能够消除光学元件(6)上的冗余区域而实现小型化，且能够简化制造工序。 | ||||||
| 14 | 波长转换元件 | CN200980106068.5 | 2009-02-03 | CN101952773B | 2012-08-29 | 吉野隆史 |
| 本发明提供一种波长转换元件(1)，包括：支持基板(8)；波长转换用基板(2)，其由强介电性单晶所构成的Z板构成，形成有周期极化反转结构，厚度为10μm以上、100μm以下；设置在所述波长转换用基板的底面(2b)的缓冲层(6)；和将所述支持基板(8)和所述缓冲层(6)粘结，厚度为0.6μm以上、2.0μm以下的有机树脂粘结剂层(7)。 | ||||||
| 15 | 波长变换模块、激光源装置、二维图像显示装置、背光光源、液晶显示装置以及激光加工装置 | CN200680038010.8 | 2006-10-11 | CN101288024B | 2012-08-22 | 古屋博之; 山本和久; 水内公典 |
| 本发明提供一种波长转换模块、激光源装置、二维图像显示装置、背光光源、液晶显示装置以及激光加工装置。所述波长变换模块，包括：第一基波传播光纤，用于传播从激光源射出的基波；第一波长变换元件，与第一基波传播光纤光学耦合，用于将从第一基波传播光纤射出的基波变换为高次谐波；和第一高次谐波传播光纤，与第一波长变换元件光学耦合，用于传播从第一波长变换元件射出的高次谐波；其中，第一高次谐波传播光纤的芯直径是第一基波传播光纤的芯直径的0.5～0.9倍。由此可以使波长变换模块小型化。 | ||||||
| 16 | 光调制器 | CN200680010127.5 | 2006-02-16 | CN101151571B | 2010-11-10 | 河野健治; 名波雅也; 仙田宏明; 本藤武; 内田靖二; 佐藤勇治; 中平彻 |
| 一种光调制器，包括：具有不反转极化的区域(17a)和反转极化的区域(17b)的基板、具备第一和第二光波导路(18a)、(18b)的光波导路(18)，使在第一和第二光波导路中传播的光与在由中心导体(19a)和接地导体(19b)、(19c)构成行波电极中传播的电信号相互作用的相互作用部包括：向相互不同方向极化的第一、第二相互作用部(20a)、(20b)，中心导体在第一和第二相互作用部与第一或第二光波导路相对，在第一和第二相互作用部来调制在第一和第二光波导路中传播的光的相位，其中，在第一与第二相互作用部之间设置光波导路变换部(20c)，在第一和第二相互作用部，把中心导体和接地导体与第一和第二光波导路的相对位置进行调换。 | ||||||
| 17 | 光控制元件 | CN200880010907.9 | 2008-03-28 | CN101652703A | 2010-02-17 | 及川哲; 市川润一郎; 金原勇贵; 山根裕治 |
| 本发明提供一种光控制元件，包括具有电光效应的薄板、形成于所述薄板的光波导、用于控制通过所述光波导的光的控制电极，本发明能够解决以下课题，即实现施加给所述控制电极的微波信号与所述光的速度匹配、所述微波的阻抗匹配、降低驱动电压、实现快速动作。为了解决所述课题，本发明的光控制元件的所述控制电极在所述薄板的上侧配置信号电极和接地电极，在所述薄板的下侧配置包括接地电极的第2电极。并且，使所述第2电极不位于所述信号电极的下方，以实现阻抗匹配。 | ||||||
| 18 | 具有激光制造的非线性波导的高功率可见光激光器 | CN201580035385.8 | 2015-06-29 | CN106471406A | 2017-03-01 | G·D·米勒; G·伊梅雪夫 |
| 公开了用于波导制造和设计的新方法和系统。描述了用于通过飞秒脉冲激光制造脊波导、掩埋式波导和混合波导的设计。激光器系统可以将二极管条、波长组合器和波导组合。波导可以将红外激光的电磁辐射转换成可见光波长范围。 | ||||||
| 19 | 电光相位调制系统 | CN201680000566.1 | 2016-01-11 | CN105940340A | 2016-09-14 | 姜海峰; 邰朝阳; 张颜艳; 张龙; 闫露露; 赵文宇; 张首刚 |
| 本发明实施例提供一种电光相位调制系统，包括：电光晶体、射频电路以及光源，其中，电光晶体的光入射面与光出射面平行，电光晶体的上电极面与下电极面平行，光入射面与光出射面位于上电极面与下电极面之间，且光入射面与上电极面之间的夹角为布儒斯特角；射频电路的两个电极分别与上电极面和下电极面连接，用于向上电极面和下电极面发送射频信号，以使上电极面和下电极面之间形成电场方向垂直与上电极面的电场；光源位于光入射面一侧，光源产生的光束与光入射面的夹角为布儒斯特角。用于减少剩余幅度调制，进而提高相位调制的精确度。 | ||||||
| 20 | 铋镁双掺铌酸锂晶体 | CN201610114580.6 | 2016-03-01 | CN105624790A | 2016-06-01 | 孔勇发; 郑大怀; 刘士国; 许京军; 徐培明; 卞志勇; 陈绍林; 张玲; 刘宏德 |
| 本发明属于非线性光学晶体技术领域，涉及一种铋镁双掺铌酸锂晶体，其特征在于铌酸锂晶体中同时掺入Bi2O3和MgO，其中[Li]和[Nb]的摩尔比为0.90～1.00。Bi2O3掺入量为0.25～1.00mol％，MgO的掺杂量为3.00～9.00mol％。本发明提供的铋镁双掺铌酸锂晶体的光折变效应增强、灵敏度提高；同时抗光损伤能力也显著提高，并且易于生长；所述晶体可应用于激光频率转换、参量振荡、调Q开关、电光调制、全息存储及全息显示等领域。 | ||||||
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