| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 太拉赫兹光发生装置 | CN201710062384.3 | 2017-02-03 | CN107039874A | 2017-08-11 | 川瀨晃道; 中俊明; 佐佐木基; 土谷晓人 |
| 本发明提供一种太拉赫兹光发生装置。具备被入射来自激光生成单元(2)的第1激光(L1)和第2激光(L2)发生太拉赫兹光(TH1)的第1非线性光学结晶(3)。激光生成单元具有通过被入射与第2激光相同的波长的激光发生包含多个波长的无效光(L1)的第2非线性光学结晶(7)，通过使从该第2非线性光学结晶发生的无效光作为第1激光(L1)入射到第1非线性光学结晶，从该第1非线性光学结晶发生包含多个波长的太拉赫兹光。根据需要，能够设置具有仅使包含多个波长的无效光中的特定的波长的无效光通过的光透射部的波长选择单元。能够得到输出大的包含多个波长的太拉赫兹光。另外，易于通过波长选择单元得到必要的特定的波长的太拉赫兹光。 | ||||||
| 2 | 电光器件,电光薄晶体薄膜及其制造方法 | CN02825923.8 | 2002-11-19 | CN1672086A | 2005-09-21 | 帕维尔·I·拉扎列夫; 迈克尔·V·保克什托; 弗拉迪米尔·苏利莫夫 |
| 提供一种电光器件，其包括至少一个衬底(1)，至少一对电极(2)以及至少一层电光材料。该电光材料代表光学各向异性薄晶体薄膜(3)，并且包含具有芳香环且具有沿着光轴之一、面间距(布喇格反射)为3.4±0.2的晶格的分子。电光材料(3)具有依赖于电场强度的各向异性折射率和/或各向异性吸收系数。 | ||||||
| 3 | 电光器件 | CN02825923.8 | 2002-11-19 | CN100394255C | 2008-06-11 | 帕维尔·I·拉扎列夫; 迈克尔·V·保克什托; 弗拉迪米尔·苏利莫夫 |
| 提供一种电光器件，其包括至少一个衬底(1)，至少一对电极(2)以及至少一层电光材料。该电光材料代表光学各向异性薄晶体薄膜(3)，并且包含具有芳香环且具有沿着光轴之一、面间距(布喇格反射)为3.4±0.2的晶格的分子。电光材料(3)具有依赖于电场强度的各向异性折射率和/或各向异性吸收系数。 | ||||||
| 4 | 可调谐振光栅滤光器 | CN200380110910.5 | 2003-12-24 | CN1886680A | 2006-12-27 | 朱莉娅·彼德拉; 贾科莫·M·戈尔尼 |
| 本发明提出了一种能反射波长处在一个谐振波长的光辐射的可调谐振光栅滤光器，所述谐振波长是可根据需要有选择地改变的。这种滤光器包括：一个衍射光栅(3)，一个平面波导(4)，以及一种用来调谐滤光器的具有按选择可变的折射率的透光材料，优选的是一种液晶(LC)材料，所述透光材料形成平面波导的一个可调谐覆盖层(5)。衍射光栅(3)设置在可调谐层(5)隔着平面波导(4)的对面，从而可以将光栅结构参数修改成适合所希望的滤光器响应带宽而不会显著地影响滤光器的可调谐性。在本发明的谐振结构(1)内，芯层即波导(4)可以更接近可调谐层(5)，或者与可调谐层直接接触，或者与可调谐层隔着很薄的中间层。芯层(4)接近可调谐层(5)意味着传播模可以显著地延伸入可调谐层(5)，使得对波导(4)内基模的有效折射率可以更有效地受到可调谐层折射率改变的影响。 | ||||||
| 5 | 使用光分插复用器的波分复用交换机及其控制方法 | CN02132248.1 | 2002-09-03 | CN1224205C | 2005-10-19 | 郑圭哲 |
| 一种波分复用(WDM)交换机，包括一个或多个光分插复用器(OADM)，用于向一个或多个光信道分离或插入光信号。OADM可以是单信道OADM，其包括周期性排列而具有一对不同极性的第一和第二导体；光波导型耦合器，用于通过由第一和第二导体产生的电场分离/插入特定信道的光信号；电源单元，用于向第二导体供电；置于第二导体和电源单元之间的开关，用于控制向第二导体的电能供给，以便根据操作控制信号控制电场的产生和消除。一种控制WDM系统中单信道OADM的方法，包括检查是否需要分离/插入操作；若需要分离/插入操作，则在光波导型耦合器中产生电场；以及通过产生的电场执行信道的分离/插入操作。 | ||||||
| 6 | 用于光波长的转换与改发的方法与多波长选择转换器 | CN99807497.7 | 1999-06-14 | CN1134925C | 2004-01-14 | M·古斯塔夫松 |
| 本发明涉及定向耦合器结构形式的多波长选择转换器。此定向耦合器结构包括两个波导，其中安排的波导呈现不同的有效衍射指数。一个部分中的波导安排为相互邻近，以使第一波导中的光场能覆盖第二波导，并且反之亦然，而且在所述部分中至少两个光栅安排用于同向耦合。所述光栅安排为相互隔离。本发明还包括用于利用所述多波长选择转换器转换波长信道的方法。 | ||||||
| 7 | 使用光分插复用器的波分复用交换机及其控制方法 | CN02132248.1 | 2002-09-03 | CN1407751A | 2003-04-02 | 郑圭哲 |
| 一种波分复用(WDM)交换机，包括一个或多个光分插复用器(OADM)，用于向一个或多个光信道分离或插入光信号。OADM可以是单信道OADM，其包括周期性排列而具有一对不同极性的第一和第二导体；光波导型耦合器，用于通过由第一和第二导体产生的电场分离/插入特定信道的光信号；电源单元，用于向第二导体供电；置于第二导体和电源单元之间的开关，用于控制向第二导体的电能供给，以便根据操作控制信号控制电场的产生和消除。一种控制WDM系统中单信道OADM的方法，包括检查是否需要分离/插入操作；若需要分离/插入操作，则在光波导型耦合器中产生电场；以及通过产生的电场执行信道的分离/插入操作。 | ||||||
| 8 | 用于光波长的转换与改发的方法与多波长选择转换器 | CN99807497.7 | 1999-06-14 | CN1305670A | 2001-07-25 | M·古斯塔夫松 |
| 本发明涉及定向耦合器结构形式的多波长选择转换器。此定向耦合器结构包括两个波导,其中安排的波导呈现不同的有效衍射指数。一个部分中的波导安排为相互邻近,以使第一波导中的光场能覆盖第二波导,并且反之亦然,而且在所述部分中至少两个光栅安排用于同向耦合。所述光栅安排为相互隔离。本发明还包括用于利用所述多波长选择转换器转换波长信道的方法。 | ||||||
| 9 | 반도체 광전 집적회로 및 그 형성 방법 | KR1020070132339 | 2007-12-17 | KR1020090064951A | 2009-06-22 | 박미란; 권오균; 박정우; 김경옥 |
| A semiconductor optoelectronic integrated circuit and a forming method thereof are provided to increase a degree of integration by arranging an optical active element on an optical grating of an optical waveguide. A semiconductor optoelectronic integrated circuit includes an optical waveguide(105), an optical grating(107), and an optical active element. The optical waveguide is arranged on a substrate. The optical waveguide includes an input terminal and an output terminal. The optical grating is formed on the optical waveguide. The optical active element is formed on the optical grating. The optical active element receives an optical signal from the optical waveguide through the optical grating. The optical active element modulates the received optical signal. | ||||||
| 10 | 半導体装置およびその製造方法 | JP2017080503 | 2017-04-14 | JP2018180332A | 2018-11-15 | 桑原 愼一; 中柴 康▲隆▼; 飯田 哲也; 綿貫 真一 |
| 【課題】半導体装置の製造コストの低減および半導体装置の特性の向上を図る。 【解決手段】グレーティングカプラGCは、光導波方向に互いに離間する複数の突起部と、互いに隣り合う突起部の間のそれぞれに突起部と一体に形成されたスラブ部とを有し、MOS型光変調器PCは、光導波方向に延在する突起部と、突起部の両側のそれぞれに突起部と一体に形成されたスラブ部とを有する。そして、グレーティングカプラGCおよびMOS型光変調器PCの突起部は、第1絶縁層CL1上に順次積層された第1半導体層SL1、第2絶縁層CL2および第2半導体層SL2から構成され、グレーティングカプラGCおよびMOS型光変調器PCのスラブ部は、第1半導体層SL1から構成される。 【選択図】図1 |
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| 11 | Electro-optical waveguide element | JP7763394 | 1994-04-15 | JP3771287B2 | 2006-04-26 | 慎一郎 園田; 正美 羽鳥 |
| 12 | Single mode optical switch, thin film optical switch, optical switch, and method for manufacturing single mode optical switch | JP2003149351 | 2003-05-27 | JP2004013155A | 2004-01-15 | LIU KUO-CHUAN |
| <P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electro-optical switch which is little involved with the problems related to all the conventional type optical switches, uses a single mode optical signal, and realizes switching for a high data transmission rate. <P>SOLUTION: The single mode optical switch has a thin layer ferroelectric oxidized film, and comprises: a single mode optical waveguide 212 for propagating light of a single mode; a photocoupler 214 disposed adjacent to the single mode optical waveguide 212 and used for coupling part of the single mode light from the optical fiber to the optical waveguide; a lens 220 formed electrically in the single mode optical waveguide 212 and used for collimating the single mode light from the photocoupler 214; and a switching module 224 disposed in the single mode optical waveguide 212 and including another electrically formed lens for switching the single mode light. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO | ||||||
| 13 | Sadoshirube waveguide pair | JP2001535097 | 2000-10-13 | JP2003513328A | 2003-04-08 | ディーコン，デイヴィッド・エイ・ジー |
| (57)【要約】 差動の熱的応答を持つ非対称導波路対（１４４０）は、熱−光学的に同調することのできる光学的結合周波数を有する。 同調は、導波路構造の液晶部分（１４４２）を横切る電場（１４４５）を印加することによっても達成できる。 導波路対は格子を備え、光学共振器のための周波数選択性カップラとして使用される。 差動型導波路対はまた、温度センサ又は電場センサとして使用され、或いは、例えばアレー型導波路格子において位相関係を調節するために導波路アレーにおいて使用される。 | ||||||
| 14 | Way and multi-wavelength selection switch for switching switching and the path of the light wavelength | JP2000555382 | 1999-06-14 | JP2002518712A | 2002-06-25 | グスタフソン、マトス |
| (57)【要約】 本発明は、方向性結合器構造体の形式の多重波長選択スイッチに関する。 この方向性結合器構造体は、２個の導波器を有する。 これらの導波器は、異なる実効屈折率を示して配置される。 １つの部分では、これらの導波器は相互に近接して配置される。 このことにより、この部分において、第１導波器の中の光電磁界が第２導波器に重なり合うことができ、そしてその逆も起こることができる。 前記部分において、少なくとも２個の回折格子が共通の方向性をもって結合して配置される。 前記回折格子は相互に分離して配置される。 本発明はさらに、前記多重波長選択スイッチを用いることにより、波長チヤンネルをスイッチングする方法をも包含している。 | ||||||
| 15 | Method and device for generating terahertz wave | JP2000261233 | 2000-08-30 | JP2002072269A | 2002-03-12 | KAWASE AKIMICHI; ITO HIROMASA; YOMO JUNICHI |
| PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and a device for generation of terahertz waves such that the output of terahertz waves can be significantly increased in the generation of terahertz waves by the parametric effect in a nonlinear optical crystal under non-collinear phase matching conditions, that the spectral width can be further narrowed, moreover, that the wavelength of the generated terahertz waves is made variable, and that the generating direction of the waves can be maintained almost constant. SOLUTION: The device is equipped with a nonlinear optical crystal 1 which can generate parametric oscillation, a first laser device 12 to emit first laser light 7 at a single frequency as pumping waves 2 to enter the nonlinear optical crystal, a second laser device 14 to emit another second laser light 8 at a single frequency to enter the crystal. The second laser light 8 is injected along the direction where idler waves are generated by the pumping waves. | ||||||
| 16 | Dynamically optical signal transfer device between the decoupled by two systems | JP2000503463 | 1998-05-05 | JP2001510906A | 2001-08-07 | ポイゼル，ハンス |
| (57)【要約】 第１のシステムに設けられた第１の光源を有する少なくとも１つのエミッタと、第２のシステムに設けられ、その延長部分に沿って光源が移動し、この光源からの光が内部に入射可能である少なくとも１つの光ファイバを有するレシーバとを備え、好適には移動可能な２つのシステムの間での光信号伝送装置を開示する。 この発明の特徴は、第１の光源と直に対向する光ファイバの表面に光屈折層を設け、光ファイバ内に光が入射できるように第１の光源からの光に対して回折特性を有する光格子を、光入射部位での光の重複により光屈折層内に動的に刻み込むような光を出射する少なくとも１つの光干渉性の光源を第１のシステムに設けることにある。 | ||||||
| 17 | Waveguide type electro-optical element | JP7763394 | 1994-04-15 | JPH07287256A | 1995-10-31 | SONODA SHINICHIRO; HATORI MASAMI |
| PURPOSE: To decrease DC drifts even if input light is short in wavelength or high in intensity by forming buffer layers of a material having a dielectric constant. CONSTITUTION: Resist patterns of EOG electrodes are formed by photolithography on an optical waveguide 11 and thereafter the film of HfO 2 is formed as the buffer layers 12 on these electrode patterns. Al which is an electrode material is deposited by evaporation thereon and the resist is lifted off, by which EOG electrodes 13 are obtd. In such a case, the buffer layers 12 which are separated by each of the respective electrode parts are formed. The material having the dielectric constant 20 to 200 is preferably formed in terms of ease of film formation. Since the dielectric constant of the buffer layer material is large, the capacitance thereof increases. A change in effective voltage, i.e., the DC lift is suppressed exclusive of the case the resistance of the optical waveguide 11 is larger than the resistance of the buffer layers 12. COPYRIGHT: (C)1995,JPO | ||||||
| 18 | Optical wavelength filter device | JP26216190 | 1990-09-28 | JPH04138427A | 1992-05-12 | OKAYAMA HIDEAKI; USHIKUBO TAKASHI |
| PURPOSE: To narrow a line width within a practicable use range and to widen a tuning width by optically connecting a 1st optical wavelength filter of a mode conversion type and a 2nd optical wavelength filter of an interference device type. CONSTITUTION: The 1st optical wavelength filter 10 of the mode conversion type and the 2nd optical wavelength filter 12 of the interference device type are optically connected. The 1st optical wavelength filter 10 is the filter of the mode conversion type and, therefore, the transmission wavelength thereof is substantially one wavelength λ 01 and allows the transmission of the light of the wavelength in the range of the line width ▵λMC 1 centering at the transmis sion wavelength λ 01. On the other hand, the 2nd optical wavelength filter 12 is the filter of the interference device type and, therefore, the transmission wavelength thereof is plural pieces of wavelengths λ 020, λ 021,... arraying at certain specific periods and allows the transmission of the light in the range of the line width ▵λMC 20 centering at the transmission wavelength λ 020, the light of the range of the line width ▵λMC 21 centering at the transmission wave length λ 021'. The wide tuning width and the narrow line width ▵λMC 2 are obtd. in this way. COPYRIGHT: (C)1992,JPO&Japio | ||||||
| 19 | Optical integrated circuit | JP10511187 | 1987-04-28 | JPS63269132A | 1988-11-07 | YAMAMOTO HIROAKI; HORI YOSHIKAZU; SERIZAWA AKIMOTO; OTSUKA REI |
| PURPOSE:To provide a simple optical system with a waveform converting function by transmitting the distribution of an electric field as Gauss's distribution in a light guide at the time of coupling light radiated into a substrate at a fixed angle by Cherenkov radiation with another light guide. CONSTITUTION:When laser light with 0.8mum wavelength is made incident from a semiconductor laser upon a secondary higher harmonic generating light guide 2, the light are guided into the light guide 2, generates secondary higher harmonic with 0.4mum and radiates the higher harmonic into the substrate as substrate radiation light 6 at a fixed angle by Cherenkov radiation. The light 6 are made incident upon a blaze grating 4 formed in a single mode three-dimensional light guide 3, coupled with a proton replacement single mode three-dimensional light guide 3 and transmitted as wave-guided light 7. The light 7 are radiated to the external at the end face of the light guide 3 as radiation light 8. Since the space distribution shape of light intensity at the end face of the light guide 3 is similar to a circle, astigmatism at the time of concentrating light by means of the lens system can be reduced. | ||||||
| 20 | Electro-optical device, electro-optical crystal thin film and a manufacturing method thereof | JP2003546164 | 2002-11-19 | JP2005509919A | 2005-04-14 | ヴラディミール スリモフ; マイケル ヴィ ポークシュト; パヴェル アイ ラザレフ |
| 【課題】 少なくとも１つの基板（１）と、少なくとも一対の電極（２）と、少なくとも一層の電気光学材料とからなる電気光学装置を提供する。
【解決手段】 電気光学材料は、光学的異方性結晶薄膜（３）を表し、芳香環を有し、かつ光軸の１つに沿って３．４±０．２Åの格子面間隔（ブラッグ反射）を有する格子をもつ分子を含む。 電気光学材料（３）は、電界強度に依存する異方性屈折率及び／又は異方性吸収係数を有する。 |
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