最新中国发明专利第2023-03-03期 - 专利汇|PatentHub专利检索|专利查询网|发明专利查询分析

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CN115733257A	一种智能变电站站控层设备互联测试方法、装置及设备本发明涉及变电站运维技术领域，提供一种智能变电站站控层设备互联测试方法、装置及设备，方法包括：以预设触发顺序在待测上送装置中分别触发遥信信号；再分别读取微机监控系统和待测上送装置的报文信息，按照时间顺序分别对微机监控系统的遥信信号和待测上送装置的遥信信号进行和标准遥信信号进行比对，若遥信信号都一致，则信号上送测试合格，在微机监控系统执行下发定值操作，按照时间顺序分别将微机监控系统的定值和待测保护装置的定值进行比对，若定值都一致，则判断设备互联测试合格；使得站控层的设备在安装互联后，能够根据设备的报文信息一致性，在站控层设备互联情况下，分别判断信号传输是否正确，验证站控层设备互联的可靠性。
CN115733253A	新型电力系统下的孤岛运行判别方法本发明公开了新型电力系统下的孤岛运行判别方法，用于对连接有小电源的变电站系统进行监测，变电站系统包括若干主变和母线，母线之间连接有母联开关并配置备自投装置，至少一个母线上接入有小电源；备自投装置模拟量输入端连接变电站系统中各电压互感器以及电流互感器的输出端；开关量输入端连接母线侧各分支回路开关、母联开关以及变电站系统中包括针对各主变后备保护、各开关手动跳闸动作的所有闭锁备自投的开入量的接点。本发明通过对小电源是否处于孤岛运行方式的辨别，使得进线电流异常时，在有小电源接入的情况下，备自投装置能够正确可靠动作，提高电网运行的可靠性。
CN115733244A	一种区域电网数字孪生方法、系统及存储介质本申请涉及一种区域电网数字孪生方法、系统及存储介质，系统包括电网信息采集模块、地理信息管理模块、电网模型管理模块、数据仿真模块、可视化展示模块，系统结合高清地图建立区域电网的三维场景，展示、模拟电网设备运行情况，通过电网智能算法模型建立暂稳态推演场景，接入电网实时运行数据，分析电网稳定性，给出电网调控策略。本发明的系统能真实、全面、直观的展示区域电网运行状况，有效的提高电网运维效率，实现电网运维智能化。
CN115733241A	一种基于大数据的电能自动化控制系统本发明涉及一种基于大数据的电能自动化控制系统，包括有计量模块、电量采集模块、计量脉冲采集模块、电源电量检测单元、数据存储单元、数据计算单元、信息输入单元、数据库、中央处理单元、电源模块、无线通信模块、显示模块、电路开合单元、反馈模块、警示模块和时钟模块，电能自动化控制系统中包含有若干个计量模块，计量模块的输出端均与单个的电量采集模块的输入端进行连接。有益效果：计量模块对电能消耗的节点多方位的检测，部件位置检测模块对消耗的节点定位，实现对电能消耗的大数据统计，将统计检测的结果通过数据存储单元、数据计算单元进行存储和计算，实现节能环保的效果，实现大数据统计，设计合理巧妙，运行稳定，实用价值高。
CN115733236A	配电自动化直流电源自动充放电系统本发明提供了一种配电自动化直流电源自动充放电系统，包括直流系统切换电路中包括一组主充电模块与主电池组以及一组备用充电模块和备用电池组，主充电模块与主电池组和备用充电模块和备用电池组通过若干个开关实现互为备用关系；监测节点用于获取主电池组和备用电池组的状态信息，并根据充放电试验指令控制直流系统切换电路进行蓄电池自动充放电试验；还用于对直流系统切换电路进行自动充放电控制；管理节点用于从监测节点处获取状态信息，还用于向监测节点发送充放电试验指令。本发明通过直流系统切换电路实现电池与备用电池之间自动充放电及互为备用，保障配电自动化装置直流电源系统健康度与可靠性，同时通过监测节点实现自动充放电试验。
CN115733231A	储能电源的控制方法和储能电源本申请实施例提供一种储能电源的控制方法和储能电源。该储能电源中包括主机及多个通过连接线与主机并联连接的电池包，每个电池包的主回路通道上设置有串联的第一电路和第二电路，第一电路和第二电路相互协作用于实现电池包的充电功能和放电功能，该方法包括：在放电模式下，主机按照第一预设顺序，通过第一电路和第二电路控制各电池包依次执行放电操作，直至各电池包达到放电截止条件；在充电模式下，主机按照第二预设顺序，通过第一电路和第二电路控制各电池包依次执行充电操作，直至各电池包达到充电截止条件；其中，主机设置有逆变器，电池包可通过逆变器进行充电或放电。该方法满足了一些场景下的续航里程需求，且延长了各电池包的使用寿命。
CN115733229A	充电系统本申请提供一种充电系统，该系统包括：多个充电支路；多个电流和不同规格的电池一一对应，其中，每个充电支路，具体包括：分控模块和整流模块；分控模块与整流模块连接；多个充电支路接收初始电流并产生多个电流，将多个电流输入到不同规格的电池；多个充电支路用于控制不同规格的电池的充电和放电；初始电流为220V交流电压。本申请的系统，通过设置多个充电支路，多个充电支路接收初始电流并产生根据不同规格的电池所需的电流，并将多个电流输入到不同规格的电池；实现不同规格的电池的充电和放电的控制；解决现有充放电系统只能为同规格大容量蓄电池组进行充电；当对不同规格的蓄电池进行充电时，会导致蓄电池出现损坏的问题。
CN115733226A	应用于充电设备的多路充电实现电路、方法及充电设备本发明公开了一种应用于充电设备的多路充电实现电路、方法及充电设备，通过为每个协议电路设置至少一个电压输出接口及对应的电压提供电路，并通过协议电路检测接入协议电路的电压输出接口的受电设备发送的电压协议信号，再根据接收到的电压协议信号，确定受电设备所需的电压反馈至对应的电压提供电路，使得电压提供电路输出与受电设备匹配的功率段的电压并通过协议电路的电压输出接口输出给受电设备，从而实现多种受电设备的快充，且互不干扰及不再局限于固定型号的受电设备，提高了电路的适用性，满足多种应用场景。
CN115733223A	电池模组、移动终端及充电方法本申请实施例涉及电子器械技术领域，公开了一种电池模组、移动终端和充电方法。电池模组包括：电芯、电池保护板、第一支路及连接器；电芯，用于存储和释放电荷；电池保护板，分别与电芯及连接器耦接，用于根据电池模组的电池数据检测结果，变更电芯与外部电路的连通状态，并将电池数据传输至连接器；第一支路一端与电芯的负极连接，另一端与连接器连接，用于将电芯的负极电压传输至连接器；连接器，用于将电池模组与外部主机连通，并将电池数据及电芯的负极电压传输至外部主机，供外部主机根据电池数据及电芯的负极电压，确定电池模组的电芯电压。便于外部主机简单高效的获取电池模组电芯电压，从而提高电池模组充电效率和安全性。
CN115733221A	一种USB快充充电器本发明属于充电器技术领域，具体涉及一种USB快充充电器。主板的上下表面分别形成有安装正面和安装背面；输出板下端与主板右端连接，输出板的上端与安装正面互成角度，输出板的左右表面分别形成有第一安装面和第二安装面；USB接口的接口朝右设置，USB接口的左端与第二安装面连接；支撑件包括相互连接的第一支撑段和第二支撑段，第一支撑段具有相较于下表面向下突出的第一突出部，第一突出部下端抵接在安装正面上，第一支撑段的下表面与安装正面之间形成有第一安装腔体；第二支撑段的右端抵接在第一安装面上；变压器设于第一支撑段的上表面。本发明具有较小的体积，同时保证具有较高绝缘性能和较好的散热性能，可适用于输出功率更高的快充。
CN115733219A	一种基于服务机器人的充电设备本发明公开了一种基于服务机器人的充电设备，包括箱体和充电插头，所述箱体的底部均匀安装有多个万向轮，所述箱体一侧的外表面贯穿开设有通孔，所述箱体靠近通孔一侧的内壁固定安装有C形架，所述C形架的相对两侧外表面之间滑动安装有移动块，所述移动块的顶端固定安装有卡箍，所述充电插头安装于卡箍内，所述C形架的直角边一侧与箱体的内壁之间固定安装有多根限位杆。本发明在机器人充电完成并离开箱体时，推动板外表面设置的磁片将吸附在机器人上，使机器人离开时的动力将推动板向外拉出，从而通过传动组件使充电插头再次缩回至箱体内，防止充电插头长时间凸出在箱体外侧，导致充电插头与外界物品发生磕碰，造成损坏。
CN115733216A	一种移动电源芯片及相关的检测电路和电子设备本申请提供了一种移动电源芯片及相关的检测电路和电子设备，移动电源芯片包括如下结构：逻辑控制模块连接DCDC功率模块、type‑c协议模块、输出PD快充协议模块、输入PD快充协议模块、DPDM快充协议模块；DCDC功率模块连接第一引脚和电池引脚；type‑c协议模块连接输出PD快充协议模块、输入PD快充协议模块以及第二引脚；输出PD快充协议模块、输入PD快充协议模块均连接第二引脚；DPDM快充协议模块连接第三引脚和第四引脚，第五引脚用于接地。本申请实施例能够合理利用C‑LIGNTNING线材实现双向放电的功能。
CN115733214A	车-站-网三方博弈的电动汽车有序充电控制方法及系统本发明的一种车‑站‑网三方博弈的电动汽车有序充电控制方法及系统，包括：根据区域路网‑电网的耦合关系以及用户出行规律，预测日次区域内电动汽车充电负荷的时空分布特性；以最小网损为目标，在满足电动汽车充电量的前提下，建立配电系统运营商运行优化模型；以充电成本最小为目标，在满足电动汽车充电量的前提下，建立电动汽车聚合商运行优化模型；建立配电系统运营商和电动汽车聚合商的运行博弈模型并求解，输出电动汽车用户的充电计划。本发明建立计及路网‑电网耦合的电动汽车充电负荷分布的时空特性模型，刻画EV用户在实际决策场景中的博弈行为，避免博弈结论理想化，实现了充电站充电负荷的精确预测，提高了有序充电方法的精确性。
CN115733213A	一种具备摄像头检测和定位能力的智能充电宝本发明提供一种具备摄像头检测和定位能力的智能充电宝，涉及智能充电宝技术领域。该具备摄像头检测和定位能力的智能充电宝，包括充电宝底盖、充放电模块和摄像头检测模块，所述充放电模块包括SW6208主控芯片，所述SW6208主控芯片分别连接有接口开关组件、锂电池和显示屏，所述摄像头检测模块包括STM32f103CBT6主控芯片，所述STM32f103CBT6主控芯片分别连接有元器组件、蓝牙通信模块、WIFI模块，所述蓝牙通信模块连接有手机APP。本发明通过与充电宝进行高度融合，巧妙地将摄像头检测与充电宝进行一体化处理，具有体积小、易携带、精度高、防丢失、操作简单可通过手机直接了解检测结果并定位摄像头位置。
CN115733211A	电池短节的控制方法及装置、存储介质和处理器本发明公开了一种电池短节的控制方法及装置、存储介质和处理器。其中，该方法包括：判断电池短节是否在为测井仪器提供电能；在上述电池短节已停止为上述测井仪器提供电能的情况下，生成电池控制信号；基于上述电池控制信号，控制上述电池短节为上述测井仪器提供电能。本发明解决了现有的存储式电池短节只能进行简单的开关控制，使用时适应性较差的技术问题。
CN115733206A	具有带热失控保护的可切换架构的电池电力系统本发明涉及一种具有带热失控保护的可切换架构的电池电力系统。可充电能量存储系统（RESS）包括电池控制器和电池模块，每个相应的模块具有电池单元、单元感测板和半导体开关。该开关与相应模块内的电池单元并联连接，并且被配置成在一个或多个单元处于开路状态的热失控传播（TRP）事件期间传导电流。该动作旁路该模块，并且使得电气部件在TRP事件期间由RESS供电。电池电力系统包括直流（“DC”）电压总线、连接到其上的电气部件、电池控制器和RESS。一种用于构造RESS的方法包括将相应的半导体开关与所述多个电池模块中的每个相应电池模块的至少一个电池单元并联连接，并且将所述多个电池模块电连接在一起以构造RESS。
CN115733202A	太阳能充电系统、方法以及车辆本申请公开了太阳能充电系统、方法以及车辆。所述太阳能充电系统包括：太阳能电池板；第一电力转换装置，其被配置为接收由所述太阳能电池板产生的电力，并且检测或导出所述第一电力转换装置的输入电力和输出电力；以及第二电力转换装置，其被配置为接收从所述第一电力转换装置输出的电力，并且检测或导出所述第二电力转换装置的输入电力和输出电力。
CN115733200A	电源系统本发明涉及电源系统。一种电源系统，包括交流扫描单元和第一电源电路，并且第一U相电池串、第一V相电池串、第一W相电池串和第一电池串中的每一个包括串联连接的多个电池电路模块，电池电路模块中的每一个包括电池、输出端、第一开关和第二开关。
CN115733197A	充电桩及充电设备本申请提供了一种充电桩，包括底板、弹性件、充电块、第一连接件和第二连接件。弹性件设置于所述底板上。第一连接件连接于所述弹性件上，所述第一连接件在背离所述弹性件的表面具有一球槽。第二连接件包括一球体，所述球体容置于所述球槽内且活动连接于所述球槽内。充电块连接于所述球体背离所述球槽的一侧。本申请球体能够有效地提高充电桩的充电效率。本申请还提供一种充电设备。
CN115733194A	一种基于电压动态受控直流储能模块的电池储能系统本发明一种基于电压动态受控直流储能模块的电池储能系统，采用将直流侧高电压等级分隔成多个受控直流储能模块并串联，构成高电压等级直流电池电源，再由集中的DC/AC逆变器进行逆变，可有效实现受控直流储能模块宽域调压和快速响应技术效果，完成电池差异化应用和电池小组串连接并针对电池差异实时进行电量偏差的主动均衡，改善大规模电池储能系统运行时的电池不一致性，提高了大规模电池储能系统的效能和运行安全性，同时由电量与电压调控器通过DC/DC电路模块电量与电压监控器采集电池单体参数信息，进行电池组串簇与电池储能单元的电池管理，节省了现有技术电池管理的电池簇管理模块并替代了电池管理系统BMS的主控装置，提高了电池储能系统经济性。
CN115733189A	基于能量调频和负荷需求的共享储能调度方法及系统本发明提供了一种基于能量调频和负荷需求的共享储能调度方法及系统，所述方法包括：建立共享储能系统参与能量调频和负荷需求的协同调度的目标函数；将电网侧、用户侧以及共享储能系统的相关参数输入到所述目标函数；根据目标函数约束条件和负荷重要程度的切换成本，结合混合整数线性规划算法求解所述目标函数，得到共享储能配置方案；根据共享储能配置方案对共享储能系统进行配置，并根据共享储能系统分级控制策略控制所述共享储能系统参与电网侧和用户侧的能量协同调度。本发明将共享储能系统同时参与电网侧和用户侧的协同优化调度，通过分级控制策略来提高共享储能系统的使用寿命，体现了共享储能系统的应用价值和提高了共享储能系统利用效率。
CN115733179A	低频输电的交流矩阵变频器、控制方法和参数计算方法本发明属于柔性低频交流输电技术领域，涉及一种用于低频输电的交流矩阵变频器、控制方法和参数计算方法，交换器包括：至少一个变频模块，变频模块包括多个桥臂，每个桥臂上设置若干变频子模块，变频器的工频侧采用与电网频率相关的有功功率控制模式以及与电网电压相关的无功功率控制模式；变频器的低频侧采用定交流电压幅值与定交流电压频率的控制模式；经过控制的工频侧的有功功率与经过控制的低频侧的信号进行协调配合，当低频侧的信号上升到上限时，工频侧的有功功率增大；当低频侧的信号下降至下限时，工频侧输出的有功功率降低。其解决了柔性低频系统变频器与储能相结合的问题，实现了对交流电网电压和频率的主动支撑。
CN115733178A	基于成本和风险多目标的光储充电站容量配置方法及系统本发明属于光储充电站规划技术领域，公开了一种基于成本和风险多目标的光储充电站容量配置方法及系统，建立含成本和风险的光储充电站多目标容量优化配置模型，模型中风险函数为条件风险价值量化的投资维护和运行成本风险，成本函数为考虑充电需求和光伏出力典型场景下的预期投资维护和运行成本之和；结合增广ε‑约束法以成本为主目标，将风险次要目标作为约束；求解模型获得不同风险偏好下成本和风险的pareto前沿以及对应的配置容量，采用熵权‑TOPSIS法筛选出客观决策方案。相较于传统风险管理中的线性加权法，本发明中的增广ε‑约束法处理目标后可得到更具分布性以及边界最优性的前沿，提供成本和风险划分更细致的投资方案。
CN115733175A	开关阀提供一种用于电压源转换器的开关阀，所述开关阀包括多个模块，每个模块包括至少一个开关元件和至少一个能量存储装置，每个模块中的所述或每个开关元件和所述或每个能量存储装置被布置为可组合成选择性地提供电压源，所述开关阀包括控制器，所述控制器被编程为选择性地控制开关元件的的开关，以选择模块的一个或多个以将一或相应电压贡献给开关阀电压。控制器被编程为：指定开关阀中存储的保留的能量以供开关阀使用来执行谐波修改操作；获得电压源转换器的或者与电压源转换器关联的谐波含量的谐波频谱；从所述谐波频谱中获得谐波能量；响应于所获得的谐波能量，以一个或多个谐波次数来配置开关阀的谐波修改传递函数的系数的一个或多个；如果满足谐波修改操作所要求的所产生能量等于或低于开关阀中存储的所述保留的能量的条件，则验证所述或每个配置的系数；控制开关元件的开关，以配置开关阀电压的幅值和/或相位，使得开关阀被操作以根据所述或每个验证的配置系数来执行谐波修改操作，以修改电压源转换器的或者与电压源转换器关联的谐波含量的至少一个谐波分量。
CN115733172A	一种直流工程无功状态变化预判直流输送功率上限方法本发明公开了一种直流工程无功状态变化预判直流输送功率上限方法，包括步骤：(S1)获取预设的无功状态；(S2)将预设的无功状态中运行阀组功率置为阀组极限传输功率值；(S3)根据无功控制策略进行控制运算；(S4)输出无功控制策略运算结果；(S5)判断运算结果中是否有无功设备投切、控制命令和无功控制模式切换命令：若有相应命令，更新对应预设的无功设备状态和无功控制功能定值，执行(S3)；若无相应命令，执行(S6)；(S6)依据运算结果中的阀组状态调整命令计算当前预设无功状态下的直流输送功率上限；(S7)输出当前预设无功状态下的直流输送功率上限。本发明具有无需人工判断和仿真资源、耗时短、准确可靠、方便实用。
CN115733169A	新能源充电站的充电控制方法及装置本发明提供一种新能源充电站的充电控制方法及装置。该方法包括：获取当前时刻在新能源充电站充电的各电动汽车的SOC值和新能源充电站的发电功率；将当前时刻各电动汽车的SOC值和新能源发电功率输入双层博弈模型，以迭代计算得到最优解；双层博弈模型以新能源充电站和电网之间的交互功率最小为上层目标，以各电动汽车的充电功率之和最大为下层目标；最优解为上层目标和下层目标处于均衡状态时，各电动汽车的充放电状态和充放电功率；在当前时刻所在时段内，基于最优解，控制充电站为各电动汽车充电。本发明能够平抑各电动汽车充电时对电网的负荷波动，减小电动汽车的充电负荷对电网的不利影响。
CN115733168A	储能充放电管理方法、系统、控制终端及存储介质本方案涉及一种储能充放电管理方法、系统、控制终端及存储介质。所述方法包括：获取历史用电数据、生产用电计划，并根据历史用电数据建立用电运行曲线；根据生成用电计划、用电运行曲线，以最少化用电需量为优化目标通过预测模型进行用电预测，输出用电预测数据；通过历史用电数据、优化模型计算储能系统的配置容量和最大充放电功率；实时采集用电功率，并根据用电功率、用电预测数据、配置容量和最大充放电功率控制储能系统进行充放电。通过利用历史用电数据和优化模型模型来评估储能系统的配置，保证储能建设的投入最小化；通过预测模型，结合历史用电和生产计划用电，预测的最优需量功率，并进行充放电管理，节约电量资源。
CN115733165A	储能系统及其控制方法本申请公开一种储能系统及其控制方法，所述储能系统包括储能变流器和储能电池；所述控制方法包括：获取电网电压和电网频率；根据电网电压、电网电压和功率的预设关系曲线，确定电网电压对应的第一功率；根据电网频率、电网频率和功率的预设关系曲线，确定电网频率对应的第二功率；根据第一功率和所述第二功率，确定储能变流器的充放电功率，并以该充放电功率控制储能变流器的充放电操作。本申请通过电网电压和功率的预设关系曲线、电网频率和功率的预设关系曲线，确定电网电压和电网频率对应的功率，进而确定储能变流器的充放电功率，并以该充放电功率控制储能变流器的充放电操作；进而能够在负载突变时及时的向电网放电，避免柴发电机拖网。
CN115733160A	储能系统计划曲线优化方法及装置、存储介质及电子设备本发明提供一种储能系统计划曲线优化方法及装置、存储介质及电子设备，该方法包括：获取基本信息、电价序列及充放电序列；基于基本信息、电价序列及充放电序列设置充放电优化模型；应用寻优算法执行充放电优化模型对应的寻优过程；寻优过程包括：生成包含多个充放电计划曲线的当代的种群；更新充放电计划曲线中目标时间点对应储能状态下的累计收益及荷电状态，获得总收益；若当代的种群非最后一代种群，基于种群中满足第一优化条件的充放电计划曲线重新执行寻优过程；反之，筛选出最大的总收益的充放电计划曲线为最优的充放电计划曲线。应用该方法，可以在保证收益最大化的同时，灵活制定一段时间内的充放电计划，生成最优的充放电计划曲线。
CN115733157A	一种高渗透率光伏系统低频振荡的阻尼控制方法本发明公开了一种高渗透率光伏系统低频振荡的阻尼控制方法，所述光伏系统为四机两区域的多光伏系统，包含四台同步发电机和五台光伏电站，光伏渗透率达到50％以上；将两区域光伏系统划分为包含左边机组的区域1、包含右边机组的区域2和包含中间联络线与负载的区域3。进行阻尼控制时，对光伏逆变器施加阻尼控制，对于所述四机两区域的多光伏系统中的区域1、区域2，采用基于广域功率微分的阻尼控制，对于区域3，采用基于本地频率的阻尼控制；使用PRONY算法对阻尼控制效果进行分析，取控制策略下主导模式的衰减因子与无阻尼光伏的衰减因子做差得到相对衰减因子，相对衰减因子越小，则控制效果越好。
CN115733151A	一种基于故障暂态能量的双馈风电机组紧急功率控制方法本发明提出一种基于故障暂态能量的双馈风电机组紧急功率控制方法；所述方法包括在电网故障切除瞬间，启动控制；测量电网故障切除瞬间的转速大小，计算故障暂态能量控制参考值；计算电网故障期间双馈风电机组转子积蓄的最大故障暂态能量；根据双馈风电机组转子积蓄的最大故障暂态能量与故障暂态能量控制参考值，计算紧急功率控制退出时刻并实施控制。本发明充分挖掘并利用双馈风电机组存储的暂态能量，可为电网提供平稳的紧急功率支撑，加快转速恢复的同时，缓解故障切除瞬间的短时功率冲击，提升含双馈风电机组电力系统的暂态频率支撑能力。
CN115733148A	考虑DG集群接入的主动配电网双层电压控制方法及系统本公开涉及电网电压控制技术领域，提出了一种考虑DG集群接入的主动配电网双层电压控制方法及系统，分为配网层和分布式发电集群层两层控制。在上层的配网层控制中以主动配电网中DGC的无功出力作为控制对象，通过协调不同的分布式发电集群，实现了对配网层各节点电压的稳定控制，并且在协调控制的同时，减少了对通信性能以及控制器计算能力的要求。在下层的分布式发电集群层控制中以每一个DG的无功出力作为控制对象，在上层求得的DGC无功参考的基础上，进一步优化了DGC内部各DG单元的无功分配，使DGC内部各DG端电压的偏差最小。
CN115733147A	电压调节方法、装置、设备及存储介质本发明涉及电压控制技术领域，尤其涉及一种电压调节方法、装置、设备及存储介质，该方法包括：根据预设影响参数和逆变器的规格参数确定有效无功值，预设影响参数包括：光照强度参数、环境温度参数和污秽程度参数；根据储能系统的当前荷电状态、参考荷电状态和热相关系数确定储能系统的充放电速度；获取下垂控制死区电压和光伏发电系统母线的运行电压范围，并基于有效无功值、充放电速度、下垂控制死区电压和运行电压范围确定下垂控制系数；根据下垂控制系数生成调压策略，并通过调压策略对光伏发电系统的电压进行调节；相比于现有的调压方式，本发明综合考虑多个参数对光伏发电系统的影响，提高了电压调节的准确度。
CN115733145A	三相不平衡配电网的分布式电压控制优化方法及系统本公开涉及电压控制技术领域，提出了三相不平衡配电网的分布式电压控制优化方法及系统，以配电网接入的单相分布式电源以及三相分布式电源所输出的有功功率和无功功率作为控制对象，通过协调分布式电源注入到配网中的各相功率，减小了各节点电压和电压参考值的偏差以及相间电压偏差，实现对配网各节点各相电压的稳定控制；根据三相配网电压偏差程度的不同设计了两种不同的控制模式，兼顾了电压协调以及DG能量的最大利用；分布式控制器仅与相邻单元进行通信，减少了对控制器计算能力以及通信性能的要求。
CN115733143A	一种合环转供装置及其控制方法本发明提供的一种合环转供装置及其控制方法，该装置包括：可调电抗器、控制器、第一电压检测装置、第二电压检测装置、旁路开关及可调电抗器进线开关。在合环过程，通过投入可调电抗器，并将可调电抗器的阻抗调至目标值，以降低合环过程中的冲击电流到一个较小的值，不会引起线路电流过载和开关跳闸，可以避免先停电后转供造成的负荷短时供电中断，提高供电可靠性、连续性。在转供过程中，通过投入旁路开关为负荷供电，可降低可调电抗器的损耗，同时减少发热量，提高转供装置的效率与使用寿命。
CN115733142A	采用双轴励磁同步电机的潮流控制器及其控制方法本发明属于电网潮流控制技术领域，具体涉及一种采用双轴励磁同步电机的潮流控制器，针对现有潮流控制装置需要两台同步电机实现有功功率控制的不足，本发明采用如下技术方案：一种采用双轴励磁同步电机的潮流控制器，包括：双轴励磁同步电机；串联变压器；其中，所述双轴励磁同步电机的定子绕组连接所述串联变压器的副边；所述串联变压器的原边串联接入电网线路中；所述双轴励磁同步电机的转子绕组包含d轴和q轴两个独立绕组，d轴和q轴绕组相差90°电角度。本发明的有益效果是：提供了一种仅使用单个双轴励磁同步电机同时实现电机稳定控制和线路潮流控制的技术方法，相比于常规背靠背电机组合方案，具有显著的技术经济效益。
CN115733141A	一种线间潮流控制器的频率附加控制方法及装置本发明公开了一种线间潮流控制器的频率附加控制方法及装置，本发明在定有功功率控制模式时，对频率偏移量分别进行正向偏移和反向偏移，生成有功控制指令，采用有功控制指令进行有功频率附加控制，在定无功功率控制模式时，对频率偏移量依次进行微分和比例增益，生成无功控制指令，采用无功控制指令进行无功频率附加控制，通过在主控换流站的有功功率控制环和无功控制环上设置相应控制，在负荷出现扰动的情况下极大改善了系统的频率响应，可分别改善稳态频率特性和调频暂态特性。
CN115733139A	一种基于线性潮流的动态防雷方法及系统本发明提出了一种基于线性潮流的动态防雷方法及系统，包括以下步骤：步骤1，对电网线路进行雷电监测预警，获得所将遭受雷击的线路雷电预测信息；步骤2，构建新型潮流优化模型，并分别设置线路在遭受雷击和未遭受雷击状况下新型潮流优化模型的约束；步骤3，电网调控平台基于雷电预测信息和新型潮流优化模型，采用不同的约束在线路遭受雷击前后对电网进行潮流优化。本发明能够动态调节电网的潮流分布来应对雷电灾害，精准保护整个电网免受雷击，同时优化经济效益。
CN115733138A	一种HGIS配电装置单间隔三回出线布置结构本发明提供一种HGIS配电装置单间隔三回出线布置结构，属于电力系统供配电技术领域，解决了传统750kV变电站中间隔出线布置具有的空间利用率不足的问题；包括布置于同一间隔内，共用一母线和二母线的3/2断路器接线部分和双断路器接线部分；3/2断路器接线部分，包括两回进出线，双断路器接线部分，包括一回可选进出线；3/2断路器接线部分与双断路器接线部分中的全部HGIS断路器单元，沿同一方向依次排布于同一间隔的空间内部；本发明在保证了750kV配电装置的电气安全性和运维便利性的前提下，不额外增加相关钢结构构架的工程量，可有效减少进出线总数为奇数的750kV变电站配电装置的占地面积，提高经济效益。
CN115733136A	一种具有充电电源拓展及回路可控功能的电缆拓展电路本发明公开了一种具有充电电源拓展及回路可控功能的电缆拓展电路，电缆拓展电路包括配电分支箱及电缆拓展盒，其中配电分支箱的负1开关为电源进线开关并与小区变压器供电连接，配电分支箱的负2开关、负3开关及负4开关均为出线开关并独立连接电缆拓展盒的电力接入端活下一级配电分支箱的负1开关；电缆拓展盒内设有A铜排、B铜排、C铜排及零铜排并分别连接配电分支箱出线开关的A相、B项、C项及零项；A铜排、B铜排、C铜排及零铜排上分别连接有多个出线回路，该出线回路上均设置有空气开关。该拓展盒将一根电缆拓展成多路回路，且拓展盒之间可以相互串接，减少了配电分支箱的使用，拓展电路造价较现有技术中的电缆直接降低数倍。
CN115733127A	低压直流配电保护方法、系统、电子设备及存储介质本发明提供了一种低压直流配电保护方法、系统、电子设备及存储介质，其中，该方法包括：获取低压直流配电线路上的模拟数据；将模拟数据转化成数字数据；将数字数据与对应的保护整定值比较，其中，数字数据包括用于判断线路是否发生异常的电气量和非电气量数据；当数字数据大于对应的保护整定值时，控制保护装置动作。通过本发明，解决了相关技术中存在的低压直流配电保护动作延迟或动作不稳定的问题。
CN115733126A	一种有源配电网保护方法本发明涉及高比例分布式电源接入的配电网保护领域，具体涉及一种有源配电网保护方法。包括以下步骤：搭建有源配电网；使有源配电网运行；判断有源配电网线路是否异常；若异常则检测线路两端正序电流的故障分量及幅值特征；根据正序电流及故障分量构建训练样本集；根据训练样本集训练一个二分类算法；根据二分类算法判断是保护装置的区内故障还是区外故障；利用二分类算法提取区内、区外故障时线路两端正序电流及其故障分量幅值特征，避免了非同步导致的角度误差对纵联保护的影响，针对纵联保护不能准确识别某些特殊场景下的区内故障问题进行解决，提高了纵联保护方法的可靠性，避免了配电网保护的误动和拒动，保证配电网的安全稳定运行。
CN115733120A	一种新型交流GCU调压电路拓扑结构本发明属于交流发电机控制器调压技术领域，涉及一种新型交流GCU调压电路拓扑结构。包括：降压变压器、整流电路、断路器、励磁继电器GCR、整流滤波电路、采样电阻、MOS管、信号调理电路、励磁绕组、续流二极管，将励磁绕组串联与MOS管的源极，并在整流滤波电路的输出端与MOS管的漏极之间增加一个采样电阻，对采样电阻电压进行检测，当采样电阻两端电压升高到门限值时，断开GCR、切断励磁，避免引起系统拍合。
CN115733118A	一种防触电电路本发明公开一种防触电电路，涉及电子电路技术领域，防触电电路包括：三个相同的保护电路。第一电感永磁体组合器件的输入端和与外部带电器件的火线连接，输出端与外部带电器件的零线连接。第一二极管的输入端和第二二极管的输入端均与外部带电器件的地线连接；第一二极管的输出端与第二电感永磁体组合器件的输入端连接，第二电感永磁体组合器件的输出端与零线连接。第二二极管的输出端分别与全桥整流电路的第一端口和第二氖灯的输入端连接；全桥整流电路的第二端口与第一氖灯的输入端连接，第一氖灯的输出端与全桥整流电路的第三端口连接，全桥整流电路的第四端口与地线连接，三个第二氖灯的输出端连接。本发明保障了人员安全。
CN115733115A	一种计时自动断电装置及控制方法本发明涉及一种计时自动断电装置及控制方法，装置由电源模块、单片机模块和双路的自复位开关构成；单片机模块的第一管脚与一个自复位式开关相连，第二管脚与一个指示灯相连，第三管脚与一个蜂鸣器相连，第四管脚通过驱动电路与继电器相连；双路的自复位开关，一路自复位开关连接到单片机，另一路自复位开关与继电器并联。本发明计时自动断电装置只需通过一个双路自复位开关，既可实现装置上电，也能实现计时时间设置，解决了通常需要两个开关才能解决的问题，简化了用户的操作；在计时时间到达前，可通过蜂鸣器方式进行提醒，以便用户提前做好准备；当计时时间到达后，继电器断开，整个装置彻底断电，彻底解决了静电流消耗、存在安全隐患等问题。
CN115733114A	一种抑制过载电压的架空输电线路用避雷装置本发明提供一种抑制过载电压的架空输电线路用避雷装置，涉及避雷装置领域，包括：固定机构、安装机构、避雷机构和驱动机构；所述安装机构安装在固定机构的顶部；所述推动机构安装在固定机构的顶部，且推动机构位于安装机构的下方；所述避雷机构安装在安装机构的顶部；所述限位机构安装在避雷机构的顶部；所述驱动机构安装在避雷机构上；所述安装块固定安装在固定座的顶部；所述旋转盘转动安装在安装块的外壁，且旋转盘的底部与固定座接触；本发明避雷针能够向上移动，保证了钢丝绳始终处于拉紧状态，起到了较好的加固效果，避免了避雷针在大风天气下发生弯曲；解决了不能对避雷针起到加固作用，导致避雷针在使用时不够稳定的问题。
CN115733109A	一种母线槽散热防水连接器本发明涉及一种母线槽散热防水连接器，连接件沿固定压板长度方向设置并伸出其长度两端，包括一体设置的内侧折板和外侧折板，内侧折板和外侧折板间隔设置并在二者间形成散热腔，在固定压板与盖板之间设置连接件，通过设置在两固定压板四处长边边沿的四个连接件过渡连接上下两侧的盖板；通过连接件内部形成的散热腔结构实现连接器内外侧的连通，使盖板内部热量能够通过散热腔导出；连接件的连续弯折结构同时形成连接固定压板和盖板的内侧折板和外侧折板，当连接件分别设置在连接器的上下两侧位置时，能够分别通过内侧折板和外侧折板收集从散热腔的散热结构流入的水分，并将两折板内的积水从连接件的两端排出，实现良好的散热防水效果。
CN115733108A	一种适用于光电缆、漏缆夹持的多适配型卡具本发明提出了一种适用于光电缆、漏缆夹持的多适配型卡具，包括底座；第一连接板，其固接在所述底座一端；第二连接板，其固接在所述底座另一端；第一承缆板，其固接在所述第一连接板上端；第二承缆板，其固接在所述第二连接板上端；所述第一承缆板末端与所述第二承缆板末端之间设有交叉互锁结构；所述底座、所述第一连接板、第二连接板、所述第一承缆板、所述第二承缆板及所述交叉互锁结构围合形成用于夹持线缆的缆线槽；调节所述交叉互锁结构的卡合深度以改变所述缆线槽的适配缆径尺寸；改善了现有的压力自锁卡具存在扣合位置易自动脱开以及适配线缆尺寸单一的现状。
CN115733105A	一种气密性保温砌筑墙体上的线盒结构及其施工方法本发明属于土木工程技术领域,涉及一种气密性保温砌筑墙体上的线盒结构及其施工方法，包括：墙体、线盒、穿线管，在砌墙时预留线盒孔，在安装线盒时密封线盒与穿线管外壁之间的缝隙、密封线盒与线盒孔之间的缝隙，在放线后密封电线和穿线管内孔之间的缝隙，在墙体外安装气密层后再密封气密层与线盒之间的缝隙，从而将线盒内外全部缝隙进行密封处理，保证了整个气密性保温砌筑墙的密封保温性能，因此本发明提升了工程质量，节省了施工工期，减少了建筑固废的产生，实现绿色建造，获得较好的社会效益和经济效益。
CN115733090A	一种高空作业安全架及其使用方法本发明公开了一种高空作业安全架及其使用方法，属于高空作业设备技术领域。包括立柱支架、固定底架、承重横杆、底架套节；所述立柱支架、固定底架、底架套节为两个，承重横杆为一个；承重横杆的两端分别由两个立柱支架支撑；固定底架的形状为L型，立柱支架的下端与固定底架的上端接口插接；固定底架的另一端口与底架套节插接；所述立柱支架和承重横杆的材质均为绝缘材质。本发明能通过可安装在电力设备的钢架上，也可安装在平台及地面上，有效的保护高空作业人员的人身安全。
CN115733089A	用于电缆维护的导线飞车本发明公开了用于电缆维护的导线飞车，包括框架，在框架的内部安装有支撑框，在框架上安装有调节组件以及限位组件，所述限位组件与调节组件相配合，在调节组件上安装有移动组件，在移动组件的中部安装有固定组件。本发明不仅能够安装在不同间隔的相邻两线缆上，同时通过移动组件的便于将该装置安装在线缆上，大大保证了线缆的安装质量以及安装效率，提高了该装置的安全性，保证了工作人员的正常工作。
CN115733085A	一种气体绝缘开关设备的拼接装置及拼接方法本发明公开了一种气体绝缘开关设备的拼接装置及拼接方法。该拼接装置应用于气体绝缘开关设备之间的拼接合并。其中，气体绝缘开关设备包括待拼接罐体、设置于待拼接罐体内的第一导电杆和拼接头、目标罐体以及设置于目标罐体内的第二导电杆。其中，拼接装置包括控制模块、位置采集模块和辅助调节模块；位置采集模块用于采集第一导电杆和第二导电杆的位置信息；控制模块分别与位置采集模块和辅助调节模块电连接，用于根据位置信息控制辅助调节装置调节第一导电杆的位置，以使第一导电杆和第二导电杆通过拼接头拼接。本发明实施例的技术方案实现了气体绝缘开关设备中导电杆的精准对接，解决了现有技术中人工组装准确性低的问题。
CN115733079A	开关柜智能散热装置本发明属于开关柜设备技术领域，公开了开关柜智能散热装置，其技术要点是：包括柜体，所述柜体相对的两侧壁内部分别开设的散热腔，所述柜体相背的两侧壁分别开设有与散热腔连通的散热孔，所述柜体位于两组散热腔之间的侧壁表面设置有均匀分布的通风孔，所述柜体内设置有散热机构，所述散热机构包括有风冷组件与水冷组件，所述柜体内顶壁设置有智能控制组件，所述水冷组件包括有控制块、擦拭部与蒸发部，通过设置由控制块、擦拭部、蒸发部组成的水冷组件与风冷组件相互配合，可以对柜体进行高效的快速散热，通过设置智能控制组件与风冷组件、水冷组件相互配合，可以对柜体内温度进行自动控制。
CN115733075A	一种节能型电气控制柜本发明电气设备技术领域，具体涉及一种节能型电气控制柜，包括柜体，柜体上端转动装配有安装板，安装板上侧固定连接有挡风座，固定杆上侧表面固定连接有纵向设备的风板，U形槽另一侧连通设有向下贯穿安装板与柜体内部连通的送风槽，柜体上侧内壁固定连接有互绕安装板一周的挡风罩，挡风罩下侧连通设有伸出柜体侧面的送分管，风速传感器的输出端连通装配有分配管，分配管穿过第二单向阀后还装配有鼓风泵，本发明结构可将外界风力利用起来，减小鼓风泵的使用，在保证散热效果的同时，能够有效减能源的使用，且通过风板的设计可保证接风槽始终面对风吹来的方向，可提高风力的利用效率。
CN115733071A	一种电力保护箱本发明涉及高压防电装置领域，具体而言涉及一种电力保护箱。一种电力保护箱，包括静触头、动触头、接触头以及驱动装置，静触头与接触头电连接，驱动装置用于驱动动触头与接触头连接，还包括加热装置、测压装置以及密封保护装置，密封保护装置设有密封空间，隔静触头、动触头、接触头、驱动装置、加热装置以及测压装置均放置于密封空间，测压装置与密封保护装置顶端连接，加热装置与测压装置连接，测压装置设有预设压力值，测压装置用于检测密封保护装置顶端压力值并在顶端压力值大于预设压力值反馈加热信号至加热装置，加热装置用于响应加热信号。本发明具有清除密封保护装置顶部的积雪，不会发生积雪堆积过多导致密封保护装置倒塌的有益效果。
CN115733069A	一种排骨型交流低压配电柜本发明公开了一种排骨型交流低压配电柜，包括低压配电柜主体，所述低压配电柜主体的内侧滑动安装有排骨型安装架，所述排骨型安装架的内侧滑动安装有多个安装架，所述排骨型安装架的内部安装有多个散热架，所述散热架的内侧滑动安装有安装板，所述安装板的内部固定安装有温度传感器，所述安装板的内部固定安装有第二散热风扇，所述安装板的内部固定安装有PLC控制器。本发明通过第二散热风扇可对排骨型安装架分隔的空间内进行散热，从而在对低压配电柜主体进行散热时，可以进行全面的散热，使得低压配电柜内部的热量能够高效地排出，避免低压配电柜内部的温度过高导致电子元件会受到影响，从而提高低压配电柜的使用寿命。
CN115733068A	一种交流变电柜及其使用方法本发明公开了一种交流变电柜及其使用方法，涉及到变电柜技术领域，包括柜体，所述柜体底部外壁两端均焊接有支撑座，所述支撑座与柜体相适配，所述柜体外壁铰接有柜门，所述柜门与柜体相适配，所述柜门外壁设置有观察窗，所述观察窗与柜门相适配，所述柜体顶部外壁焊接有防护板，所述防护板面积大于柜体顶部外壁面积。本发明中，通过烟雾传感器对柜体内部进行监测，当柜体内部因电气控制元件故障产生烟雾时，防火箱中的二氧化碳灭火剂在电控阀与压力泵的作用下流向控制管，并通过控制管底部的喷头喷出进行灭火，使得变电柜使用时更加安全，防止发生火灾。
CN115733065A	一种变电站无功电压自动控制装置本发明提供了一种变电站无功电压自动控制装置，所述变电站无功电压自动控制装置包括控制柜和设备载板，设备载板装配有第一安装块，设备载板装配有第二安装块，第一安装块设置有伸缩腔，伸缩腔装配有伸缩弹簧，伸缩弹簧装配有安装杆，第二安装块设置有卡孔，控制柜的内壁对称固定装配有操作块，操作块设置有转动腔和牵引槽，转动腔上均活动装配有丝杆，丝杆上均螺纹装配有螺纹套筒，螺纹套筒上均固定装配有活动块，活动块对应与牵引槽进行活动装配。本发明提供一种变电站无功电压自动控制装置，通过安装杆和卡孔以及丝杆的配合解决了现有的控制器在检修时，控制柜内部空间狭小且设备较多，非常不方便进行操作的问题。
CN115733059A	一种智能电网控制柜本发明涉及智能电网领域，尤其涉及一种智能电网控制柜。技术问题：电网控制柜内的空气中水分含量过高，会导致电气元件短路以至于电气元件的损毁，并且在柜内的温度高，加上水分含量高，还会导致线路的生锈甚至腐蚀，以及电网控制柜一般是接地设置，潮气易进入柜内。技术方案：一种智能电网控制柜，包括有限位件和除水单元等；除水单元上连接有两个限位件。本发明通过对箱体的空气循环，有利于降低箱体内的温度，再通过使箱体远离地面，避免箱体的受潮，并且在空气循环过程中，吸水件将空气中水分吸收，进一步避免箱体内的电气元件受潮，还通过对吸水件扭转挤压，将水挤出，恢复吸潮件的滤气效果。
CN115733045A	石墨烯-硫化铅量子点异质结构可饱和吸收体制备方法及锁模光纤激光器本发明公开了石墨烯‑硫化铅量子点异质结构可饱和吸收体制备方法及锁模光纤激光器，属于激光技术领域。该激光器由泵浦光源和激光器谐振腔构成，激光器谐振腔中含有石墨烯‑硫化铅量子点异质结构可饱和吸收体。采用等离子体化学气相沉积法生长石墨烯，热注入法合成硫化铅量子点，滴涂法制备石墨烯‑硫化铅量子点异质结构。该光纤激光器的自启动锁模阈值为50mW，在14.249MHz的重复频率下，能够产生信噪比高达70dB的稳定脉冲，脉冲的中心波长为1561nm,3dB光谱宽度为4.86nm，持续时间为550fs。具有较好的应用前景。
CN115733042A	一种增益光纤及光纤激光器本发明公开了一种增益光纤，其由小数值孔径、高掺杂浓度光纤部分和大数值孔径、低掺杂浓度光纤部分依次交替分布构成。本发明利用了增益光纤的小数值孔径、高掺杂浓度部分来抑制高阶模产生，较高的增益使得基模激光放大；而增益光纤的大数值孔径、低掺杂浓度部分对激光功率进行放大，但对高阶模却产生较低的增益，从而可有效抑制高阶模的产生和放大，实现了高质量激光的输出，提升了模式不稳定阈值，为进一步实现高功率光纤激光输出提供了新的技术手段。
CN115733039A	一种多光路多程放大退偏自补偿系统和方法本发明公开了一种多光路多程退偏自补偿系统和方法，涉及重频高能激光器领域。所述多光路多程放大退偏自补偿系统包括位于第一光路、第二光路、第三光路；所述第一光路为用于多程放大和闭环传输的主光路；所述第二光路与第三光路用于将待偶数程放大的退偏激光的分量光分别进行偏振态旋转，从而实现退偏自补偿。与现有技术相比，本发明提供的退偏自补偿方案使得激光在偶数程通过放大器后退偏得到自补偿，整个光路单向运行可天然规避反激光，避免前级被大能量反激光损伤，还可以降低激光输出近场调制，实现可控的多程放大，弥补了目前常用的多程放大光路中光斑口径偏小以及退偏补偿效应不好的缺点，适用于重频高能量系统多程放大光路的退偏补偿。
CN115733032A	一种微矩形连接器的装配方法本发明涉及一种微矩形连接器的装配方法，属于电缆制作技术领域，解决了现有技术中装配微矩形连接器时操作复杂、耗时较长、难以调节以及生产成本较高等问题。本发明的一种微矩形连接器的装配方法，采用用于装配微矩形连接器的装置进行装配；装配方法包括如下步骤：步骤S1、将装配板从第一支撑板的卡槽中抽出并固定；步骤S2、先将微矩形连接器的绝缘体活动套设于定位套筒上，再将微矩形连接器的接触体插入定位套筒内；步骤S3、卸载微矩形连接器。本发明提供的微矩形连接器的装配方法通过调节第一支撑板上多个竖直排布的装配板以装配不同类型的微矩形连接器，并通过第二调节组件对装配板进行支撑固定，灵活性高，操作便利。
CN115733027A	电连接件的制造方法和电连接件本发明公开一种电连接件的制造方法和电连接件，其中，电连接件的制造方法通过制造机组制造电连接件，所述制造机组包括储丝机构、第一加工机构和压缩机构，所述压缩机构包括成型孔和挤压件，所述电连接件的制造方法包括：步骤S10、所述储丝机构提供导体丝，所述第一加工机构将所述导体丝弯折为波浪线状，使所述导体丝形成第一中间体；步骤S40、将所述第一中间体放入所述成型孔内，所述挤压件沿所述成型孔的长度方向，且朝所述成型孔的孔底的方向挤压所述第一中间体，使所述第一中间体形成电连接件。通过本发明技术方案制造出的电连接件可以提高连接器的连接效果。
CN115733024A	一种电缆端头的制作及其与铜鼻子连接的方法一种电缆端头的制作及其与铜鼻子连接的方法，涉及一种电缆端头与铜鼻子的连接机构，包括电缆端头导电缆芯的绝缘保护层剥离、束芯套与导电缆芯连接、使用液压钳将束芯套的压紧、铜鼻子套管与包裹束芯套的导电缆芯连接、用液压钳的钳模具块在套管上压段和热缩管的加热或缠绕胶带；本发明利用特制的束芯套先将电缆端头的导电缆芯包裹，然后再将具有束芯套的导电缆芯放入铜鼻子套管内压接，有效防止了电缆端头脱离铜鼻子套管的弊端。
CN115733018A	一种无感知带电换表方法本发明提供了一种无感知带电换表方法，包括换表仪设备，所述换表仪设备包括专用连接头、专用电缆、航空插件、主设备模块；操作方法具体包括以下内容：装接换表仪；拆除旧表，安装新表；断开换表仪设备；拆除换表仪设备，换表过程结束；错接线检查。本发明通过仪器式设备实现不停电换表，无需通过预装任何设备就可实现对老旧表计的不停电轮换，便捷高效且安全，大大提升用户体验，提高换表工作效率。将换表过程中用户使用的电量完全在新、旧表之中得到计量，不须和用户确认，也避免每次换表后与用户协商退补电费的繁琐工作。同时，在安全可靠的基础上实现不停电换表。
CN115733010A	连接器装置连接器的杆在第一位置和第二位置之间可以旋转，且在第二位置和第三位置之间可以滑动，在杆位于第一位置的连接器相对于配合侧连接器位于嵌合准备位置时，如果使杆旋转至第二位置，则连接器通过凸轮机构被拉到更接近配合侧连接器的嵌合位置，且连接器的主端子和配合侧连接器的配合侧主端子连接。如果使杆滑动到第三位置，则设置于连接器的外壳的凸缘部和设置于配合侧连接器的配合侧外壳的配合侧凸缘部以相互密合的状态收纳于杆的槽部而被杆夹持。
CN115733000A	一种变径式网络通讯信号屏蔽结构本发明公开了一种变径式网络通讯信号屏蔽结构，包括主屏蔽壳，所述主屏蔽壳的中部设置有安装机构，所述主屏蔽壳通过安装机构安装在使用位置，所述主屏蔽壳包括外壳体、中壳体、内壳体、调节顶杆和中心座，所述外壳体、中壳体、内壳体包括主壳，所述主壳的表面设置有滑动槽和滑动凸起，所述外壳体、中壳体和内壳体之间通过滑动槽和滑动凸起滑动连接，所述调节顶杆包括调节螺套和对称旋合在调节螺套两端的调节螺杆；通过设计的外壳体、中壳体和内壳体，在使用时通过滑动槽和滑动凸起使外壳体、中壳体和内壳体之间滑动连接，通过调节顶杆顶动外壳体、中壳体和内壳体之间滑动，从而对主屏蔽壳的直径进行调节方便对更多的连接线安装使用。
CN115732998A	电子设备本发明的电子设备具备：平板；基板，具有与所述平板的内表面对置的第一边及第二边；第一插孔连接器，沿所述基板的所述第一边设置，且能够介由所述平板的第一开口与第一电缆的第一插头连接；以及第二插孔连接器，沿所述基板的所述第二边设置，且能够介由所述平板的第二开口与第二电缆的第二插头连接，从所述内表面至所述第一边的距离D1比从所述内表面至所述第二边的距离D2短。
CN115732997A	连接器公头、连接器母头及连接器组件本申请涉及连接器技术领域，提供一种连接器公头、连接器母头及连接器组件，连接器公头包括第一外壳以及多个公头单体，第一外壳具有用于与连接器母头的连接配合端相连接的连接端，以及多个贯穿连接端的第一装配面的第一装配通孔；多个公头单体分别设置于多个第一装配通孔中，分别用于与连接器母头的多个母头单体电连接；其中，第一装配面上设有第一定位部，第一定位部偏离第一外壳的轴心线，第一定位部用于与连接配合端上的第一定位配合部相插接配合。本申请可实现连接器公头与连接器母头之间的定位，可防止多个公头单体与多个母头单体之间发生错位连接，进而有效降低连接器公头和连接器母头相连接时发生连接错误的可能性。
CN115732994A	一种磁吸式接口组件及储能连接器本发明涉及储能连接器技术领域，包括：一种磁吸式接口组件，包括磁吸接口，磁吸接口设于绝缘护套的表面，且磁吸接口的表面插接有接头，所述绝缘护套的表面转动连接有转动板，转动板的表面设置有限位组件，限位组件对接头限位；绝缘护套的表面设置有控制组件，控制组件对转动板限位；有益效果为：转动手持杆带动转动板表面的连接板沿着贯通槽的表面移动，此时连接板表面的顶持板与插接头的表面相接触，与此同时，转动板表面的限位板一端活动插接在插接头表面的限位槽内，完成对插接头的限位，有效防止插接头整体与绝缘护套整体连接时，防止插接头从磁吸接口的表面脱离，确保插接头整体连接时的稳定性。
CN115732992A	旋动结构本发明提供一种助推器，所述助推器包含身部及螺体。身部包括有抵顶部及组合部，组合部与物体活动组合；螺体与身部活动组合，且螺体与另物体的螺母体螺动，用以驱动所述抵顶部抵顶被抵顶体以驱动物体移动。由此，可使本发明的助推器具有操作简单、省力且方便的功效。
CN115732988A	电驱控制器高压测试用快接插头本发明涉及一种电驱控制器高压测试用快接插头，包括插头主体、母排连接器、主轴和把手，母排连接器与主轴对应设置，其中，主轴贯穿插头主体设置，主轴伸出插头主体的一端与对应的母排连接器连接，且沿着主轴的轴向方向，主轴与插头主体之间设置有弹性体；把手具有抵推块，抵推块转动地安装于主轴上且与插头主体抵接配合，以在抵推块的带动下控制主轴与插头主体之间的相对位置，并挤压弹性体变形。本发明能够实现该快接插头与电驱控制器之间实现快速的插拔，不仅操作简便，工时短，而且避免了将电驱控制器的上盖进行拆装，进而确保了经由该快接插头作用后的电驱控制器整体产品的密封性。
CN115732987A	一种带接地结构的同轴电缆本发明涉及同轴电缆技术领域，且公开了一种带接地结构的同轴电缆，包括插头和插接壳，所述插头的一侧设置有插接壳，所述插接壳的内部设置有空腔，所述空腔与插头相适配，所述插接壳上设置有对接结构，所述插头上设置有辅助结构，所述插头的一侧设置有电缆，所述对接结构与辅助结构相适配，所述辅助结构可以与电缆相配合使用，本发明提供的具有对接结构，插接壳和插头可以通过对接结构来进行对接固定，对接结构可以通过卡板与连接壳之间的配合进行限位，当卡板插入到连接壳内后就会被插杆固定住，当插头和插接壳对接在一起后就可以有效的避免再日常拖动或移动电缆使用中造成电缆插头完全从接地的插接壳内脱落。
CN115732985A	连接器本发明公开了一种连接器。该连接器包括：壳体和一对端子组件。该对端子组件中的每一个端子组件具有：在第一方向上延伸的板状固定部、在垂直于所述第一方向的第二方向上从所述板状固定部延伸的端子部、以及倾斜于所述第一方向和所述第二方向从所述端子部的靠近所述板状固定部的下端延伸的弹性支撑臂；其中，所述一对端子组件安装在所述壳体的所述端子容纳部中并被设置成彼此间隔；其中，所述壳体中形成有支撑块，所述一对端子组件上的所述弹性支撑臂分别抵接在相应的支撑块上。
CN115732984A	多设备的串口数据处理装置及方法本发明公开了多设备的串口数据处理装置及方法，涉及数据处理技术领域，包括数据处理机体，且数据处理机体对外部的数据进行接收处理。本发明在使用的过程中，把固定框头安装到连接后接入线体的左侧端外部，并把接入线体左侧端嵌合到活动对接口内部，当接入线体在使用过程中受到外部的拉扯出现松动时，就会触发意外限定机构，可以让接入线体继续工作，不受外部环境的影响，增加接触线体在使用过程中的牢固性和保障性，防止在使用的过程中，受到外部的拉扯使接入线体发生松动的情况，则就不能使接入线体继续的工作，影响数据处理机体后期正常的使用，导致后期在使用时出现接触不良的问题，数据在传输时出现异常。
CN115732978A	母连接器、公连接器、连接器组件和车载设备本申请实施例提供一种母连接器、公连接器、连接器组件和车载设备，用于智能驾驶或者辅助驾驶。母连接器包括：第一绝缘主体和第一保护壳，第一绝缘主体设置在第一保护壳的内部，第一绝缘主体上设置有第一插孔和第二插孔；公连接器包括第二绝缘主体和第二保护壳，第二绝缘主体上凸出设置第一插针和第二插针，第二保护壳围设在第一插针和第二插针的周围，第一插针和第二插针分别用于传输具有不同速率的信号；第二保护壳插设在第一保护壳和第一绝缘主体之间，第一插针插设在第一插孔内，第二插针插设在第二插孔内。本申请提供一种母连接器、公连接器、连接器组件和车载设备，可以将高速连接器和低速连接器合并在同一个连接器内，实现设备的小型化。
CN115732972A	连接器、其制作方法及相关设备本申请提供一种连接器、其制作方法及相关设备，应用于智能驾驶或者自动驾驶。所述连接器包括壳体及锁持结构，所述锁持结构包括传力臂、悬空设置在所述壳体上的按压体和悬空设置在所述壳体上的第一卡持体，所述传力臂包括固定端、活动端和弯折连接在所述固定端和所述活动端之间的折弯段，所述固定端固定连接至所述壳体，所述活动端与所述按压体连接，所述所述折弯段与所述第一卡持体连接，所述第一卡持体用于在所述按压体受压时被所述折弯段带动而向远离所述壳体的方向移动。本申请的技术方案能够在保证连接器具有良好工作性能的基础上，实现连接器的小型化。
CN115732966A	一种PIN针及其成型工艺本发明公开了一种PIN针及其成型工艺，所述PIN针包括：底座；安装孔，沿所述底座的厚度方向设置；滑槽，沿所述安装孔的长度方向布设的滑槽；针头，用于与所述底座连接；连接部，设置于所述针头上，且与所述安装孔压合在一起；凸起，所述连接部的外壁上，且与所述滑槽相互配合。本发明采用不锈钢材料和镍防静电UPE材料，使用压合在一起，可以较为容易地配合在一起，加工成本低，不用开模。
CN115732963A	电连接器本发明提供一种可搭配电路料件使用的电连接器，所提供的电连接器具有可以对电路料件提供按压的压盖，以通过压盖迫使电路料件电性连接电连接器。所述的压盖具有用于提供结构补强的金属补强件，以避免盖板的结构强度不足以按压电路料件。另外，本申请所提供的电连接器具有可以卡接压盖的侧壁端子，而可以避免电连接器在受到外力冲击时跟搭配使用的电路料件分离。
CN115732961A	电子部件本公开涉及电子部件。第二部件12(电子部件)具备第二壳体40、内侧导体51、外侧导体52和内部壳60。第二壳体40通过组装于第一壳体20，与该第一壳体20共同形成收纳空间15。外侧导体52为筒状，从与上下方向垂直的方向覆盖内侧导体51。内部壳60配置于收纳空间15的内部，与外侧导体52电连接。内部壳60具有与外侧导体52弹性接触的弹簧片部62。
CN115732958A	一种接线端子及其连接座本申请涉及一种接线端子及其连接座，其包括有主体部，所述主体部上设置有夹持部，所述夹持部呈相对设置且位于主体部同一端；呈相对设置的所述夹持部之间形成有用于供电线卡入的夹持口，呈相对设置的所述夹持部与主体部共同围绕形成有让位孔，所述让位孔与夹持口连通。本申请具有加工时无需采用冲床对夹持口进行冲压，在对原材料进行加工时，只需将两侧夹持部向相互靠近的方向挤压，并将两侧夹持部的间距控制在指定宽度，此时便完成了对夹持口的成型工作，降低了夹持口的加工难度，提高了产品加工时的合格率的效果。
CN115732957A	连接器和连接器组件本申请提供一种连接器和连接器组件，连接器用于电连接于第一电路板和第二电路板之间，连接器包括壳体和多个连接端子，多个连接端子均嵌设于壳体，且彼此间隔设置，每一连接端子均包括第一端子部和与第一端子部电连接的第二端子部，第一端子部和第二端子部均相对壳体的外表面凸出，第一端子部用于电连接第一电路板，第二端子部用于电连接第二电路板。利用该连接器能够同时与第一电路板和第二电路板电连接，减少了连接器的使用数量，同时该连接器与第一电路板和第二电路板之间电连接的方式简单。
CN115732956A	一种大电流端子及其制造方法本发明属于电连接器技术领域，特别是涉及一种大电流端子及其制造方法。本发明的大电流端子包括端子壳体和导电组件，两个端子壳体固定连接在一起，两个端子壳体的相对的侧面之间形成一个安装空间，导电组件固定安装在两个端子壳体相对的侧面上，每个导电组件包括两个接触簧片，接触簧片包括安装板和多根触指，同一接触簧片上的触指相互平行且间隔设置，同一导电组件的两个接触簧片的触指相互平行且交错对插。本发明的大电流端子及其制造方法采用两个接触簧片交错对插形成一个导电组件，导电组件采用分体组装加工成型，降低了加工难度。
CN115732952A	接触式卡连接器一种接触式卡连接器，包括围设有插接空间的外壳组件及插入所述插接空间内的卡托，所述卡托包括塑胶框及一体成型于所述塑胶框内的端子组，所述塑胶框包括基板、形成于所述基板横向两侧的横向外框及自所述基板上表面向下凹陷形成的卡槽，所述端子组的每个导电端子均包括至少部分成型固定于所述基板内的连接条、自所述连接条斜向下侧延伸形成的下接触臂及自所述连接条斜向上延伸形成的上接触臂，所述下接触臂至少部分超出所述基板的下表面，所述上接触臂延伸至所述卡槽内。本申请接触式卡连接器成本更低，厚度更薄。
CN115732947A	一种改进型设备铜铝过渡线夹本申请提供了一种改进型设备铜铝过渡线夹，包括：线夹本体和拓展夹；涉及电网连接技术领域；线夹本体一端的两侧均为铜面；拓展夹可拆卸式装配于线夹本体的另一端；其中，线夹本体的表面固定装配有板件，且板件与线夹本体之间形成的凹陷部，凹陷部供线缆穿入，凹陷部内装入定位件，定位件用于定位相互插合的拓展夹与线夹本体；其技术要点为：通过改进线夹铜铝过渡方式，由原来的铜铝对接，改为铜铝上下面接触，即可保证电气性能，且端子板与线夹为一整体，机械强度更高，减少断裂风险，使连接更加牢靠，也有效降低事故停电率，减少抢修投入，从而减少停电损失电量。
CN115732946A	一种低压母排快速接入转换器本发明提供一种低压母排快速接入转换器，包括三个握力接入结构，每一个握力接入结构均包括左握把、连接板、右握把、顶针、导电线及弹性部件；左握把顶部有第一卡扣；右握把顶部有第二卡扣，底部有电缆连接端；连接板由绝缘材料制作，铰接于左右握把中部，中间部位径向有三个长条形通孔；三个顶针由导电金属制作，连接三个导电线并穿过三个长条形通孔进行卡持固定后，与低压母排对应铜排抵压；三个导电线与电缆连接端连接；弹性部固定于左右握把上后形成初始储能状态，让第一与第二卡扣锁紧，在外力紧压后形成二次储能状态，让第一与第二卡扣脱离。实施本发明，适用空间狭小及尺寸不同的低压柜中，使柜中低压母排与发电车出线电缆形成可靠连接。
CN115732942A	太赫兹透射阵天线本发明涉及无线通信技术领域，公开了一种太赫兹透射阵天线，包括：透射阵，包括M×N个周期性排布的透射单元，所述透射单元包括自上而下设置的编码层、支撑层和减反射层，所述编码层为条柱状结构，所述编码层、支撑层的介电常数为2‑5，所述减反射层的介电常数为1.41‑2.23；馈源，为波导结构，设在所述减反射层的下方，焦径比为0.9，辐射端朝向所述透射阵的中心；其中各个所述编码层的截面长度比截面宽度长λ/4，且截面宽度在0.05‑0.65mm，λ为所述太赫兹透射阵天线的中心频率所对应的波长。该太赫兹透射阵天线具有透射系数高、可实现所需的相位补偿范围、宽带宽、增益高的特点，以及可实现波束聚焦、极化转换和波束偏移等多种功能。
CN115732940A	一种幅度平坦的高效智能反射表面本发明公开了一种幅度平坦的高效智能反射表面，由结构相同的多个阵元排列组成；所述阵元包括接收/发射单元、耦合结构、调相电路，接收/发射单元、耦合结构、调相电路依次排布形成层叠结构；所述的接收/发射单元用于将自由空间的电磁波转换为阵元上特定方式分布的电场；所述的耦合结构用于将接收/发射单元上的场转换为导行波传输到调相电路，并用于将来自调相电路的调相后的导行波转换为接收/发射单元上的场；所述的调相电路由若干微带线和有源器件组成，用于将输入的导行波附加额外的相位后输出。本发明在实现360°相位控制的同时，实现了高效率的、平坦的幅度响应，降低了阵元幅度不均对阵列性能的影响。
CN115732937A	基于集中放大架构的有源智能超表面天线本申请涉及一种基于集中放大架构的有源智能超表面天线，包括：由多个周期排列的RIS单元组成的双极化RIS阵面，每个RIS单元都是双极化独立调控的、具备移相功能的辐射器，用于接收基站发送的下行波束信号，通过RIS阵面相位调控，将基站信号发送至终端设备，同理，接收终端设备发送的上行波束信号，将其发送至基站；设有集中功率放大器的有源双极化馈电网络，利用集中功率放大器将接收信号放大后辐射，提高发射信号的EIRP。由此，基于集中放大架构的有源智能超表面能实现收发波束独立调控，采用集中放大器既能提高发射信号的EIRP，又能有效解决大规模分布式放大器引入电路自激问题，有助于覆盖边缘信号增强和信息传输速率提升。
CN115732935A	双向多模太赫兹轨道角动量天线本发明属于通信技术领域，具体为双向多模轨道角动量波天线。本发明天线由超材料单元经旋转不同角度并周期延拓形成的二维阵列和螺旋超表面组成；螺旋超表面是以中心为轴旋转、高度随着旋转角度增加而阶梯式递增的螺旋相位板，处于天线中心位置；超材料单元的二维阵列分为八个子阵列；这八子阵列依次排布于螺旋超表面周围的八个方位，形成一个方形天线；超材料单元由金属贴片、介质基板和金属地叠合组成；本发明天线可将圆极化方式入射的平面波转换成轨道角动量波，并通过反射和透射方式形成双向的多模轨道角动量波，改变超材料单元的排布方式或者螺旋相位板的高度可以形成不同模式的轨道角动量波，具有多模复用、设计灵活、结构简单等优点。
CN115732932A	一种太赫兹波段的高斯波束光壁接收天线及其设计方法本发明涉及天线技术领域，公开了一种太赫兹波段的高斯波束光壁接收天线及其设计方法，包括沿接收信号传输方向依次设置的接收段、喇叭段以及输入段，所述接收段用于接收天线信号，所述输入段与所述喇叭段之间设有内部轮廓曲线采用高斯轮廓曲线函数设计的过渡段，通过所述过渡段使得所述输入段与喇叭段的连接呈光滑曲线。本发明通过在输入段和喇叭段中间添加高斯曲线轮廓的过渡段减小能量反射，降低反射系数与驻波比；与传统Pickett Potter天线相比，本天线从接收的角度出发，保证了天线的低副瓣电平和低交叉极化且消除了输入段与喇叭段之间的半径突变，反射系数减小且易于制造。
CN115732931A	天线阵列装置本发明提供一种天线阵列装置，其包括接地面、基板、天线阵列以及多个贴片元件。基板设置于接地面上。天线阵列设置于基板上。以及多个贴片元件设置于基板上并环绕排列于天线阵列周围，且多个贴片元件未连接于接地面。
CN115732927A	一种D波段透镜天线本发明属于毫米波天线技术领域，公开了一种D波段透镜天线，包括载体；所述载体设有独立的接收通道和辐射通道；所述载体还设有共用通道，所述共用通道通过隔离墙将共用通道分隔为第一通道和第二通道；所述第一通道与接收通道连通，所述第二通道与辐射通道连通；所述隔离墙位于共用通道内，其靠近载体端面处为阶梯形结构。本发明作用的毫米波频率在110～170GHz之间，能够在节省能耗的基础上，为收发信号提供高隔离效果。
CN115732925A	一种毫米波双频分别馈电的双极化天线阵列一种毫米波双频分别馈电的双极化天线阵列是，属于5G无线通信和天线技术领域。由多个结构相同的天线单元排列组合而成，每个天线包括两层介质层、三层金属层、低频贴片馈电的两个馈电探针、高频贴片馈电的两个馈电探针、两个耦合馈电枝节。其中，两层介质层包括上层的介质基板A和下层的介质基板B，三层金属层包括低频环形金属贴片、高频金属贴片、金属地板。本发明采用低频环形金属贴片和高频金属贴片两种叠层结构实现双频工作，不同极化、不同频率分别馈电，降低毫米波电路尤其是滤波器负担；不同频段天线共用辐射单元，天线结构紧凑、体积小、剖面低，适用于以高通芯片为例的手机边框中；天线阵列方向图稳定，实现双极化、宽扫描角和小体积的共赢。
CN115732918A	基于高次模的FSIW毫米波微带天线本发明公开了一种基于高次模的FSIW毫米波微带天线，包括多个周期性阵列分布的天线模块；每个天线模块为2×2天线阵列，包括天线辐射结构、两个FSIW腔体结构、Y型波导功率分配器。天线辐射结构包括天线辐射单元、第一介质层、第一金属层；天线辐射单元包括四个金属矩形贴片。其中，金属矩形贴片作为天线单元向外辐射，每个单元正下方两侧刻蚀有一组对称的耦合馈电缝隙，被高次模TE20模所使用；用于传导TE20模的FSIW腔则是通过理想磁壁面把两侧向内翻折形成，减小近33％的平面面积。本发明天线获得8.93％阻抗带宽、低于13.4dB旁瓣电平和12.85dBi最大峰值增益，并可实现与毫米波射频前端电路直接集成。
CN115732917A	一种基于口径耦合馈电的勾股树-地毯分形多频天线本发明公开了一种基于口径耦合馈电的勾股树‑地毯分形多频天线，包括：勾股树‑Sierpinski地毯组合分形辐射体1、介质基板2、开槽导体接地平板3、介质基板4、微带馈电线5；采用分层结构，整体是勾股树‑Sierpinski地毯组合分形辐射体1一层很薄的贴片依附在介质基板2上，开槽导体接地平板3夹在相同大小的介质基板2与介质基板4之间，介质基板4将微带馈电线5与开槽导体接地平板3隔开，介质基板2将开槽导体接地平板3与勾股树‑Sierpinski地毯组合分形辐射体1隔开。本发明所述天线具有微带天线小型化，剖面薄，重量轻，易于集成的优点，解决微带天线带宽窄和频段单一的缺点，在有限的尺度内呈现成多个工作频带，且各个频带之间隔离度较好，满足当今无线通信系统需求。
CN115732916A	一种5GMIMO组合天线及终端本发明公开了一种5GMIMO组合天线及终端，5GMIMO组合天线包括基板、第一天线单元、第二天线单元和隔离缝，基板的一面设置有导电层，所述第一天线单元和所述第二天线单元的结构相同且均包括第一辐射部、第二辐射部、第三辐射部和馈电部，隔离缝设置在导电层的靠近宽度方向的中心线位置，第一天线单元和第二天线单元关于隔离缝对称布置。该5GMIMO组合天线支持全球目前除毫米波以外的所有5G频段(次6GHz频段)，具有工作频段灵活，网络容量大的优点；天线结构简单、尺寸紧凑，阵元间具有较好的隔离度，在工作频段内天线电性能良好。
CN115732914A	立体式天线结构本发明公开一种立体式天线结构，其适用于传输频段。立体式天线结构包含绝缘载体、M个第一天线、M个微带线、第二天线及接地件。M为不小于3的正整数。M个第一天线设置于绝缘载体的一侧上且间隔配置。M个微带线电性耦接M个第一天线且各具有接地点及连接点。第二天线设置于绝缘载体的另一侧上。第二天线通过M个连接点电性耦接M个第一天线并具有M‑1个线段。各线段的任一端位置对应一个连接点，且其长度为传输频段的中心频率所对应的波长的1/M倍。接地件设置于绝缘载体上且通过M个接地点电性耦接M个第一天线。据以功率增益比能被增加。
CN115732911A	波束可重构的毫米波阵列天线本发明涉及无线通信技术领域，公开了一种波束可重构的毫米波阵列天线，包括辐射组件和馈电组件，辐射组件包括设在第一基板上的呈2×2阵列的共四组辐射单元；馈电组件包括层叠在一起的第二基板和第三基板，在第三基板上设有T形的且头部相向的第一功分支路和第二功分支路，在第二基板上设有T形的且头部相向的第三功分支路和第四功分支路，功分支路的头部两端均为输出端口，第三功分支路和第四功分支路上均设有两个分别与第一功分支路和第二功分支路的输出端口连通的输入端口，第三功分支路和第四功分支路的输出端分别与辐射单元相向，并向辐射单元馈入信号。该波束可重构的毫米波阵列天线能够以较为简单的结构实现波束重构，且具有较高的增益。
CN115732905A	一种机载短波折合振子天线本发明公开了一种机载短波折合振子天线，包括：两个平行的折合振子，分别接相位差为180°的馈电信号，折合振子包括弯折结构、直条金属结构、两个L型枝节加载结构以及金属过渡结构；弯折结构由多个金属枝节依次首尾连接构成，用于延长电流路径；直条金属结构一端为馈电点，另一端连接金属过渡结构；两个L型枝节加载结构分别位于直条金属结构的两侧，其短边共同连接直条金属结构的一点，其长边均平行于直条金属结构且向直条金属结构上的馈电行进方向延伸；金属过渡结构另一端连接弯折结构，以与弯折结构和直条金属结构一起形成结构开放的金属环路。本发明可在实现机载短波天线小型化的同时，保证天线拥有较高的增益。
CN115732904A	车载天线本发明涉及无线通信技术领域，公开了一种车载天线，包括：第一基板，其上设有第一馈电网络，中间设有部件安装区域；第二基板，其上设有第二馈电网络；第三基板，其上设有第三馈电网络；第四基板，其上设有第四馈电网络；第一天线组件，设在所述部件安装区域内；第二天线组件，包括设在所述部件安装区域外周的三组以上单极天线，并与所述第一基板相连；其中所述第一基板、第二基板、第三基板、第四基板顺次层叠在一起，所述第四馈电网络、第一馈电网络和所述第二天线组件顺次连接，所述第二馈电网络和所述第三馈电网络分别与所述第一天线组件连接。该车载天线具有体积小、宽带宽和高增益的特性。
CN115732900A	波束角度可调的硅基介质谐振天线本发明提供了一种波束角度可调的硅基介质谐振天线，包括波束宽度调节结构、天线基板和介质谐振器、激励天线以及凸点焊球；多层天线基板和介质谐振器自上而下依次设置，且中间形成有空气腔，空气腔的底部设置有激励天线；位于最顶层的天线基板和介质谐振器顶部设置有波束宽度调节结构；位于最底层的天线基板和介质谐振器中部设置有硅通孔，凸点焊球设置在硅通孔的底端。本发明通过使用高阻硅作为天线的介质，可大幅减小天线的尺寸以及提高天线的辐射效率；通过引入空气腔结构，通过顶层波束宽度调节结构进行调节，从而可根据使用更改天线应用频率，馈电方式可根据使用情况更改优化，可以与芯片堆叠，实现三维异质异构高密度集成。
CN115732895A	天线结构及其结合方法本发明提供了一种天线结构及其结合方法，其中该结合方法包括：备有一电路板，在该电路板形成有至少一个贯穿该电路板的接合孔，该接合孔的周缘上形成有至少一电极层及一馈入线，该馈入线与该电极层电性连结。备有一芯片天线，该芯片天线包含有一基体，该基体上具有一布线段，该布线段一端设有一固接段，该固接段形成有一导电层。将该芯片天线的该固接段穿过该电路板的该接合孔，使该导电层与该电极层电性固接，让该芯片天线直立式固接于该电路板上。据此可降低芯片天线直立于电路板上的高度，使天线结构易安装于电子产品上使用。
CN115732889A	一种双频平板动中通天线俯仰调整装置本发明涉及卫星通信技术领域，公开了一种双频平板动中通天线俯仰调整装置，包括转台和其上的支撑架，支撑架右端前后设有右前支撑板和右后支撑板，支撑架左端前后设有左前支撑板和左后支撑板，右前支撑板上通过右前转动副连接前俯仰机构，右后支撑板通过右后转动副连接后俯仰机构，支撑架右端的驱动机构用于驱动前俯仰机构和后俯仰机构同步转动，左前支撑板通过左前转动副连接前连接架，左后支撑板通过左后转动副连接后连接架，前俯仰机构与前连接架之间连接前天线面，后俯仰机构与后连接架之间连接后天线面。本发明解决两个天线面俯仰旋转中心大距离转动问题，提高传动机构减速比，减小驱动组件输出端输出力矩，保证天线的伺服跟踪精度。
CN115732886A	一种用于无线微波输能的柔性天线阵列本发明提供了一种用于无线微波输能的柔性天线阵列，属于通信技术领域，包括第一介质基板、第二介质基板、贴片天线阵列、馈电接口、等效接地板以及π型去耦网络。本发明通过应用液态金属的打印技术以及柔性材料发明了一款工作在5.8GHZ用于微波输能的液态金属天线，该液态金属贴片天线将充分发挥液态镓铟合金复合材料以及柔性介质基板可修复、柔性、可重构、抗疲劳、耐腐蚀等优势，应用在集成化小型电子设备中，实现电磁波的接收与发射，并应用于较远距离的能量无线传输。
CN115732884A	一种毫米波天线的散热装置本申请公开了一种毫米波天线的散热装置，属于散热装置技术领域，其包括振荡器和角锥喇叭，振荡器的外围设置有存放箱，存放箱的相对侧壁分别开设有第一通孔和第二通孔，角锥喇叭的侧面固定连接于第一通孔的侧壁，第二通孔处可拆卸连接有盖板；盖板上固定安装有电机，电机的转轴上固定连接有扇叶，扇叶的风向方向正对振荡器；盖板上开设有第三通孔，存放箱侧壁开设有出风口，第三通孔和出风口均固定连接有多个防护杆；本申请具有降低振荡器内的热量，从而提高电子元器件的使用寿命的效果。
CN115732881A	低频段双定向耦合器系统本发明涉及一种低频段双定向耦合器系统，包括主传输线、副传输线、耦合部分网络、增频网络、隔离电阻器、∏型衰减网络，所述的主传输线与副传输线构成耦合微带线，所述的耦合部分网络的一端与副传输线的一端相连，另一端与∏型衰减网络相连，所述的∏型衰减网络的另一端为耦合端口或隔离端口，所述的隔离电阻器的一端与耦合微带线相连，另一端接地，所述的增频网络有四端，两端分别接主传输线，另两端均接地。采用了本发明的低频段双定向耦合器系统，可实现在低频宽频带使用该低频段双定向耦合器系统，本系统还可在9kHz～200MHz的范围内实现频段，具有广泛的应用范围。
CN115732879A	一种具有无反射特性的平衡-不平衡一分三滤波功分器本发明公开了一种具有无反射特性的平衡‑不平衡一分三滤波功分器，包括：平衡式差分输入端口一、不平衡输出端口、平衡端无反射吸收匹配网络、两段四分之一波长滤波功分开路耦合线、两段四分之一波长反相连接线、两段四分之一波长信号传输线、两组零点传输枝节、两段四分之一波长等功率分配线和相位补偿结构。本发明提供的一种具有无反射特性的平衡‑不平衡一分三滤波功分器同时实现了高选择性的滤波特性、平衡差分信号到不平衡单端信号的转换功能、良好的共模抑制、三路宽带等功率分配、±90度输出信号相位差特性和平衡端的输入无反射特性，非常适合应用于各类平衡‑不平衡微波系统和圆极化天线以提高其整体性能。
CN115732878A	一种闭环滑动短路器一种闭环滑动短路器，包括滑动短路波导,所述滑动短路波导包括波导座，所述波导座的内腔滑动配合一周向限位的抗流活塞，所述抗流活塞的轴杆一端外伸出波导座固定连接一连接板，一直线驱动电机与滑动短路波导相对，设置在连接板的另一侧，所述直线驱动电机包括设有中心轴的电机外壳，所述电机外壳的内圆周壁固定设置线圈组件，所述中心轴上滑动配合一中心对称的磁铁支架，磁铁支架上依次嵌入多块环形磁片，所述磁铁支架的外伸端与连接板固定连接，使直线驱动电机和滑动短路波导位于同一中轴线，一光栅尺的标尺光栅与中轴线平行，所述光栅尺的读数头通过连接件与连接板固定连接，所述直线驱动电机、光栅尺与控制单元电连接。
CN115732866A	电池及电池组本发明涉及电池技术领域，提出了一种电池及电池组。电池包括：电池壳体；极柱组件，极柱组件设置于电池壳体的第一表面上，且极柱组件的至少部分位于电池壳体的外侧，极柱组件朝向第一表面所在平面的正投影的一部分位于第一表面所在范围之外，从而可以方便汇流排与极柱组件形成电连接，降低汇流排与极柱组件的连接难度，从而来提高电池的成组效率，以此改善电池的使用性能。
CN115732862A	电池组件本发明涉及一种电池组件(1)，其包括：电池包(2)，所述电池包具有多个彼此平行地布置的电池单体(3)；以及柔性电路板(4)，所述柔性电路板布置在所述电池包(2)的两个不同的纵长侧面(21，22)上。
CN115732859A	一种液态电解质贮备电池用复合隔膜及其应用本发明属于贮备电池技术领域，具体涉及一种液态电解质贮备电池用复合隔膜及其应用，所述复合隔膜由纤维隔膜和无机固体电解质构成的单层隔膜；所述单层隔膜厚度为20～200μm，重量为35～85g/m2；本发明选用具有高热稳定性、亲液性好的纤维隔膜，在其中加入以固体电解质为代表的导电材料，一方面继承了纤维隔膜安全性高和吸液效果好等优点，另一方面改善了纤维隔膜的导电性，降低了电池极化，并且减少了电解液的用量，进而可以降低贮备电池中电解液贮存系统的体系重量，最终达到同时满足贮备电池高比能量、高安全性、快速激活、大倍率工作等综合性能要求。
CN115732857A	一种复合隔膜及其制备方法和二次电池本发明属于二次电池技术领域，尤其涉及一种复合隔膜及其制备方法和二次电池，包括基膜、设置于基膜至少一表面的安全涂层以及设置于安全涂层远离基膜的一侧表面的粘接保护层，所述安全涂层的熔点低于粘接保护层的熔点，所述安全涂层的熔点低于基膜的熔点。本发明的复合隔膜，设置有安全涂层和粘接保护层，安全涂层设置于基膜与粘接保护层之间，安全涂层具有较低的熔点，能够在高温条件下热熔，减少粘接保护层与安全涂层的粘性，使粘接保护层与安全涂分离，同时粘接保护层与极片之间具有粘接性，从而使粘接保护层粘附于极片表面形成保护层。
CN115732856A	隔膜和电池本公开实施例的一种隔膜和电池，所述隔膜包括基材、聚合物涂层和陶瓷涂层，所述基材具有第一面与第二面，在所述基材的宽度方向上，所述基材具有依次连通第一区、第二区和第三区，所述聚合物涂层分别涂覆在所述第一面与所述第二面的所述第二区内，所述陶瓷涂层分别涂覆在所述第一面的所述第一区和所述第三区内，以及所述第二面的所述第一区和所述第三区内。本公开的隔膜增强了隔膜与两极片的界面兼容性，减小界面阻抗，从而提升电池的电化学性能，同时，提升了隔膜的机械性能和热收缩性，提高电池的可靠性和安全性。
CN115732845A	电池模块根据本发明的电池模块包括：电池单元堆叠体，堆叠有多个电池单元，所述电池单元包括容纳电极组件的电极容纳部以及结合到所述电极组件的电极引线；模块壳体，在内部容纳所述电池单元堆叠体；汇流条部件，包括插入所述电极引线的端部的多个狭槽以及结合到所述电极引线的汇流条；以及引导部件，密封所述电极容纳部和所述汇流条部件之间的空间，并且包括多个开口部，所述电极引线的端部贯穿所述开口部，并且从所述电极容纳部泄漏的气体通过所述开口部排出到外部。
CN115732844A	电动工具本发明公开了一种电动工具，包括：输出件，用于输出动力；电机，用于驱动输出件；机壳，用于容纳至少部分电机；电池包，用于给电机供电；其中，机壳包括：电池包容纳部，形成有第一电池包容纳腔并提供有用于导向电池包沿第一直线方向插入第一电池包容纳腔的导向结构；电池包包括：基础壳体部，形成有第一容纳腔；第一电芯组，设置在第一容纳腔内；扩展壳体部，形成有第二容纳腔；第二电芯组，设置在第二容纳腔内；其中，第一电芯组至少部分设置在第一电池包容纳腔内，第二电芯组至少部分设置在第一电池包容纳腔外。该电动工具能够适配不同容量的电池包。
CN115732843A	电动工具本发明公开了一种电动工具，包括：输出件，用于输出动力；电机，用于驱动输出件；机壳，用于容纳至少部分电机；电池包，用于给电机供电；其中，机壳包括：电池包容纳部，形成有第一电池包容纳腔并提供有用于导向电池包沿第一直线方向至少部分被插入电池包容纳部的导向结构；第一电池包容纳腔包括：第一侧壁，设置在电池包的左侧；第二侧壁，与第一侧壁相对；第三侧壁，设置在电池包的上侧；第四侧壁，与第三侧壁相对；其中，第四侧壁的外壁定义有一个平行于第一直线的极限平面，电池包包括位于极限平面一侧的基础部分和位于极限平面另一侧的扩展部分。该电动工具能够安装不同容量的电池包。
CN115732838A	机动车辆的电池支撑件本发明涉及一种用于机动车辆的电池支撑件(1)，该电池支撑件包括：用于接收至少一个电池(4)的托盘(10)；用于将一个或多个所述电池保持在所述托盘上的装置，该保持装置包括位于螺纹杆(30)上的凸缘(2)；和用于将所述凸缘(2)夹持在一个或多个所述电池上的装置(31，32)，其特征在于，该夹持装置包括：套筒(31)，该套筒被可滑动地安装在螺纹杆(30)上，并且包括支承在所述凸缘上的套环(34)；螺母(32)，该螺母被安装在所述螺纹杆上，并且支承在所述套筒的套环上，所述螺母(32)与衬套的套环(34)之间的接触表面包括锯齿。
CN115732837A	电池模块电池单元托架和组装方法公开了一种用于电池模块的电池单元托架、一种电池模块和一种用于组装电池模块的方法。该电池模块包括多对电池单元和该电池单元托架。该电池单元托架包括多个凹部，这些凹部各自包括：第一凹部部分，该第一凹部部分包括第一侧壁部分和第一底部部分；以及第二凹部部分，该第二凹部部分包括第二侧壁部分和第二底部部分。每个凹部的该第一底部部分和该第二底部部分包括共享切口。对于每对电池单元，第一电池单元的第一端部耦接到相应凹部的该第一凹部部分，并且第二电池单元的第一端部耦接到该第二凹部部分。
CN115732836A	包括用于电池的壳体的电动车及安装方法本发明涉及一种包括用于电池的壳体的电动车及安装方法，电动车包括：中空壳体(1)，具有用于插入电池的开口；电池(4)，包括盒(10)和盖(8)，盒(10)沿纵向且在两个纵向端部(12、14)之间延伸，盖(8)沿盒的纵向侧延伸，例如盖的尺寸小于插入开口的尺寸；以及电池支承部(16、18)，安装在中空壳体内，以允许通过插入开口将电池安装到支承部(16、18)上或从支承部上取出，该支承部包括被配置为与所述电池盒的所述两个纵向端部(12、14)相互作用的两个部件(16、18)。沿至少一个空间方向，两个支承部件(16、18)相对于中空壳体以固定、不能调整的方式被安装，并且盖(8)能够调整地被安装在电池盒上。
CN115732835A	电池箱的下箱体、电池箱、电池包及电动汽车本发明公开了一种电池箱的下箱体、电池箱、电池包及电动汽车，下箱体具有上端开口的容置腔，下箱体包括外壳体、内壳体和支撑结构，支撑结构设置于外壳体与内壳体之间，外壳体与内壳体之间形成有腔室结构，外壳体和内壳体均由非金属复合材料制成。该下箱体由外壳体和内壳体组成，并且在外壳体和内壳体之间设置有支撑结构，使得下箱体的结构得到了强化，以满足电池箱的强度要求；并且，在外壳体与内壳体之间还形成有腔室结构，以提高下箱体的隔热保温效果；相对于金属材料下箱体，该非金属复合材料下箱体在满足电池箱强度要求的情况下，保温性能更好，重量比金属材质箱体轻，生产工艺更加简单，提高了经济效益。
CN115732831A	车用电池包托盘、电池包及车辆本发明提供一种车用电池包托盘、电池包以及车辆，车用电池包托盘包括侧壁、底壁及法兰外缘，侧壁底侧围合于底壁周边以形成车用电池包托盘的装载空间，法兰外缘围合于侧壁顶侧外周，侧壁、底壁及法兰外缘采用钢板热成型冲压制成，侧壁转角与底壁之间交界位置设有三角面，当侧壁拔模角为8°时，三角面拔模角范围为35°至40°；当侧壁拔模角为12°时，三角面拔模角范围为30°至40°。该车用电池包托盘能解决传统钢制电池包托盘成形性能与有效容积之间的矛盾关系问题，既保证了钢制电池包托盘具有很高的有效容积，同时又确保了其在冲压过程中良好的成形性能。
CN115732827A	片状电池模组及多层电池模块的制造方法本发明涉及电池技术领域，公开了一种片状电池模组的制造方法，将第一软包电芯和第二软包电芯分别安装于第一片状壳体的上部和下部，并使第一软包电芯的正极/负极电性连接与其相邻的第二软包电芯的负极/正极，由此可获得一种呈片状的电池模组，各个第一软包电芯与第二软包电芯均不堆叠接触，能够避免电池模组内部垒热，并能保证每个第一软包电芯和第二软包电芯均处于正常的温度范围内，提高电池模组的使用寿命。还公开了一种多层电池模块的制造方法，将多个片状电池模组进行并联连接，每相邻的两个片状电池模组之间的导流间隙能够使得各个片状电池模组之间的温度干扰降低，使得各个片状电池模组能够处于同样的温度范围内。
CN115732826A	电池单元集合单元和电池组本发明提供一种电池单元集合单元和电池组，根据本发明的一个实施例的电池组可以包括：电池单元集合单元，包括多个电池单元和电连接所述多个电池单元的汇流条；框架单元，容纳所述电池单元集合单元；支架单元，将所述电池单元集合单元固定到所述框架单元，并且所述支架单元和所述框架单元一起形成排出气体的流道；以及逆流入防止部件，设置在所述汇流条和所述支架单元之间，并且设置有多个透气孔，所述多个透气孔从面对所述汇流条的逆流入防止部件的一端延伸到面对所述流道的逆流入防止部件的另一端。
CN115732825A	一种低温蓄热型锂离子电池组本发明公开了一种低温蓄热型锂离子电池组，包括起到保护作用的壳体，所述壳体的内侧开设有安装槽，且所述安装槽的内侧设置有横板，并且所述壳体的内侧均匀放置有电池本体，同时所述壳体的左右两侧均开设有散热孔，所述壳体的内侧固定安装有用来实现导电的极片，且所述壳体的上方螺栓固定安装有盖板；还包括：两个蓄热仓，对称固定安装于所述壳体的左右两侧内壁，所述蓄热仓的前后两侧活动连接有翅片。该低温蓄热型锂离子电池组可以利用石蜡相变材料对电池工作热量进行有效蓄存，实现高效的保温作用，同时可以利用相变材料的体积变化来控制电池组进行自动预热和高效控温，使得电池组始终保持在最佳工作温度，有效降低低温下的电量损耗。
CN115732819A	电池单体及与其相关电池、装置、制备方法和制备装置本申请公开了一种电池单体及与其相关的电池、装置、制备方法和制备装置。本发明的电池单体包括：外壳，具有开口；端盖，用于盖合开口。其中，端盖包括端盖本体和支撑体，端盖本体用于与外壳焊接固定，支撑体设于端盖本体的底面上，且沿端盖本体的边缘周向设置，支撑体用于与外壳的内侧面抵接。根据本发明的电池单体能够延长使用寿命和增强安全性。
CN115732816A	单体电池、电池模组和电子设备本申请实施例提供了一种单体电池，其壳体外表面设置有阻燃涂层，阻燃涂层包括粘结剂和阻燃剂，粘结剂为无机材料，粘结剂包括至少一种水合固化物，水合固化物具有至少一个吸热峰，水合固化物中的阳离子包括Ca、Mg、Al、Fe、Ba、Sr、La中的至少一种，水合固化物中的阴离子包括硫酸根、碳酸根、亚硫酸根或磷酸根。通过选用特定的水合固化物作粘结剂，避免了采用有机粘结剂所带来的高热放热及易燃问题，且粘结剂具有一定阻燃功能，可提升阻燃涂层的阻燃效果，使得该单体电池的安全性能较高。本申请还提供了在单体电池上形成阻燃涂层的方法、电池模组和电子设备。
CN115732812A	一种铝空气电池及其工作方法本发明公开了一种铝空气电池及其工作方法，包括：电池组，电池组连接有循环泵，循环泵连接有散热翅片；电池组设有中间腔，中间腔与散热翅片连接，中间腔内设有温度传感器，温度传感器用于检测电解液经过散热翅片前与经过散热翅片后的温度；温度传感器连接有计算模块，计算模块用于根据温度传感器的数据确定电解液中固体含量；计算模块连接有上传模块；能够稳定电池的工作电压、提高电池比能量，保证铝空气电池平稳运行；在电解液反应后能对其中的固体粉末进行过滤分隔并循环回电池组中，提高电池组寿命；通过对电池组的散热效果进行监控实现对电池组的固体粉末过滤能力监控，能及时反馈电极液循环中固体粉末的含量，确保电池组的经济运行。
CN115732806A	升温系统本发明提供一种升温系统，其抑制在二次电池的通常的充放电中流动的电流引起的发热，且同时通过使高频率的交流电流流动而发热，由此在必要时使二次电池升温，能够实现能量效率的改善。升温系统具备：交流产生电路，其与包含一个以上的蓄电体的蓄电池连接，并产生交流电流；以及导电构件，其是连接于蓄电体的端子部分与交流产生电路之间、或者多个蓄电体之间的金属导体的导电构件，且具有第一路径和通过使交流电流通过而发热的第二路径，第一路径与第二路径相比电感成分大。
CN115732802A	高效冷却电池模块本发明涉及电池热管理领域，公开高效冷却电池模块，包括高效液冷系统和多个圆柱电芯，高效液冷系统包括：多个蛇形管，并排间隔设置，相邻蛇形管之间设有一列圆柱电芯，蛇形管与其两侧的圆柱电芯的外周面抵接，蛇形管设置为与圆柱电芯的圆柱面相适配的蛇形波纹状结构，蛇形管内设有沿其长度方向延伸的折返流道，蛇形管的进液端和出液端分别设于折返流道的两端，且进液端和出液端位于蛇形管的长度方向上的同一端；进液管和出液管，进液管与进液端连接，出液管与蛇形管的出液端连接。多个蛇形管从两侧冷却圆柱电芯，提高冷却效率，冷却液通过折返流道先后至少两次流过同一个圆柱电芯，往返冷却效果叠加，平衡圆柱电芯获得的冷却效果，改善均温性。
CN115732800A	一种车载储能制冷制热系统及其运行方法本发明公开了一种车载储能制冷制热系统及其运行方法，该系统包括高温储能装置、溴化锂制冷系统、车厢表冷器、电池表冷器、车厢末端、电池组末端，所述电池组末端连接着高温储能装置用于给高温储能装置充电，所述高温储能装置、车厢末端和电池组末端分别设置有第一温度传感器、第二温度传感器和第三温度传感器，所述高温储能装置上设置有出水管和回水管。本发明将电能以热能形式储存，并配置溴化锂制冷系统，由高温储能系统负责电池的散热、加热功能和车厢内的制冷、制热功能，可以为电池提供更好的工作环境，在更宽泛的环境条件下，提高电动车的续航能力和乘坐舒适度。
CN115732795A	一种采用悬置减震的锂电池组件本发明公开了一种采用悬置减震的锂电池组件，包括锂电池组件以及防护外壳，锂电池组件的下半部套设有置物架，置物架的底部固定连接有立座，立座的底部设置有下弹性件，立座的左右两端均抵触连接有平移楔形座，平移楔形座远离立座的一端固定连接有凸块，凸块通过复位弹簧连接于防护外壳的内侧壁，每个凸块的一侧均设置有门形架，门形架上设置有多个风扇，多个风扇由通过多重倍速机构驱动进行加速旋转，立座的前后两端还设置有用于夹紧置物架的辅助定位组件。本发明通过设置多个减震部件配合使用，能够大大提高装置对外部震动的吸收能力，使得风扇无需外接电源，便可实现高速旋转，对锂电池组件进行吹风控温，提高锂电池组件的作业性能。
CN115732791A	热管理机组及其控制方法本发明提出一种热管理机组及其控制方法，热管理机组包含冷凝器、换热器、散热水箱、第一循环管路、第二循环管路以及并联管路；第一循环管路一侧连接于产热器件的液冷板，另一侧以并联形式分别连接于散热水箱和并联管路，并设置有水泵，第一循环管路被配置为通过控制阀件选择性地连通散热水箱或者并联管路；第二循环管路循环连接于冷凝器的进气口和出液口之间，并设置有压缩机；第一循环管路和第二循环管路分别穿设于换热器，用以供第一循环管路内的第一介质与第二循环管路内的第二介质换热，使得液态的第二介质吸收第一介质的热量而蒸发。
CN115732790A	从电池再循环充电材料以用于生产再循环的电池的方法本发明涉及从电池再循环充电材料以用于生产再循环的电池的方法。本发明涉及一种在用完的二次电池的再循环流中，从所述电池再循环充电材料以用于生产再循环的电池的方法，包括：从基于拆卸的电池的再循环流接收颗粒块，将浸出酸添加到所述颗粒块中用于降低浸出溶液的pH以将所述充电材料溶解在所述浸出溶液中，进行所述充电材料的比率调节以实现所述浸出溶液中所述充电材料的预定摩尔比，和将强碱添加到所述浸出溶液中以升高所述pH以沉淀颗粒形式的所述充电材料化合物，所述颗粒形式限定了响应于烧结的充电材料前体以形成所述再循环的电池。
CN115732787A	一种触发并探测电池模块热失控的系统和方法本发明涉及新能源设备领域，提供一种触发并探测电池模块热失控的系统，用于检测待测试电池模组，包括：温度监测装置，所述温度监测装置具有多个温度采集端，多个所述温度采集端分布于所述待测试电池模组的外表面上；加热装置，所述加热装置与所述待测试电池模组连接，所述加热装置能够加热所述待测试电池模组，本提出的加热装置简单易得，通过电压监测和三维立体的温度检测方法，能够多维度探测热失控过程数据，来帮助技术研究人员更精确的研究锂离子电池从热失控触发开始到热失控发生的整个过程中电压变化、长/宽/厚三个方向上的温度变化、长/宽/厚三个方向上的产热速率、热蔓延特性。
CN115732786A	解析装置、解析方法及存储介质提供能够将设置于电池内的电极的状态以高精度解析的解析装置、解析方法及存储介质。实施方式的解析装置是二次电池的电极的活性物质层的解析装置，其具备：取得部，其取得图像数据，该图像数据是利用明暗差来对通过离子铣削加工后的所述活性物质层内的活性物质、以及所述活性物质间的空隙或填充物进行表示的图像数据；以及比较部，其比较所述活性物质层的至少两个不同的状态下的所述图像数据间的明暗差的图案。
CN115732785A	一种锂离子电池的放电方法以及放电系统本申请提供了一种锂离子电池的放电方法以及放电系统，通过调控循环放电容量，达到延长电池长循环容量无衰减或延缓衰减的目，可以明显提升锂离子电池的循环容量保持率，解决了现有技术中的锂离子电池的循环容量保持率低的技术问题，另外，也可以通过调控放电制度中的放电参数调控锂离子电池的放电容量。
CN115732783A	一种具有人工固态电解质界面层的复合金属锂负极及其制备方法和应用本发明公开了一种具有人工固态电解质界面层的复合金属锂负极及其制备方法和应用，本发明涉及金属锂电池技术领域。该方法包括以下步骤：在惰性气体氛围下，采用等离子体增强化学气相沉积法，将卤化有机液体和金属锂负极进行等离子反应，制得具有人工固态电解质界面层的复合金属锂负极。本发明制得的人工固态电解质界面层具有机械强度高和离子电导率高的特点，所制备的复合金属锂负极可以改善充放电过程中金属锂的沉积行为，提高了金属锂电池的稳定性能和循环性能。本发明解决了现有技术中金属锂电池负极存在枝晶生长的问题。
CN115732778A	用于电池管理的系统和方法一种电池管理系统，包括监控设备和控制器。该监控设备被布置在容纳电池的外壳中。该监控设备监控电池并且获取电池监控信息，该电池监控信息包括指示电池的状态的信息。控制器执行与监控设备的无线通信，并且基于电池监控信息来执行预定过程。监控设备保持不完善信息，该不完善信息为指示在监控设备与控制器之间的数据发送/接收失败的电池监控信息。监控设备从下一次电池监控信息被发送时重传与不完善信息相对应的信息。
CN115732776A	用于电池管理的系统和方法一种电池管理系统包括：至少一个监控设备(30)和控制器(40)。该监控设备被布置在容纳电池(20、21、22)的外壳(50)中以监控电池并且获取电池监控信息，该电池监控信息包括指示电池的状态的信息。控制器(40)执行与监控设备的无线通信，并且基于电池监控信息来执行预定过程。监控设备在连接过程的时段期间将电池监控信息插入分组中并且将分组发送到控制器，该连接过程是为建立在至少一个监控设备与控制器之间的无线通信而执行的。
CN115732775A	用于电池管理的系统和方法一种电池管理系统包括监控设备和控制器。监控设备布置在容纳电池的外壳中。监控设备监控电池并获取包括指示电池状态的信息的电池监控信息。控制器执行与监控设备的无线通信，并基于电池监控信息执行预定过程。控制器单独地执行与每个监控设备的无线通信过程。无线通信过程包括无线通信的连接过程，以及其中在连接过程完成后每个监控设备周期性地向控制器发送电池监控信息的周期性通信过程。控制器按照预定优先级的顺序执行与监控设备的无线通信过程。
CN115732773A	锂电池热失控抑制组件与其应用本发明提出一种锂电池热失控抑制组件与其应用。此锂电池热失控抑制组件包含有一熔融温度为90‑150℃的复合盐层，其为至少两种以上的无机单盐所共熔而成，并且该些无机单盐至少其中之一的阳离子为碱金族或两性元素。锂电池热失控抑制组件设置于锂电池外部或内部，当锂电池产热升温至90‑150℃时，复合盐层熔融成为液态并与锂电池的电化学反应系统反应，使活性材料成为钝态并且使离子与电子移动能力下降，以终止电池热失控与其所衍生的相关问题。
CN115732768A	一种抗震蓄电池及其制造方法本发明提供了一种抗震蓄电池及其制造方法，属于蓄电池技术领域，包括蓄电池槽、极群组以及蓄电池盖，蓄电池盖的下端面设有多个第一固定槽和两个第二固定槽，蓄电池盖的下端面的周向开设有密封槽，密封槽的底部开设有通孔；第一固定槽、第二固定槽以及密封槽内均填充有密封胶，第一固定槽内的密封胶围设在汇流排的顶部和周向，第二固定槽内的密封胶围设在极柱的周向，密封胶同时围设于多个极群的上端的耳板周向。本发明提供的一种抗震蓄电池，利用密封胶填充蓄电池盖与极群组之间的间隙，同时利用密封胶包裹在汇流排、极柱和耳板，提高关键抗振区的安全性，以降低蓄电池的振动。
CN115732766A	电池单元及电池模块本发明提供一种电池单元及电池模块，使第一电极及第二电极中的相互重叠的区域的面积增大，并且使电池单元中的第一电极的端面被分隔件的第一折回部覆盖的第一侧方部分和电池单元中的第二电极的端面被分隔件的第二折回部覆盖的第二侧方部分的识别容易。第一折回部(132A)的第一侧方部分(S1)的第五端面(132aA)的位置、第一折回部(132A)的第五端面(132aA)的相反侧的第一内表面(132bA)的位置以及第一折回部(132A)的第五端面(132aA)与第一内表面(132bA)之间的部分的位置中的任一个与第二电极(120)的第一侧方部分(S1)的第三端面(120a)的位置对齐。
CN115732758A	一种适用于磷酸铁锂电池的电解液、锂二次电池本发明属于锂离子电池技术领域，具体涉及一种适用于磷酸铁锂电池的电解液，包括有机溶剂、锂盐、第一添加剂；所述锂盐的至少部分是LIFSI；其中LIFSI在电解液中的浓度不低于15wt％；所述第一添加剂为碳酸亚乙烯酯。本发明的电解液特别适用于磷酸铁锂正极电池，当其用于磷酸铁锂正极体系中时，以LIFSI为主锂盐，配合VC，可以显著提高锂离子电池的电学性能、抗腐蚀性能、降低内阻，其具有优异的快充快放、高温循环性能。同时，本发明还提供一种锂二次电池。
CN115732757A	一种锂二次电池电解液、锂二次电池以及用电设备本申请提供一种锂二次电池电解液、锂二次电池以及用电设备，属于锂二次电池制造领域。锂二次电池电解液中的添加剂包括结构式如式I和/或式II所示的四氰基烷氧基脂肪族直链烷烃以及六亚甲基二异氰酸酯，该电解液能够在一定程度上解决电解液导致电池在高温、高压下存在的循环寿命不足以及存储性能欠佳等问题。
CN115732756A	一种电解液及使用该电解液的二次电池本发明涉及一种电解液及含该电解液的二次电池。为了解决现有电解液无法在同时兼顾锂二次电池的高低温循环性能、快充性能、以及使用寿命的同时，有效抑制电池在不同荷电状态下阻抗增长的问题，本发明的电解液中包括占电解液的总质量的2.0％‑10.0％的双氟磺酰亚胺锂以及所示的羧酸酯衍生物，R1和R2独立地为C1‑C6烷基或者其中，G1为键、C1‑C5亚烷基或含杂原子的取代基团，G2为C1‑C5烷基或含杂原子的取代基团，并且，G1、G2中至少一个为含杂原子的取代基团，R1和R2中至少一个为本发明的电解液能够提高锂二次电池的常温和高温循环性能、快充性能以及不同荷电状态下的循环性能，商业前景广阔。
CN115732751A	卤化物固态电解质材料、其制备方法及锂离子电池本发明提供了一种卤化物固态电解质材料、其制备方法及锂离子电池。该卤化物固态电解质材料的化学式为LiaMbY’1‑bXcCla+4‑b‑c，其中，M为非锂金属离子，M选自Fe、Al、Ga、Ho、Yb、Y、Sc、In和La系金属元素组成的组中的一种或多种，Y’选自IVB族元素中的一种或多种，X选自F、Br和I元素组成的组中的一种或多种，且a为0.5～3，b为0.01～0.9，c为0.02～5.9。相比于传统的卤化物电解质，LiaMbY’1‑bXcCla+4‑b‑c中的Y’成分部分替代了原有非锂金属成分且复配了特定种类的卤素，从而能够有效提高卤化物固态电解质材料的离子电导率。
CN115732750A	一种表面修饰金属氧化物的固态电解质及其制备方法和应用本发明涉及一种表面修饰金属氧化物的固态电解质及其制备方法和应用，所述方法包括：(1)将金属盐、醇溶性聚合物溶于有机溶剂中，混合，制备得到前驱体溶液；(2)将所述前驱体溶液涂覆在固态电解质的一侧或两侧上，并对涂覆有前驱体溶液的固态电解质加热烧结，制备得到表面修饰金属氧化物的固态电解质。本发明在固态电解质表面修饰一层致密的金属氧化物薄膜，可以阻碍金属锂与固态电解质之间的反应，并解决金属锂与固态电解质不浸润问题，有效提高固态电解质与金属锂之间的接触面积，降低界面电阻和界面电子电导率，提高固态电池的循环性能和寿命。
CN115732744A	二次电池和含有该二次电池的装置本申请公开了一种二次电池和含有该二次电池的装置。二次电池包括正极极片和负极极片，正极极片包括正极集流体以及设置在正极集流体至少一个表面上且包括正极活性材料的正极膜片，负极极片包括负极集流体以及设置在负极集流体至少一个表面上且包括负极活性材料的负极膜片，其中，负极活性材料包括第一材料和第二材料，第一材料包括人造石墨，第二材料包括天然石墨；正极活性材料包括层状锂过渡金属氧化物及其改性化合物中的一种或几种，且负极膜片背向负极集流体的表面的光洁度L满足：40≤L≤50；或者，正极活性材料包括橄榄石结构的含锂磷酸盐及其改性化合物中的一种或几种，且负极膜片背向负极集流体的表面的光洁度L满足：45≤L≤55。
CN115732742A	可再充电锂电池提供了可再充电锂电池，包括：包括正极活性物质层的正电极；包括负极活性物质层的负电极；以及包括非水有机溶剂、锂盐和添加剂的电解液，其中正极活性物质层包括正极活性物质和碳纳米管，基于正极活性物质层的总重，碳纳米管的含量为大于约0.1wt％且小于约3.0wt％，并且添加剂包括由化学式1表示的化合物。化学式1的细节如在说明书中描述。
CN115732741A	可再充电锂电池提供了可再充电锂电池，包括：包括正极活性物质的正电极；包括负极活性物质的负电极；以及包括非水有机溶剂、锂盐和添加剂的电解液，其中负极活性物质包括Si复合材料，并且添加剂包括由化学式1表示的化合物。化学式1的细节如在说明书中描述。
CN115732740A	锂金属二次电池本发明提供一种锂金属二次电池，在正极与负极之间具有固体电解质层，前述负极具有负极集电器及保护层，前述保护层包含能够与锂合金化的金属，体积容量密度为1000mAh/L以上。
CN115732735A	加热装置、电池制造设备及电池制造方法本申请涉及一种加热装置、电池制造设备及电池制造方法，属于电池制造技术领域。加热装置，用于在第一工位的上游对料带进行加热，包括：支架；第一加热模块，可移动地安装于支架；第一驱动模块，安装于支架，用于驱动第一加热模块沿料带的走带方向移动，以使第一加热模块可在靠近第一工位的第一位置和远离第一工位的第二位置之间移动。该加热装置，减少材料浪费，节约制造成本。
CN115732730A	一种可逆固体氧化物电池系统及氢氧制备方法本发明涉及电池技术领域，具体为一种可逆固体氧化物电池系统，优化系统的产氢与发电性能，提高能量转换效率，包括SOEC与SOFC两部分，每部分均包括电池本体、加热单元、物质储存与运输单元；SOEC与SOFC的电池本体均包括依次设置的燃料极流道、燃料极电极、电解质、空气极电极、空气极流道，以及对燃料极电极和空气极电极供电的电源；SOEC与SOFC的加热单元均包括燃料极加热器和空气极加热器；SOEC与SOFC共用一个物质供应与储存单元，包括储氧罐、储水罐和储氢罐。
CN115732725A	一种气体扩散层气液传输的预测方法、系统、设备及介质本发明公开了一种气体扩散层气液传输的预测方法、系统、设备及介质，包括获取气体扩散层压缩后的结构数据；获取所述气体扩散层中目标流体的流场数据与配置信息；所述配置信息包括碰撞方程数据、迁移方程数据和流场边界数据；根据所述结构数据、所述流场数据与所述配置信息，进行仿真处理，得到所述目标流体在所述气体扩散层中的平衡态仿真结果。本发明通过将气体扩散层压缩后的结构数据与目标流体的流场数据结合，配合配置信息能够真实地模拟不同装配条件对气体扩散层中气液传输行为的影响，高效准确，鲁棒性好，计算精度高，为优化燃料电池的装配条件和改善膜电极“水淹”现象提供极大的助力。
CN115732719A	燃料电池系统、运行方法和车辆所介绍的发明涉及一种用于提供电能的燃料电池系统，其中，该燃料电池系统包括：燃料电池堆；用于以氢气供给所述燃料电池堆的第一喷射泵；用于以氢气供给所述燃料电池堆的另外的喷射泵；用于以氢气供给所述第一喷射泵的第一推进喷嘴；用于以氢气供给所述另外的喷射泵的另外的推进喷嘴；用于共同地控制所述第一喷射泵和所述另外的喷射泵的配量阀，其中，所述配量阀通过主阀与第一推进喷嘴直接地连接，以便以氢气供给所述第一喷射泵，并且其中，配量阀包括切换阀，所述配量阀通过所述切换阀与所述另外的推进喷嘴连接，以便以氢气供给所述另外的喷射泵。本发明还涉及一种运行方法和车辆。
CN115732718A	燃料电池车本说明书涉及将燃料电池单元与蓄电池单元并联连接的燃料电池车，提供一种能够比以往更抑制燃料电池单元的劣化的技术。本说明书公开的燃料电池车具备燃料电池单元、蓄电池单元、行驶用的马达以及控制器。蓄电池单元与燃料电池单元并联连接。马达从燃料电池单元与蓄电池单元的至少一方接受电力供给来进行动作。在马达的驱动被禁止的期间，控制器以燃料电池单元的输出电压保持大于零且低于蓄电池单元的输出电压的规定的怠速电压的方式控制燃料电池单元。
CN115732717A	燃料电池的密封结构及其制造方法、燃料电池本申请提供了一种燃料电池的密封结构，所述燃料电池包括膜电极组件和分别设置在所述膜电极组件两侧的导电隔板，所述密封结构包括：所述导电隔板，其具有设置在所述导电隔板的边缘处且朝向所述膜电极组件突出的密封突出部；和密封框架，其围绕所述膜电极组件的边缘形成；其中，所述密封框架设有密封下凹部，所述密封下凹部的形状与所述密封突出部的形状相对应，使得所述密封突出部的至少一部分容纳在所述密封下凹部内并与所述密封下凹部保持弹性接触。本申请还提供了一种燃料电池的密封结构的制造方法以及包括上述密封结构的燃料电池。本申请的燃料电池的密封结构可以提供更好的密封效果，且便于高效地生产，成本较低。
CN115732713A	一种增强气体传质的亲-疏水相间双极板流道制造方法本发明公开了一种增强气体传质的亲‑疏水相间双极板流道制造方法，具体步骤如下：S1、确定流道内亲水单元区域液体凸起的高度；S2、根据关系式：cosα＝(R‑A)/R、sinα＝D/R，来得出相应接触角对应亲水单元区域长度2D，其中α为液滴在槽内的接触角，R为液滴半径，A为液滴在槽内最大高度；S3、选择亲、疏水材料；S4、根据上述S1、S2确定相应亲水单元区域的尺寸，先对双极板槽底进行亲水处理，覆盖住所需要的亲水单元位置，再进行疏水处理，即得到亲疏水相间的流道结构。此方法保留流道岸和槽内壁合适的亲水性，来吸附引导槽对应的GDL内产生的水；通过控制亲水表面亲水度和区域来调控存留在流道内的液滴大小，使得其在槽底形成凸起结构的同时不至于堵塞流道。
CN115732710A	一种包含绝缘轻型结构的过载激活热电池组及其装配方法本发明属于热电池的技术领域，具体涉及一种包含绝缘轻型结构的过载激活热电池组，包括绝缘轻型结构和多个单元热电池，绝缘轻型结构的密度不大于1.8g/cm3，绝缘轻型结构开设有多个呈中空结构的定位槽，定位槽部分包围单元热电池的周侧，单元热电池胶粘固定于定位槽且单元热电池的轴向部分高度外露于绝缘轻型结构，定位槽的深度为单元热电池的高度的1/2～3/4，定位槽的边缘与绝缘轻型结构的外缘的最小厚度为1mm～5mm，多个定位槽和单元热电池均匀排布于绝缘轻型结构。本发明解决常规过载激活热电池存在的结构重、吸热以及绝缘隐患等的问题。此外，本发明还提供了一种包含绝缘轻型结构的过载激活热电池组的装配方法。
CN115732707A	燃料电池催化剂、其制备方法和包含其的燃料电池本发明涉及燃料电池催化剂、其制备方法和包含其的燃料电池。所述燃料电池催化剂，包括导电性载体和在载体上负载的核‑壳纳米颗粒。核包含铂和过渡金属，壳包含异种金属。在O2饱和的0.1M HClO4电解质溶液中在电压为0.05V至1.05V(vs.RHE)的电位范围内在5mV/s的扫描速率和1,600rpm的旋转速率下测量的电化学比活性为0.3mA/cm2至0.6mA/cm2，并且质量活性为0.05mA/μg至0.08mA/μg。
CN115732703A	一种氮掺杂多孔碳毡材料及其在溴基液流电池中的应用本发明涉及一种溴基液流电池用正极材料，所述正极材料为氮掺杂多孔碳毡，多孔碳毡的碳纤维中氮的掺杂量为2wt％‑8wt％；于构成碳毡的碳纤维上具有多孔结构，孔径为0.1nm‑30nm，孔体积为0.001‑0.008cm3/g。所述多孔结构提高了碳毡的孔体积、比表面积和亲水性，可以加强电解液浸润性和对溴的吸附能力，提供更多的反应活性位点，从而可以提高溴电对的反应动力学，抑制溴扩散。最终实现降低电池极化，提高电池效率、容量和寿命的目的。该类材料具有制备方法简单、导电性好、电化学极化小、化学稳定性好等优点，该材料作为电池正极组装的溴基液流电池具有较高的电压效率、能量效率和循环稳定性。
CN115732702A	一种高导热集流体及基于该集流体的高安全性锂离子电池本发明提供了一种高导热集流体，通过以下步骤制得：将前驱体材料制成前驱体膜，前驱体膜经低温碳化和高温石墨化热处理得到石墨化的泡棉，石墨化的泡棉经压延得到一种高导热的薄膜集流体；所制得集流体的电导率为1.0×105‑2.5×106S m‑1，热导率为1200‑1600W m‑1K‑1，厚度为5‑500μm，体积密度为1‑10mg cm‑3，机械强度为10‑200MPa；本发明还提供一种基于上述高导热集流体的高安全性锂离子电池，包括正极极片、负极极片、隔膜、电解液和外包装材料，所述正极极片和负极极片至少一个由上述高导热集流体制成，所述电池的最大容量不小于1.5Ah；当该电池在使用过程中遭遇针刺等极端环境考验时，基于集流体优异的导热性能，可以有效传递并降低电池内部温度，减弱化学副反应，从而避免电池热量集中带来的起火和爆炸现象。
CN115732696A	正极浆料、正极极片及制备方法和锂离子电池申请提供了一种正极浆料，包括添加剂，所述添加剂为安全添加剂。安全添加剂包括共轭二烯单体和亲二烯体单体，或；包括环戊二烯类单体，其中，所述共轭二烯单体和所述亲二烯体单体能够形成热可逆结构，或者，所述环戊二烯类单体能够形成热可逆结构。本申请将以上单体掺混在正极浆料内部分散均匀，利用添加剂本身带有的活泼官能团，在涂布烘干过程中在极片内部形成保护层。安全添加剂形成的热可逆结构在电池受到高温时会解聚吸热、吸收氧自由基阻止热失控，提高电池安全性能；所述添加剂还可以包括结构保持添加剂，结构保持添加剂的加入可形成以结构保持添加剂为主链、安全添加剂为侧链或交联点的结构，能优化安全添加剂与电解液的亲和性、提升离子传输、抑制电解液分解，提高电池循环性能。
CN115732694A	一种负极活性材料及应用其的负极片、锂离子电池本发明提供一种负极活性材料及应用其的负极片、锂离子电池。该负极活性材料包括以下重量份的原料：石墨烯多孔硅复合材料70～90份，粘合剂5～25份，导电剂1～5份；粘合剂由含羟基的物料和含羧基的物料经过聚合反应制备得到。本发明提供的负极活性材料中含有石墨烯多孔硅复合材料和粘合剂，粘合剂具有三维交联网络结构，石墨烯多孔硅复合材料嵌入到粘合剂中，将该负极活性材料应用到负极片中，能够在保证电极容量的条件下为硅的嵌锂膨胀提供了有效的缓冲空间，有效解决了硅电极的体积膨胀的问题，提高了电极的循环稳定性和容量保持率。
CN115732691A	一种锂电池用水性导电浆料及其制备方法本发明属于锂电子电池导电浆料技术领域，提供一种锂电池用水性导电浆料及其制备方法，如下：导电浆料包括导电剂、石墨烯、第一粘结剂、第二粘结剂以及分散剂，第一粘结剂选自羧甲基纤维素钠、海藻酸钠、淀粉、环糊精和多聚糖中的至少一种；第二粘结剂为聚阴离子纤维素锂，锂电池用水性导电浆料中含有锂离子添加聚阴离子纤维素锂(PAC‑Li)，在保证石墨烯的导电性能的同时，提升对石墨烯的分散作用，维持离子电导率，而且聚阴离子纤维素(PAC)是一种白色、类白色或微黄色的粉末或颗粒，无毒、无味，易溶解于水，绿色无污染，在降低成本的基础上还大大减少了有机溶剂的排放，环保无毒，同时制备过程简单，条件温和可控，有利于工业化大规模推广和应用。
CN115732688A	一种用于减缓材料内部裂纹产生的包覆方法及其制品和应用本发明提供了一种减缓材料内部裂纹产生的包覆方法及其制品和应用。本发明的包覆方法，通过在包覆底物表面包覆含金属的磷酸盐的壳层，从而缓解材料内部应力实现。通过本发明的包覆方法得到的磷酸盐的壳层，可以有效降低在充放电过程中二次球形颗粒的内部应力，从而减缓材料内部裂纹的产生。本发明所提供的包覆方法简便易行，条件温和，作用于锂离子电池正极材料时，不仅可以减缓裂纹的产生，还可以显著降低材料与电解液界面副反应，提升正极材料的电化学性能。
CN115732687A	一种均匀球形过渡金属氧化物正极材料及其制备和应用本发明属于锂离子电池正极材料领域，具体涉及一种改性钴酸锂材料及其制备方法。本发明所述的正极材料组成为LiCo1‑xSbxO2，其中，x＝0.001‑0.02。本发明提供的正极材料采用简单的高温固相法合成，将含锂化合物、含钴化合物和含锑化合物均匀混合，在箱式炉中空气气氛下二次烧结合成。合成的LiCo1‑xSbxO2呈均匀的球形颗粒，具有优异的流动性、分散性和可加工性能，有利于制作正极浆料和电极片的涂覆，可以提高电极的质量，并且球形颗粒具有更高的堆积密度，有利于提高锂离子电池的能量密度。所制备的正极材料通过电化学性能测试，表现出较高的放电比容量和优异的倍率性能以及循环性能。
CN115732680A	橄榄石结构电极材料及其制备方法与应用本发明涉及锂电池电极材料领域，公开了一种橄榄石结构电极材料及其制备方法与应用。该正极材料具有式I所示的组成：LiαXβZγ(PO4)δ·σC式I；其中，0.9≤α≤1.1，0.99≤β≤1，0.001≤γ≤0.01，0.9≤δ≤2，0.10≤σ≤0.25；X选自Fe、Mn、Ni、Co和V中的至少一种；Z选自Mg、Ti、Nb、Al和Cr中的至少一种。该橄榄石结构正极材料同时具有优异的电化学性能和加工性能，并且制备该正极材料的方法工艺路线短、成本降低，且环境友好。
CN115732678A	镍钴锰酸锂正极材料及其制备方法、正极及锂离子电池本发明提供了一种镍钴锰酸锂正极材料及其制备方法、正极及锂离子电池。该镍钴锰酸锂正极材料包括LiNixCo(1‑x‑y‑a)MnyZraO(2‑2b)Fb和包覆于LiNixCo(1‑x‑y‑a)MnyZraO(2‑2b)Fb表面的包覆层，其中，包覆层包括磷酸盐，0＜x＜1，0＜y＜1，0＜a+x+y＜1，0.0005＜a＜0.03，0.0005＜b＜0.03。本发明的镍钴锰酸锂正极材料中掺杂的锆和氟元素能够增大晶面间距从而促进锂离子迁移，提升了其压实密度和循环寿命，而且可以提升镍钴锰酸锂正极材料的结构稳定性和安全性。从而进一步地提高了镍钴锰酸锂正极材料的结构稳定性、循环性能及热稳定性。
CN115732670A	一种锌负极的三维功能层、其原位制备方法和电池本发明公开了一种锌负极的三维功能层、其原位制备方法和电池，所述锌负极的功能层是通过电化学的方法原位制备微观尺度下的三维拓扑锌层，该结构的锌负极使锌颗粒在微观尺度下规则分布。本发明所提供的锌负极的三维功能层，能够有效地缓冲循环过程中锌负极出现的体积收缩膨胀问题，保障电子连通网络的连续性，避免锌负极的粉化和锌枝晶的产生，保持长期循环后锌负极的完整性，从而有效地提高水系锌离子电池的库伦效率和延长循环寿命。该制备方法操作简单，耗能低，可大规模操作。利用本发明所述制备的锌负极三维功能层可以制备出具有优异的循环稳定性和安全性能的水系锌离子电池，推进高比能量水系锌离子电池的实用进程。
CN115732669A	一种用于锂离子电池负极的硅碳复合材料及其制备方法、应用本发明公开了一种用于锂离子电池负极的硅碳复合材料及其制备方法，利用分散剂将纳米硅、石墨、有机裂解碳源和纳米导电剂均匀分散得到前驱体，烧结前驱体，然后干燥、碳化处理，破碎、过筛制备得到硅碳复合材料；所述硅碳复合材料的设计容量(首次可逆容量)与所述石墨的比表面积之间的比值在280～330之间。材料结构由内至外包括石墨层，纳米硅/有机裂解碳源层，导电网络穿插在各层之间，振实密度在0.8‑1g/cm3，首次可逆容量在700‑500mAh之间，硅碳复合材料的振实密度与首次可逆容量呈负相关，首次可逆容量与石墨比表面积比值在280～330之间。本发明制备的硅碳复合材料首次可逆容量可达500mAh/g以上，首次库伦效率可达90％以上，扣式电池50周循环容量保持率高达95.5％。
CN115732666A	一种用于锂离子二次电池的高首效负极材料及其制备方法本发明公开了一种用于锂离子二次电池的高首效负极材料及其制备方法，高首效负极材料包括:多孔碳基体、金属锂颗粒、纳米硅颗粒和碳壳；其中，多孔碳基体为含有贯穿孔的多孔碳微球；贯穿孔的平均孔径为1nm‑50nm；金属锂颗粒由气态锂沉积在贯穿孔中；纳米硅颗粒由含硅的气体沉积在贯穿孔中；金属锂颗粒的质量占高首效负极材料的总质量的百分比为10％‑50％；纳米硅颗粒的粒径在0.1nm‑45nm之间，纳米硅颗粒的质量占高首效负极材料的总质量的百分比为20％‑70％；高首效负极材料用于锂离子二次电池的首周库伦效率为99％‑105％。
CN115732665A	一种锂电池复合负极材料及其制备工艺本发明涉及锂电池负极材料技术领域，具体提供了一种锂电池复合负极材料及其制备工艺，本发明通过将二氧化硅、氢氧化锂、吐温80高温烧结制备第一硅碳负极材料、将炭微球进行改性制备第二碳负极材料的制备工艺，通过引入硅负极和碳负极的方式，既克服了碳负极的低容量，又有效避免硅在充放电过程中的体积膨胀效应，并且碳材料可以提高硅的导电性，改善电极活性物质与集流体的电接触，提高硅的循环稳定性，本发明复合负极材料具有比容量大，首次充电效率高，安全性与循环寿命好的优点，符合新型锂离子电池对的需求。
CN115732663A	一种二氧化钛/异质原子掺杂多孔碳材料的制备方法及储能应用本发明公开了一种二氧化钛/异质原子掺杂多孔碳材料的制备方法及储能应用，是在溶剂热合成钛基金属有机框架NH2‑MIL‑125(Ti)的同时加入添加剂，然后在惰性气氛下进行退火，充分利用在退火过程中添加剂原位分解的产物实现造孔和/或实现异质原子掺杂，即获得具有高比表面积、高异质原子掺杂量的二氧化钛/异质原子掺杂多孔碳材料。高的比表面积会增加更多的活性位点，为离子储存提供丰富的通道；异质原子掺杂可以改善离子扩散动力学和电导率，进而提升材料的倍率性能和循环稳定性。
CN115732660A	一种钠离子层状氧化物正极材料包覆制备方法本发明公开了一种钠离子层状氧化物正极材料包覆制备方法。所述钠离子层状氧化物正极材料的组成为负载3，4‑乙烯二氧噻吩聚合物的NaAxByCzO2，本发明通过球磨法将钠离子氧化物制备成纳米级，再通过氧化剂进行脱钠，避免堵塞钠离子的脱嵌通道，嵌入钠源，以弥补形成电解质膜时的不可逆钠损失，再加入的3，4‑乙烯二氧噻吩，形成具有分子结构，能隙小，电导率高的聚合物，是将钠重新插入部分脱钠的钠离子氧化物中以及Na+的运输电子沉积到聚合物涂层。本发明制备的复合正极材料，内核层状材料中Ni、Fe、Mn元素呈现阶梯分布，一方面通过抑制有害相变提高正极材料的结构稳定性，特别是在高的充放电电压下，从而提高产物的容量和循环寿命。
CN115732659A	一种改性正极材料及其制备方法和应用本发明提供了一种改性正极材料及其制备方法和应用，所述制备方法包括以下步骤：(1)将镍源、钴源和锰源与溶剂混合得到第一混合盐溶液，将铝源和碱液混合得到铝源溶液，将第一混合盐溶液、铝源溶液、氨水和碱液并流加入底液，控制pH进行一步反应；(2)镍源、钴源和锰源与溶剂混合得到第二混合盐溶液，停止第一混合盐溶液和氨水进料，并流通入草酸溶液和第二混合盐溶液，进行二步反应得到前驱体；(3)将步骤(2)得到的前驱体和锂源混合，经烧结处理得到所述改性正极材料，本发明在前驱体端，通过共沉淀过程中改变络合剂种类，设计材料内外层组分及结构改善材料在高电压下的循环稳定性。
CN115732656A	一种氧化石墨烯/碳纳米管-纳米镍电极及其制备方法和应用本发明公开了一种氧化石墨烯/碳纳米管‑纳米镍电极及其制备方法和应用，包括以下步骤：(a)将氧化石墨烯、碳纳米管分散在去离子水中得到氧化石墨烯/碳纳米管混合溶液；(b)得到丙烯酸交联树脂/聚氧乙烯聚丙乙烯三嵌段聚合物混合凝胶；(c)混合均匀得氧化石墨烯/碳纳米管‑纳米镍复合墨水；(d)将所述氧化石墨烯/碳纳米管‑纳米镍复合墨水装入3D打印机中，设定3D打印机参数，以玻璃片为基底进行3D打印得到氧化石墨烯/碳纳米管‑纳米镍复合水凝胶；(e)在惰性气体下进行高温煅烧得到氧化石墨烯/碳纳米管‑纳米镍电极。能够获得具有碱性电解水驱动电势低、催化性能好、耐腐蚀、循环应用稳定性好等优点的电极。
CN115732651A	正极活性物质和包含该正极活性物质的非水电解质二次电池本发明涉及正极活性物质和包含该正极活性物质的非水电解质二次电池。提供能够提高非水电解质二次电池的容量并且能够对非水电解质二次电池赋予反复充放电时的优异的容量劣化耐性的正极活性物质。在此公开的正极活性物质含有具有层状结构的第一锂复合氧化物粒子和具有层状结构的第二锂复合氧化物粒子。所述第一锂复合氧化物粒子的平均粒径(D50)为3.0μm～6.0μm。所述第一锂复合氧化物粒子的邻苯二甲酸二丁酯吸油量为15mL/100g～27mL/100g。所述第二锂复合氧化物粒子的平均粒径(D50)为10.0μm～22.0μm。所述第二锂复合氧化物粒子的邻苯二甲酸二丁酯吸油量为14mL/100g～22mL/100g。
CN115732649A	一种B掺杂氧化亚硅负极材料及其制备方法和应用本发明提供了一种B掺杂氧化亚硅负极材料及其制备方法和应用，所述制备方法包括：(1)将氧化亚硅基体进行刻蚀，加入硼源混合，得到氧化亚硅前驱体；(2)将所述氧化亚硅前驱体进行烧结，所述烧结的温度不低于700℃，得到B掺杂氧化亚硅负极材料。本发明通过对氧化亚硅基体进行刻蚀，随后掺混硼源并置于高温(≥700℃)下发生歧化反应，利用刻蚀作用以及内源歧化反应的驱动力，促进Si‑O键的断裂，从而在氧化亚硅中的内核二氧化硅呈亚稳态时引入硼掺杂，提高氧化亚硅的本征导电性，从而得到高导电性、高倍率性能和高比容量的B掺杂氧化亚硅负极材料。
CN115732641A	剔除装置、极片加工设备以及剔除方法本申请涉及一种剔除装置、极片加工设备以及剔除方法，属于电池制造技术领域。本申请提出一种剔除装置，用于剔除极片的缺陷段，包括：第一输送机构，用于输送极片；裁切机构，设置于第一输送机构的下游，用于裁切极片；第二输送机构，包括一对第一夹紧辊，第二输送机构在工作位置和非工作位置之间切换，在工作位置，第二输送机构位于裁切机构的下游，一对第一夹紧辊用于夹持并输送极片的缺陷段，在非工作位置，第二输送机构不在极片的输送路径上。使用该剔除装置能够在输送极片的过程中剔除缺陷段，且在剔除缺陷段的过程中对极片输送路径的影响较小。本申请还提出一种极片加工设备，包括该剔除装置。本申请还提出一种剔除方法。
CN115732631A	一种具有双梯度结构的锂/钠离子电池负极及其制备方法本发明属于碱金属离子电池技术领域，公开了一种具有双梯度结构的锂/钠离子电池负极及其制备方法。该双梯度负极是负极底部具有强亲锂/钠导电层修饰的集流体、负极中部的活性层及负极顶部的疏锂/钠绝缘钝化层所构建的负极底部亲锂/钠导电、中部的负极活性层亲锂/钠性及电导率适中、顶部疏锂/钠绝缘的双梯度三明治结构。通过在负极底部引入导电且亲锂/钠组分具有低的锂/钠形核势垒，能在负极活性层容纳锂/钠之后，诱导多余的锂/钠离子从负极底部形核生长，避免在负极表面出现析锂/钠现象，有效利用负极的下层空间，实现双相储锂/钠，大幅提升负极比容量及循环寿命。同时，负极表面的绝缘疏锂钝化层不仅厚度较薄，很好地保留了负极活性层原有的孔隙结构，对电解液的浸润性及锂/钠离子的扩散过程基本没有影响，而且绝缘疏锂特性有效阻碍了锂/钠在电极表面的还原生长。双梯度结构的协同作用，不仅通过双相储锂/钠特性大幅度提高负极的比容量，还防止了表面析锂/钠现象的发生，显著提高了电池的循环性能。
CN115732623A	电池极片、卷芯以及电芯本发明提供了电池极片、卷芯以及电芯。其中电池极片包括：一体连接的电极片本体和极耳，电极片本体上涂布正极涂层或者负极涂层，极耳的长度与电极片本体的长度相同，极耳包括在其长度方向相对的第一端和第二端，极耳的宽度在从第一端至第二端的方向上逐渐增加，极耳上设置有多个沿极片宽度方向延伸的纵向切口。应用本发明的技术方案能够有效地解决相关技术中的全极耳与连接端子连接困难的问题。
CN115732622A	一种LED芯片及其制作方法本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过将介质层延伸至所述外延叠层的通孔侧壁；所述金属反射层通过层叠于所述介质层表面的方式，嵌入所述介质孔与所述第二型半导体层形成接触，并延伸至所述通孔的侧壁；所述金属连接层层叠于所述金属反射层背离所述介质层的一侧表面，且所述金属连接层在朝向所述外延叠层的一侧表面具有裸露面；所述绝缘层通过覆盖所述金属连接层及金属反射层的方式，延伸至所述通孔的侧壁。从而，实现了将金属反射层延伸到通孔内部，提高了通孔内部的反射率的同时，可以实现将通孔内部的热量从台面传导，以提高芯片的散热能力，可以很好地解决通孔型垂直结构LED芯片因为空洞的存在导致热量无法及时散去的问题。
CN115732620A	显示面板和显示装置本申请提供一种显示面板和显示装置，涉及显示技术领域，显示面板包括衬底和位于衬底一侧的多个阳极；反射补偿结构，阳极包括第一阳极，在垂直于衬底所在平面的方向上，第一阳极与反射补偿结构交叠，反射补偿结构位于第一阳极朝向衬底一侧。反射补偿结构用以均衡第一阳极所在区域对于外界入射光线的反射效果，使得第一阳极所在的各个区域对于外界入射光线的反射效果更加均匀，避免出现该第一阳极中的不同区域对光线的反射效果差异较大的情况，从而降低、或是避免该第一阳极对应的显示区中存在的色偏问题，提升显示面板的显示均一性。
CN115732617A	保护膜形成装置本发明提供一种不会对元件造成负担而能够形成表面平坦的保护膜的保护膜形成装置。保护膜形成装置包括：树脂供给部，对基板的、搭载有元件的面供给液状的固化性树脂；基板保持部，保持被供给有固化性树脂的基板；支承部，与基板保持部相向地设置；带供给部，向基板保持部与支承部之间供给防附着带；按压部，朝向支承部按压基板，将被供给至基板的固化性树脂按抵至防附着带，使固化性树脂在基板上延展；固化部，使在基板上延展的固化性树脂固化；以及抵接部，通过按压部来按压基板，当基板保持部与支承部抵接时，在基板的被供给有固化性树脂的面与防附着带的表面之间形成规定的间隙。
CN115732615A	一种高气密性LED封装结构及其封装工艺本发明提供的一种高气密性LED封装结构及其封装工艺，在陶瓷基板的正面通过围坝形成空腔，并将LED晶片固定在空腔的底部，空腔的内壁则采用双层台阶结构，且双层台阶中远离陶瓷基板的台阶的截面形状为直角梯形，或台阶的侧面为倒角，直角梯形结构或是倒角结构有利于扩大玻璃透镜与基板围坝之间的粘接面积，使得玻璃透镜的边缘与双层台阶的表面粘接更加牢固，避免了掉透镜的风险，并通过二次点胶工艺形成完全密封，从而有效提高LED光源的封装气密性。
CN115732609A	倒装发光二极管及发光装置本发明涉及半导体制造技术领域，提供一种倒装发光二极管，其包括外延结构、第一电极和第二电极，外延结构包括第一半导体层、发光层以及第二半导体层，发光层位于第一半导体层与第二半导体层之间，第一电极位于外延结构之上并电连接第一半导体层，第二电极位于外延结构之上并电连接第二半导体层，其中，第一电极和/或第二电极是多层金属结构，多层金属结构包括在第一半导体层上依次层叠的金属反射层、第一阻挡层和导电金属层，多层金属结构中厚度最厚的一层是导电金属层，导电金属层为Al层。借此，可以使得发光二极管在后续使用过程中的内部热应力得到良好的缓冲与释放，并且能够促进水平方向的电流扩展，进而提升器件的可靠性。
CN115732607A	可剥离氮化物结构及其制备方法和剥离方法本发明公开一种可剥离氮化物结构及其制备方法和剥离方法，其中，可剥离氮化物结构包括依次设置的衬底、缓冲层、牺牲层、腐蚀层和目标氮化物结构；其中，牺牲层具有贯穿式裂纹。由于在缓冲层和目标氮化物结构中引入了具有贯穿式裂纹的牺牲层，贯穿式裂纹可以为溶液提供流动通道，使得，可以通过电化学腐蚀的方式对腐蚀层进行快速腐蚀，以实现目标氮化物结构与衬底和缓冲层的剥离。
CN115732600A	激光剥离装置本发明实施例提供一种激光剥离装置，用于将衬底上的发光单元剥离、掉落至临时基板上，衬底具有用于设置发光单元的功能区域和环绕功能区域的边缘区域，该激光剥离装置包括夹具组件，包括用于向衬底施加作用力的第一夹具和用于向临时基板施加作用力的第二夹具，第一夹具具有透光区和环绕透光区的非透光区，第二夹具与第一夹具沿第一方向相对设置；固定结构，设置于第一夹具并用于连接第一夹具与衬底，和/或设置于第二夹具并用于连接第二夹具与临时基板。该激光剥离装置能够提供作用力，以使衬底紧贴临时基板，从而抵消激光剥离时产生的冲击力，改善发光单元掉落至临时基板上时出现旋转、翻晶、立晶等缺陷，保证发光单元的完整性和良率。
CN115732597A	一种TOPCon电池选择性发射极和钝化接触结构的制备方法本发明涉及电池制造技术领域，具体涉及一种TOPCon电池选择性发射极和钝化接触结构的制备方法，使用板式工艺在电池正面和背面分别制备硼掺杂和磷掺杂层，正面的硼掺杂层，氮化硅覆盖层和背面的隧穿氧化层、磷掺晶硅薄层可以同一台设备进行工艺，并且两者的高温杂质激活可以同步进行；板式工艺下镀膜制备掺杂层具有良好的“选择性”避免绕镀；在硼掺杂层之外覆盖氮化硅层，解决硼难以激活的问题。
CN115732596A	一种硅片插片机的连续供料装置及连续供料方法本发明涉及一种硅片插片机的连续供料装置及连续供料方法，该方法使用硅片插片机连续供料装置，硅片插片机连续供料装置包括吊装机构，吊装机构下方依次设有承载器和送料机构，吊装机构包括横梁，吊装横梁的两端顶部分别设置有吊装水平滑轨，吊装水平滑轨上可滑动地设置有卡爪横移滑板，卡爪横移滑板的一侧水平设置有吊装齿条，吊装横梁上安装卡爪横移电机安装架，卡爪横移电机安装架上设置有卡爪横移电机，卡爪横移电机的工作轴上安装有卡爪横移齿轮，卡爪横移齿轮与吊装齿条啮合。本发明通过吊装机构、硅片承载器和送料机构三部件的有效联动实现硅片从硅片承载器中脱离、硅片分段输送、硅片插片机的不间断工作，实现可连续为硅片插片机供料之目的。
CN115732592A	一种氧化镓光电探测器本发明公开了一种氧化镓光电探测器。所述氧化镓光电探测器包括：第一电极层；至少一铁电层，设置在所述第一电极层上的选定区域，且与所述第一电极层电连接；氧化镓层，设置在所述第一电极层和铁电层上；第二电极层和第三电极层，间隔设置在所述氧化镓层上；所述铁电层自发极化形成的局域场能够改变覆设在铁电层上的氧化镓层的导电类型，从而在所述氧化镓层内形成同质结结构。本发明提供的氧化镓光电探测器通过在器件内部引入铁电层，利用铁电材料自发极化形成的局域场调控覆设在其上的氧化镓薄膜的能带结构，从而构建基于氧化镓薄膜的同质PN或NPN或PNP结，实现了光子捕获与载流子输运效率的同时提升。
CN115732583A	自供电CsCu2I3薄膜紫外光电探测器的制备方法本发明公开了一种自供电CsCu2I3薄膜紫外光电探测器的制备方法，实现对紫外光高性能、高灵探测，同时兼顾器件稳定性与安全性。本发明通过两步退火工艺，调控CsCu2I3薄膜的晶粒尺寸和结晶性，制备出厚度均匀、粒径均一、结晶性好、无孔洞的CsCu2I3钙钛矿薄膜，并以制备的CsCu2I3钙钛矿薄膜为光响应活性层，构筑垂直结构的紫外光电探测器，并具有自驱动功能。本发明基于钙钛矿溶液加工制备的紫外光电探测器，具有探测率高、开关比大及响应速度快等优势，可实现高性能紫外探测。
CN115732582A	一种超快光电导结构和光电导天线器件本发明公开了一种超快光电导结构，包含半导体衬底和超晶格光电导层，其中超晶格光电导层的周期结构包括光吸收层和载流子扩散阻挡层。本发明还公开了一种光电导天线器件，由超快光电导结构以及天线结构组成。本发明通过外延方式精确调控光电导结构的组分、结构等，结合材料生长后的退火条件控制，对材料的载流子寿命、暗电阻和迁移率进行调制，在通信波段实现亚皮秒级的快速弛豫，可用于飞秒激光激发的太赫兹源和探测器。
CN115732581A	单分散颗粒膜及其形成方法、光伏电池本申请实施例涉及电子材料技术领域，特别涉及一种单分散颗粒膜及其形成方法、光伏电池。单分散颗粒膜的形成方法包括：提供初始基底，所述初始基底具有相对的第一面和第二面；在所述第一面形成牺牲层、粘结层以及单分散颗粒层，所述单分散颗粒层包括多个颗粒，所述多个颗粒在所述第一面分散排布，所述牺牲层位于所述颗粒与所述初始基底之间，所述粘结层位于相邻所述颗粒之间，且所述粘结层露出所述颗粒远离所述初始基底的表面；溶解去除所述初始基底；溶解去除所述牺牲层。本申请实施例至少有利于降低单分散颗粒膜的形成难度。
CN115732580A	光伏组件本申请实施例涉及光伏领域，提供一种光伏组件，包括：电池片，电池片表面具有多个沿第一方向间隔排布的栅线结构；多个沿第二方向间隔排布的连接部件，每一连接部件位于电池片表面且与至少一个栅线结构电接触，连接部件包括本体部以及位于本体部表面的第一部以及第二部，第一部位于电池片表面且与栅线结构合金化，第二部远离本体部的外侧面轮廓与内侧面轮廓正对；对于同一连接部件，沿垂直于连接部件延伸方向的横截面图形中，第一部的占比小于第二部的占比；封装层，封装层覆盖连接部件的表面以及电池片的表面；盖板，盖板位于封装层远离电池片的一侧。本申请实施例提供的光伏组件至少有利于提高焊带与电池片的连接性能以及提高电池片的良率。
CN115732572A	具有氧化物半导体的显示装置本公开涉及具有氧化物半导体的显示装置。特别是，所述显示装置可以包括设置在器件基板上的至少一个开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管。驱动薄膜晶体管可以包括由氧化物半导体制成的驱动半导体图案。遮光图案可以设置在器件基板与驱动半导体图案之间。遮光图案可以靠近驱动半导体图案设置。因此，在所述显示装置中，可以减小根据施加到驱动薄膜晶体管的驱动栅电极的电压的电流变化值，而无需改变开关薄膜晶体管的特性。因此，在所述显示装置中，可以防止出现低灰度斑点。
CN115732570A	显示面板及其制造方法、显示装置本申请公开了一种显示面板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。显示面板包括：衬底、发光器件、遮光功能层和隔光层。隔光层在衬底上的正投影与遮光功能层中的开孔在衬底上的正投影至少部分重合，且该隔光层能够透射红外光，并吸收可见光。如此，在不影响通过遮光功能层中的开孔透射红外光的前提下，通过隔光层吸收由发光器件发出并被反射回显示面板中的可见光，有效的降低了射向开孔所在区域的可见光再次被反射的概率，使得像素驱动电路内的薄膜晶体管中的有源层被可见光照射的概率降低，进而可以保证显示面板的显示效果较好。
CN115732568A	用于先进的集成电路结构制造的栅极线插塞结构本公开的实施例属于先进的集成电路结构制造的领域，并且具体为10纳米节点以及更小的集成电路结构制造和所得到的结构。在示例中，一种集成电路结构包括具有沿着第一方向的最长尺寸的第一硅鳍片。具有最长尺寸的第二硅鳍片沿着第一方向。绝缘体材料处于第一硅鳍片与第二硅鳍片之间。栅极线沿着第二方向在第一硅鳍片之上并且在第二硅鳍片之上，第二方向与第一方向正交，栅极线具有第一侧和第二侧，其中栅极线在绝缘体材料之上具有中断，该中断被电介质插塞填充。
CN115732567A	半导体器件及其制造方法公开了一种半导体器件及其制造方法，其在漏电极设置第一导电柱和第二导电柱，第一导电柱连接至金属硅化物，通过金属硅化物连接漂移区，第二导电柱直接连接至漂移区。本发明提供的半导体器件及其制造方法设置两种导电柱引出漏电极，可在漂移区无漏掺杂区的情况下实现漏电极的引出，降低了漏掺杂区对半导体器件的横向尺寸的占用，为半导体器件的横向尺寸的降低提供了便利。
CN115732560A	一种环栅晶体管及其制造方法本发明公开了一种环栅晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于提高沟道区中各层纳米线/片之间的导通均匀性，进而利于提升环栅晶体管的驱动性能。所述环栅晶体管包括：半导体基底、有源结构和栅堆叠结构。有源结构形成在半导体基底上。有源结构包括源区、漏区、以及位于源区和漏区之间的沟道区。沿有源结构的高度方向，沟道区包括至少两层间隔设置的纳米线/片。在沟道区中，至少一层纳米线/片的材料不同于其余纳米线/片的材料。栅堆叠结构形成在半导体基底上。栅堆叠结构包括至少两层栅堆叠部，每层栅堆叠部环绕在相应层纳米线/片的外周。位于不同材料的纳米线/片外周的不同栅堆叠部的厚度和/或材料不同。
CN115732559A	一种低欧姆接触的氧化镓功率晶体管及其制作方法本发明公开了一种低欧姆接触的氧化镓功率晶体管及其制作方法，制作方法包括：在β‑Ga2O3衬底上生长β‑Ga2O3UID层；在β‑Ga2O3UID层上生长轻掺杂的β‑Ga2O3沟道层；在β‑Ga2O3沟道层上旋涂重掺杂的SOG介质层；刻蚀掉除欧姆区域外的SOG介质层；在欧姆区域内的SOG介质层上生长源电极和漏电极；在β‑Ga2O3沟道层、源电极、漏电极和SOG介质层上生长Al2O3介质层；在欧姆区域外的Al2O3介质层上生长栅电极；刻蚀掉源电极和漏电极上的Al2O3介质层；在源电极和漏电极上沉积互联金属。本发明制作工艺简单，且制作的器件具有更低欧姆接触导通电阻。
CN115732556A	一种NMOS器件、其制备方法及集成电路本申请公开了一种NMOS器件、其制备方法及集成电路。其中NMOS器包括半导体衬底、栅极氧化层以及栅极。其中，半导体衬底中包括P阱、源区、漏区、第一LDD区和第二LDD区；第一LDD区和第二LDD区均包括第一离子注入区和第二离子注入区；第一离子注入区通过第一离子注入形成，第一离子包括P离子；第二离子注入区通过对第一离子注入区进行第二离子注入形成，第二离子包括Ge离子。Ge原子比较大，可以产生缺陷，有利于第一离子的扩散，可以降低横向电场，改善HCI效应。并且，Ge原子比较大，载流子碰撞到Ge原子的几率变大，从而可以降低碰撞电离率，减少高能载流子数量，进一步改善HCI效应。
CN115732555A	氮化物半导体器件、互连结构及其制造方法氮化物半导体器件包括氮化物外延叠层、至少一电极、绝缘层、导电通孔、第一金属层、第二金属层以及重配置线路层。至少一电极设于所述氮化物外延叠层上。绝缘层包覆电极与氮化物外延叠层。导电通孔设于电极上且在绝缘层内延伸。第一金属层与第二金属层，设于绝缘层上。第一金属层位于导电通孔上方且通过导电通孔与电极电性连接，且第一金属层与第二金属层隔开。重配置线路层设于第一金属层与第二金属层之间且连接第一金属层与第二金属层，其中重配置线路层具有相对的第一端部与第二端部，第一端部覆盖第一金属层，第二端部覆盖第二金属层，其中重配置线路层的材料不同于第一金属层与第二金属层的材料。
CN115732552A	具有内外间隔物的横向双极型晶体管结构及其形成方法本公开的实施例提供了具有内外间隔物的横向双极型晶体管结构和相关方法。横向双极型晶体管结构可以具有位于绝缘体上方的发射极/集电极E/C层。E/C层具有第一掺杂类型。第一基极层位于绝缘体上且邻近E/C层。第一基极层具有与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型。第二基极层位于第一基极层上且具有第二掺杂类型。第二基极层的掺杂浓度大于第一基极层的掺杂浓度。内间隔物位于E/C层上且邻近第二基极层。外间隔物位于E/C层上且邻近内间隔物。
CN115732551A	环形双极型晶体管本公开涉及半导体结构，更具体地涉及环形双极型晶体管和制造方法。该结构包括：衬底材料；集电极区，其平行于衬底材料并位于衬底材料上方；内基极区，其围绕集电极区；发射极区，其位于内基极区上方；以及外基极区，其接触内基极区。
CN115732549A	一种屏蔽栅功率器件及其制备方法本发明提供一种屏蔽栅功率器件及其制备方法，该屏蔽栅功率器件包括半导体层、介电层、屏蔽栅层、栅介质层、隔离介质层、栅导电层，其中，半导体层上表层设有多个沿X方向间隔设置的沟槽；介电层位于沟槽内壁及底面，屏蔽栅层位于沟槽中，介电层上表面低于屏蔽栅层上表面；栅介质层覆盖沟槽内壁、介电层上表面及屏蔽栅层显露表面；隔离介质层覆盖介电层的上表面及屏蔽栅层的显露表面，隔离介质层包括主体部及填充沟槽内壁与屏蔽栅层侧壁之间间隙的凸起部，凸起部中设有至少一个孔洞区；栅导电层填充所述沟槽。本发明通过优化隔离介质层的结构，增大凸起部的高宽比，以使凸起部中形成孔洞区，降低器件的源漏寄生电容，提升器件开关速度及开关损耗。
CN115732546A	半导体器件及其形成方法在实施例中，半导体器件包括：第一半导体部件的第一沟道区上的第一栅极电介质；第一栅极电介质上的第一栅电极；第二半导体部件的第二沟道区上的第二栅极电介质，第二栅极电介质具有比第一栅极电介质大的结晶度；以及第二栅电介质上的第二栅电极。本发明的实施例还提供了形成半导体器件的方法。
CN115732545A	氧化物薄膜晶体管及其制备方法、电子设备本公开的实施例提供一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法、电子设备，该氧化物薄膜晶体管包括：衬底基板；依次层叠设置在衬底基板上的栅极和金属氧化物半导体层；设置在金属氧化物半导体层和栅极之间的栅绝缘层，其中，栅绝缘层包括层叠设置的氧化硅绝缘层和氮化硅层，氮化硅层为单层结构或包括依次叠层设置的多个氮化硅子层，氧化硅绝缘层设置在氮化硅层和金属氧化物半导体层之间；氮化硅层中存在至少部分区域满足：至少部分区域中Si‑H键占Si‑N键、N‑H键和Si‑H键总和的百分含量不大于7％，该薄膜晶体管通过调整栅绝缘层的结构可以解决栅绝缘层鼓包的问题。
CN115732541A	MOS器件的制备方法本发明提供一种MOS器件的制备方法，包括：提供衬底，衬底上形成有栅区、源/漏区，并在衬底上的介质层中形成有通孔，通孔暴露出源/漏区的表面；对源/漏区进行掺杂；对掺杂后的源/漏区进行预非晶化处理，以使源/漏区表面形成非晶层；使用氧化工艺处理源/漏区，使杂质靠近非晶层实现分凝；去除被氧化的非晶层；在源/漏区表面形成金属硅化物。本发明能够降低源漏接触电阻。
CN115732539A	薄膜晶体管、基板及其制备方法、显示装置本公开实施例提供一种薄膜晶体管、基板及其制备方法、显示装置。薄膜晶体管包括：第一极，位于基底上侧；第一绝缘层，位于第一极的上侧；凸起结构，位于第一绝缘层上侧，并沿第一方向延伸；有源层，位于凸起结构的上侧，包括第一导体化区域、第二导体化区域以及的沟道，沟道沿第二方向跨越凸起结构，第一导体化区域与第一极连接；第二绝缘层，位于有源层上侧；栅极，位于第二绝缘层的上侧，沟道在基底上的正投影位于栅极在基底上的正投影的范围内；第三绝缘层，位于栅极的上侧；第二极，位于第三绝缘层的上侧，第二极与第二导体化区域连接。本公开的技术方案，可以增加沟道的长度，降低短沟道效应。
CN115732534A	IGBT元胞结构、芯片及车辆本发明提出一种IGBT元胞结构、芯片和车辆，包括：多个元胞子结构；至少一个P+柱，相邻两个元胞子结构通过P+柱连接；N‑漂移区和金属发射极，每个元胞子结构的每个P型阱区设置在N‑漂移区和金属发射极之间，P+柱的一端与金属发射极连通且另一端与N‑漂移区连通；N型缓冲层；P型集电区；多个载流子存储层。本发明通过设置载流子存储层，在IGBT元胞结构导通时，使得载流子存储层下方的空穴不会被P型阱区和载流子存储层的反偏PN结抽取，从而降低饱和压降，以及，通过设置P+柱，在器件导通时，提高其抗闩锁能力，在器件关断时，通过碰撞电离产生的电子抽取N‑漂移区中的空穴，从而降低关断时间和关断损耗。
CN115732533A	发光组件、发光元件及制作方法本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光组件、发光元件及制作方法。该发光组件包括电路基板、多组发光元件、桥接导电桥；发光元件包括至少两个通过桥接导电桥桥接串联的第一发光单元和第二发光单元；第一发光单元和第二发光单元均包括外延结构和金属电极；外延结构具有相对的第一表面、第二表面；桥接导电桥跨接在第二表面一侧；从发光元件的上方朝向外延结构俯视，第一表面具有靠近桥接导电桥的一侧边，该侧边在电路基板上的正投影落在第二表面在电路基板上的正投影范围内；金属电极设置在外延结构与电路基板之间。上述设置可以有效缩小桥接导电桥的跨接距离，在保证器件高压特性的同时，减少发光组件尺寸，提升工艺稳定性。
CN115732528A	底部发光型发光二极管显示器一种底部发光型发光二极管显示器，包含透明基板；多个发光二极管，接合于基板；封装层，形成于基板上以覆盖发光二极管；及反射层，形成于封装层上，以反射发光二极管所发射光线。其中反射层具有非平滑形状或者封装层具有不同折射率。
CN115732516A	电子装置本申请提供一种电子装置。电子装置包括基板、设置于基板上的多个薄膜晶体管以及多个发光单元。此些发光单元的其中一者具有封装胶以及至少一发光芯片。此封装胶设置于发光芯片上，且此发光单元电性连接至此些薄膜晶体管的至少一者。
CN115732515A	显示面板本发明提供一种显示面板，包括有源层、第一扫描线及第一复位线。有源层中的第一电连接部连接于相对设置的第一子有源图案和第二子有源图案之间；第一电连接部的连接部沿第一方向延伸，且两端分别与第一子有源图案和第二子有源图案相接；第一电连接部的重叠部沿与第一方向交叉的第二方向延伸，且与连接部相接，第一子有源图案和第二子有源图案，与重叠部分别位于连接部的相对两侧；第一扫描线沿第一方向延伸，且与第一子有源图案的第一沟道部和第二子有源图案的第二沟道部重叠；第一复位线位于第一扫描线的一侧且与重叠部至少部分重叠，以形成耦合电容，从而利用第一复位线传输的第一复位信号及耦合电容改善低频闪烁问题。
CN115732510A	显示装置显示装置包括：电源线；栅极线，分别在平面图上沿第一方向延伸且沿第二方向排列；像素，连接于电源线及栅极线；以及垂直线，分别在平面图上沿第二方向延伸且沿第一方向排列。其中，垂直线包括栅极连接线以及布置于栅极连接线之间的虚设线。栅极连接线将栅极线连接于栅极驱动部。虚设线连接于电源线。将栅极连接线中的至少一条置于其之间而隔开的虚设线之间的间距整体恒定。
CN115732508A	一种显示基板及显示装置本公开涉及一种显示基板，包括交叉设置的M条横向栅线和N条纵向栅线，N为小于或等于M的正整数，一个所述纵向栅线连接至对应的一个所述横向栅线上，且所述横向栅线和所述纵向栅线之间的多个接驳点以马赛克状分布在所述显示基板的显示区域内。本公开还涉及一种显示装置。
CN115732505A	纳米带半导体器件上的双金属栅极结构本文提供了在不同器件上方形成具有不同功函数金属的半导体器件的技术。该技术可以用于任何数量的集成电路应用中，并且特别地适用于全环栅(GAA)晶体管。在示例中，邻近半导体器件各自包括不同的功函数以用作每个半导体器件的器件栅极电极。更具体地，第一半导体器件可以是p沟道GAA晶体管，其在晶体管的各个纳米带周围具有第一功函数金属，而第二邻近半导体器件可以是n沟道GAA晶体管，其在晶体管的各个纳米带周围具有第二功函数金属。在第二半导体器件的纳米带周围不存在第一功函数金属的部分，并且在第一半导体器件的纳米带周围不存在第二功函数金属的部分。
CN115732503A	半导体器件及其制造方法本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：衬底，具有隔离LDMOS区和存储器件区的第一沟槽隔离结构；栅极层，包括相连接的栅极横向部和栅极纵向部，栅极横向部从LDMOS区延伸至存储器件区，栅极纵向部位于LDMOS区的第一沟槽隔离结构中，栅极横向部与存储器件区的衬底之间夹有隧穿氧化层，栅极纵向部与LDMOS区的衬底之间夹有栅氧层；第二源极区和第二漏极区分别形成于存储器件区的栅极横向部两侧的衬底中，第二漏极区与栅极横向部之间夹有部分隧穿氧化层。本发明的技术方案使得无需在栅极层上连接栅极驱动电路来控制LDMOS器件的开和关，从而使得对LDMOS器件的开和关操作的复杂度降低，且使得DC‑DC转换器等中的电路设计的复杂度降低。
CN115732497A	一种单向低压低电容TVS结构本发明公开一种单向低压低电容TVS结构，属于浪涌保护器件领域，包括衬底、第一外延层、第二外延层、NBL区、PBL区、P+区、N+区、隔离槽、金属层、钝化层和孔介质层；第一外延层位于所述衬底上，第二外延层位于第一外延层上；NBL区和PBL区均位于第一外延层中；P+区和N+区位于第二外延层的内部顶表面，且通过金属层相连；隔离槽贯穿第二外延层、第一外延层，达到衬底层；孔介质层位于第二外延层的外部表面，并在P+区和N+区区域有开口，以便通过金属层相连；钝化层覆盖暴露的孔介质层和部分金属层。本发明通过对纵向结构的设计研究，将低压TVS器件与低容二极管集成，使得整体性能显著提高。
CN115732496A	标准元件单元一种标准元件单元包括多个晶体管、电性连接至多个晶体管的一组接触结构、电性连接至多个晶体管的至少一条输入线、电性连接至多个晶体管的一条输出线、电性连接至多个晶体管的一条高压VDD接触线和电性连接至多个晶体管的一条低压VSS接触线。其中，随着标准元件单元的最小特征尺寸(λ)从22nm逐渐微缩，由最小特征尺寸的平方表示之该标准元件单元的面积尺寸仍维持相同或基本相同。
CN115732484A	Z字形有线存储器模块一种存储器模块，包括：印刷电路板PCB，印刷电路板PCB包括其中形成具有布线结构的多层。PCB在第一方向上的长度大于PCB在垂直于第一方向的第二方向上的长度；多个存储器芯片，包括多个焊球。多个存储器芯片被布置在PCB上分别沿第一方向延伸的第一行和第二行中。多个焊球连续地布置在第一方向上。布线结构交替地Z字形连接布置在第一行和第二行中的多个存储器芯片。
CN115732483A	具有侧壁保护的半导体裸片组合件以及相关方法和系统公开了具有侧壁保护的半导体裸片组合件以及相关方法和系统。在一个实施例中，半导体裸片组合件包含具有低k电介质层的接口裸片和附接到所述接口裸片的半导体裸片堆叠。所述半导体裸片组合件还包含保护所述接口裸片的侧壁和所述半导体裸片的侧壁的模制结构。在一些实施例中，所述半导体裸片组合件包含与所述半导体裸片堆叠相对的附接到所述接口裸片的钝化层。此外，所述钝化层可包含与所述模制结构的外部侧壁表面共面的侧壁表面。所述钝化层可包含未被所述接口裸片覆盖的在所述模制结构下方的凸边。所述半导体裸片组合件可包含在所述半导体裸片堆叠的所述侧壁处的NCF材料，其中所述模制结构包围所述NCF材料。
CN115732482A	三维接合方案以及相关联系统和方法本文公开了具有三维接合方案的半导体装置以及相关联系统和方法。在一些实施例中，所述半导体装置包含封装衬底、由所述封装衬底承载的半导体裸片堆叠和由所述封装衬底承载的邻近所述半导体裸片堆叠的互连模块。所述半导体裸片堆叠可包含由所述封装衬底承载的第一裸片和由所述第一裸片承载的第二裸片。同时，所述互连模块可至少包含第一层次和第二层次。所述第一层次可由所述封装衬底承载且电耦合到所述封装衬底，并且所述第二层次可由所述第一层次承载且电耦合到所述第一层次。所述第二裸片又可电耦合到所述第二层次。
CN115732479A	功率转换器模块本申请公开了功率转换器模块。一种功率转换器模块(100)包括功率晶体管以及具有第一表面(140)和与第一表面(140)相对的第二表面(144)的衬底(136)。热焊盘(138)位于衬底(136)的第二表面(144)上，并且热焊盘(138)被配置为热耦合到散热器(132)。功率转换器模块(100)还包括安装在衬底(136)的第一表面(140)上的控制模块(148)。控制模块(148)包括耦合到功率晶体管的控制IC芯片(104)。第一控制IC芯片(108)控制功率转换器模块(100)的第一开关电平，并且第二控制IC芯片(104)控制功率转换器模块(100)的第二开关电平。屏蔽面(152)覆盖衬底(138)。第一屏蔽面(156)位于热焊盘(138)和第一控制IC芯片(108)之间，并且第二屏蔽面(160)位于热焊盘(138)和第二控制IC芯片(112)之间。
CN115732475A	扇出型异质芯片封装结构本公开实施例提供一种扇出型异质芯片封装结构，包括多个硅中介板、第一塑封层、多个异质芯片和键合结构，其中，每个硅中介板上设置有导电连接结构，至少一个硅中介板的导电连接结构与其它硅中介板上的导电连接结构不同；第一塑封层包裹多个硅中介板；多个异质芯片通过键合结构与多个硅中介板键合连接。本封装结构可以满足不同异质芯片的封装要求，提高了异质芯片封装的集成度；通过多个不同的硅中介板，将多个异质芯片实现统一封装，增加了芯片封装的集成度，减小了芯片在封装结构中的占用空间，同时统一封装不同芯片有利于节省加工工序，使得封装效率得到了提高。
CN115732472A	半导体封装结构及其制备方法一种半导体封装结构包括一第一半导体芯片，一第二半导体芯片，和一第一通孔。该第一半导体芯片包括一第一焊盘。该第二半导体芯片包括一第二焊盘和一第三焊盘。该第二焊盘和该第三焊盘与该第一半导体芯片的该第一焊盘键合。该第一通孔穿透该第二半导体芯片与该第一半导体芯片的该第一焊盘物理接触。该第一通孔的一部分设置在该第二焊盘和该第三焊盘之间。
CN115732469A	用于半导体裸片组合件的放热反应性接合及相关联系统及方法本发明公开用于半导体裸片组合件的放热反应性接合，以及相关联系统及方法。在实施例中，半导体裸片包含具有导电垫的电介质层，其中所述电介质层的表面的至少一部分包含第一环氧化合物。当使包含第二环氧化合物(及另一导电垫)的另一半导体裸片与所述半导体裸片接触使得所述第一与第二环氧化合物能够发生放热反应时，从所述放热反应发出的热能能够促进所述导电垫之间的接合，以在所述两个半导体裸片之间形成互连件。在一些情况下，所述热能足以形成所述互连件。在其它情况下，所述热能协助接合后退火工艺形成所述互连件，使得退火能够在低温下执行。
CN115732468A	金属互连结构、半导体器件、及金属互连结构的制备方法本发明公开一种金属互连结构、半导体器件、及金属互连结构的制备方法，其中，金属互连结构包括基体、蚀刻停止层、介质层以及上层金属结构，基体内部形成有底层金属结构；蚀刻停止层形成于基体的上方；介质层形成于蚀刻停止层的上方；上层金属结构至少部分贯穿介质层和蚀刻停止层，并抵接在底层金属结构上；其中，蚀刻停止层的材质包括金属含氧化合物，金属含氧化合物中的金属元素包括稀土金属元素、钡、锶、钙以及钠中的至少一种。在本发明的技术方案中，蚀刻停止层包括由稀土金属元素、钡、锶、钙以及钠中的至少一种形成的金属含氧化合物，不仅能提高蚀刻停止能力，而且能改善金属互连结构的阻容延迟效应。
CN115732467A	半导体结构及其形成方法本公开提供了一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：衬底，衬底包括相对设置的第一侧和第二侧；介电层，设置在衬底的第一侧；第一硅穿孔结构，第一硅穿孔结构自介电层的顶面向衬底的第一侧延伸；第二硅穿孔结构，第二硅穿孔结构自衬底的第二侧向衬底的第一侧延伸，第二硅穿孔结构在衬底的第一侧处接触第一硅穿孔结构，第二硅穿孔结构具有预设的开口宽度。本公开实施例所提供的半导体结构及其形成方法中，第一硅穿孔结构和第二硅穿孔结构形成贯穿半导体结构中的两段式结构，减小了第一硅穿孔结构和第二硅穿孔结构的制程长度，减小了第一硅穿孔结构和第二硅穿孔结构的尺寸，以及提高了稳定性。
CN115732463A	用于功率电子电路的基材及其生产工艺提出了一种用于功率电子电路的基材，该基材具有片状绝缘体并且具有其上设置有片状金属导体迹线的第二主面并且具有其上设置有片状金属叠层的第一主面，其中第一部分叠层和第二部分叠层设置在绝缘体的外边缘处或附近，并且其中两个部分叠层通过优选地到达第一主面的沟槽至少部分地从彼此分离，并且其中所述沟槽包括坝，其中所述沟槽部分地填充有坝材料或包括沟槽结构。本发明还包括用于这种基材的一种布置的生产工艺。
CN115732457A	封装结构本公开提供一种封装结构。封装结构包括第一基底、第一电子元件。第一电子元件设置于第一基底。第一基底具有绝缘材质。由此，可将电子元件设置在封装结构的开口中，以达成小型化。
CN115732454A	具有变化厚度的引线框以及制造半导体封装的方法本公开的实施例涉及具有变化厚度的引线框以及制造半导体封装的方法。本公开涉及利用具有变化厚度的引线框制造的半导体封装。具有变化厚度的引线框在半导体封装的制造期间以及在装运过程期间处理时具有减小的变形可能性。制造方法不需要利用基于具有变化厚度的引线框的引线框带。与利用引线框带来支撑引线框的方法相比，这由于制造半导体封装中的材料和步骤减少而降低了半导体封装的总制造成本。半导体封装可包括通过利用不同厚度的引线框来制造半导体封装而形成的不同厚度的引线。
CN115732453A	用于改进接合的封装半导体装置、引线框和方法公开一种封装半导体装置，包括：具有第一厚度的引线框，所述引线框包括管芯垫；所述引线框上的半导体管芯；以及环氧树脂，其位于所述半导体管芯与所述管芯垫之间并被布置成将所述半导体管芯接合到所述管芯垫；其中，在所述半导体管芯下方的至少一个区域中，所述管芯垫具有小于所述第一厚度的第二厚度；其中，所述管芯垫在所述至少一个区域中具有至少一个穿孔；并且其中，所述环氧树脂填充所述至少一个穿孔，并在所述穿孔下方延伸以及横向超出所述穿孔。还公开相应引线框以及相关联的制造方法。
CN115732452A	半导体器件及其制造方法和引线框架本申请提供一种半导体器件及其制造方法，以及所述用于构建所述半导体器件的引线框架。所述半导体器件包括复数个芯片、用于承载芯片的复数个芯片基座、复数个一端延伸至半导体器件边缘的第一引脚；以及，至少一与所述半导体器件边缘分隔并独立设置的第二引脚，其中，所述第二引脚被多个所述芯片基座环抱，至少两个所述芯片可电性连接至同一所述第二引脚。
CN115732451A	封装体、引线框架及其粗化方法本发明公开了一种封装体、引线框架及其粗化方法。该引线框架包括：多个引线框架单元，每个所述引线框架单元的上表面划分有焊接区和位于所述焊接区之外的非焊接区，所述非焊接区上设置有粗糙面，所述焊接区上不具有所述粗糙面；所述引线框架单元包括基岛和设置在所述基岛周围的多个引脚，所述焊接区设置于所述基岛和/或所述引脚上；所述焊接区内设置有至少一个打线焊接部，所述打线焊接部通过接合线与芯片电连接。本发明提供了一种封装体、引线框架及其粗化方法，其一方面能提高塑封料与框架表面的抓合强度，另一方面能提高焊接效果，避免因为表面粗糙导致打线飞线、焊接不牢等问题，以及避免倒装焊接时产生空洞、虚焊等问题。
CN115732448A	高密度和耐用的半导体器件互连本文公开了高密度和耐用的半导体器件互连。一种形成半导体器件的方法，包括：提供包括管芯附接焊盘的载体；提供半导体管芯，该半导体管芯包括设置在半导体管芯的主表面上的接合焊盘；以及提供金属互连元件；将半导体管芯布置在管芯附接焊盘上，使得接合焊盘背离管芯附接焊盘；以及将金属互连元件熔焊到接合焊盘，其中，接合焊盘包括第一金属层和第二金属层，其中，第二金属层设置在第一金属层和半导体管芯的半导体本体之间，其中，第一金属层的厚度大于第二金属层的厚度，并且其中，第一金属层具有与第二金属层不同的金属成分。
CN115732447A	具有可见焊料角焊缝的晶片芯片级封装在一些实例中，一种晶片芯片级封装WCSP包含：半导体裸片(110)，其具有其中形成电路(120)的装置侧(104)；及重布层RDL(130)，其耦合到所述装置侧(104)，所述重布层RDL(130)定位在绝缘部件(132)内。另外，所述WCSP包含沿着所述装置侧(104)约束所述电路(120)的划线密封件(140)，其中所述RDL(130)邻接所述划线密封件(140)。此外，所述WCSP包含耦合到所述RDL的导电部件。所述导电部件(112)经配置以接纳焊料部件(114)，且所述绝缘部件(132)不在所述导电部件(112)与所述WCSP的外周边(108)的最靠近所述导电部件(112)的一部分之间沿着所述半导体裸片(110)的所述装置侧(104)延伸。
CN115732446A	半导体器件本公开涉及半导体器件。提高了半导体器件的性能。半导体器件包括半导体芯片和经由银膏安装在半导体芯片上的夹具。这里，半导体芯片包括具有开口的钝化膜、具有在开口处从钝化膜暴露的部分的用于主晶体管的源极焊盘、以及设置在钝化膜上以在平面图中包围源极焊盘的壁部。此时，从钝化膜暴露的源极焊盘的部分(暴露表面)的整体被银膏覆盖。此外，在平面图中，连接源极焊盘和夹具的银膏被定位在由壁部包围的区域的内部而没有溢出。
CN115732445A	用于半导体裸片组合件的导电缓冲层以及相关联的系统和方法公开用于半导体裸片组合件的导电缓冲层以及相关联的系统和方法。在实施例中，半导体裸片组合件包含直接接合到彼此的第一半导体裸片和第二半导体裸片。所述第一半导体裸片包含第一铜垫且所述第二半导体裸片包含第二铜垫。所述第一铜垫和第二铜垫形成所述第一半导体裸片和第二半导体裸片之间的互连件，且所述互连件包含处于在所述第一铜垫和第二铜垫之间的导电缓冲材料，其中所述导电缓冲材料包含导电粒子聚合体。在一些实施例中，所述第一铜垫和第二铜垫不相连但通过所述导电缓冲材料彼此电连接。在一些实施例中，所述导电缓冲材料是多孔的以使得所述导电粒子聚合体可响应于施加到所述导电缓冲层的所述压力而被压缩在一起。
CN115732443A	半导体封装件提供了一种具有上再分布结构的半导体封装件。所述半导体封装件的所述上再分布结构包括：上再分布绝缘层，设置在半导体芯片上；第一上再分布线路图案，在所述上再分布绝缘层内部在水平方向上延伸；第一上再分布通路图案，在所述上再分布绝缘层内部在垂直方向上延伸，并且被构造为将多个第一导电焊盘连接到所述第一上再分布线路图案；焊盘线路图案，在所述上再分布绝缘层的上部在所述水平方向上延伸，并且被构造为将多个第二导电焊盘彼此连接；以及焊盘通路图案，在所述上再分布绝缘层内部在所述垂直方向上延伸，并且被构造为将所述多个第一导电焊盘中的至少一者连接到所述导电连接构件。
CN115732440A	一种含有水滴形扰流结构的液冷冷板本发明提供一种含有水滴形扰流结构的液冷冷板，涉及高热流密度电子器件热控技术领域。该含有水滴形扰流结构的液冷冷板，包括液冷板主体，所述液冷板主体的内侧中部设置有多个液冷板内部流道，所述液冷板内部流道内设置有扰流结构，所述液冷板内部流道的内壁上设置有液冷板内壁面，所述液冷板主体一侧的中部两端分别设置有液冷板流体入口和液冷板流体出口，且所述液冷板流体入口和液冷板流体出口的内部均与液冷板内部流道连通，所述液冷板主体的顶端设置有液冷板顶板。通过水滴柱扰流结构不仅可以增强冷板的传热性能，还能在不降低散热效果的情况下，进一步降低流体流经流道的压降，可以同步实现降低水泵的能源消耗的效果。
CN115732436A	基于SiC的功率模块本发明涉及一种基于SiC的功率模块，包括电路基板组件，电路基板组件包括电路基板、设置在电路基板上的电路布线层和安装与电路布线层上的电子元件，电子元件包括发热量大的功率器件；其中电路基板的本体设置有贯穿其相对的两个侧边的通孔，通孔位于功率器件下方，通孔为冷却液提供流动的通路。本发明的电路基板相对现有技术的电路基板较厚，且在安装功率器件的下方设置有贯穿其相对的两个侧边的通孔，从而可供冷却液流通，对发热较大的功率器件如功率开关管、续流二极管等进行散热，以此有效的提升功率模块的散热能力，满足基于SiC材料的功率模块的高散热需求，提升功率模块的工作稳定性。
CN115732432A	显示装置本揭露提供一种显示装置与另一种显示装置。显示装置包括基板、多个发光单元、第一结构以及第二结构；多个发光单元设置于基板上且产生热量；第一结构设置于基板上；第二结构设置于基板外；热量通过第一结构而从多个发光单元传导至第二结构。另一种显示装置包括基板、多个发光单元、第一结构以及第二结构；多个发光单元设置于基板上且产生热量；第一结构设置于基板上且传导热量；在另一种显示装置的上视图中，在基板的预定方形区域中的第一结构的一部分的面积大于多个发光单元的一部分的面积。本揭露实施例的一种显示装置与另一种显示装置可改善散热的问题。
CN115732430A	光电探测芯片的封装结构和封装方法本发明提供一种光电探测芯片的封装结构和封装方法，封装结构包括：封装基板，背面有第一电极和第二电极，正面有第一导电焊盘和第二导电焊盘；光电探测芯片，正面靠近第二导电焊盘的一侧及其对侧均设置有正面电极，背面电极通过第一导电连接体与第一导电焊盘电连接，靠近第二导电焊盘的一侧的正面电极通过第二导电连接体与第二导电焊盘电连接；封装绝缘体，至少封装在第二导电连接体与光电探测芯片的侧壁之间以及第二导电连接体与光电探测芯片正面的非有源区之间；第一光电探测芯片和第二光电探测芯片分别贴装于偏离第一封装区域和第二封装区域的中心而偏向远离第二导电电连接体的一侧。
CN115732427A	封装结构及其形成方法本申请的实施例提供了一种封装结构及其形成方法，该方法包括：形成多个介电层；形成包括多个金属层的密封环的下部，每个金属层延伸到多个介电层之一中；在多个介电层上方沉积第一钝化层；在第一钝化层中形成开口；在开口中形成通孔环并物理接触密封环的下部；以及在第一钝化层上方形成金属环并接合至通孔环。通孔环和金属环形成密封环的上部。金属环包括具有Z字形图案的第一边缘部分。该方法还包括在金属环上形成第二钝化层，并且执行切割工艺以形成器件管芯，其中密封环靠近器件管芯的边缘。
CN115732426A	电子封装本发明提供一种电子封装。所述电子封装包含第一电路结构、第二电路结构和底部填充物。所述第二电路结构安置在所述第一电路结构之上。所述底部填充物安置在所述第一电路结构和所述第二电路结构之间。所述底部填充物的内部部分具有邻近于所述第二电路结构的侧表面并与所述第二电路结构的所述侧表面大体上共形的内部侧表面。所述内部侧表面的第一顶部末端不与所述第二电路结构的顶部表面齐平。所述底部填充物的外部部分具有高于所述第一顶部末端的第二顶部末端。
CN115732425A	埋入式封装基板及其制备方法、埋入式封装器件一种埋入式封装基板及其制备方法、埋入式封装器件。埋入式封装基板包括：载板，包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面上设置有至少一个第一凹槽，第一凹槽内设置有第一元件，第二表面上设置有至少一个第二凹槽，第二凹槽内设置有第二元件；第一重布线层，位于第一表面远离载板的一侧；第二重布线层，位于第二表面远离载板的一侧；第一连接部，设置为使第一元件与第一重布线层及第二重布线层中的至少之一电连接；第二连接部，设置为使第二元件与第一重布线层及第二重布线层中的至少之一电连接。
CN115732423A	封装件及用于制造封装件的方法一种封装件及用于制造封装件的方法。该封装件包括中介衬底，该中介衬底具有至少一个贯穿衬底通孔(TSV)，至少一个TSV将中介衬底的顶表面电连接到中介衬底的底表面。封装件进一步包括至少一个半导体晶片，至少一个半导体晶片具有顶侧、底侧和侧壁。至少一个半导体晶片设置在中介衬底上，使得底侧电耦接到中介衬底的顶表面。模制材料至少设置在至少一个半导体晶片的一部分上，以及导电材料阵列设置在中介衬底的底表面上。导电材料阵列形成封装件的外部触点。
CN115732421A	功率模块外壳、功率模块以及半导体组件本申请提供了一种功率模块外壳、功率模块以及半导体组件。该功率模块外壳包括壳体和多个间隔设置的PIN针，其中，壳体具有凹槽，凹槽的底壁中具有多个开口，各开口的侧壁设有第一固定部；PIN针包括依次连接的第一连接部、第二固定部以及第二连接部，第二固定部与第一固定部对应限位连接，使得PIN针固定在壳体上，第一连接部的一端位于凹槽的底壁的远离凹槽的一侧，第二连接部位于凹槽中。该功率模块外壳的PIN针固定在壳体上，当功率模块发生震动或者功率模块与驱动电路板发生相对位移时，PIN针不易断裂或脱落，进而解决了现有技术中PIN针在功率模块发生震动或者功率模块与驱动电路板发生相对位移时易损坏的问题。
CN115732419A	半导体装置、半导体装置的制造方法及电力转换装置目的在于提供能够在通过加压接合工序安装半导体元件时抑制防水层产生裂纹、抑制半导体装置的耐压下降的技术。半导体装置具有：半导体基板，其规定有单元区域、分离区域及末端区域，单元区域是流过电流的有源区域，分离区域设置于比单元区域更靠外周侧，在耐压保持时限制电场的产生，末端区域具有设置于比分离区域更靠外周侧的保护环区域和设置于比保护环区域更靠外周侧且在耐压保持时限制耗尽层的延伸的剩余区域；绝缘层，其在分离区域和末端区域将半导体基板的上表面覆盖；表面电极，其在单元区域和分离区域设置于半导体基板的上表面和绝缘层的上表面的一部分；以及防水层，其将绝缘层的从表面电极露出的部分覆盖。防水层与表面电极分离地设置。
CN115732417A	半导体器件及其形成方法提供了一种半导体器件及其形成方法。半导体器件包括衬底、位于衬底上方的第一隔离结构、位于衬底上方并且延伸穿过第一隔离结构的第一鳍和第二鳍，以及延伸到第一隔离结构中并且插入在第一鳍和第二鳍之间的混合鳍。第一鳍的顶表面和第二鳍的顶表面在第一隔离结构的顶表面之上。混合鳍的顶表面在第一隔离结构的顶表面之上。混合鳍包括上部区域和位于上部区域下方的下部区域。下部区域包括接缝。接缝的最顶部在第一鳍的顶表面和第二鳍的顶表面之下。
CN115732411A	半导体结构的形成方法一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底包括阻挡区和图形区，基底包括用于形成目标图形的目标层，图形区的目标层上形成有核心层，核心层中形成有贯穿核心层的沟槽；在沟槽的侧壁形成侧墙层；形成侧墙层之后，在阻挡区的沟槽中形成阻挡层，阻挡层覆盖侧墙层的相对侧壁，阻挡层在沟槽的延伸方向上分割相对应的沟槽；形成阻挡层后，去除图形区的核心层，露出目标层的待刻蚀区域；去除核心层之后，以侧墙层和阻挡层为掩膜刻蚀目标层，在目标层中形成目标图形。降低了阻挡层在多次刻蚀工艺中被去除的概率，相应的，提高了在目标层中形成目标图形的图形精度，从而提高了半导体结构的性能。
CN115732410A	制造电子芯片的方法本公开涉及一种用于制造电子芯片的方法，该方法按顺序包括：a.在半导体衬底的第一面的一侧上形成金属接触件，在所述半导体衬底中和其上已经预先形成多个集成电路；b.在所述金属接触件和所述半导体衬底的所述第一面上沉积第一保护树脂；c.在所述半导体衬底的第二面侧形成第一宽度的第一沟槽；d.在所述第一沟槽中和所述半导体衬底的所述第二面上沉积第二保护树脂；e.形成第二宽度的第二沟槽，所述第二宽度小于所述第一宽度，与所述第一沟槽相对直到所述金属接触件；以及f.形成与所述第二沟槽相对的第三沟槽，所述第三沟槽延伸穿过所述金属接触件。
CN115732408A	拾取管芯的方法及使用该方法制造半导体封装的方法本发明提供一种拾取管芯的方法和使用该方法制造半导体封装的方法，其中该拾取管芯的方法可以包括：将其中放置目标拾取管芯的被切割的晶片的拾取区域分成第一至第n区域以及对第一至第n区域中的管芯执行拾取步骤。第一区域可以包括第一管芯，该第一管芯是目标拾取管芯中的最外面的管芯。第(x+1)区域可以包括由与第x区域中的第x管芯中的至少一个相邻的管芯占据的区域并且与第x区域相比较接近拾取区域的中心，n可以是自然数，并且x可以是小于n的任意自然数。第n区域可以具有矩形形状，并且在第n区域中与第n区域的短边接触的第n管芯的数目可以是1或2。
CN115732404A	半导体器件提供了一种半导体器件，包括：第一绝缘结构，在衬底上，并且包括第一蚀刻停止层和在第一蚀刻停止层上的第一层间绝缘层；第二绝缘结构，在第一绝缘结构上，并且包括第二蚀刻停止层和在第二蚀刻停止层上的第二层间绝缘层；导线，穿透第二绝缘结构，并沿平行于衬底的上表面的第一方向延伸；以及多个接触部，穿透第一绝缘结构，并连接到导线。导线可以包括：突出部，在第二绝缘结构下方延伸，并穿透第一层间绝缘层以与第一蚀刻停止层接触。
CN115732402A	用于半导体裸片制造中的直接接合的系统和方法本申请涉及用于在半导体裸片管芯制造中直接接合的系统和方法。公开了一种用于接合半导体裸片、所得半导体装置的方法以及相关联的系统和方法。在一些实施例中，所述方法包含在第一半导体裸片上沉积第一材料。所述第一材料具有第一外表面和所述第一外表面处的第一化学组成。所述方法还包含在第二半导体裸片上沉积第二材料。所述第二材料具有第二外表面和所述第二外表面处的与所述第一化学组成不同的第二化学组成。所述方法还包含堆叠所述裸片。所述第二半导体裸片的所述第二外表面与堆叠中的所述第一半导体裸片的所述第一外表面接触。所述方法还包含使所述第一外表面与所述第二外表面反应。所述反应使所述第一外表面接合到所述第二外表面。
CN115732398A	存储芯片的制作方法及存储芯片本申请提供一种存储芯片的制作方法及存储芯片。该存储芯片的制作方法包括：提供第一晶圆；第一晶圆包括第一衬底、第一金属层以及连接第一金属层的第一连接孔，第一连接孔设置于第一衬底的一侧，或设置于背离第一衬底的一侧；提供第二晶圆；第二晶圆包括第二衬底、第二金属层以及连接第二金属层的第二连接孔，第二连接孔设置于第二衬底的一侧，或，设置于背离第二衬底的一侧；将第一晶圆通过第一连接孔与第二晶圆的第二连接孔层叠键合连接，以形成存储芯片。该存储芯片的制作方法工艺过程较为简单，产品良率较高。
CN115732397A	半导体结构及其形成方法一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成若干相互独立的字线栅，所述字线栅顶面具有缓冲层；形成第一保护层和牺牲层，所述第一保护层位于衬底表面、以及字线栅和缓冲层的侧壁面，所述牺牲层位于字线栅和缓冲层侧壁面的第一保护层上；形成第一介质层；回刻蚀第一介质层，直至暴露出所述缓冲层和牺牲层的顶面；回刻蚀第一介质层后，去除牺牲层和缓冲层，在相邻字线栅之间形成凹槽；在形成所述凹槽之后，刻蚀字线栅侧壁的第一保护层，形成第二保护层；在字线栅和第一介质层表面形成第二介质层，以在相邻字线栅之间形成空气侧墙。所述形成方法能够提高所形成的半导体结构的性能。
CN115732396A	形成沟槽隔离结构的方法和半导体处理腔室本发明提供一种形成沟槽隔离结构的方法和半导体处理腔室，该方法包括提供一具有沟槽结构的衬底；在衬底的沟槽结构上沉积隔离层；对隔离层执行各向同性刻蚀步骤，各向同性刻蚀步骤用于与隔离层反应生成附着在沟槽结构内的固态副产物，且沟槽结构上部生成的固态副产物多于沟槽结构下部生成的固态副产物；对所生成的固态副产物执行升华步骤；循环执行各向同性刻蚀步骤和升华步骤至少一次，以使沟槽结构上部的隔离层的厚度小于沟槽结构下部的隔离层的厚度。本发明提供的形成沟槽隔离结构的方法和半导体处理腔室，其不仅可以有效延长硬件的使用寿命，降低设备耗材成本，同延长了设备周期性维护的时间，提升产能，还可以避免在沟槽中出现孔洞(Void)。
CN115732391A	基板升降装置及成膜装置本发明提供一种能够良好地应用于多个种类的基板的基板升降装置及成膜装置。基板升降装置在能够贯穿基板载体的贯穿孔地设置的多个支承销的前端载置有基板的状态下，使所述基板升降，其特征在于，所述多个支承销包括：包含多个第一支承销(411A)的第一支承销组；以及包含多个第二支承销(411B)的第二支承销组，所述第一支承销组与所述第二支承销组相互独立地升降。
CN115732381A	半导体设备及其基座调节机构本申请公开了一种半导体设备及其基座调节机构，属于半导体工艺技术。该半导体设备的基座调节机构包括机构座体、第一活动元件、第二活动元件、转接座体、第一方向调节组件、第二方向调节组件及锁紧组件，第一活动元件与机构座体的第二固定元件之间设置有限制第一活动元件只能相对第二固定元件进行第一方向移动的第一方向卡设结构；第二活动元件与第一活动元件之间设置有限制第二活动元件只能相对第一活动元件进行第二方向移动的第二方向卡设结构。本申请的基座调节机构，其可在对基座组件进行对中操作时，对基座组件分开进行相互垂直的第一方向和第二方向的调整，使得两个方向调整时互不影响，进而大大降低其调整难度。
CN115732375A	半导体装置封装翘曲控制提供一种制造用于半导体装置封装的载体的方法。所述方法包括形成具有由多个通道分隔开的多个平台区的载体。所述载体被配置并布置成在封装操作期间支撑多个半导体管芯。所述多个通道填充有被配置成控制所述载体的翘曲的材料。
CN115732370A	用于清洗硅片边缘的装置和方法本公开涉及用于清洗硅片边缘的装置和方法，该装置包括：液滴供给部件，其具有用于提供清洗液的开口向下的出液口；承接部件，其能够在清洗操作时布置在出液口的下方并具有用于承接来自出液口的清洗液的承接面；以及真空装置，其连接至液滴供给部件以用于使液滴供给部件的内部形成弱真空，使得来自出液口的清洗液的液滴能够在弱真空与在承接面处产生的表面张力的作用下保持在出液口与承接面之间，以便对插入出液口与承接面之间的硅片的边缘进行彻底且有效地清洗。
CN115732369A	一种化学机械抛光系统和抛光方法本发明公开了一种化学机械抛光系统和抛光方法，所述化学机械抛光系统包括前置单元；抛光单元；清洗单元，设置于前置单元与抛光单元之间；其中，所述清洗单元包括第一清洗单元和第二清洗单元，所述第一清洗单元和第二清洗单元相对于清洗单元的横向中心线对称设置；所述第一清洗单元和第二清洗单元包括后处理模块、前部传输机械手和后部传输机械手，所述后处理模块竖向层叠设置以形成层叠模组，所述前部传输机械手和后部传输机械手设置于所述层叠模组的侧部；所述第一清洗单元和第二清洗单元至少包括两个层叠模组，所述层叠模组沿清洗单元的横向交错设置。
CN115732367A	半导体加工设备本发明提供了一种半导体加工设备，包括：工艺腔室、载片装置、喷嘴和回收容器；至少两个工艺腔室排列设置，用于容纳半导体工件以执行不同的半导体加工工艺；所述载片装置包括载片台和载片台驱动装置；所述载片台用于承载半导体工件，所述载片台驱动装置连接所述载片台，可使所述载片台移动至每个所述工艺腔室；所述喷嘴用于对每个所述工艺腔室内的所述半导体工件喷洒不同的工艺液体；所述回收容器与对应的所述工艺腔室相连通，所述回收容器用于回收对应的所述工艺腔室内的所述工艺液体，实现了不同工艺液体单独回收再利用，降低了工艺成本。
CN115732363A	加热构件及基板处理设备本发明构思涉及一种加热构件及基板处理设备，具体涉及一种用于加热基板的加热构件。在实施方案中，所述加热构件包含：接合有至少一个加热组件的加热板；在其中形成有第一空间的连接板，所述加热组件容纳在所述第一空间中；及接合有控制组件的控制板，所述控制组件与所述加热组件电连接以控制所述加热组件。
CN115732362A	具有安全互锁系统的接口模块、存储介质以及安全验证方法接口模块的例子包括具有风扇和过滤器的风机过滤器单元；围绕与过滤器相邻的空间的壳体，壳体包括门；围绕与所述风扇相邻的空间的上壳体；设置在上壳体中的第一端口；与FFU内部空间连通的第二端口，FFU内部空间是风机过滤器单元中的风扇和过滤器之间的空间；以及连接到第一端口和第二端口以检测上壳体内部和FFU内部空间之间的压差的差压计。
CN115732361A	保护膜形成装置本发明提供一种不会对元件造成负担而能够形成表面平坦的保护膜的保护膜形成装置。保护膜形成装置包括：树脂供给部(32)，对基板的搭载有元件的面供给液状的固化性树脂(R)；基板保持部(33)，保持被供给有固化性树脂(R)的基板；支承部(34)，与基板保持部(33)相向地设置；带供给部(35)，向基板保持部(33)与支承部(34)之间供给防附着带(T)；按压部(36)，朝向支承部(34)按压基板，将被供给至基板的固化性树脂(R)按抵至防附着带(T)，使固化性树脂(R)在基板上延展；固化部(37)，使在基板上延展的固化性树脂(R)固化；以及固化部(38)，设于支承部(34)的周围，使固化性树脂(R)固化。
CN115732360A	用于反应器系统的密封系统一种反应室可以包括封闭在反应室内的反应室容积；基座，配置成支撑设置在反应室容积中的衬底；在反应室容积内，基座上方的反应空间和基座下方的下室空间；和/或使反应空间和下室空间至少部分流体分离的密封系统。密封系统可以包括围绕并耦合到基座的隔板；和/或耦合到隔板和基座的弹簧，该弹簧具有朝向压缩位置或延伸位置的弹簧偏压，使得弹簧偏压有助于在隔板和基座之间产生至少部分密封，当基座在反应室内上下移动时，引起反应空间和下室空间之间的至少部分流体分离。
CN115732357A	基板处理方法以及基板处理装置本发明提供基板处理方法以及基板处理装置，涉及在处理容器的处理空间内使用处理流体干燥基板的基板处理技术，能够一边有效地抑制形成于基板的表面的图案的坍塌，一边使基板良好地干燥。本发明是在处理容器内依次执行升压工序、恒压工序以及减压工序的基板处理技术，在升压工序与恒压工序之间或者恒压工序的初始阶段，一边将处理空间维持为第一压力一边将处理空间内的处理流体的流量抑制为比第一流量低的第二流量。由此促进处理空间内的处理流体与液体的相互扩散。然后，在进行该扩散后，通过从处理空间排出处理流体，执行基板干燥。
CN115732355A	一种基片贴合设备及基片贴合方法本发明公开了一种基片贴合设备及基片贴合方法，该基片贴合设备包括：基片运动台；接收器和发射器，分别设置于基片运动台的两侧，接收器和发射器均具有Y和Z两个自由度；Z向运动组件，位于基片运动台上方且被配置为能沿Z向上下运动；基准版，包括上基准版和下基准版，上基准版和上基片均设于Z向运动组件的下表面，下基准版和下基片均设于基片运动台的上表面。该基片贴合方法使用上述的基片贴合设备。该基片贴合设备能使Z向运动组件和基片运动台保持最优行程、降低负载、结构简化，提高了对准精度，降低了贴合偏差。该基片贴合方法的基片对准精度提高，基片贴合偏差降低。
CN115732353A	生产节拍的确定方法及设备本申请实施例提供一种生产节拍的确定方法及设备，应用于生产设备，该生产设备包括至少一个生产子单元，方法包括：确定待加工的同一批次半导体组件中，各个生产子单元所需加工的目标半导体组件；根据各个生产子单元加工完第一个目标半导体组件时的第一结束时刻与加工完最后一个目标半导体组件时的第二结束时刻之间的第一间隔时长，以及各个生产子单元所需加工的目标半导体组件的个数，确定各个生产子单元对应的原始加工时长；根据各个生产子单元对应的原始加工时长，以及各个生产子单元对应的第一间隔时长，确定各个生产子单元的生产节拍。本申请实施例确定的生产子单元的生产节拍具有较高的准确度。
CN115732352A	半导体设备内气体浓度的监测方法本公开提供了一种半导体设备内气体浓度的监测方法，涉及半导体技术领域，该半导体设备内气体浓度的监测方法包括：提供一反应腔体，反应腔体至少包括第一区域和第二区域，第一区域和第二区域处于不同的位置；将多个晶圆设置在反应腔体中，其中，将位于第一区域上的晶圆定义为第一晶圆，将位于第二区域上的晶圆定义为第二晶圆；向反应腔体内通入气体，以使气体分别与第一晶圆和第二晶圆反应；分别测量第一晶圆和第二晶圆的电阻，并分别定义为第一电阻和第二电阻；比较第一电阻和第二电阻，以获得第一区域相对于第二区域的气体浓度。本公开提供的半导体设备内气体浓度的监测方法，能够获取气体在半导体设备的反应腔体中的浓度分布。
CN115732351A	处理被处理体的方法本发明提供一种处理被处理体的方法，其在被处理体上的图案形成中抑制高精度的最小线宽的偏差。利用与ALD法同样的方法反复执行第一步骤的膜形成处理中形成的膜的膜厚根据形成该膜的面的温度而不同，基于上述情况，为了降低晶片的表面中沟槽的偏差，在按晶片的表面的每一区域调节温度之后进行膜形成处理，能够降低晶片的表面中的沟槽的偏差，并且能够在沟槽的内表面按每一原子层高精细地形成含硅氧化物的膜。当形成有膜的沟槽的沟槽宽度比基准宽度窄时，为了扩展沟槽宽度，利用与ALE法同样的方法进行反复执行第2流程的蚀刻处理，各向同性地均匀地蚀刻设置在沟槽的内表面的膜。
CN115732350A	微缺陷测量结构及其形成方法一种微缺陷测量结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底，衬底表面具有待测微缺陷结构；在衬底表面和待测微缺陷结构表面形成第一放大层，第一放大层的材料在待测微缺陷结构表面的生长速率与在衬底表面的生长速率不同，使待测微缺陷结构表面的第一放大层厚度与衬底表面的第一放大层厚度不同；采用保形性材料生长工艺，在第一放大层表面形成第二放大层，使待测微缺陷结构表面的第二放大层具有第一厚度，衬底表面的第二放大层具有第二厚度，第一厚度与第二厚度具有第一比值，第一比值与第二放大层的折射率的乘积大于检测环境的折射率，第二放大层的透光率大于30％，利于提高微缺陷的检测能力。
CN115732348A	探针卡及其晶圆测试组件本发明提出一种探针卡及其晶圆测试组件。所述晶圆测试组件包含印刷电路板、空间转换器、多个铜柱与多个强化结构单元。印刷电路板包含一下表面与设置于下表面的多个第一接触点。空间转换器包含一上表面与设置于上表面且对应于第一接触点的多个第二接触点。多个铜柱个别地设置于相对应的第一接触点与第二接触点之间，且各铜柱的两端分别电性连接于第一接触点与第二接触点。多个强化结构单元设置于印刷电路板的下表面且个别地环绕各铜柱。
CN115732340A	封装方法及封装结构本发明提供一种封装方法及封装结构，所述封装方法包括：将上盖安装于封装框架一侧；热固化第一胶体，所述第一胶体固化并连接所述上盖和所述封装框架，使得所述上盖和所述封装框架之间形成空腔；以及热固化第二胶体，所述第二胶体自所述空腔内部进入与所述空腔连通的气孔中，由内向外密封所述气孔，形成密闭的空腔；其中，所述气孔设置于所述封装框架或所述上盖一侧。
CN115732339A	一种改善TSV工艺空洞虚焊的封装方法本发明公开了一种改善TSV工艺空洞虚焊的封装方法，包括如下步骤：提供芯片晶圆、胶膜和封装基板；芯片晶圆上设有通孔，芯片晶圆的正面上对应于通孔的位置设有金属凸块；在所述胶膜上开设有与芯片晶圆的金属凸块对应的开孔；将胶膜贴至芯片晶圆的正面上，胶膜上的开孔包裹芯片晶圆上的金属凸块；将贴膜后的芯片晶圆经减薄划片，切割得到单颗贴膜芯片；将单颗贴膜芯片通过所述胶膜贴装至封装基板上，然后进行焊接，胶膜填充芯片上的金属凸块与金属凸块之间的间隙。该方法工艺难度低，可以有效改善产品焊接封装过程中的虚焊、空洞和NCF胶溢出问题，可以大大提高产品质量和产能。
CN115732338A	半导体装置的制造方法本实施方式涉及的半导体装置的制造方法包括：在具有第1面和与第1面相反侧的第2面的支承体的第1面上设置半导体芯片。在第1面上形成将半导体芯片覆盖的第1树脂层，并且在第2面上形成第2树脂层。
CN115732336A	半导体结构及制备方法本发明提供一种半导体结构及制备方法，所述半导体结构包括支撑衬底、重新布线层、封装结构、介质层及金属层。其中，所述重新布线层位于所述支撑衬底上；所述封装结构位于所述重新布线层上，所述封装结构包括金属柱及正梯形塑封层，且所述金属柱的第一端与所述重新布线层电连接，所述正梯形塑封层显露所述金属柱的第二端；所述介质层位于所述正梯形塑封层的表面；所述金属层位于所述介质层上，且所述金属层与所述金属柱的第二端电连接。本发明通过具有倾斜侧面的所述正梯形塑封层，可形成均匀分布的所述金属层，提高产品质量，提高良率。
CN115732332A	一种基板制作方法、嵌埋基板以及半导体本申请公开了一种基板制作方法、嵌埋基板以及半导体，其中方法包括以下步骤：制作第一半成品基板；所述第一线路层与所述第一介质层交错叠层设置；在所述第一线路层上设置粘性材料层，形成器件装贴区；在所述器件装贴区上贴装嵌埋器件；所述嵌埋器件的引脚面远离所述粘性材料层设置；在所述第一线路层上压合第二介质层；所述第二介质层覆盖所述粘性材料层以及所述嵌埋器件；制作第一导通柱、第二导通柱以及第二线路层；所述第一导通柱贯穿所述第二介质层；所述第一导通柱用于连接所述第二线路层以及所述第一线路层；所述第二导通柱用于连接所述嵌埋器件以及所述第二线路层。本方法可以减少翘曲。本申请可广泛应用于半导体制作技术领域内。
CN115732330A	基板、芯片组件和3D芯片本申请实施例公开了一种基板、芯片组件和3D芯片，其中基板包括：基底；第一导体件，设置在所述基底上；第二导体件，设置在所述基底上，所述第二导体件与所述第一导体件之间形成有第一间隔，所述第一间隔包括弯折段和/或弯曲段。该基板能够改变第一导体件和第二导体件的热应力分布，避免热应力分布方向一致，第一间隔的弯折段和/或弯曲段可以对第一导体件和第二导体件产生的热应力进行分散，使得第一导体件和第二导体件的应力分部呈多向性，避免了应力集中，降低了基板裂片的风险。
CN115732326A	纳米结构场效应晶体管器件及其形成方法一种形成纳米结构场效应晶体管(nano‑FET)器件的及其形成方法，该方法包括：形成鳍结构，鳍结构包括鳍和覆盖在鳍上的第一半导体材料和第二半导体材料的交替层；在鳍结构上方形成伪栅极结构；在伪栅极结构的相对侧上的鳍结构上方形成源极/漏极区；去除伪栅极结构，以暴露伪栅极结构下方的第一和第二半导体材料；选择性地去除暴露的第一半导体材料，在选择性去除之后，保留暴露的第二半导体材料以形成纳米结构，其中纳米结构的不同表面具有第二半导体材料的不同的原子密度；在纳米结构周围形成栅极介电层，在纳米结构的不同表面上形成的栅极介电层的厚度基本相同；在栅极介电层周围形成栅电极。
CN115732319A	半导体器件及其制造方法本公开涉及半导体器件及其制造方法。在划线区的半导体衬底上经由绝缘膜形成第一导体图案。在第一导体图案上形成连接到第一导体图案的多个第二导体图案。在多个第二导体图案上形成连接到多个第二导体图案的第三导体图案。使用切割刀片在Y方向上切断划线区，使得划线区的一部分留在芯片区中。在X方向上，切割刀片的宽度比第一导体图案和第二导体图案的每个宽度窄。在切断划线区之后，第一导体图案的一部分、多个第二导体图案中的至少一个第二导体图案的全部或一部分、以及第三导体图案的一部分留在划线区中。
CN115732315A	半导体器件及其制作方法本公开提供了一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体制造技术领域。该半导体器件制作方法包括：提供一晶圆，在晶圆上覆盖掩膜版；通过掩膜版在晶圆的第一区域内形成多个具有第一面积的第一芯片；通过掩膜版在晶圆的第二区域内形成多个具有第二面积的第二芯片，第一面积大于第二面积；其中，第一区域与第二区域具有连接部位，第二区域包围第一区域。本公开以晶圆上的第一区域为主体区域，并在第一区域内形成第一芯片，且在第二区域上形成与第一芯片尺寸不同的第二芯片，第二芯片可以填补晶圆上无法形成芯片的空白区域，提高了晶圆的利用率，进而减小半导体器件的制造成本。
CN115732314A	多晶薄膜的制备方法本发明提供一种多晶薄膜的制备方法，该制备方法包括：提供衬底；在衬底的表面刻蚀出凹槽；在凹槽的侧壁沉积非晶半导体材料，以形成侧墙结构；在凹槽内填充介质材料并进行平坦化处理，形成填充结构，填充结构的表面与衬底的表面平齐；在衬底的表面生长薄膜层，薄膜层覆盖侧墙结构和填充结构；激光热处理薄膜层的表面，以衬底上形成多晶薄膜。本发明能够降低多晶薄膜的制作成本。
CN115732312A	改善硅片厚外延Si-Nodule和Crown的工艺方法本发明涉及一种改善硅片厚外延Si‑Nodule和Crown的工艺方法，所属硅片生产加工技术领域，如下操作步骤：第一步：线切割，切片厚度835μm；第二步：一次倒角，通过一次倒角将硅片边缘加工成圆弧形（R‑Type）；第三步：研磨，研磨去除量65μm；第四步：二次倒角；第五步：酸腐蚀采用的药液为HF、HNO3、HAC（醋酸），酸腐蚀去除量30μm，腐蚀后硅片厚度740μm；第六步：中间检查，对硅片正反面进行外观检查；第七步：先进行边缘抛光，然后进行Poly，然后进行LTO，然后腐蚀法去掉边缘LTO，最后进行正面抛光；第八步：抛光去除量15μm，抛光后厚度725μm；第九步：洗净。具有操作简便和效果好的特点。解决了硅片在厚外延生长过程中引起的Si‑Nodule和Crown的问题。
CN115732310A	清洗半导体表面污染物的方法本发明涉及半导体清洗技术领域，公开了一种清洗半导体表面污染物的方法，包括：将半导体置于激光加热器的照射范围之内；控制所述激光加热器对所述半导体的表面进行激光加热，以去除所述半导体表面的污染物；其中，加热时长为8.0‑10.0s。采用本发明实施例，能够高效地清洁半导体表面的污染物，并且，不会对环境造成污染。
CN115732308A	一种离子软沉积装置本发明涉及化合物表征技术领域，尤其涉及一种离子软沉积装置。包括软沉积腔体及由上至下设置于软沉积腔体内的离子准直透镜组和传动底座，其中软沉积腔体的顶部设有与准直透镜组同轴线的通孔，通孔用于沉积离子的引入；传动底座可水平移动，传动底座上设有软沉积靶和MCP荧光屏，MCP荧光屏用于对沉积离子进行束斑成像；软沉积靶用于沉积离子的沉积。本发明通过离子减速控制离子沉积能量，通过MCP荧光屏进行离子可视化成像，减小束斑提升单位面积沉积效率，可辅助制备质谱实现更高效的样品制备。
CN115732295A	粒子束柱本发明涉及一种粒子束柱，该粒子束柱被配置为生成例如电子或离子的带电粒子的粒子束，并且将粒子束引导到样品上。粒子束柱包括多孔径光阑和偏转系统，该偏转系统用于选择性地引导粒子束通过设置在多孔径光阑中的多个孔径之一。孔径具有不同的大小，以便将粒子束的电流强度限制为不同的值。粒子束柱还包括用于改变在第一光阑的上游的粒子束的发散角的透镜。透镜可以包括磁透镜，该磁透镜包括具有多个部分的磁芯，这些部分彼此电绝缘并且可以在操作期间具有明显不同的电位。磁芯的一些部分可以在操作期间具有与第一光阑相同的电位。
CN115732291A	微波发生装置、家用电器本发明公开了一种微波发生装置和家用电器。微波发生装置包括阳极筒和磁极组件，阳极筒的内侧壁围绕阳极筒的轴线环绕设置有多个叶片，磁极组件包括上磁极和下磁极，上磁极包括第一环部，上磁极通过第一环部连接阳极筒的一端，下磁极包括第二环部，下磁极通过第二环部连接阳极筒的另一端，多个叶片沿轴线朝向上磁极方向的侧面共同形成上端面，第一环部和上端面间隔形成第一间距，多个叶片沿轴线朝向下磁极方向的侧面共同形成下端面，第二环部和下端面间隔形成第二间距，第一间距小于第二间距。上述微波发生装置，通过改变上端面和下端面分别到叶片的间距以使得第一间距小于第二间距，可避免发生跳模，有利于提高微波振荡时的稳定性。
CN115732290A	微波发生装置和家用电器本发明公开了一种微波发生装置和家用电器，微波发生装置包括阳极筒和磁极组件，磁极组件包括上磁极和下磁极，上磁极设在阳极筒的一端，下磁极设在阳极筒的另一端，上磁极包括第一环部和自第一环部的内环侧以第一角度向外延伸形成的第一延伸部，第一延伸部远离第一环部的一端形成一具有第一直径的第一通孔，下磁极包括第二环部和自第二环部的内环侧以第二角度向外延伸形成的第二延伸部，第二延伸部远离第二环部的一端形成一具有第二直径的第二通孔；第一延伸部和第二延伸部沿阳极筒的轴向相对设置，第一角度大于第二角度，第一直径大于第二直径。上述微波发生装置可改善磁控管的噪声问题，有利于对输出效率进行提升。
CN115732289A	一种真空紫外放电管本发明提供了一种真空紫外放电管，该放电管包括氟化镁光学窗口、过渡腔、软玻璃腔和硬玻璃泡壳，过渡腔包括多个热膨胀系数不同的过渡单元，且多个过渡单元按照热膨胀系数的大小顺序依次连接，硬玻璃泡壳与热膨胀系数最低的过渡单元连接，软玻璃腔一端与热膨胀系数最高的过渡单元与连接，另一端与氟化镁光学窗口连接。应用本发明的技术方案，以解决现有技术中氟化镁光学窗口无法实现可靠封接的技术问题。
CN115732288A	一种表面贴装熔断器的制造方法本发明提供一种表面贴装熔断器的制造方法，包括如下步骤：S1，制作包括多个导电部及多个连接部的端电极矩阵；S2，制作包括多个所述端电极和多个所述熔丝的熔丝矩阵；S3，制作绝缘壳体，将所述绝缘壳体植入根据所述熔丝矩阵的排列方式预先设置的装载板中形成绝缘壳体矩阵；S4，将所述熔丝矩阵对应位置组装至所述绝缘壳体矩阵上；S5，在所述绝缘壳体的所述容置腔内填充灭弧剂并固化；S6，切割或冲断所述熔丝矩阵的连接处，将所述导电部超出所述绝缘壳体的外侧的部分向所述绝缘壳体的外侧面折弯，制成单个所述表面贴装熔断器。本发明的方案，节省焊料的同时，使熔丝的有效绕线长度得到控制，从而提高了熔断器的阻值稳定性和熔断一致性。
CN115732283A	一种低压配电箱内装设预接地的接地装置本发明公开了一种低压配电箱内装设预接地的接地装置，其包括，空开组件，包括导电螺杆和导电帽，所述接电螺杆与接电帽相连接，接电组件，导电筒，所述导电筒与导电帽接触连接，地线组件，包括接电端子和铜线，所述接电端子与接电组件相连接，所述接电端子与铜线相连接，安装组件，所述安装组件地线组件活动套接。本发明通过改进空开开关，在地面维修人员通过绝缘杆顶住地线，并且通过旋转绝缘杆让地线与空开开关电性连接起来，在维修完成后将地线断开连接，工人无需进行攀爬高处就能操控空开开关且操作方便。
CN115732282A	一种双储能断路器操作机构本发明涉及断路器技术领域，且公开了一种双储能断路器操作机构，包括侧板，所述侧板的正面设置有储能机构；所述储能机构包括方板、电机、连轴杆、固定座一、转杆一、转块、凹槽、圆块、棘爪，所述方板的背面与侧板的正面固定连接，所述电机固定安装在方板的右侧，本发明通过启动电机，电机通过连轴杆带动转杆一转动，转杆一带动转块转动，由于凹槽呈圆周分布，从而使得圆块反复脱离凹槽，棘爪的右侧挂钩处是与弹性件连接，圆块脱离凹槽，使得棘爪顺时针转动，圆块进入凹槽在弹性件的作用下棘爪逆时针转动，从而棘爪反复摆动，从而实现减小了现有压杆式储能操作机构的体积，而且方便操作。
CN115732276A	嵌合电流电压传感器的柱上断路器本发明涉及嵌合电流电压传感器的柱上断路器，包括柱上断路器本体和电路测量装置；电路测量装置包括传感器和存储设备；传感器设置于柱上断路器本体，对应测量柱上断路器本体的电路信息，传感器包括电压互感器和电流互感器中的至少一种；柱上断路器本体上设置有设备安装口，存储设备嵌插设置在设备安装口内，且存储设备在嵌插位置上与传感器通讯连接，记录测量数据；还设置有联动配合的解锁部件和限位件，限位件用于和存储设备限位配合；通过在电路测量装置上设置可拆卸的存储设备，配合操作人员高空作业特性，有效获取测量数据，给电路系统的设计以及故障排除提供信息支持。
CN115732270A	电磁继电器电磁继电器(1)包括主体部(412)、可动触头(422)、磁轭(80)以及固定部(90)。此外，主体部(412)和可动触头(422)中的一者具备配置面(4222)。此外，磁轭(80)以至少局部与配置面(4222)的特定区域(R1)重合的方式配置。并且，固定部(90)具有突起(422b)，该突起(422b)形成于可动触头(422)或可动触头(422)所具有的可动触点(421)。而且，固定部(90)具有抵接部(81ba)，该抵接部(81ba)设于磁轭(80)且能够供突起(422b)抵接。
CN115732268A	多极直流开关本申请实施例提供一种多极直流开关，包括罩壳、接线装置和继电器本体，所述罩壳上设有连接其内外表面的散热孔，所述接线装置设置于所述罩壳上，所述继电器本体设置于所述罩壳内，所述接线装置和所述继电器本体电连接。所述多极直流开关可以使得继电器本体产生的热量能够及时通过散热孔而散发至罩壳外的外界空气环境中，避免热量在罩壳内部堆积、相应提高多极直流开关的散热性能，进而避免继电器本体因热量堆积而可能遭受的热损坏，提高多极直流开关的整体工作性能、使用稳定性和使用寿命。
CN115732266A	继电器动弹簧组装装置及继电器的推动杆组件组装设备本发明公开了一种继电器动弹簧组装装置，包括导向件、送料驱动机构和弹簧推料机构，导向件中的弹簧输送通道沿第一方向设置并包括进料口和出料口，导向件临近出料口处具有可伸入框架的导向头，弹簧输送通道在临近出料口处形成高度逐渐缩小的导向区域；送料驱动机构带动导向件沿第一方向在第一位置和第二位置之间移动，导向件在第一位置时进料口位于进料位，导向件在第二位置时，导向头伸入框架内并使出料口位于组装位；弹簧推料机构将动弹簧沿弹簧输送通道由进料口推动至出料口。本发明可快速稳定的将动弹簧压缩输送至推动杆组件的框架内，完成动弹簧的组装，工序简单可控。本发明公开了一种继电器的推动杆组件组装设备。
CN115732265A	一种用于低压变电站的多极真空断路器本发明公开了一种用于低压变电站的多极真空断路器，包括环形支撑件。本发明中，导电绕组就会对电流进行吸引使电磁铁通电，通电后的电磁铁对第二导电杆吸引，第二导电杆通过弹簧底部回缩，第二触头与第一触头分离与电磁铁相互紧贴，从而进行断电，进行第一级的防护，电流正常时，电磁铁停止对第二触头吸引，使第二触头紧贴第一触头，电流顺着第一导电杆进入真空灭弧室中，通过真空灭弧室管内真空优良的绝缘性使中高压电路切断电源后能迅速熄弧并抑制电流，避免事故和意外的发生，从而进行第二级的防护，待电流正常时，打开绝缘盖，再将导线插入连接头接收电流，通过多级保护极大的提高了真空断路器的安全性。
CN115732264A	中压真空接触器的附件设备本公开涉及用于中压真空接触器的附件设备。附件设备包括第一支撑构件、第二支撑构件、多个第三支撑构件以及一个或多个夹持构件。当附件设备安装在真空接触器上时：第一支撑构件在绝缘外壳的第一侧处耦接到每个电极的绝缘外壳；第二支撑构件在绝缘外壳的与第一侧相对的第二侧处耦接到每个电极的绝缘外壳；每个第三支撑构件放置在电极的绝缘外壳的侧腹横向侧面处，第三支撑构件横向于第一和第二构件布置并且接合到第一和第二构件，每个夹持构件部分地容纳在对应电极的内部空间中，并与对应电极的真空瓶耦接。当附件设备安装在真空接触器上时，每个夹持构件都接合到第二支撑构件。
CN115732261A	一种隔离闸刀及隔离开关本发明公开了一种隔离闸刀，包括：隔离刀片，具有用于与静触头电气连接的动触头部，所述动触头部包括多个触指，相邻两个所述触指之间具有间隙；磁锁板，用于压紧所述隔离刀片，所述磁锁板包括磁锁板板体和设置于所述磁锁板板体上的压紧力调节柱，所述压紧力调节柱外凸于所述磁锁板板体的长度可调，所述压紧力调节柱与各个所述触指一一对应压接配合。本发明使大电流隔离开关的制作、安装、调试成本降低，触头接触面的压力更便于调节，单独施压压力均匀，接触面良好，经试验接触压力可达到2000N以上，从而达到良好的动热稳定性能。本发明还公开了一种具有上述隔离闸刀的隔离开关。
CN115732258A	一种便于拆卸的配电网隔离开关本发明属于隔离开关技术领域，公开了一种便于拆卸的配电网隔离开关，包括底座、支柱绝缘子、开关基座、静触头、动触头和开关组件；所述底座的两端顶部安装有支柱绝缘子；所述支柱绝缘子的一端连接底座，另一端设有开关基座；一个开关基座安装静触头，另一个开关基座设有铰接杆件；所述动触头的一端与铰接杆件连接，另一端通过开关组件与静触头连接。本发明在动触头与静触头的连接处采用多重卡位的方式，既能保证动触头与静触头连接牢靠，有效增加动触头与静触头的连接寿命，具备多重保证，确保动触头与静触头的正常连接，也能在使得动触头在抬起隔离状态下可以与静触头完全分离，使用方式简单，检修电路时，有效提高检修人员作业安全系数。
CN115732256A	接地刀闸控制装置及其操作方法本发明涉及一种接地刀闸控制装置，包括：闸刀组件和控制组件。闸刀组件用于安装在塔架上，且其包括闸刀、绝缘座和驱动器，驱动器与闸刀驱动连接，并用于驱使闸刀与绝缘座接触或断开接触；控制组件，与驱动器通信连接，用于控制驱动器工作。上述的接地刀闸控制装置，控制组件通信连接于驱动器，驱动器与闸刀驱动连接，能驱使闸刀与绝缘座接触或断开接触；该装置通过控制组件控制驱动器工作或停止工作，以此实现闸刀的开合闸操作，实现了作业人员不需要上塔就能控制闸刀开合闸的效果，有效降低了操作人员的安全风险，同时节省了时间，一定程度提高了作业的效率。
CN115732255A	一种具有多变色符号的键帽的制造工艺本发明涉及一种具有多变色符号的键帽及其制造工艺，包括键帽和贴在键帽表面的胶片，所述的胶片上印刷有显示符号和至少一个隐形符号，显示符号在常光下可见，隐形符号在常光下不可见，在紫外线光源或红外线光源的照射下，隐形符号显示出来；该制造工艺包括：S1：在胶片上分别印刷出显示符号和至少一个隐形符号，S2：模内成型：将胶片固定在注塑成型机的内壁并对键帽进行注塑成型，从而键帽与胶片一体成型。采用本发明制造的键帽，在常光条件下，只显示出常光下可见的显示符号，在紫外线光源或红外线光源照射变换不同的隐形符号，且改变光线后恢复常见显示符号的效果，从而使键盘的外观具有多变性。
CN115732254A	收银键盘本申请提供了一种收银键盘，包括：壳体、硅胶按键、压板、电路板以及显示盖板。壳体包括相连接的底壳及顶壳，按键孔的孔壁上设置有台阶面，底壳与顶壳之间设置有防水背胶。电路板包括主控板及电容触控板。硅胶按键的边缘支撑在台阶面上，再通过压板将硅胶按键密封固定，以使硅胶按键与顶壳形成密封连接；硅胶按键为一个整体，按钮与连接板之间无间隙；底壳及顶壳之间通过防水背胶粘接；显示盖板通过密封胶固定在顶壳上；上述结构能够使产品的防水等级到达IP67。另外，通过按钮改变手指与电容触控板的电容极板的距离，从而引起电容的变化触发按键功能，上述结构使产品既具有电容触控的多种优点，又具有类似机械按键或者薄膜按键的物理反馈和手感。
CN115732250A	机械按键结构及麦克风本发明公开一种机械按键结构及麦克风，该机械按键结构包括壳体、按键、弹性帽和按键PCBA板，所述按键安装于所述壳体上；所述弹性帽与所述按键连接；所述按键PCBA板安装于所述壳体上；所述弹性帽朝向所述按键PCBA板的一侧覆盖有触发碳粒，所述PCBA板对应所述触发碳粒的位置设置有被触发区，所述触发碳粒用以将所述被触发区触发；所述弹性帽与所述按键PCBA板之间为弹性接触触发。本发明技术方案通过按压按键后按键带动弹性帽的触发碳粒与按键PCBA板之间弹性接触触发，弹性接触触发能够吸收撞击能量，减少撞击，弹性帽的触发碳粒与按键PCBA板在接触过程中挤压变形，达到降低弹性帽的触发碳粒与按键PCBA板的噪音的目的。
CN115732249A	一种高压真空开关驱动电路本发明公开了一种高压真空开关驱动电路，包括有电磁斥力快分机构的驱动电路和永磁机构慢分/合机构的驱动电路，所述电磁斥力快分机构的驱动电路和永磁机构慢分/合机构的驱动电路内均包括有调压整流器、真空继电器JPK、电容C和电压显示器；本发明设置电磁斥力快分机构的驱动电路和永磁机构慢分/合机构的驱动电路进行组合，通过电容储能放电实现大电流脉冲驱动斥力、永磁机构分合闸，放电后自动充电值预设电压，使得本发明充分发挥电磁斥力快分机构和永磁机构慢分/合机构这两种机构的优点,即把永磁驱动机构的稳定驱动力和电磁斥力驱动机构的快速响应时间有机结合起来,以期达到快速稳定的效果。
CN115732248A	无感知、无损更换电度表装置本发明公开了无感知、无损更换电度表装置，涉及电度表技术领域，包括安装于电表箱内的换表座，所述换表座的一侧面上对称设有接线槽，所述接线槽的内侧上部和下部均设有多个接线柱，所述接线槽的两侧壁上均分布有多个安装电度表的沉头孔，所述换表座位于所述接线槽之间的位置处嵌设有切换开关。当电度表出现问题时，将新的电度表安装在另一接线槽上，之后切换开关移动至另一闭合位置使得新的电度表连接在供电电路上，此时可将损坏的旧电度表拆下。由于旧电表拆卸时处于不带电状态，因此，换表过程更加安全。相对于现有技术，旧电度表和新电度表的切换可以达到无缝衔接，实现电表更换期间，电量无损统计的目的。
CN115732246A	储能组件及其解锁方法本申请公开了一种储能组件及其解锁方法，所述储能组件包括固定件、从动件、储能元件和驱动组件，其中，所述固定件设有第一锁头和第二锁头，所述从动件设有锁止结构，所述锁止结构包括第一悬臂和第二悬臂，所述驱动组件适于被驱动以控制所述储能组件在合闸控制状态和分闸控制状态之间切换，在所述合闸状态中，所述驱动组件被驱动沿第一转动方向转动，所述第一悬臂被拉动并与所述第一锁头解锁，在分闸状态中，所述驱动组件被驱动沿第二转动方向转动，所述第二悬臂被拉动并与所述第二锁头解锁，以避免所述第一悬臂和第二悬臂在所述储能组件的储能过程中持续地处于屈服状态，导致所述锁止结构屈服性疲劳。
CN115732244A	一种便于安装的全绝缘跌落式开关本发明公开了一种便于安装的全绝缘跌落式开关，包括卡接组件，所述卡接组件包括壳体，所述壳体内部开设有凹槽一和凹槽二，所述凹槽一和凹槽二是连通的，所述凹槽二中设置有卡柱，所述卡柱的一侧固定连接有弹簧，所述弹簧的另一端与凹槽二的一侧固定连接。本发明通过拉动拉杆带动凹槽二向外进行移动，当凹槽二远离弹簧的一端移动到凹槽一的一侧时，将固定板从凹槽一的开口处插入，此时松开拉杆，因为弹簧的作用弹簧会带动凹槽二向内进行移动，将固定板固定在凹槽一中，这样就能够防止螺栓生锈不方便拆卸；本发明通过将第一连接板和第二连接板分开，使得上夹具和下夹具能够适应横杆和竖杆的情况，此外该装置操作简单，便于操作。
CN115732243A	一种手术床遥控器及信息显示方法本发明提供了一种手术床遥控器及信息显示方法，在目标按键与手术床的脚轮的当前状态不匹配的情况下，若获取到触发目标按键的指令，控制显示屏提供目标按键对应的操作指引信息；在控制显示屏播放操作指引信息的过程中或完成播放操作指引信息后，若获取到触发目标按键的操作信息且操作信息符合操作指引信息，控制目标按键改变脚轮的当前状态；目标按键满足：在目标按键与手术床的脚轮的当前状态不匹配的情况下，获取触发目标按键的操作信息，若操作信息满足预设的触发条件，目标按键对应的功能生效。在触发目标按键时提供该目标按键的操作指引信息，辅助用户了解如何操作目标按键，降低按键损坏的风险和提高工作效率。
CN115732241A	一种行程开关的触发与保护装置及方法本发明公开了一种行程开关的触发与保护装置及方法，包括行程开关、保护壳、导向轴、复位组件和顶板；行程开关位于保护壳内；导向轴的一端与顶板连接，导向轴可移动的设置于保护壳内，且导向轴可通过复位组件进行复位；顶板具有第一状态和第二状态，第一状态下顶板与保护壳之间具有间隙；第二状态下顶板被按压触发行程开关。顶板受到碰撞后顶板和导向轴向下移动，顶板内壁与行程开关的触头接触，进而触发行程开关；同时由于设有复位弹簧，可以吸收碰撞产生的冲击，碰撞结束后复位弹簧对导向轴施加弹力，从而导向轴带动顶板实现自动复位结束触发行程开关。大大提升行程开关使用过程中的可靠性及使用寿命，避免因行程开关自身灵敏度较高产生误触发。
CN115732240A	一种氧化石墨烯作电极导电添加剂的电极制备方法本发明公开了一种氧化石墨烯作电极导电添加剂的电极制备方法，以氧化石墨烯作为导电添加剂，制备氧化石墨烯、电极材料、导电碳的均匀混合材料；然后在真空、惰性气氛或还原性气氛下利用微波辐照处理技术将氧化石墨烯原位快速还原，制备还原氧化石墨烯、电极材料、导电碳的均匀混合材料；最后采用还原氧化石墨烯、电极材料、导电碳的均匀混合材料与粘结剂配合制备电极。微波辐照处理的微波功率选择150~1500W，微波辐照处理时间在5~120s。微波功率选择微波辐照处理3~10s开始出现剧烈放电现象时的微波功率。使用氧化石墨烯直接作为导电添加剂有效提高氧化石墨烯与电极材料、导电碳之间的均匀分散，避免了分散剂的引入。
CN115732238A	一种超级电容器浆料及其制备方法和应用本发明涉及一种超级电容器浆料及其制备方法和应用，属于超级电容器技术领域。本发明所述超级电容器浆料为绿色环保的水基浆料，是通过限定加料顺序和加入量，以及限定的搅拌速度和分散速度，使得超级电容器浆料在制备过程中，时刻保持较好的粘度状态，充分发挥粉体颗粒之间的摩擦力进行分散，从而获得一种分散性能好，固含量高的超级电容器专用浆料，使用该浆料涂布出的极片，具有均匀性好，柔韧性强，表面光泽度高，面密度大的特点，将本发明所述超级电容器电极片制备成超级电容器单体，具有很高的产品性能一致性，在实际使用过程中，可有效的延长超级电容器的使用寿命。
CN115732235A	一种具有长寿命电容器用电解液及其制备方法本发明公开了一种具有长寿命电容器用电解液及其制备方法；本发明制备了一种具有长寿命电容器用电解液，其中合成了一种支链多元羧酸铵盐作为电解质，以己二酸二（2‑乙基己基）酯作为基础碳链，在其上接枝了烷烃基团，利用烷烃基团的位阻作用保护羧酸基团在高温下不被酯化，防止电导率下降，造成电容器发热失效；同时本发明为了进一步提高电解液的闪火电压，降低氧负离子的生成率，本发明还在支链多元羧酸铵盐中引入了醚基与氟元素，借助其较高的电势，抑制氧负离子生成，维持电解液的稳定性。本发明制备的长寿命电容器用电解液可使用寿命长，导电性质稳定，且具有良好的阻燃性能，在电容器应用领域具有广阔的应用空间。
CN115732233A	新型片式固体电解质钽电容器本发明公开了一种新型片式固体电解质钽电容器，包括环氧树脂外壳(10)、钽芯组(20)、正极钽片(6)与负极银胶(7)；所述的钽芯组(20)封装在所述的环氧树脂外壳内(10)；所述的环氧树脂外壳内(10)的一侧表面设置正极钽片(6)，正极钽片(6)连接钽芯组(20)，并由环氧树脂外壳内(10)封装，并引出正极；所述的环氧树脂外壳内(10)的另一侧底面设置所述的负极银胶(7)，负极银胶(7)电连接钽芯组(20)，并引出负极。能以较小的体积实现更大的容量，进而解决现有技术中存在的占用了环氧树脂外壳空间过多，不能在不增体积的前提下提高片式固体钽电容的容量。
CN115732228A	陶瓷电子器件及其制造方法一种陶瓷电子器件，包括多层结构，其中多个电介质层和多个内部电极层交替层叠。每个电介质层包括由(Ba1‑x‑yCaxSry)(Ti1‑zZrz)O3(0
CN115732222A	智能监控变压器高压线圈生产中的关键尺寸的装置及方法本发明属于高压线圈制造技术领域，具体涉及智能监控变压器高压线圈生产中的关键尺寸的装置及方法，轴向位置传感器用于监测各段高压线圈的绕制位置以及各段高压线圈最内层电磁线的各圈电磁线的位置；第二位置传感器用于监测高压线圈的各层的位置；所述行走滚轮用能够带动轴向位置传感器和第二位置传感器沿绕线模具的轴向移动；张力控制机构对电磁线的绕制进行导向，所述电磁线导向套能够沿绕线模具轴线的平行方向进行移动，并由第一位置传感器进行位置监测；采用动态张力补偿机构实时确保线圈绕制时导线的张力一致性，采用光栅位移传感技术既保证了线圈绕制时各饼线圈起绕的位置精度，采用角度位移传感器准确测量线圈绕制的角度以确保线圈段数的准确性。
CN115732219A	一种稀土磁钢及降低稀土永磁涡流发热的工艺方法本发明涉及一种稀土磁钢及降低稀土永磁涡流发热的工艺方法。所述工艺方法为：将稀土磁钢基材进行切割，得到粗加工稀土磁钢；将所述粗加工稀土磁钢进行非贯穿式切割，得到切割稀土磁钢；将环氧胶填充至切割所产生的缝隙中，并进行固化，得到固化稀土磁钢；将所述固化稀土磁钢先进行精磨，再摆喷环氧涂层，即得到稀土磁钢。所述工艺方法，能够降低基材磁钢的耐热等级，从而降低基材成本。相比目前分段粘接的工艺，可达到相似的降低涡流发热的效果，但却无需将磁钢分段后再粘接，大幅降低加工难度和加工损耗，从而大幅降低成本，符合市场预期。
CN115732218A	一种退磁率低的永磁材料及其制备方法本发明公开了一种退磁率低的永磁材料及其制备方法，通过对聚苯硫醚进行氨基化改性，苯环上连接的氨基与润滑剂表面的大量羟基可以得到有效结合，增强了磁粉混合时的相容性；同时还采用晶界扩散技术增加了NdFeB晶界之间的Pr、Tb、Al含量，在Tb‑Al合金中用Pr代替部分Tb，导致磁体中富Tb壳层厚度减小，Al的加入显著提高了晶界相的润湿性，矫顽力的提升极大地增强了Nd‑Fe‑B磁体的耐高温性，并显著降低了退磁率。
CN115732215A	一种低退磁率钕铁硼磁材料及其制备方法本发明涉及一种低退磁率钕铁硼磁材料及其制备方法，涉及钕铁硼磁材料技术领域，所述低退磁率钕铁硼磁材料的制备方法包括：对烧结钕铁硼磁材料进行激光前处理，得到预处理钕铁硼磁材料；采用磁控溅射方式在所述预处理钕铁硼磁材料表面形成重稀土膜，得到重稀土钕铁硼磁材料，其中，所述重稀土膜由重稀土单质与辅助元素制备而成；对所述重稀土钕铁硼磁材料依次进行真空扩散、激光去重及电镀处理后，得到低退磁率钕铁硼磁材料。与现有技术比较，本发明可以采用低成本的方式获得高矫顽力、高磁能积及高抗退磁能力的钕铁硼磁材料。
CN115732214A	R－T－B系烧结磁体的制造方法本发明所要解决的技术问题在于：抑制因制造条件的偏差而引起的矫顽力HcJ和方形比Hk/HcJ的下降。解决技术问题的技术手段在于：本发明的R－T－B系烧结磁体的制造方法包括：准备含有稀土元素的合金粉末的成型体的工序；将成型体进行烧结而制作烧结体的烧结工序；在热处理炉内对烧结体以300℃以上且小于400℃的第一温度，热处理30分钟以上900分钟以下的时间的第一热处理工序；和在热处理炉内对烧结体以400℃以上500℃以下的第二温度，热处理30分钟以上900分钟以下的时间的第二热处理工序。第一温度与第二温度之差为50℃以上。
CN115732207A	一种有载调容变压器调容方法及装置本发明涉及变压器技术领域，尤其涉及一种有载调容变压器调容方法及装置，方法包括：先获取有载调容变压器的运行数据；接着根据运行数据获取序电流数据；然后对序电流数据进行预处理，得到三维张量格式的待预测数据；将待预测数据输入用于预测是否需要调容的预测模型，得到调容结果；最后根据调容结果、输出负荷容量和最佳调容点进行调容。根据输出负荷容量和最佳调容点的大小关系进行调容，可以及时地在有载调容变压器的最佳调容点进行容量调整切换，保证不会错过最佳调容切换时间，且及时调容，可以使得有载调容变压器的损耗大大降低，同时可以有效延长有载调容变压器的使用寿命。
CN115732200A	一种变压器本发明公开一种变压器，包括有骨架和安装于骨架上的磁芯、线圈；所述骨架包括有底座，所述底座具有沿线圈轴向相对侧设置有两端，所述底座上设置有贯通两端的通孔；所述底座的一端有若干绕线片，所述绕线片的外侧有若干梳齿部，所述底座的另一端分别有卡扣和磁芯定位壁，所述卡扣、磁芯定位壁和底座的另一端围构形成磁芯安装位；其是通过骨架、磁芯和线圈三者之间的设计与配合，使得其两者之间形成透气间隙，方便空气的流动，便于对线圈进行散热，有效降低热能损耗，有利于使得变压器具有较高的传输功率，同时，使用变压器的整体结构十分紧凑，可有效减小产品结构尺寸，线圈与磁芯在骨架上的组装定位变得较为方便，有利于提高组装效率。
CN115732199A	一种制备各向异性磁流变弹性体的励磁装置本发明涉及一种制备各向异性磁流变弹性体的励磁装置，包括模具和励磁装置。该装置包括模具和励磁装置；励磁装置中线圈架套在铁芯外面并与其共轴，励磁线圈绕制在线圈架外壁，铁芯下端与下导磁板连接，上端与上导磁板连接，上磁极小直径圆柱体穿过上导磁板右侧通孔后，大直径圆柱体卡在上导磁板右侧通孔处，碟簧套在上磁极小直径圆柱体上且位于上磁极大直径圆柱体与上导磁板上表面之间，导磁圆柱体放置在下导磁板右侧圆形凹槽内，且位于上磁极正下方；模具放置在导磁圆柱体上表面。本发明装置具有结构简单、操作便捷又不失专业性的特点；一体化程度和产生磁场精度高，可产生稳定性高、均匀的磁场；通过调节上磁极高度，可以放置不同高度的模具；使磁性物质磁化或者磁性不足的磁体增加磁性。
CN115732195A	变压器及应用其的电磁器件本发明公开一种变压器及应用其的电磁器件，该变压器包括电路板、环形磁芯、第一信号线圈以及第二信号线圈；电路板至少包括层叠设置的第一层和第二层；环形磁芯埋设于电路板中；第一信号线圈和第二信号线圈均缠绕环形磁芯上；定义第一信号线圈的输入、输出端作为第一引出端子组与环形磁芯的中轴线的连线为第一连线，定义第二信号线圈的输入、输出端作为第二引出端子组与环形磁芯的中轴线的连线为第二连线，第一连线和第二连线在垂直于环形磁芯的中轴线的平面上投影的夹角的绝对值大于或等于157.5度，小于或等于202.5度。通过上述方式，本发明可以减少第一信号线圈与第二信号线圈之间的干扰，对回损进行抑制，从而提高整个变压器的性能。
CN115732188A	一种叠层功率电感及其制备方法本发明涉及一种叠层功率电感及其制备方法，属于电感元器件技术领域。所述叠层功率电感由电感巴块烧结而成，所述电感巴块包括上基板生料层、中间生料层及下基板生料层；所述上基板生料层和下基板生料层中的基板生料带由含片状软磁粉的浆料流延而成，所述中间生料层由内电介质层膜片层叠而成，所述内电介质层膜片的填充层由含球状软磁粉的浆料流延而成。现有技术依赖于200MPa以上高压强温等静压来提升叠层功率电感器的电感量和磁导率，本发明能够规避这一路线，从材料端提升叠层功率电感器的电感量和磁导率；本发明采用新的浆料配方和先空气中烧结再惰性气氛中烧结退火的新工艺，能够解决现有技术中片状软磁粉和球状软磁粉共烧分层的问题。
CN115732187A	一种采用U型铁轭结构的油浸式铁芯结构及电抗器本发明涉及一种采用U型铁轭结构的油浸式铁芯结构。本发明包括铁芯柱，所述铁芯柱套装有绕组；铁轭部，所述铁轭部包括上铁轭与下铁轭，所述上铁轭与下铁轭分别连接于铁芯柱的两端，并与铁芯柱配合以形成闭合磁路；其中，所述上铁轭与下铁轭均叠积呈双U型结构，所述双U型结构包括第一叠积边，所述第一叠积边的两端分别沿第一叠积边相对的两侧分别延伸并形成对称设置的两个U型叠积环，每个所述U型叠积环与第一叠积边之间设有第二叠积边，所述第二叠积边分别与U型叠积环以及第一叠积边之间设有绝缘板。本发明能够有效吸收芯柱‑铁轭端部之间的漏磁通，解决局部过热问题，且有效防止此处漏磁通进入箱壁引起的发热现象。
CN115732186A	一种风电专用干式变压器及其制造方法本发明涉及一种风电专用干式变压器及其制造方法，方案包括低压线圈和高压线圈，低压线圈外表面包裹有绝缘材料；在高压线圈和低压线圈之间设置接地的屏蔽层，所述屏蔽层在低压线圈的外表面环绕一周并接地，所述屏蔽层与高压线圈之间还设置有主绝缘。本发明的变压器适用于风电机舱，当连接电网的高压线圈出现瞬时突变的过电压时，通过电容耦合作用使这个过电压进入屏蔽层而流入大地，由于低压线圈处于带零电位的屏蔽层的包围之中，因此，风电变压器的低压线圈及其相连接的风力发电机交流绕组以及低压控制系统可免受过电压侵害，确保了风电专用干式变压器、风力发电机交流绕组以及低压控制系统安全运行。
CN115732182A	一种整流用电力装置及其控制方法本发明涉及种整流用电力装置及其控制方法，其包括：底座，设置在所述底座上方的外壳体，所述外壳体内部设有绕组架及设置在所述绕组架上方的整流桥，所述外壳体的顶部设置有接线单元，所述外壳体的顶部还设有覆盖接线单元的防护罩，所述接线单元与整流桥电性连接，所述绕组架上安装有绕组，设置在所述防护罩上的第一温度传感器。其整流用电力装置的控制方法，把整流用电力装置实施安装在变压器室室内，通过输入多变量到模糊控制器中，整个整流用电力装置在变压室内的执行冷却的风机调节时间短，响应迅速，有利于快速给变压器室内降温，延长装置的寿命。
CN115732176A	变压器主通道损耗收集装置本发明提供了一种变压器主通道损耗收集装置，包括支撑板体、安装件及金属结构。支撑板体设置在变压器中；安装件设置在所述支撑板体上，具有容纳腔；金属结构设置在所述容纳腔中，且所述金属结构与地线相连，用于将表面产生的大电荷导入零电位，并将干扰源与二次侧绕组隔离。本发明提供的变压器主通道损耗收集装置将支撑板体设置在变压器中，安装件设置在支撑板体上，安装件具有容纳腔，从而将金属结构设置在容纳腔中，避免在实际使用过程中发生金属结构掉落的情况，提高安全行。且金属结构与地线相连，可以将表面产生的大电荷导入零电位，并将干扰源与二次侧绕组隔离，增强实用性。
CN115732175A	一种磁耦合型电抗器装置本发明公开了一种磁耦合型电抗器装置，涉及磁耦电抗器技术领域，包括磁耦合型电抗器本体，所述磁耦合型电抗器本体包括限位搭接固定器，所述限位搭接固定器包括电抗器搭接固定板，所述电抗器搭接固定板包括侧身搭接限位板，所述限位搭接固定器的内侧外表面上设置有磁耦电抗器，所述电抗器搭接固定板的顶部外表面上开设有矩形内陷凹槽，所述电抗器搭接固定板的内侧外表面上设置有搭接固定板。本发明通过将磁耦电抗器卡接到内撑搭接柱的表面上，配合多边搭接板对其进行搭接，同时利用搭接软块对磁耦电抗器的一端表面进行卡接和位置上限定，同时配合搭接软块内侧表面上的防滑纹增加与磁耦电抗器表面之间的摩擦力度。
CN115732174A	多重组合感应的高压输电线路变电装置本发明公开了多重组合感应的高压输电线路变电装置，包括底板、散热机构和安装机构；底板：其上表面中部分别设有铁心和外壳，铁心位于外壳的内部，铁心中部均匀设置的立柱外侧面均缠绕有内绕组，内绕组的外侧面均设有外绕组，外壳的前后侧面均等间距设置有绝缘接线柱，内绕组与后端对应的绝缘接线柱电连接，外绕组与前端对应的绝缘接线柱；散热机构：设置于外壳的内部，散热机构与外绕组配合设置，外壳的左侧通过支架安装有风机，该多重组合感应的高压输电线路变电装置，方便定位安装，安装更加方便快速，而且固定稳定牢固，还能够针对外壳内部的高温区进行快速冷却换热，使外壳内部结构的散热效果更好。
CN115732170A	微型变压器和微型变压器制作方法本申请涉及变压器的领域，涉及一种微型变压器和微型变压器制作方法，微型变压器，包括外壳和干燥盒，外壳的侧壁上开设有进气口，干燥盒固定连接在外壳的内壁上，干燥盒的内壁上开设有上下两端贯通的安装槽，安装槽中放置有干燥片；干燥盒的顶部固定连接有用于放置多个干燥片的放置盒，放置盒的底部开设有供干燥片通过的放置口，放置口与安装槽相互贯通，放置盒中安装有用于推动干燥片进行移动的推料部件；干燥盒上安装有用于对干燥片进行限位的定位部件。微型变压器制作方法，包括以下步骤：提供固定有绕线柱的接线基座，其中绕线柱设置为垂直于接线基座并从接线基座的中部向一侧凸出。本申请改善了干燥片更换效率较低的问题。
CN115732165A	多线圈结构、其制造方法及具有其的电子设备本发明涉及电子产品制造技术领域，公开一种多线圈结构、其制造方法及具有其的电子设备。其中多线圈结构包括绝缘层以及至少相邻设置的第一线圈和第二线圈，第一线圈和第二线圈至少具有重叠部；绝缘层设置于重叠部，且位于第一线圈和第二线圈之间。本发明通过至少设置第一线圈和第二线圈，用于实现多线圈结构的多元化功能。第一线圈和第二线圈相邻且之间至少具有重叠部，有利于减小多线圈结构的尺寸。通过在重叠部设置绝缘层，且将绝缘层设置于第一线圈和第二线圈之间，可以有效地减少第一线圈和第二线圈之间接触短路的风险，保证多线圈结构性能的可靠以及使用的安全；同时，具有绝缘层的多线圈结构还具有厚度小的特点，有利于产品的超薄化发展。
CN115732164A	线圈部件本发明提供一种线圈部件，在线圈部件中，将上侧线圈结构体、下侧线圈结构体及磁性片材相互重叠时所施加的外部应力通过磁性片材的两主面的起伏而被分散。通过这样分散应力，从而能够有效地抑制在线圈结构体上产生裂纹等缺陷的情况。
CN115732163A	线圈部件本发明提供一种线圈部件，其利用介于一对线圈之间的磁性片材和绝缘体能够调整耦合系数。例如，提高磁性片材的磁导率，产生于线圈的磁通容易通过磁性片材，由此，耦合系数降低。在线圈部件中，能够抑制素体的厚度，并且能够调整耦合系数。
CN115732161A	一种高空间利用率的异形导线和立绕线圈本发明公开了一种高空间利用率的异形导线和立绕线圈，所述异形导线整体呈扁平状，包括扁平部和斜面部，所述扁平部和所述斜面部沿该异形导线的宽度方向并列；所述斜面部与所述扁平部邻接的内侧是最大厚度侧，外侧是最小厚度侧，所述斜面部的厚度自所述内侧到所述外侧渐变；所述斜面部的宽度与所述异形导线的宽度之比为≥1:5。本申请实施例的异形导线，将所述斜面部的宽度与所述异形导线的宽度之比为≥1:5能够适用于大多数立绕线圈中，以显著减小相邻匝的异形导线之间的空隙，从而空间利用率高，在相同的绕制空间内可绕制更多的匝数，有助于实现产品的小型化或提升产品的相关性能。
CN115732155A	一种高矫顽力钕铁硼磁性材料及其制备方法本申请涉及磁性材料制备技术领域，具体公开了一种高矫顽力钕铁硼磁性材料及其制备方法。本申请的高矫顽力钕铁硼磁性材料，包括如下原料：镨钕合金、铜、硼、钴、钛、铈、钆、锆、辅助剂，余量为铁和其他不可除去的杂质，所述辅助剂由Fe3Pt、FePt、碳组成；制备方法，包括如下步骤：将镨钕合金、铜、硼、钴、钛、铈、钆、铁、锆、辅助剂熔炼，得到熔炼液，将得到的熔炼液进行甩带，得到甩带片；所述原料在熔炼时通入惰性气体进行保护；将甩带片进行氢破碎、气流磨后，得到氢破粉；将氢破粉压制得到生坯，将生坯进一步压制得到生磁体；将生磁体进行烧结、回火，降至室温即得。本申请的高矫顽力钕铁硼磁性材料磁性性能较佳。
CN115732154A	一种抗磨损钕铁硼磁铁本发明涉及磁石技术领域，具体涉及一种抗磨损钕铁硼磁铁，包括钕铁硼磁体和表面耐磨镀层，所述钕铁硼磁体包括如下重量份的原料：钕铁硼磁粉40‑60份、硬脂酸1‑3份、偶联剂1‑3份、改性硅化钒4‑12份、四氧化三铁粉末15‑25份、碳黑1‑3份、环氧树脂1‑5份。本发明的钕铁硼磁铁具有很好的耐磨性、韧性、稳定性、防水性，高矫顽力等优点，以及具有良好的机械性能和磁性能；在钕铁硼磁铁表面设置表面耐磨镀层的耐磨性和耐腐蚀性能相比于传统的单一钕铁硼磁铁有很大提高，且镀层的耐划伤性能也得到相应增强。
CN115732150A	绝缘物被覆软磁性粉末及其制造方法、压粉磁芯、磁性元件、电子设备以及移动体本公开提供一种能够制造充分地抑制高频带中的涡电流损耗的磁性元件的绝缘物被覆软磁性粉末及其制造方法、压粉磁芯、磁性元件、电子设备以及移动体，其中，压粉磁芯包含所述绝缘物被覆软磁性粉末，磁性元件具备所述压粉磁芯，电子设备及移动体具备所述磁性元件。所述绝缘物被覆软磁性粉末的特征在于，具备Fe基合金软磁性粉末以及对所述Fe基合金软磁性粉末的粒子表面进行被覆的绝缘覆膜，在所述Fe基合金软磁性粉末的以体积为基准的粒度分布中将累积频率为50％的粒径设为D50时，D50为0.1μm以上且3.0μm以下，在所述Fe基合金软磁性粉末的以体积为基准的粒度分布中将累积频率为90％的粒径设为D90时，D90/D50的比为2.00以下。
CN115732149A	用于电阻引脚加工的设备及加工方法本发明涉及电阻加工技术领域，尤其涉及用于电阻引脚加工的设备及加工方法。本发明提供一种用于电阻引脚加工的设备，包括工作台，工作台上设置有安装台，所述安装台包括固定部和转动部，安装台绕转动部的转动方向依次划分有上料工位、剪切工位、第一弯折工位、第二弯折工位、第三弯折工位、第四弯折工位以及下料工位；上料工位侧旁设置有上料组件和转移组件；剪切工位上设置有剪切机构；第一弯折工位侧旁设置有第一弯折机构、第二弯折工位侧旁设置有第二弯折机构、第三弯折工位侧旁设置有第三弯折机构、第四弯折工位侧旁设有第四弯折机构；下料工位上方设置有下料机构。本发明提供了用于电阻引脚加工的设备，以解决现有用于电阻引脚加工的设备中占地面积大、工作效率低的技术问题。
CN115732148A	一种复合外套固定间隙金属氧化物避雷器本发明公开一种复合外套固定间隙金属氧化物避雷器。涉及避雷器技术领域。包括避雷器本体，所述避雷器本体的底部固定有安装座，所述避雷器本体的外壁固定有第一电极和第二电极，所述安装座上开设有凹槽，所述凹槽内设置有调节机构，所述安装座的顶部固定有支撑块，所述支撑块的正面转动安装有转轴，所述转轴的外壁固定有连接块。该复合外套固定间隙金属氧化物避雷器，当将避雷器安装好后，进而可以反转转钮，带动双向螺纹杆旋转，使两组螺纹套相互远离，进而可以带动齿条相互远离，通过齿轮、转杆、主动轮、传动带、从动轮、转轴和连接块的配合，可以使两组保护罩将避雷器本体罩起来，进而可以起到保护避雷器本体的效果。
CN115732145A	一种用于扇形电阻带的绝缘瓷柱本发明公开了一种用于扇形电阻带的绝缘瓷柱，属于制动电阻设备领域，包括止挡柱、两个嵌固柱以及两个锁紧挡片，止挡柱的直径大于电阻带的通孔直径；嵌固柱为直径沿长度方向逐渐增大的锥形过渡结构，两个嵌固柱直径较小的一端分别与止档柱的两端固定连接；锁紧挡片上设置有弹性挡圈，弹性挡圈的内孔直径小于嵌固柱长度方向上的最大直径，本发明提供的绝缘瓷柱可将相邻两个电阻带分别夹持于绝缘瓷柱两端的锁紧挡片与止挡柱之间，增强了电阻带的局部以及整体稳定性，防止电阻带之间相互粘连短路。绝缘瓷柱采用分体式结构，通过将绝缘瓷柱两端的锁紧挡片扣入嵌固柱中以固定电阻带，装配快捷方便。
CN115732141A	一种带保护罩的柱式瓷绝缘子本发明涉及绝缘子技术领域，且公开了一种带保护罩的柱式瓷绝缘子，包括瓷绝缘子，瓷绝缘子上设置有：夹持机构包括：护壳是口哨型结构，且左侧开设有进线口、右侧开设有活动孔，护壳用于保护瓷绝缘子和线缆的连接，夹座一固定安装在护壳的内壁背面，螺杆一端螺纹贯穿护壳的正面，并延伸至护壳内部，夹座二固定安装在螺杆的延伸端上。通过将线缆的一端从进线口中穿入，并从套筒中穿出，在活动孔内旋转套筒，旋转U臂抵在套筒上，并拧入止旋销保持套筒固定，拧紧转把，使螺杆旋转并推动夹座二，将线缆抵在夹座一上进行稳定夹持，调整线缆出线端的连接角度并省去更换夹座的繁琐，便捷调节对线缆的不同安装方式，减轻工作负担。
CN115732138A	一种基于REBCO带材多级绞缆的高温超导导体结构本发明公开了一种基于REBCO带材多级绞缆的高温超导导体结构。所述高温超导导体结构包括多根高温超导电缆、金属中心骨架和不锈钢铠甲；单根所述高温超导电缆的结构主要包括金属包套、子缆苞绕带、螺旋开槽铜芯、金属填充物和堆叠的超导带，多根高温超导电缆扭绞在金属中心骨架上，最后穿入不锈钢铠甲中；所述金属中心骨架为导体提供了足够的机械支撑和优良的热稳定性；所述不锈钢铠甲用于封装内部高温超导电缆子缆，使得导体具备良好的机械性能。本发明结构紧凑，机械强度和运行电流高，可应用于超导技术领域。
CN115732137A	一种三网融合低压光电复合电缆本发明公开了一种三网融合低压光电复合电缆，包括加强架，所述加强架的端部连接有保护层，所述加强架的外壁等角度设置有至少三组限位结构，所述限位结构的端部内分别安装有光纤电缆、电力电缆和同轴电缆。该三网融合低压光电复合电缆，通过散热腔、导热棒、铠装层、加强筋和防腐外层的设置，使得装置通过散热腔和导热棒的设置，便于电缆进行散热，通过铠装层是由铜丝和金属编织而成的金属网层，起到支撑防护作用的同时，使得电缆具有优良的抗干扰能力，另外通过均匀分布的加强筋和防腐外层，起到缓冲保护，避免电缆受到外力，发生破裂和损坏，防腐外层由于为沥青材质，使得电缆可有效防水及耐腐蚀的特性，提升电缆的防腐和防水性能。
CN115732131A	一种耐腐蚀复合电缆本发明公开了一种耐腐蚀复合电缆，涉及复合电缆技术领域，包括复合电缆主体，所述复合电缆主体的外部填充有具有防水、耐腐蚀和阻火功能的外包层，且复合电缆主体与外包层之间设置有具有吸热和缓冲保护功能的充隔层，在现有复合电缆的基础上，采用了内外多层设置，填充在最外部的是防水层，其次填充有耐腐蚀材料的内一层，并且在具有隔热性的内二层内部设置有电缆专用的阻火泥，在保证电缆柔韧性的基础上进一步提升了电缆主体的耐腐蚀性和防火性，同时在单独电缆线的间隔处设置了导热材料，使热量能够传输至橡胶凸块中并通过散热孔排出，最后通过多组具有加强板的橡胶凸块提升电缆整体的耐磨和冲击强度。
CN115732125A	具有改进的热导率的电缆本发明涉及一种电缆以及一种用于制备所述电缆的方法，该电缆包括至少一个由聚合物组合物获得的电绝缘层，该聚合物组合物包含至少一种聚丙烯基热塑性聚合物材料和至少一种无机填料，该无机填料选自硅酸盐、氮化硼、碳酸盐以及它们的混合物。
CN115732124A	高性能绝缘安全电线电缆本发明涉及高性能绝缘安全电线电缆，含有铜导体、多功能防护层、隔热层、绝缘外套层，隔热层的内部设有多根铜导体，铜导体外侧包覆有多功能防护层，多功能防护层由氟塑料粒、陶瓷粉、云母粉按比例称重混合挤出而成，比例为氟塑料粒65％、陶瓷粉15％、云母粉20％，隔热层的外侧包覆有绝缘外套层。设置有多功能防护层，多功能防护层具有良好的绝缘性，能够起到防止漏电、耐高温、提高防水性能、阻燃耐火作用，简化了工艺流程，生产效率大幅提升，设置有隔热层，隔热层为耐热硅胶材料喷涂制成，能够避免高温对电缆造成损伤。该电线电缆适用于工业、农业和家装，具有良好的绝缘效果和安全性能。
CN115732123A	一种改性聚丙烯绝缘轨道交通用电缆及制备方法一种改性聚丙烯绝缘轨道交通用电缆及制备方法，属电缆领域。在导体与绝缘层之间设置内屏蔽层；在绝缘层外周设置外屏蔽层；在外屏蔽层外周依次设置金属屏蔽层、第一隔离层，综合护层、第二隔离层、铠装层和外护套层；绝缘层为聚丙烯绝缘层；内屏蔽层和外屏蔽层为半导电聚丙烯屏蔽层；金属屏蔽层为重叠绕包的铜带；第一、第二隔离层为低烟无卤阻燃带；综合护套层由铝塑复合带构成；铠装层为黄铜带；外护套层为低烟无卤阻燃聚烯烃护套层。其采用改性聚丙烯构成绝缘层，配合无卤低烟阻燃聚烯烃护套；生产中不需高温硫化交联，不会产生预交联焦料粒子缺陷，在电缆服役结束后绝缘材料能够回收再利用，使得轨道交通用电缆的生产制造、回收过程更环保。
CN115732119A	一种金属导电银浆及其制备方法和应用本发明提供了一种金属导电银浆及其制备方法和应用。本发明的金属导电银浆，包括以下组分：银导电浆料、银源、还原剂以及稳定剂；其中，所述银源中银化合价为零价或+1价。本发明通过在传统的银包廉价金属导电浆料的基础上，加入银源，在还原剂的作用下，可在廉价金属表面形成一层新的银保护膜，从而在保障银导电性的情况下，同时满足后期老化的需求，解决了漏出的廉价的金属无法包覆的问题，从而大幅提高浆料的导电性和老化性能。
CN115732118A	一种N-TOPCon太阳电池用低温烧结银铝浆及其制备方法和应用本发明提供了一种N‑TOPCon太阳电池用低温烧结银铝浆及其制备方法和应用，涉及太阳电池金属化技术领域。具体而言，所述低温烧结银铝浆包括银粉、铝镓合金粉、玻璃粉、氟硼酸盐、助剂和溶剂制备得到，制备方法简单高效，易于复现。本发明采用铝镓合金粉替代传统铝粉，同时引入氟硼酸盐，增强浆料低温下金属体系流动性，增强对钝化层的腐蚀烧穿，避免高温过程铝硅共晶带来的Voc损失，使后续在低温条件下金属化的N‑TOPCon太阳电池具有良好的电性能；最低金属化温度可达480℃，避免了现有技术中太阳电池金属化需要较高烧结温度的问题，具有良好的应用前景。
CN115732115A	纳米线束及制造纳米线束的方法本公开提供一种纳米线束及制造纳米线束的方法。所述纳米线束包括：多个芯，包括金属并且以预定形状间隔地布置；第一玻璃部，包括玻璃并覆盖所述多个芯；以及第二玻璃部，包括玻璃并覆盖所述第一玻璃部。
CN115732114A	一种电线和电线的加工方法本发明提供一种电线和电线的加工方法，该电线包括铝基体和铜纤维。铜纤维设置在所述铝基体内，其中，所述铜纤维沿所述铝基体的轴向延伸，所述铜纤维具有多条且间隔设置。
CN115732109A	压水堆核电站功率运行期间慢化剂温度系数的测量方法本发明提供了一种压水堆核电站功率运行期间慢化剂温度系数的测量方法，包括以下步骤：步骤1：维持其他向堆芯引入反应性的参数不变，只降低慢化剂平均温度来补偿因燃耗引起的反应性下降；步骤2：通过燃耗和平均温度变化，拟合得到平均温度与燃耗关系曲线及曲线斜率TR，计算一定燃耗ΔBu下的平均温度变化量ΔT；步骤3：根据试验前一段时间主环标准临界硼浓度的变化，拟合得到正常工况下硼浓度随燃耗变化曲线及曲线斜率BR，计算一定燃耗ΔBU下的硼浓度改变量ΔCB，由理论硼微分价值计算反应性变化量，最后计算得到慢化剂温度系数αMTC。本发明通过慢化剂温度的降低来补偿因燃耗引起的反应性下降，从而实现对慢化剂温度系数的测量。
CN115732107A	一种可视化核反应堆双层熔融池传热特性实验系统与方法本发明公开了一种可视化核反应堆双层熔融池传热特性实验系统与方法，该实验系统包括实验段、与实验段连接的熔盐炉和导热油罐、高压气罐、高速摄像仪、红外热像仪、冷却回路以及电源、控制设备与数据采集系统。实验段由不锈钢与石英玻璃板组成，其内部安装有加热棒、双节点热电偶，贴附在石英玻璃内壁面的电加热丝。熔盐炉依靠高压气罐注入的气体推动熔盐注入实验段，并通过真空泵将实验段内的熔盐回收。导热油罐依靠重力向实验段内注入高温导热油。高速摄像仪、红外热像仪拍摄实验过程中的熔盐与导热油界面和实验段内部的温度分布。本发明能够获得不同工况熔盐硬壳厚度和壁面热流密度分布、熔盐与导热油的相界面变化、熔盐内部的传热特性。
CN115732105A	一种安全壳结构局部试验构件及其施工方法本发明公开了一种安全壳结构局部试验构件及其施工方法，包括混凝土板、钢衬里板、栓钉、智能预应力钢绞线；所述智能预应力钢绞线穿过所述混凝土板；所述智能预应力钢绞内置FRP智能传感器，所述钢衬里板紧贴所述混凝土板的内侧，通过所述栓钉固定；所述栓钉与所述钢衬里板焊接；本发明的构件可实时监测和传输构件所承受的压力及其应力变化，便于控制构件试验时预应力张拉以及试验中预应力水平的实时监测；构件中将钢衬里板与混凝土板固定连接，安全壳强度试验过程中，可有效的最大程度地反应安全壳整体性能；本发明的是局部试验构件结构成本低、试验数据准确。
CN115732101A	一种区域药事质量控制评价系统及方法本申请公开了一种区域药事质量控制评价系统及方法，涉及医疗技术药事质量控制技术领域，包括区域药事分析平台用于对基础指标、基于基础指标的运算指标、以及基于运算指标的药事分析策略进行定义。还用于向区域内的多个医疗机构下发数据采集方案，所述数据采集方案包括医疗机构需要上报的基础指标和运算指标。还用于接收区域内的多个医疗机构反馈的基础指标和运算指标，并根据所述基础指标得到相应的运算指标，根据所述运算指标得到所述分析报告。本申请能够自定义并获取包含基础指标和运算指标在内的药事数据，基于对区域内所有医疗结构的药事数据进行分析得到药事质量的分析报告，从而实现对区域内所有医疗机构进行全方位的药事质量控制。
CN115732099A	一种基于智能控制的疫情信息监管系统本发明涉及检测、监测或建模流行病或传染病技术领域，尤其涉及一种基于智能控制的疫情信息监管系统，针对当前现有的检测、监测或建模流行病或传染病技术仍存在流调强度高、操作复杂、排查难度高、交互性差、智能程度低、信息安全保护差和缺乏对个人信息的监管的问题，现提出如下方案，其中包括服务器、交互模块、定位模块、监管模块，本发明的目的是通过监管模块对访问者的权限进行管理，提升被监控者的个人信息的安全性，最大限度的防止个人信息的滥用和个人信息的防护，同时通过模块的相互配合，使得疫情风险位置能够被精准的确定，提升整个系统对疫情流调的便捷性和高效性，也极大减轻流调人员的流调劳动强度。
CN115732098A	一种基于改进SEIR模型的传染病跨城市传播预测方法及系统本发明涉及传染病预测技术领域，具体为一种基于改进SEIR模型的Moving‑SEIR传染病预测模型方法及系统，方法包括：根据传染病的特性，将人群进行类别划分；将不同区域的人口移动指数作为独立的影响因素，获取各个区域中的初始总人数；利用已有数据输入LightGBM模型追踪传染率和恢复率的变化；根据各个区域不同人群的初始人数、传染率、恢复率、移动指数构建Moving‑SEIR模型；根据构建的Moving‑SEIR模型，进行传染病预测。本发明考虑了跨城市人口移动、传染率、恢复率的改变对传染病传播的影响，有效提高模型的预测准确性。
CN115732097A	一种区块链的中医针灸信息共识识别系统本发明公开了一种区块链的中医针灸信息共识识别系统，公有链，公有链信号连接有病患输入端和若干医生输入端，病患输入端包括公钥和信息输入模块，医生输入端包括私钥、信息接收模块、交易生成模块、诊疗信息输入模块、加密与编码模块、模糊判断模块和自对比模块。本方案通过设置多个医生输入端，在主治医生诊断的同时，进行多个医生线上会诊，提高了诊断的准确率，避免了主治医生的误判，同时在医生输入端设置加密与编码模块在信息传递过程中对信息加密，进一步保护了患者的隐私，在医生输入端设置模糊判断模块筛选剔除掉会诊专家的诊疗复判信息中的不确定信息，减少了诊疗信息与诊疗复判信息对比的运算量，提高了主治医生的诊断效率和准确率。
CN115732093A	基于神经网络的预警系统、预警设备与预警方法以及预警模型训练方法本申请涉及一种认知障碍预警系统、预警设备与预警方法以及预警模型训练方法。其中，预警方法包括：获取与用户行为模式相关的信息；使用卷积神经网络和高斯混合模型对所获取的信息进行特征提取；使用循环神经网络对所提取的特征进行序列建模；对序列建模的输出进行分类；以及基于分类结果进行早期认知障碍预警。
CN115732091A	视力自助筛查系统本发明公开了视力自助筛查系统，属于视力筛查技术领域。视力自助筛查系统，包括分析一体机云平台、APP、视力分析平台和移动端应用，所述分析一体机云平台包括显示器、读卡器、主机、摄像头、麦克风、音箱、打印设备、自主采集系统、人脸识别模块、体感识别模块、身高识别模块、语音识别模块。为解决视力检查需要依赖检测人员、记录人员人工进行辅助检测、保存记录，存在效率低下、信息化程序不足，数据共享困难、视力检测过程不够简单的问题，按视力表变距应用规则计算不同距离的视标边长，为儿童青少年建立视力健康电子档案，保证一人一档，随学籍转移，为儿童青少年视力问题提供早监测、早发现、早预警和早干预的技术可能。
CN115732083A	一种基于医学知识图谱面向抑郁症患者的辅助问诊系统本发明公开了一种基于医学知识图谱面向抑郁症患者的辅助问诊系统，涉及问诊辅助技术领域，通过前处理端录入的标的对象的基本信息，根据基本信息公开的内容得到筛选信息；之后借助筛选信息从病例库搜索到所有的符合筛选信息的数据，将其标记为初筛病例，并根据初筛病例内的表征信息之间的相似度将若干个表征信息重新标定为关联信息，以此得到若干个关联信息组；根据关联信息组确定若干个咨询信息组和问卷信息，之后能够从两个角度，问卷和咨询沟通的方式，给与主治医生予以内容参考，方便医生能够根据个人经验结合辅助系统给出的数据对用户进行精准问诊。
CN115732080A	一种基于多模态深度学习的数据处理预测系统及方法本发明提出了一种基于多模态深度学习的数据处理预测系统及方法，涉及人工智能技术领域。其首先通过数据采集模块进行采集心室肥大患者脱敏数据，并根据采集的脱敏数据进行生成心电图数据和体检数据，接着就可以通过数据预处理模块根据相应的预设规则分别对心电图数据和体检数据进行处理，方便接下来送入预测模型训练模块进行训练卷积神经网络预测模型，用以得到预测模型。最后，将待预测的体检患者脱敏数据输入训练好的预测模型中，即可得到对应的数据预测结果。整个系统能够有效地针对心电图数据和体检数据进行数据处理及预测，从而可以提高两者数据的处理效率和准确度，便于相关的从业人员更好更准确的对两者数据之间的联系进行分析和理解。
CN115732078A	基于多变量决策树模型的疼痛疾病判别与分类方法和装置本申请公开了一种基于多变量决策树模型的疼痛疾病判别与分类方法和装置，通过获取样本数据集，采集样本数据集中疼痛疾病的关联特征信息；对关联特征信息进行归一化处理，得到关联特征信息的特征信息集合，建立特征信息集合关联的疾病知识库；将疾病知识库对应的语义特征信息输入多变量决策树模型进行预训练得到关联特征信息的语义特征信息子集，通过语义特征信息子集训练多变量决策树模型得到疼痛疾病判别分类模型；接收患者输入的疼痛的症状信息和特征信息，基于疼痛疾病判别分类模型进行相似度计算，得到患者的疼痛疾病判别与分类结果并输出。本申请解决相关技术中疼痛性疾病的诊断较难的技术问题，实现对疼痛疾病的智能判别与分类。
CN115732076A	一种多模态抑郁数据的融合分析方法本发明公开了抑郁数据融合领域的一种多模态抑郁数据的融合分析方法，旨在对多阶段录入的不同类别数据进行情绪特征提取和融合。针对不同类别数据，先根据其特点提出数据特征。之后，不同模态的数据特征分别通过三个线形层求出K值、Q值和V值表达，再根据融合抑郁数据注意力机制，利用K，Q计算各模态数据的注意力A，将A·V作为融合后的特征，服务下游任务。与现有的通过单一模态研究抑郁症的技术相比，本技术方案不易受到个体差异等因素的影响，能更好地利用病例集合对患者个体差异的甄别特征，随后根据甄别特征融合患者的图像、动作和声音，实现综合式诊断。
CN115732073A	一种医疗设备的信息交互方法、系统、终端及存储介质本申请涉及一种医疗设备的信息交互方法、系统、终端及存储介质，其方法包括：获取急救现场的医疗设备采集的患者的体征信息；基于体征信息获取患者的患病领域；获取预设的医生信息；基于第一疾病领域和患病领域获取相应的医生名称，作为辅助医生名称；获取预设成功率以及急救现场救助患者的预估成功率；判断预估成功率是否超过预设成功率；若未超过，则将体征信息发送至辅助医生名称对应的第一终端设备，并获取视频通话指令；基于视频通话指令以开启医疗设备与第一终端设备之间的视频通话功能。本申请具有尽可能降低医护人员人力资源浪费情况发生的可能性，同时提高获取治疗方案的灵活性以及方案获取的时效性的效果。
CN115732070A	一种预住院信息处理方法本申请提供一种预住院信息处理方法，涉及医疗技术领域。该方法通过接收第一医疗客户端输入的针对于预设就诊对象的入院申请信息；入院申请信息包括：预设就诊对象的信息，拟入院时间段的信息，以及拟入院病区的信息；根据入院申请信息，为预设就诊对象进行预入院登记；在预入院登记完成后，根据拟入院时间段的信息，以及拟入院病区的信息，从预设医疗单位的多个住院病区的床位中，为预设就诊对象进行床位预约，得到预设就诊对象对应的预约床位的信息。从而，在住院前就根据就诊对象的情况进行床位预约，降低了由于床位资源紧缺带来的影响，大大缩短了患者的住院周期，有效避免术前等待时间过长的情况，显著提升床位的流转率，提高了住院效率。
CN115732068A	基于物联网的淋巴水肿肢体体积测量数据管理系统及方法本发明公开了基于物联网的淋巴水肿肢体体积测量数据管理系统及方法，属于淋巴水肿肢体体积测量数据管理技术领域。通过监测淋巴水肿肢体体积数据的变化，来分析贴合于患者自身治疗阶段的治疗方式，便于医护人员对其负责的患者病情情况实时观察，有利于医护人员对某个患者的病情发展实时把控和采取有效的适用于该患者的治疗方式；其中，具体还分析了五种治疗有效值，并对每一种治疗有效值对应的治疗方式进行分析，使得数据分析更加准确，有利于医护人员对治疗方案进行选择，并且可以提高医护人员结合自身医学经验对病情治疗进行判断的准确性。
CN115732067A	一种基于计算机视觉的床旁输液实体核对系统及方法本发明公开了一种基于计算机视觉的床旁输液实体核对系统及方法，涉及床旁输液实体核对技术领域，该核对系统由初始化模块、视觉采集模块、视觉识别比对模块、网络通信模块、输液数据库模块及反馈模块构成；本发明实现了实体层面的输液核对，相较现有输液床旁核对方法及系统进一步提升了差错识别能力；引入自动化方法，标准化床旁输液核对流程，使得计算机介入该过程无感化，减少对临床护理工作干扰的同时减少对系统的不规范使用；直接识别输液瓶贴标签文字内容、输液瓶及溶液视觉特点等信息，无需对现有输液瓶便签管理与打印系统进行修改，易于部署。
CN115732065A	一种多台多种疫苗的分台接种方法及系统本发明涉及一种多台多种疫苗的分台接种方法及系统，包括：建立疫苗身份标识产品编码，对接种台配置疫苗接种条件；对受种者进行疫苗登记处理分配需接种疫苗；根据受种者需接种疫苗的产品编码及各接种台配置的疫苗接种条件，对需接种疫苗进行疫苗分台处理，分台到对应的接种台完成接种信息加载和相关疫苗接种；当受种者还有未接种疫苗时，判断是否进行插队接种；是，则根据疫苗产品编码和插队备选接种台的疫苗接种条件，对需插队疫苗进行疫苗插队处理，本发明提升医生工作效率，降低错苗发生，保障了接种安全。
CN115732064A	一种基于疫苗最小包装扫描的接种耗苗监控方法本发明涉及一种基于疫苗最小包装扫描的接种耗苗监控方法，包括：接种服务器接收医生端扫描疫苗最小包装获得的监管码；根据所述监管码生成包括疫苗名称、有效期和停用召回在内的监管码信息表提供到医生端，用于疫苗核对；在每次接种耗苗时，接种服务器接收医生端发送的监管码以及耗苗确认信息，在耗苗记录表中插入或更新耗苗记录，记录接种疫苗的监管码和与监管码对应的包括疫苗支序号、接种和报损剂次数信息、以及疫苗开闭瓶信息在内的接种耗苗信息，监控接种耗苗情况；在疫苗接种出库记录表中新插入出库记录，记录接种耗苗数和报损数，用于计算实时库存。本发明实现了门诊接种耗苗以剂次与支为单位的精准耗苗，以及精细化的疫苗追溯。
CN115732063A	一种疫苗接种的耗苗监控系统本发明涉及一种疫苗接种的耗苗监控系统，包括：接种服务器和至少1个工作台；接种服务器与工作台通信连接；工作台包括扫描设备和显控设备；扫描设备用于扫描疫苗最小包装的监管码；显控设备，用于向接种服务器上传包括所述监管码和耗苗确认信息在内的上传信息；接收并显示接种服务器下发的耗苗信息；接种服务器，接收上传信息，在耗苗记录表中插入或更新耗苗记录，记录包括监管码、疫苗的支序号、接种和报损剂次数、以及疫苗开闭瓶信息在内的耗苗信息，并将耗苗信息下发到对应的工作台进行显示；在出库记录表中新插入出库记录，记录接种耗苗数据和报损数据本发明实现了门诊接种耗苗以剂次与支为单位的精准耗苗，以及精细化的疫苗追溯。
CN115732062A	医疗信息管理装置、医疗信息的数据构造以及记录介质本发明涉及医疗信息管理装置、医疗信息的数据构造以及记录介质。促进动态信息的活用。医疗信息管理装置将通过对满足预定的疾病的条件的第1被检体进行基于放射线的动态摄影而得到的动态信息与通过对满足预定的疾病的条件的第2被检体进行动态摄影以外的摄影或者检查而得到的非动态信息对应起来管理。动态信息包括通过动态摄影得到的一系列的图像(动态图像)、通过解析动态图像而得到的活动信息。非动态信息包括通过动态摄影以外的摄影得到的医用图像(非动态图像)、检查结果等。
CN115732061A	数据标注的方法、装置、设备和存储介质本申请提供了一种数据标注的方法、装置、计算设备和存储介质，属于AI技术领域。该方法包括：数据标注平台将待标注的数据发送给至少两个标注用户，获取至少两个标注用户对待标注的数据的至少两个标注结果。根据至少两个标注结果，确定是否对待标注的数据执行仲裁，若确定对待标注的数据执行仲裁，发送待标注的数据至审核用户进行标注，若确定不对待标注的数据执行仲裁，根据融合规则将至少两个标注结果进行融合，获得待标注的数据的标签。采用本申请，通过多人协同对同一数据的标注，解决了复杂数据的标注准确率低的问题。
CN115732060A	脊柱截骨模拟方法、装置及电子设备本发明公开了一种脊柱截骨模拟方法、装置及电子设备，该方法包括：获取目标医学图像，确定目标处理维度；其中，所述目标处理维度为二维或三维；根据所述目标处理维度以及所述目标医学图像，确定待处理图像；根据所述目标处理维度对应的目标处理方式，对所述待处理图像进行截骨模拟处理，得到三维截骨图像。通过本发明实施例的技术方案，实现了提高脊柱截骨模拟的维度多样性、灵活性以及便捷性的效果。
CN115732058A	一种基于人工智能的手术康复自动干预调整方法及系统本申请提供了一种基于基于人工智能的手术康复自动干预调整方法及系统，属于数据处理技术领域，该方法包括步骤S1、收集围手术期患者的与疾病相关的基础信息、健康情况、运动习惯及饮食习惯，匹配出用于向患者每日推送的初始康复干预方案；步骤S2、通过基于问卷调查的反馈数据以及数据采集模块采集的康复信息，确定围手术期患者在执行当日康复干预方案过程中的适配度；步骤S3、基于所述适配度对当日推送的康复干预方案进行调整，生成次日推送的康复干预方案，以使所述适配度位于阈值区间内。该申请能够对围手术期患者进行健康过程的自动干预，并能不断调整干预强度，提高了围手术期患者的健康教育管理效果。
CN115732055A	用于化妆品管理的方法及装置、化妆柜、存储介质本申请涉及智能家居技术领域，公开一种用于化妆品管理的方法，包括：确定目标美妆效果；生成所述目标美妆效果对应的化妆教程；根据所述化妆教程确定化妆品的取出顺序。在本申请中，确定用户想要达到的美妆效果，并且根据用户选定的美妆效果调用该美妆效果对应的化妆教程，根据化妆教程，用户可以获知实现该美妆效果的化妆方法，并且获知该化妆教程中多种不同化妆品的取用顺序，用户根据该取用顺序对化妆品进行取用，便于在大量的化妆品中准确的取用所需的化妆品，可更智能的对大量化妆品进行管理，降低用户对化妆品的取用难度。本申请还公开一种用于化妆品管理的装置及化妆柜、存储介质。
CN115732045A	熔融滴落型材料火蔓延机理的分析方法、装置及系统本发明提供了一种熔融滴落型材料火蔓延机理的分析方法、装置及系统，该方法包括：在PFEM软件中选取目标分析模型，并将固相热解参数和粒子运动所需的粘度系数输入到所述目标分析模型中；对所述目标分析模型在熔融滴落型材料火蔓延过程的初始条件进行设定；对所述目标分析模型在熔融滴落型材料火蔓延过程的边界条件进行设定；利用所述目标分析模型对熔融滴落型材料火蔓延过程进行数值模拟，得到熔融滴落型材料火蔓延的数值模拟结果，以对熔融滴落型材料火蔓延机理进行分析。本发明的方案能够有效对熔融滴落型材料火蔓延机理进行分析。
CN115732044A	一种电站锅炉高温受热面管道蠕变寿命损耗动态预测方法本发明涉及一种电站锅炉高温受热面管道蠕变寿命损耗动态预测方法，包括：采集一段运行时间内锅炉受热面管道的管壁温度数据；计算得到该段运行时间内的管道受热面蠕变寿命损耗数据；使用管壁温度数据和管道受热面蠕变寿命损耗数据，建立径向基神经网络模型，计算得到锅炉受热面管道蠕变寿命预测结果。本发明的有益效果是：本发明可以实现对锅炉受热面管道蠕变寿命的精确预测，对火电机组延寿和保障机组长时间安全稳定运行具有重要意义。
CN115732039A	基于量子化学和集成学习的分子毒性预测方法本发明提供了一种基于量子化学和集成学习预测分子毒性的方法，它可以克服毒性预测领域标记数据较少的问题。与现有工作相比，本方法首创性地将量子化学应用于药物分子毒性预测领域。本方法首先获取分子指纹以及电子的轨道、偶极矩等量子化学信息，以得到分子的表示；在下游预测阶段，本方法将梯度提升决策树(GBDT)和引导聚集算法(Bagging)融合，行成一种新颖的集成学习方法，使用这种方法得到的模型方差和偏差都很小。对各项任务的一系列实验表明，本方法即使在数据量小于300的小数据集上依旧可以取得很好的性能，这可以在新药研发的先导化合物筛选阶段极大节省时间和人力成本。
CN115732033A	一种基于多目标特征选择的生物性状表达的基因选择方法本发明公开了一种基于多目标特征选择的生物性状表达的基因选择方法，包括：步骤1：输入生物基因样本；步骤2：对输入的基因样本的特征进行分组并且针对每一个分组产生一个子种群；步骤3：各个子种群独立进化；步骤4：将所有的子种群逐步归并；步骤5：所有子种群最终合并为一个种群，该种群在原始基因上搜索，最终得到在原始基因集合上表达效果最好的部分基因，并且将它作为最终选择的基因。本发明能从大量的基因特征中筛选出数量较少且重要性较高的基因，从而有效提高高维生物性状表达的基因选择的准确性，同时也有利于缩短研究周期，降低研究成本。
CN115732032A	一种基于隐藏亚组的生信分析方法及系统本申请涉及生物信息学领域，具体涉及一种测序数据分析方法和系统，该方法基于“隐藏亚组理论”对测序过程中的组分进行分析。本申请方法不依赖于任何待测信号的先验知识，即可进行有效的生信分析。
CN115732028A	一种对枯草芽孢杆菌芽孢产量影响的试验设计方法及系统本公开提供了一种对枯草芽孢杆菌芽孢产量影响的试验设计方法及系统，涉及统计试验设计技术领域，包括获取试验的基本试验信息，确定试验响应与影响因素之间的关系模型；根据试验各因素取值范围以及各因素水平数，确定各因素的候选集合以及试验的设计空间；使用递归搜索策略，依次从当前试验设计中所有支撑点出发，在试验空间中递归搜索梯度较大的点，并将这些点加入试验设计当中，得到下一步第二试验设计；对第二试验设计中的设计点进行权重调整，得到第三试验设计，使用最优函数检查所述第三试验设计是否满足最优准则，若满足则当前试验设计即为最优试验设计。解决在计算时间有限的情况下可行解的质量低下的问题。
CN115732027A	一种基因组选择方法及其在同源多倍体物种的育种中的应用本发明涉及生物信息学技术领域，尤其涉及一种基因组选择方法及其在同源多倍体的育种中的应用。包括：构建加性基因组亲缘关系矩阵；基于所述加性基因组亲缘关系矩阵构建基因组选择模型；根据所述基因组选择模型对物种个体的育种值进行估计；所述同源多倍体加性基因组亲缘关系矩阵中所用的基因型矩阵为多倍体基因型矩阵；所述多倍体基因型矩阵中基因型的值通过任意一种等位基因的拷贝数确定。本发明针对同源多倍体特征的物种，基于同源多倍体基因组亲缘关系矩阵，提出了一种基因组选择方法，可以准确地预测出同源多倍体物种个体基因组育种值，提升基因组选择准确性，在基因组选择育种的领域具有重要意义。
CN115732026A	一种“药物-调控元件”关联的高通量预测方法和系统本发明涉及一种“药物‑调控元件”关联的高通量预测方法和系统。该方法包括：构建调控元件‑转录因子网络；构建调控元件‑目标基因网络；以调控元件结合的转录因子和调控元件的目标基因的表达水平为输入，构建调控元件染色质开放程度的预测模型；以不同药物作用条件下的基因表达水平为输入，利用所述预测模型预测和比较调控元件在不同药物作用条件下的开放程度，进而预测“药物‑调控元件”关联。本发明能够高通量地、在全基因组水平预测调控元件与药物的关系，能够以较小资金投入实现对“药物‑调控元件”关联的高通量筛选，降低药物研发风险，这些关联在药物机理、药物组合、药物重定位等研究中有潜在价值。
CN115732025A	RAM访问冲突的验证方法及验证装置本申请公开RAM访问冲突的验证方法及验证装置。该验证方法，确认待测RAM的读延迟，所述读延迟包括所述RAM的读使能信号到读返回数据信号的N个时钟周期；选取待测RAM的测试地址；针对所述测试地址随机产生读操作或写操作；当所述写操作在所述读操作的读延迟上发生时，获得读返回数据与写操作的数据、读操作的地址与写操作的地址的对应关系；当所述对应关系包括指定情况时，确定所述待测RAM的访问冲突已验证。如此，实现了针对RAM访问冲突的通用方法，提供了标准且统一的访问冲突验证流程，能够快速准确地验证访问冲突。
CN115732021A	擦除操作期间的缺陷检测本公开涉及擦除操作期间的缺陷检测。一种系统包含存储器装置，所述存储器装置包含：存储器阵列；和控制逻辑，其以操作方式与所述存储器阵列耦合，以执行包含致使执行擦除操作的操作。所述擦除操作包含子操作。所述操作进一步包含致使在所述子操作中的至少一个子操作期间执行缺陷检测。使用至少一个缺陷检测方法相对于至少一个故障点执行缺陷检测。
CN115732020A	存储器装置缺陷管理本公开涉及存储器装置缺陷管理。一种系统包含：存储器装置，其包含存储器阵列；以及处理装置，其与所述存储器阵列以操作方式耦合，以执行包含促使从所述存储器装置获得缺陷管理信息的操作。所述缺陷管理信息包含关于所述存储器阵列的状态的状态信息以及与相对于所述存储器阵列执行的媒体存取操作相关联的补充缺陷管理信息。所述操作进一步包含分析所述缺陷管理信息以确定相对于所述存储器阵列的缺陷的可能性；以及基于缺陷的所述可能性而识别所述存储器阵列的缺陷状态。
CN115732010A	一种存储器的擦除方法和装置本发明涉及存储器的擦除装置及方法。存储器的擦除装置控制开关和漏电流读出电路，控制开关的一端与存储单元连接，另一端连接有开关选通信号，漏电流读出电路包括跨阻放大器和电压放大器。其中的方法包括：根据当前阈值电压与初始阈值电压的当前差值，重复对存储单元进行擦除操作，直至当前差值小于设定差值。本发明通过漏电流读出电路获取擦除操作后的漏电流数值，推算出擦除操作后的存储单元阈值电压，从而判断浮栅上的电子残留情况，以实现有效的数据擦除操作，及通过改进电路设计，提高在宽范围输入电压下的读取精度，以进一步提高数据擦除的有效性。
CN115732009A	经由刷新的存储器子系统数据保持本公开涉及经由刷新的存储器子系统数据保持。所述方法包含在从主电源到包括多个非易失性存储器组件的存储器子系统的电力的传送中断时，将来自辅助电源的电力提供到控制器的与所述非易失性存储器组件介接的部分。所述控制器的所述部分可利用来自所述辅助电源的所述电力以供应成：响应于在从所述主电源到所述存储器子系统的所述电力的所述传送中断时产生的所述多个非易失性存储器组件的特定部分将经历即将发生的数据丢失事件的预测，对存储在所述特定部分中的数据执行目标刷新操作。
CN115732008A	存储器装置中用于检测读取干扰的牺牲串本申请涉及存储器装置中用于检测读取干扰的牺牲串。存储器装置中的控制逻辑确定对所述存储器装置的存储器阵列的块中的多个存储器串中的第一存储器串起始串读取操作，所述块包括多个字线，其中所述多个存储器串中的每一者包括与所述多个字线相关联的多个存储器单元，且其中所述第一存储器串被指定为牺牲串。所述控制逻辑进一步使读取电压同时施加到所述存储器阵列的所述多个字线中的每一者，且在所述读取电压施加到所述多个字线中的每一者时，感测流动通过指定为所述牺牲串的所述第一存储器串的电流电平。另外，所述控制逻辑基于流动通过指定为所述牺牲串的所述第一存储器串的所述电流电平而识别所述块上是否已发生阈值水平的读取干扰。
CN115732007A	存储器平面存取管理本公开涉及存储器平面存取管理。方法包含识别非易失性存储器阵列中的存储器裸片的相应平面中的目标平面，且从所述目标平面中的耦合到共同位线的非易失性存储器单元块识别所述目标平面中的至少一个目标块。所述方法进一步包含执行停用与所述至少一个目标块相关联的至少一个栅极的操作以防止对耦合到所述目标平面中的所述共同位线的所述非易失性存储器单元块的存取。
CN115732004A	用于存储器装置的预读取扫描的系统和方法本申请针对用于存储器装置的预读取扫描的系统和方法。方法和系统包含具有包括多个存储器单元的存储器阵列的存储器装置。所述存储器装置包含控制电路，其以操作方式耦合到所述存储器阵列且被配置成接收针对数据的读取请求，并基于所述读取请求将多个读取电压施加到所述存储器阵列。所述控制电路进一步被配置成执行基于所述多个读取电压的所述施加读取的第一数据集的数据分析，且基于所述数据分析导出分界偏置电压VDM。所述控制电路还被配置成将所述VDM施加到所述存储器阵列以读取第二数据集合。
CN115731992A	存储器系统、存储器器件及其操作方法本申请的实施例提供了存储器系统、存储器器件及其操作方法。存储器系统包括多个存储器单元、多个字线、多个位线和多个源极线。多个存储器单元被布置成行和列，多个存储器单元中的每个具有栅极、漏极和源极。多个字线中的每个具有对应行，每个字线耦接到对应行中的存储器单元的栅极。多个位线和多个源极线中的每个位线和每个源极线具有对应列，每个位线连接到对应列中的存储器单元的漏极并且每个源极线连接到对应列中的存储器单元的源极。其中在写入操作中，对应于所选存储器单元的所选存储器单元的字线被配置为接收第一电压，位线和源极线被配置为接收第二电压，第一电压或第二电压中的一个为正电压，第一电压或第二电压中的另一个为负电压。
CN115731988A	多电平感测电路及包括其的半导体存储器件本发明提供一种多电平感测电路及包括其的半导体存储器件。一种用于多电平存储器件的多电平感测电路，其被配置为识别多于两个的不同电压。多电平电压感测电路可以包括预充电控制器，所述预充电控制器被配置为在感测模式期间响应于均衡信号以位线预充电电压电平将一对位线预充电。多电平电压感测电路可以包括读取控制器，所述读取控制器被配置为在感测操作期间响应于读取控制信号将所述一对位线的电压保持在位线预充电电压电平。多电平电压感测电路可以包括感测放大器，所述感测放大器被配置为在感测模式期间产生所述一对位线的数据。多电平电压检测电路可以包括电压传感器，所述电压传感器被配置为通过比较位线电压与参考电压来产生均衡信号。
CN115731987A	半导体装置一种半导体装置包括：信息更新控制电路，其被配置为生成用于自读取操作的自读取脉冲、用于自写入操作的自写入脉冲、以及当执行激活操作时在信息更新时段期间被激活的信息更新时段信号；以及列控制电路，其被配置为接收所述自读取脉冲和所述自写入脉冲，当基于自读取脉冲执行自读取操作或者根据读取脉冲执行读取操作时生成用于输出存储在核心电路中的数据或选择信息数据来读取列选通脉冲，以及当基于自写入脉冲执行自写入操作或者根据写入脉冲执行写入操作时，生成用于将数据或选择信息数据存储在核心电路中的写入列选通脉冲。
CN115731986A	AC耦合工作循环校正本公开涉及AC耦合工作循环校正。一种方法包含执行工作循环校正。所述方法可包含将信号输入到工作循环校正电路。所述方法可进一步包含经由所述工作循环校正电路的交流电耦合(AC耦合)组件传递所述信号。所述方法可进一步包含经由反馈电路传递所述信号，其中所述反馈电路包括多个电阻器。所述方法可进一步包含输出包含具有特定量的工作循环畸变的经校正工作循环的信号。
CN115731980A	译码驱动电路及存储芯片本申请涉及一种译码驱动电路及存储芯片，译码驱动电路包括多个子驱动单元及译码控制模块，所述子驱动单元用于根据电源电压信号、第一译码输入信号和中间译码输出信号生成主字线驱动信号；所述译码控制模块与多个所述子驱动单元连接，用于根据使能控制信号及第二译码输入信号生成所述中间译码输出信号；其中，在所述中间译码输出信号为第一状态期间，所述主字线驱动信号为不驱动状态。本申请能够在不减少存储阵列区的存储容量的前提下，减小行译码电路中译码驱动电路的体积，以有效减小半导体存储芯片外围电路区的体积，从而能够相对提高半导体存储芯片单位面积的存储容量。
CN115731979A	存储芯片及存储设备本发明公开了一种存储芯片及存储设备，存储芯片包括：地址选择引脚、数据采样模块、存储单元；数据采样模块分别与地址选择引脚和存储单元连接；地址选择引脚用于接收待存储的数据信号，并将待存储的数据信号发送至数据采样模块中；数据采样模块用于对待存储的数据信号进行采样，并将经过采样的数据信号存储至存储单元中；和/或，数据采样模块还用于从存储单元中获取待读取的数据信号，并将待读取的数据信号发送至地址选择引脚中；地址选择引脚还用于向外发送待读取的数据信号，从而丰富了地址选择引脚的功能，且提高了地址选择引脚的利用率。
CN115731977A	使用动态锁存器提供多个偏置电压的存储器装置本申请的实施例涉及使用动态锁存器提供多个偏置电压的存储器装置。存储器装置包含耦合到感测节点的感测放大器SA锁存器。动态锁存器DL连接到所述SA锁存器并且耦合到感测节点。感测线包含所述感测节点并且选择性地连接到所述SA锁存器、所述DL及位线，所述位线耦合到存储器单元串。控制逻辑耦合到所述SA锁存器及所述DL，并且使预编程验证电压将所述感测节点升压；及响应于检测到存储在SA锁存器中的高位值，使电压接通DL设置晶体管，使得将第一偏置电压或第二偏置电压存储在锁存器晶体管处。所述第一偏置电压可用于选定存储器单元的缓慢编程并且所述第二偏置电压可用于所述选定存储器单元的快速编程。
CN115731976A	存储器接口的速率调整本申请案涉及存储器接口的速率调整。主机系统可根据多个数据传送速率经由接口与存储器系统通信。举例来说，所述主机系统可配置所述接口根据第一速率操作。所述主机系统可响应于来自所述主机系统的一或多个命令满足一或多个参数而将所述接口从所述第一速率切换到第二速率，所述一或多个参数例如为与命令相关联的数据的阈值数量、与数据的至少所述阈值数量相关联的发出命令的阈值数量、发出且未执行命令的阈值数量或其任何组合。基于所述切换，所述主机系统可根据所述第二速率经由所述接口与所述存储器系统通信。
CN115731974A	数据输出控制电路及包括数据输出控制电路的半导体设备本申请涉及数据输出控制电路及包括数据输出控制电路的半导体设备。一种数据输出控制电路包括分频电路、定时信号生成电路和控制信号生成电路。分频电路对读取使能信号进行分频以生成多相位时钟信号。定时信号生成电路基于预热周期信息和多相位时钟信号生成多个定时信号。控制信号生成电路基于多相位时钟信号和多个定时信号生成数据输出控制信号。
CN115731973A	包括管道锁存电路的半导体器件本发明涉及一种包括管道锁存电路的半导体器件。该半导体器件包括输入控制信号生成电路，该输入控制信号生成电路：在执行内部操作时生成输入控制信号，以及，基于时钟的频率是否对应于预设的频率范围来调整生成输入控制信号的时间点。该半导体器件包括输出控制信号生成电路，该输出控制信号生成电路在执行内部操作时在等待时间过去之后生成输出控制信号。该半导体器件包括管道锁存电路，该管道锁存电路：基于输入控制信号来对输入数据进行锁存，以及，基于输出控制信号来输出被锁存的输入数据作为输出数据。
CN115731972A	灵敏放大器结构以及存储器结构本公开实施例提供了一种灵敏放大器结构以及存储器结构，灵敏放大器结构包括：位于基底上的沿第一方向间隔排布的多个有源区组，每个有源区组包括多个沿第二方向间隔排布的有源区；位于有源区上的间隔排布的第一栅极以及第二栅极，位于同一有源区上的第一栅极以及第二栅极均沿同一方向延伸，延伸的方向为栅极延伸方向；其中，栅极延伸方向与第一方向以及第二方向均不相同，且对于同一有源区，在栅极延伸方向上，第一栅极的长度和第二栅极的长度均大于有源区在第一方向上的最大长度，并且均大于有源区在第二方向上的最大长度。本公开实施例至少有利于改善灵敏放大器的电学性能。
CN115731964A	存储器和存储器的制造方法本申请实施例涉及存储器领域，提供一种存储器和存储器的制造方法，至少可以提高电压转换的效率。存储器包括：基板，所述基板上具有封装壳，所述封装壳与所述基板围成封闭区域；芯片，所述芯片上具有负载；所述芯片位于所述封闭区域内；升压转换器，所述升压转换器中的至少部分结构集成在所述芯片上，所述升压转换器用于向所述负载提供电压；所述升压转换器至少包括电感和开关焊点，所述电感包括相对的第一端和第二端，所述电感的所述第二端与所述开关焊点电连接，所述开关焊点集成在所述芯片上；所述升压转换器位于所述封闭区域内。
CN115731955A	磁盘装置以及控制方法实施方式提供能够防止微型致动器的元件劣化的磁盘装置以及控制方法。磁盘装置的控制部在通过微型致动器对磁头的位置进行调整时，在基于滞后对施加于微型致动器的电压值进行修正的第1电压值的绝对值与未基于所述滞后对施加于微型致动器的电压值进行修正的第2电压值的绝对值之差为正的情况下，向微型致动器施加基于第2电压值得到的第3电压值，并且，使音圈马达以及/或者施加第3电压值的微型致动器以外的微型致动器中的至少任一个动作来对由微型致动器实现的调整的不足量进行调整。
CN115731952A	磁再现处理装置、磁记录再现装置和磁再现方法本发明提供能提高记录再现密度的磁再现处理装置、磁记录再现装置和磁再现方法。根据实施方式，磁再现处理装置包括取得部和处理部。所述取得部能取得第1电信号和第2电信号，该第1电信号是由第1再现元件对记录于磁记录介质的第1记录区域的信息进行再现而得到的，第2电信号是由第2再现元件对记录于第1记录区域的所述信息进行再现而得到的。所述第1再现元件对记录于所述磁记录介质的磁信号的第1灵敏度与所述第2再现元件对所述磁信号的第2灵敏度不同。所述处理部能基于由所述取得部取得的所述第1电信号和所述第2电信号来输出与记录于所述第1记录区域的所述信息相对应的再现信号。
CN115731951A	磁盘装置及刷新阈值的设定方法提供能够提高性能及数据的可靠性的磁盘装置及刷新阈值的设定方法。本实施方式的磁盘装置具备：盘，具有第1磁道；头，具有加热器，对所述盘写数据，从所述盘读数据；及控制器，设定所述第1磁道的1周内的与向所述盘的写处理相关联的参数的变动，以使得在所述第1磁道的1周内抑制与写/读处理特性对应的评价指标的变动。
CN115731950A	磁盘装置本公开提供一种磁盘装置，即便在瓦记录方式下发生了模式跳变的情况下，也能够维持信号品质。磁盘装置具备：磁盘；磁头，具有写头、使用近场光元件对写头的数据的写进行辅助的热辅助部、及读头；监视部，对光输出进行监视；及控制部，对数据的读及基于瓦记录方式的数据的写进行控制。控制部，在对第1磁道进行数据的写的情况下，在写时由监视部监视的光输出与前1次由监视部监视的光输出的绝对差超过了预定值时，对写头的位置进行控制，向比第1磁道靠前1个的第2磁道再次写数据。
CN115731949A	一种音频处理方法、装置、电子设备及存储介质本公开实施例涉及一种音频处理方法、装置、电子设备及存储介质。本公开的至少一个实施例中，在用户触发预设指令开始学习时，首先获取环境音频数据，然后根据环境音频数据和噪音区间判断是否适合学习，若环境音频数据未处于噪音区间，则说明不合适学习，进而输出提示信息和/或调整环境噪音，以使调整环境噪音后的环境音频数据处于噪音区间，这样，可以降低噪音对用户学习效率的影响，提高用户的学习效率。
CN115731946A	语音情感识别方法、装置、设备及存储介质本发明实施例公开了一种语音情感识别方法、装置、设备及存储介质，以解决现有技术中对语音情感的识别准确性较低的问题。该方法包括：获取待识别的语音数据；提取语音数据对应的多模态情感特征数据(包括语音数据的语音情感特征数据、语音数据对应的文本数据的文本情感特征数据中的至少一项)；确定用于进行情感分类的支持向量机分类器的优化参数；优化参数为利用基于混沌扰动和/或柯西变异扰动的猫群算法对支持向量机分类器的初始模型参数进行优化后得到的模型参数；将多模态情感特征数据和优化参数输入支持向量机分类器，以得到语音数据对应的情感类别。该技术方案能够更加精确的识别出语音数据对应的情感类别，提高了语音情感识别的准确率。
CN115731945A	异常声音确定装置、异常声音确定方法以及异常声音确定程序本发明涉及异常声音确定装置、异常声音确定方法以及异常声音确定程序。使用人工智能精度良好地确定异常声音。一种异常声音确定装置，具有运算装置。所述运算装置执行如下步骤：确定由车辆录音的声音的频率‑时间数据；将所确定的所述频率‑时间数据输入到所述学习完毕模型，使所述学习完毕模型确定所述声音所包含的异常声音的种类，使所述学习完毕模型确定依据范围，该依据范围表示确定所述异常声音的种类所使用的频率范围和时间范围；在所确定的所述频率‑时间数据中指定表示频率范围和时间范围的指定范围；在包含所述依据范围和所述指定范围是否重叠作为判定要素的至少1个的判定处理中，判定是否使所述输出装置输出所述异常声音的种类。
CN115731939A	一种车载语音交互方法、装置及电子设备本发明实施例提供了一种车载语音交互方法、装置及电子设备，该方法包括：在接收到用户发出的语音交互指令的情况下，获取各个第一类型传感器采集到的第一声音信息的集合和第二类型传感器采集到的第二声音信息的集合；针对每个第一类型传感器所采集到的每个第一声音信息，若该第一声音信息被该第一类型传感器采集到的时间不早于被其他第一类型传感器采集到的时间，则将该第一类型传感器对应的第一声音信息的集合中的该第一声音信息删除；确定目标第一声音信息集合与第二声音信息的集合之间的声音信息交集；根据目标声音信息交集确定目标语音，并基于标识信息通过目标扬声器播放目标语音。该方法减小了用户与语音交互对象进行语音交互时的噪音干扰。
CN115731937A	信息处理方法、装置、电子设备及存储介质本发明公开了一种信息处理方法、装置、电子设备及存储介质。该方法包括：在基于目标接听设备接收到各发言用户的音频流时，将音频流发送至目标服务端；其中，各发言用户所对应的终端设备与目标接听设备相通信；基于目标服务端，确定与音频流相对应的发言用户标识，以及文本信息；将发言用户标识以及相应的文本信息对应显示至目标显示设备。本技术方案可以基于目标服务端对个多个发言用户的音频流进行区分，并转写为与各发言用户相对应的转化文本显示在目标显示设备上，解决了现有的语音转写技术对多个发言用户的音频不能区分的技术问题，实现了不仅可以区分各发言用户，还可以将各发言用户的音频信息转换为相应的文本以备使用的效果。
CN115731935A	一种基于人工智能的语音交互提示器本发明提出了一种基于人工智能的语音交互提示器，涉及语音交互提示器技术领域。一种基于人工智能的语音交互提示器，包括安装架和设于上述安装架的交互箱，上述交互箱内设有处理模块、语音接收模块和语音发出模块，还包括指示杆，上述交互箱内设有用于驱动上述指示杆转动的驱动组件，上述指示杆设于上述驱动组件；上述语音接收模块、上述语音发出模块与上述驱动组件均与上述处理模块电连接。采用本发明，其能够与游客或行人进行交互和互动，可以提示游客或行人的目的地方向，而且可以对相关的景点等地方进行宣传，提高宣传效果和游客或行人的使用体验。
CN115731932A	交互式飞行器机舱环境交互式飞行器机舱环境控制系统采用至少一个麦克风阵列，其设置在机舱内以捕获来自乘客的口头话语，并被配置为基于对口头话语的到达时间分析来提供对机舱内乘客位置的估计。飞行器上的数据源提供飞行上下文信息。这种数据源单独地或组合地包括飞行器上测量实时参数的传感器、飞行器的当前飞行计划。耦合到麦克风阵列的控制处理器被配置为基于口头话语来确定乘客身份。控制处理器被编程和配置为学习乘客偏好并将其与乘客身份相关联。控制处理器接收对乘客位置的估计，并被耦合以根据乘客位置、从乘客身份获得的乘客偏好和飞行上下文信息对形成机舱环境的一部分的至少一个设备提供监督控制。
CN115731930A	语音指令分析方法、终端、服务器及管理平台一种语音指令分析方法，应用于终端，所述方法包括:所述终端接收语音输入触发信号；根据所述语音输入触发信号，比对用户的历史语音操作纪录，为所述用户匹配一个推荐指令；当所述用户不接受所述推荐指令时，接收用户输入的语音数据并进行语音指令识别。本发明还提供实现语音指令分析方法的终端、服务器及管理平台。本发明可以实现语音识别协同语音指令分析。
CN115731928A	响应设备的确定方法和装置本发明公开一种响应设备的确定方法和装置。所述方法包括：在M个设备接收到同一语音控制信号时，如果M个设备中N个设备上语音控制信号的信噪比符合预设的判断条件，获取M个设备中每个设备与声源位置的距离值；根据M个设备中每个设备的距离值，确定所述M个设备的平均距离值；根据所述平均距离值，从所述N个设备中选择一个设备作为所述语音控制信号的唯一响应设备；其中，M与N均为大于或等于2的整数，且N等于或小于M。本发明提供的技术方案旨在解决现有技术中语音控制场景下设备的实际响应情况与需求不符的问题。
CN115731927A	语音唤醒的方法、装置、设备、存储介质及程序产品本申请实施例公开了一种语音唤醒的方法、装置、设备、存储介质及程序产品，属于语音识别技术领域。在本申请实施例中，通过骨导麦克采集骨导信号进行语音检测，能够保证低功耗。另外，考虑到由于语音检测的延迟可能会导致采集的气导信号丢头，从而未包含声源输入的命令词的完整信息，而骨导麦克采集的骨导信号包含声源输入的命令词信息，即骨导信号未丢头，因此本方案基于骨导信号进行唤醒词的检测。这样，唤醒词的识别准确率较高，语音唤醒的准确度较高。
CN115731924A	单通道时域鸟声分离方法、装置以及计算机可读存储介质本发明公开了一种单通道时域鸟声分离方法、装置以及计算机可读存储介质，方法包括：构建鸟声数据集，并对所述鸟声数据集进行数据划分，得到训练集和验证集；其中，所述鸟声数据集为单通道鸟声数据；构建鸟声分离网络，所述鸟声分离网络包括编码器、分离器和解码器；构建分离模型损失函数，并且配置优化器、学习率和学习率策略；根据所述分离模型损失函数、所述优化器、所述学习率和所述学习率策略，通过所述鸟声分离网络对所述训练集进行模型训练，得到鸟声分离模型；根据所述鸟声分离模型对混合鸟声数据进行分离处理，得到鸟声分离结果。本发明的运算量小、效率高且成本低，可广泛应用于人工智能技术领域。
CN115731920A	语音识别处理方法、装置及设备本发明提供一种语音识别处理方法、装置及设备。本发明方法包括：获取第一教师模型和第二教师模型中相同网络层之间的参数相似度，其中第一教师模型的训练数据为纯普通话数据，第二教师模型的训练数据为普通话数据和口音数据混合后的数据；在采用纯口音数据对学生模型进行训练的过程中，根据所述参数相似度，调整所述学生模型中相应网络层的总损失函数，得到完成训练后的学生模型，所述学生模型用于识别带口音的语音信息。本发明利用普通话数据和口音数据的声学特征上的差异，计算其在教师模型各中间网络层的参数相似度，利用该参数相似度指导学生模型损失函数的调整，从而达到动态指导学生模型训练的目的，进而提高带口音的语音识别准确率。
CN115731918A	音频检测方法、装置、计算机设备和存储介质本申请涉及一种音频检测方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：获取待检测音频中的多个音频片段，确定第一检测模型和第二检测模型；提取每个音频片段分别在多个不同音频维度下的子音频特征；通过第一检测模型，对由音频片段的至少一个子音频特征构成的第一特征集合进行音频检测处理，得到与音频片段对应的第一检测结果；通过第二检测模型，对由音频片段的至少一个子音频特征构成的第二特征集合进行音频检测处理，得到与音频片段对应的第二检测结果；根据各音频片段分别对应的第一检测结果和第二检测结果，确定与待检测音频对应的音频检测结果。采用本方法能够提升音频检测的检测效率。
CN115731917A	语音数据处理方法、模型训练方法、装置及存储介质本申请公开了一种语音数据处理方法、模型训练方法、装置及存储介质,通过融合了语音数据中的音素特征和视频图像数据中的视觉特征进行语音识别，视觉特征模态的融合丰富了用于进行语音识别的特征，能有效提高语音识别的准确性，另外，本申请不仅对每个视频帧和音频帧进行提取，而且对第一音素特征信息和第一视觉特征信息分别通过第一全连接层和第二全连接层进行特征分类后再融合拼接，使语音数据中的音素特征信息和视频数据中的视觉特征能够更加充分地融合，进一步提高了语音识别的准确性。本申请实施例提供的语音数据处理方法、模型训练方法、装置及存储介质可以应用于视频播放、直播、视像会议、云技术、人工智能、智慧交通、车联网等各种场景。
CN115731914A	降噪方法、装置、设备及计算机可读存储介质本发明公开了一种降噪方法、装置、设备及计算机可读存储介质，方法包括：获取降噪量递增参数、初始降噪量和降噪量上限；在开启主动降噪模式后，按照降噪量递增参数控制主动降噪的降噪量从初始降噪量随时间递增至降噪量上限。本发明实现了避免开启主动降噪功能的瞬时给用户带来不适的耳压感。
CN115731911A	放置架及计算机服务器本申请实施例提供了一种放置架及计算机服务器，涉及计算机设备领域，放置架包括：架体，具有侧壁、底壁以及由侧壁和底壁围成的容纳腔，容纳腔被构造为能够容纳主机；消音组件，包括位于容纳腔内的气囊，气囊设置在侧壁和/或底壁上，气囊被构造为能够被充入气体并膨胀发生形变，气囊具有气流通道，气流通道与主机的通风通道密封连通，以使气流通道与通风通道形成封闭的气体流动通道；以及进气管，与气囊连通。通过本申请实施例，解决了采用框架型支架支撑主机而产生噪音，对周围环境造成噪声污染的问题，进而达到了降噪消音的效果。
CN115731909A	一种KTV点歌方法、服务器及系统本发明涉及音乐服务技术领域，更具体的说，涉及一种KTV点歌方法及系统。本发明的KTV点歌方法，包括：步骤S1、通过KTV服务器申请虚拟KTV房间账号，并将虚拟KTV房间账号信息发送至移动终端；步骤S2、移动终端通过虚拟KTV房间账号信息登录进入虚拟KTV房间，在虚拟KTV房间内进行点歌，并将点歌信息发送至KTV服务器；步骤S3、KTV服务器，接收移动终端的点歌信息，将虚拟KTV房间内的所有移动终端的预约歌曲按照指定规则排序，形成预约歌曲清单，发送至K歌设备；步骤S4、K歌设备，按照预约歌曲清单显示并播放歌曲。本发明对线上预约K歌歌曲清单进行动态智能排序，提高歌单顺序的合理性，降低人工调整歌单的频率，从而提高用户的K歌体验。
CN115731907A	基于音频相关信号处理的乐谱数字处理方法本发明提供的基于音频相关信号处理的乐谱数字处理方法，利用各音高的本振频率信号与音频信号进行相关运算，获取相关峰随时间的变化曲线；根据相关峰的阈值条件判断是否存在某个特定音符；根据音频信号无差别强度均值判断乐曲强弱走势，根据相关峰出现跳变的时序位置确定音符时值，最终将音乐作品从音频转换为乐谱。本发明在一定正确率的前提下提供一种将音频快速转换为乐谱的方法，大幅压缩音乐作品的记谱时间，为音乐相关非物质文化遗产的高效保存提供重要的科技辅助手段。
CN115731904A	用于弦乐器的指板一种用于弦乐器的指板、乐器以及制造该指板的方法。一体式主体用作指板，并位于沿纵向延伸的多个张紧的弦的下方。一体式主体在纵向方向上延伸，包括横向于纵向方向延伸的多个脊，并且在纵向方向上连续地布置以限定单独的音档。每个脊与对应于多个弦的多个音符相关联，并且由对应于多个弦的多条脊段组成。多个脊段彼此相邻地设置，并且相对于彼此成形以校正多个音符的音调。该制造方法包括形成与一体式主体主体成整体结构的多个脊。
CN115731900A	屏幕亮度调节方法及装置、电子设备及存储介质本公开是关于一种屏幕亮度调节方法及装置、电子设备及存储介质，包括：通过所述光线传感器获取基于环境光数值得到的屏幕亮度目标值，其中，所述光线传感器设置于所述移动终端上并与所述移动终端通信，所述光线传感器用于检测环境光并获取屏幕漏光，并基于所述环境光和所述屏幕漏光得到所述环境光数值；基于所述屏幕亮度目标值调节所述移动终端的屏幕亮度。本申请通过纯硬件的计算就可以获取屏幕亮度目标值来改变移动终端的屏幕亮度，避免了光线传感器无法获取到屏幕刷新率变化时屏幕亮度的特征变化，摆脱了对屏幕的依赖，使移动设备屏幕亮度准确且稳定。
CN115731898A	显示装置的控制方法、控制电路和显示装置本申请公开了一种显示装置的控制方法、控制电路和显示装置，所述控制方法包括步骤：检测所述显示装置的时序控制芯片输出的极性翻转信号；判断所述极性翻转信号是否正常；若正常，则控制显示装置的显示屏显示；若不正常，则控制显示装置的显示屏不显示；其中，所述极性翻转信号由所述时序控制芯片生成并输出至显示装置的数据驱动芯片，以控制所述数据驱动芯片生成不同极性的数据信号，进而输入所述显示屏以控制显示。本申请通过检测极性翻转信号是否正常，以控制时序控制芯片生成对应的显示信号输入至显示屏，从而控制显示屏的显示，避免极性翻转信号不正常导致显示屏的液晶出现极化现象。
CN115731883A	一种动态自适应混合调光方法本发明涉及一种动态自适应混合调光方法，其包括低频PWM输出模块控制PWM调光模块的PWM占空比和高频PWM输出模块控制模拟调光模块的LED导通电流；当LED背光亮度小于设定的亮度比例阈值A时，低频PWM输出模块控制PWM调光模块的PWM占空比保持设定占空比值B，高频PWM输出模块控制模拟调光模块的LED导通电流进行线性递增，高频PWM输出模块控制的范围的步距小于或等于设定步距S；当LED背光亮度大于或等于设定的亮度比例阈值A时，高频PWM输出模块控制模拟调光模块的LED导通电流保持设定的电流百分比C，低频PWM输出模块控制PWM调光模块的PWM占空比从设定占空比值B开始进行线性递增，采用以上技术方案在原有硬件基础上，降低暗场景下的亮度和改善暗场景下的闪烁问题。
CN115731882A	屏幕亮度调节方法、装置、设备及存储介质本发明公开了一种屏幕亮度调节方法、装置、设备及存储介质，该方法包括：获取环境光线对应的当前光照标识；获取当前屏幕亮度下显示屏的背光电流所对应的占空比；根据当前光照标识和占空比确定目标背光电流，并根据目标背光电流调整显示屏的屏幕亮度。不同于现有的手动调节方法，本发明首先获取环境光线的当前光照标识，再获取当前显示屏的背光电流的占空比，最后基于当前光照标识和当前占空比确定新的背光电流，新的背光电流使显示屏的亮度对应调整为新的屏幕亮度，因此，本发明可使显示设备在环境光线变化时自动且及时地调节当前显示屏的屏幕亮度，从而提升了用户的使用体验，并避免了能源的浪费。
CN115731880A	具有双线寻址的局部调光控制公开了一种具有双线寻址的局部调光控制的图像显示装置。该装置包括显示面板、被划分为多个区的发光二极管(LED)背光源、以及控制单元。控制单元被配置为将调光数据耦合到LED背光源。LED背光源的多个区由基于调光数据的行使能信号和列驱动信号驱动。每个单独的列驱动信号传输共用亮度数据、第一残差亮度数据和第二残差亮度数据。第一行使能信号具有在帧周期内的第一使能脉冲，并且第二行使能信号具有在该帧周期内的第二使能脉冲。第一使能脉冲和第二使能脉冲至少部分重叠，以减小LED背光源的脉冲电流，从而提高LED背光源的寿命。
CN115731877A	像素电路的驱动方法、显示面板和显示装置本发明公开了一种像素电路的驱动方法、显示面板和显示装置。所述驱动方法包括：向所述像素电路提供发光控制信号，在每个显示帧中，所述发光控制信号包括至少两个不同占空比的脉冲；在至少两个显示帧中，所述发光控制信号中脉冲的排布顺序不同。本发明实施例可以改善低刷新频率状态下，全亮度显示范围内显示面板的闪烁问题。
CN115731875A	像素电路和具有像素电路的显示装置公开了像素电路和显示装置。像素电路包括发光元件、驱动晶体管、初始化晶体管、补偿晶体管和存储电容器，发光元件具有连接到供给第一电源电压的第一电源线的一端，驱动晶体管用于控制经由电连接到驱动晶体管的第一电极的发光元件流到第二电源电压的电流量，初始化晶体管连接在驱动晶体管的第二电极与供给初始化电压的初始化电源线之间，初始化晶体管具有连接到第一扫描线的栅电极，补偿晶体管连接在第一电源线与驱动晶体管的第一电极之间，补偿晶体管具有连接到第二扫描线的栅电极，存储电容器连接在驱动晶体管的栅电极与驱动晶体管的第二电极之间。
CN115731870A	一种像素驱动电路、发光控制方法及显示面板本发明提供了一种像素驱动电路、发光控制方法及显示面板，像素驱动电路包括：数据写入模块和驱动模块；数据写入模块用于在数据写入阶段将接收到的数据信号写入到驱动模块的第一端；驱动模块用于在第一初始化阶段，根据接收到的第一扫描信号重置驱动模块的电学特性，以及在发光阶段根据数据信号提供驱动电流给发光模块，以使发光模块发光；第一初始化阶段位于数据写入阶段之后，且位于发光阶段之前。如此，利用第一扫描信号在第一初始化阶段对驱动模块进行电学特性重置，可以使驱动模块在写入帧的电学特性与保持帧的电学特性更加接近，达到显示面板的写入帧和保持帧发光波形一致性更高的效果，从而有效改善显示面板的忽明忽暗问题。
CN115731869A	显示装置的驱动系统和方法、存储介质、图像显示设备本发明提供了显示装置的驱动系统和方法、存储介质、图像显示设备，其所提供的一种显示装置驱动系统，包括：第一模块和第二模块；所述第一模块包括：终端设备处理器接口单元、显示屏数据处理单元和第一高速接口端；所述第二模块包括：第二高速接口端、电源单元、时序控制单元和显示屏栅/源极驱动单元；所述第一高速接口端和所述第二高速接口端之间传输图像数据。本发明所提供的显示装置的驱动系统和方法、存储介质、图像显示设备，能够提升生产效率，优化设计成本，缩短产品上市时间，降低流片风险。
CN115731866A	OLED像素电路及其驱动方法以及显示面板和显示装置本发明公开了一种OLED像素电路及其驱动方法以及显示面板和显示装置，其中OLED像素电路包括：输入模块，用于将灰阶数据对应的数据电压传送到第一节点；补偿模块，用于对所述第一节点的电位进行补偿；驱动模块，所述驱动模块包括驱动晶体管，所述驱动晶体管控制端连接至所述第一节点，以及根据所述数据电压产生驱动电流；以及发光二极管，所述发光二极管与所述驱动晶体管相连接，以获得与所述数据电压相对应的有效亮度，其中，所述输入模块在发光周期的第一时间段和第二时间段分别向所述第一节点提供复位电压和灰阶电压。通过得到相应的驱动电压，能有效消除由于Vth不一致和IR drop带来的OLED显示亮度和画面不均的现象。
CN115731865A	阵列基板和显示面板本申请公开一种阵列基板，包括多条扫描线、多条数据线以及多个呈阵列排布设置的像素单元，像素单元包括初始预充模块、驱动模块、发光模块和初始化节点，对于第i行中的任一像素单元，初始预充模块在预充时段自第i‑a条扫描线接收扫描信号，并在扫描信号的控制下接收预充电压对初始化电压端进行预充电至预设电位，在数据写入时段，在第i条扫描线输出的扫描信号控制下将初始化电压传输至发光模块执行初始化。驱动模块在数据写入时段，在第i条扫描线输出的扫描信号的控制下接收数据信号以驱动发光模块发光并执行图像显示。通过对初始化电压端进行预充电可有效提升像素单元初始化速度。本申请还公开一种包括前述阵列基板的显示面板。
CN115731864A	一种显示面板的亮度补偿方法、装置及电子设备本申请实施例提供了一种显示面板的亮度补偿方法、装置及电子设备，方法包括：获取显示面板当前的设置亮度值作为目标亮度值；按照第一对应关系，确定目标亮度值对应的屏幕亮度补偿系数，得到目标屏幕亮度补偿系数，第一对应关系为显示面板的设置亮度值与屏幕亮度补偿系数的对应关系；根据目标亮度值，确定显示面板中每一显示区域的第一区域亮度补偿系数及第二区域亮度补偿系数；针对每一个显示区域，根据该显示区域的第一区域亮度补偿系数、第二区域亮度补偿系数及目标屏幕亮度补偿系数，确定该显示区域的目标区域亮度补偿系数；根据该显示区域的目标区域亮度补偿系数，对该显示区域的亮度进行补偿。可以改善显示面板在不同亮度下的亮度均一性。
CN115731861A	一种屏幕颜色调整方法、装置及终端本申请涉及显示器技术领域，具体涉及一种屏幕颜色调整方法、装置及终端，方法包括：获取所述屏幕中位于预设位置坐标的多个取值像素点的原色值；根据所述原色值确定更新色值；将所述更新色值应用于所述屏幕；使所述屏幕进入静息状态；当所述静息状态的持续时间达到预设的静息时长阈值后，根据所述更新色值对所述屏幕中全部像素点的色值进行浮动变化。本申请的屏幕颜色调整方法、装置及终端，根据动态取色逻辑获取新的屏幕色值，并将该色值运用到界面设计的背景中去，静息状态的持续时间达到预设的静息时长阈值后自动进行像素点色值的相应浮动，可降低OLED的烧屏概率。
CN115731860A	显示面板的Mura补偿方法、装置、设备及存储介质本申请公开了一种显示面板的Mura补偿方法、装置、设备及存储介质。方法包括：通过第一颜色子像素显示多个绑点灰阶分别对应的图像画面时，获取各个第一颜色子像素在第一灰阶区间内的多个第一绑点灰阶下的第一亮度；根据第一亮度，计算得到各个第一颜色子像素分别对应的第一Gamma值以及第一颜色子像素在各个第一绑点灰阶下分别对应的目标亮度；根据第一亮度、目标亮度以及第一Gamma值，计算得到各个第一颜色子像素在各个第一绑点灰阶下分别对应的补偿灰阶。根据本申请实施例，能够得到部分灰阶区间内子像素的补偿灰阶，提升该区间内的Mura补偿效果和显示面板的显示均一性。
CN115731854A	驱动基板、显示面板、其制作方法及显示装置本申请实施例提供了一种驱动基板、显示面板、其制作方法及显示装置。该驱动基板通过将用于与微型发光二极管电连接的电极结构进行双层设置，且第一电极层和第二电极层之间设置台阶层，其中，第一电极层包括梳齿部交错排布的第一梳状电极和第二梳状电极，第二电极层包括梳齿部交错排布的第三梳状电极和第四梳状电极，第三梳状电极与第一梳状电极电连接，第四梳状电极与第二梳状电极电连接，能够将微型发光二极管限定在电极结构范围内，这有利于提升微型发光二极管的两极与电极结构的接触概率，而且双层交错的梳状电极有利于提升微型发光二极管与电极结构正确连接的概率，从而有效提升了微型发光二极管的点亮概率。
CN115731846A	发光二极管显示面板及其驱动系统、显示装置本申请涉及一种发光二极管显示面板及其驱动系统、显示装置，发光二极管显示面板包括多个相互独立进行驱动的发光二极管显示模组，且各个发光二极管显示模组之间的信号通过模组之间的第二励磁线圈以及第三励磁线圈的耦合实现，从而适配多个发光二极管显示模组独立驱动的发光二极管显示面板结构。使得发光二极管显示模组之间能够紧密贴合、无缝拼接，在由于灯珠故障需要进行更换时，只需将相应发光二极管显示模组替换即可。且上述方案，板间采用低压差分信号的形式进行数据传输，在基板上实现了更少的线束下更大的带宽，以极低的成本解决了COB数据带载量大而导致的输出传输成本高的问题。
CN115731845A	一种显示面板本申请涉及显示控制技术领域，公开了一种显示面板，包括：显示区域，上述显示区域包括阵列排布的像素单元和沿第一方向延伸的多条栅线，其中的每一行像素单元与至少两条栅线的信号输入端电连接，分别位于显示区域两侧的第一栅极驱动电路和第二栅极驱动电路，并且，同一行像素单元电连接的至少两条栅线的信号输入端位于显示区域的同一侧，这样，由同一侧的至少两条栅线的信号输入端来为同一行像素单元中的R、G和B三个颜色通道的开关进行供电，从而能够保证各个像素单元供电均衡，进而减少因电压差不一致而出现的左青右红、竖纹不良等情况。
CN115731843A	显示面板的驱动系统、驱动方法及显示装置本申请实施例提供了显示面板的驱动系统、驱动方法及显示装置，显示面板的驱动系统包括：主控制器，其被配置为获取待要显示的当前帧的显示数据以及计算当前帧的显示数据与上一帧的显示数据之间的第一差值；数据转换接口，与主控制器电连接；补偿数据查询模块，与数据转换接口电连接，被配置为接收通过数据转换接口转换后的第一差值和转换后的当前帧的显示数据，并根据转换后的第一差值和转换后的当前帧的显示数据，确定当前帧的补偿数据；补偿计算模块，被配置为根据当前帧的补偿数据和转换后的当前帧的显示数据，计算多个子像素对应的数据电压，并向显示面板输出多个子像素对应的数据电压。本申请实施例能够降低显示面板的驱动系统的生产成本。
CN115731842A	像素电路及其驱动方法、显示面板本发明公开了一种像素电路及其驱动方法、显示面板。像素电路包括电流控制模块、时间控制模块和中间模块。定义所述电流控制模块的控制端为第一节点；定义所述时间控制模块的输出端为第二节点；所述时间控制模块用于控制所述第二节点的电位在发光阶段为斜坡信号；所述中间模块用于在所述发光阶段响应所述第二节点的斜坡信号控制所述第一节点的电位在预设时间后变为参考电压信号，以控制所述电流控制模块断开。本发明实施例可以减少行像素电路的驱动时间，利于实现显示面板的高频显示和高像素密度。
CN115731840A	像素电路、显示面板及像素电路的驱动方法本发明公开了一种像素电路、显示面板及像素电路的驱动方法，其中像素电路的比较模块包括快速比较单元和复位单元；复位单元用于在复位阶段将第一电压直接或间接的写入到快速比较单元的第一控制端和第二控制端；以及用于在比较阶段将第二电压写入到快速比较单元的第一电压输入端；快速比较单元用于在比较阶段将第一比较输入端输入的数据电压和第二比较输入端输入的斜坡电压的比较结果输出至快速比较单元的输出端。驱动模块用于根据快速比较单元的输出端传输至驱动模块的控制端的电压控制发光模块在控制发光阶段是否发光。本发明实施例减少了扫描次数、降低了扫描功耗，保证时间比率灰度调节下高分辨率面板的实现。
CN115731839A	显示驱动电路及显示装置本发明公开了一种显示驱动电路及显示装置。显示驱动电路包括：第一扫描驱动电路，包括：级联设置的多个第一移位寄存器和至少一个第一级联控制模块。第一移位寄存器包括第一寄存器输入端和第一寄存器输出端；第一级联控制模块包括第一级联控制单元和信号传送单元；第一级联控制单元用于控制本级第一寄存器输出端与下级第一寄存器输入端之间的连接状态；信号传送单元的输出端与下级第一寄存器输入端电连接；信号传送单元用于响应于传送控制信号，向下级第一寄存器输入端传输启动控制信号。本发明实施例可以使显示面板具备分区多频显示功能，实现一个屏幕内分区域多种频率的随时切换。
CN115731837A	一种像素驱动电路、显示装置及像素驱动电路的驱动方法本发明实施例提供了一种像素驱动电路，解决了超声探测阵列的保持能力低的问题。该像素驱动电路包括：像素驱动模块，包括第二晶体管和第三晶体管，所述第二晶体管的漏极与所述第三晶体管的源极连接，所述第二晶体管的栅极接收第三数据信号电压，所述第三晶体管的栅极接收第二数据信号电压，所述第三晶体管的漏极接收第一数据信号电压；引流疏导模块，配置为给第三晶体管的漏电流提供流通途径，所述引流疏导模块与第二晶体管的漏极和第三晶体管的源极连接，所述引流疏导模块接收第六数据信号电压信号以控制所述引流疏导模块的关闭或导通。
CN115731835A	一种新型显示屏的驱动方法本发明提供了一种新型显示屏的驱动方法，包括有如下步骤：S1、预设不同刷新率及其对应的驱动讯号时序；S2、驱动讯号时序存在程序存储芯片中；S3、终端平台设定设备使用情境以及刷新率；S4、终端平台持续监控输出至显示屏的数据，判断终端设备的使用情境与当前的显示屏刷新率是否匹配，若是，则不做变动，否则，根据终端设备使用情境选择对应的刷新率进行变更；S5、终端平台下达切换刷新率指令给面板驱动芯片；S6、面板驱动芯片调用对应的驱动讯号时序；S7、更新显示屏刷新率及其对应的驱动讯号时序。根据显示屏不同使用情境下的刷新率，调用相应的驱动讯号时序，使显示屏在每个刷新率下，都匹配最佳时序，优化产品视效，延长产品使用寿命。
CN115731833A	显示装置、无感测补偿系统及对数据压缩和应用的方法公开了显示装置、无感测补偿系统及对数据压缩和应用的方法。用于对无感测补偿系统的数据进行压缩和应用的方法可以被提供用于具有子像素的显示装置。由于系统可以实时更新根据显示驱动数据信号累积的子像素的累积应力数据并执行补偿，所以可以在不感测子像素的情况下执行对子像素的劣化的实时补偿。此外，当有损压缩累积应力数据时，由于系统可以根据经受有损压缩的数据与损失参考值的比较结果来提供用于恢复的比特大小信息，所以可以减小有损压缩数据的损失率。
CN115731831A	显示装置一种显示装置包括设置在显示区域中用于显示图像的子像素。每个子像素包括：发光元件；驱动晶体管，用于驱动发光元件；以及晶体管，其中可以通过经由栅极线提供的栅极信号控制该晶体管的导通和截止。子像素包括设置在显示区域中的特定区域中的子像素，并且这种子像素可以包括通过驱动晶体管的栅极节点或连接到驱动晶体管的栅极节点的连接图案与栅极线重叠形成的补偿电容器。在向驱动晶体管的栅极节点施加数据电压或由数据电压的变化产生的电压的时刻，通过栅极线提供的栅极信号的电压电平变为低电压电平。
CN115731828A	显示校正方法、装置、非易失性存储介质及处理器本发明公开了一种显示校正方法、装置、非易失性存储介质及处理器，显示校正方法包括：获取参考显示设备在多个显示灰阶下对应的多组第一显示参数，各组第一显示参数均包括第一色坐标以及第一亮度值；获取第一对应关系信息、第二对应关系信息以及第三对应关系信息；至少根据多组第一显示参数，确定XYZ颜色空间下的RGB三原色的多组目标显示参数；根据多组目标显示参数、第一对应关系信息、第二对应关系信息以及第三对应关系信息，确定待调试显示设备的Gamma RGB数据。本发明的显示校正方法解决了现有技术中参照参考显示设备对待调试显示设备进行Gamma调节时调节不准确的问题。
CN115731820A	照明投影组件及迎宾灯本发明公开了一种照明投影组件及迎宾灯，上述照明投影组件，包括照明组件、成像组件以及外壳；成像组件和照明组件由物侧至像侧依次安装于外壳内；成像组件沿着像侧至物侧依序包括：具有正光焦度的第一透镜；具有负光焦度的第二透镜；具有光焦度的第三透镜；成像组件满足以下条件式：0.049<(tanSemi‑Fov×ImgH)/f<0.174。通过约束(tanSemi‑Fov×ImgH)/f的范围，使照明投影组件不仅具有较大的图案投影范围，还将成像组件的焦距控制在合适的范围内，有利于控制成像组件的长度，从而控制照明投影组件的整体长度，使照明投影组件的长度较短，有利于照明投影组件的小型化。
CN115731818A	一种建筑工地安全警示牌本发明适用于建筑工程技术领域，提供了一种建筑工地安全警示牌，包括：展示布，展示布的一端收卷绕接在所述第一收卷辊筒上，另一端收卷绕接在所述第二收卷辊筒上；还设置有与所述第一收卷辊筒联动的调节机构，调节机构用于调整第一收卷辊筒的旋转角度；还设置有与所述第二收卷辊筒联动的弹性拉伸件，所述弹性拉伸件用于对所述第二收卷辊筒的旋转进行弹性支撑，以使绕接在第一收卷辊筒、第二收卷辊筒上的展示布保持张紧状态，以便于展示布对用于警示的文字信息进行展示。本发明提供的安全警示牌通过收卷的展示布进行警示信息的展示，可以通过调节机构带动收卷辊筒的旋转，以使得展示布上的不同警示信息进行展示，展示效果好。
CN115731815A	一种显示面板及显示装置本申请公开了一种显示面板及显示装置；显示面板包括显示部、绑定部、扇出部，绑定部包括至少两个第一绑定部，第一绑定部包括多个第一端子和多个第二端子，多个第一端子设置于多个第二端子的两侧，扇出部包括至少两个扇出子部，扇出子部包括多条扇出走线，多条扇出走线的第一端与第二端子电连接，多条扇出走线的第二端与显示部连接，多条扇出走线关于第一中线呈对称设置；本申请通过将扇出子部内的多条扇出走线关于第一中线对称设置，使扇出走线在第一中线的方向上占用的空间缩小，同时将第一绑定部的第一端子设置于第二端子两侧，使第二端子能够与扇出子部内的扇出走线对应连接，从而缩小扇出走线在第一中线方向上的尺寸，实现窄边框。
CN115731814A	LED光源类型转换结构及LED显示屏本发明适用于LED显示技术领域，提供了一种LED光源类型转换结构，用于将LED像素从点光源转换为面光源，所述LED光源类型转换结构包括：实心型导光组件，包括一用于罩设在LED像素上的实心导光体，所述实心导光体用于将LED像素所发出的光束进行扩束；散射组件，用于将从所述实心导光体扩束后的光束进行散射；外界光抑制组件，用于吸收入射的外界环境光线，以降低所述LED光源类型转换结构对外界环境光线的反射率。当外界环境光线从外部入射至本发明所提供的LED光源类型转换结构的表面时，大部分将被外界光抑制组件吸收，可降低LED显示屏表面反射率过高的问题，有效提高LED画面的帧内对比度。
CN115731813A	显示装置和显示设备公开了一种显示装置和显示设备。显示装置包括：盖构件；设置在盖构件的后表面上的显示面板；设置在显示面板的后表面上的缓冲板，其中缓冲板具有设置在其边缘部分中的至少一个孔；以及设置为将盖构件和缓冲板彼此电连接的抗静电层。因而，可增大抗静电层与显示面板之间的接触区域，从而减少在显示面板的末端的更亮现象和泛绿现象。
CN115731812A	发光二极管显示面板及显示装置本申请涉及一种发光二极管显示面板及显示装置，显示面板包括多个独立进行驱动的发光二极管显示模组，每一发光二极管显示模组均通过独立的驱动芯片连接至其灯珠阵列，且驱动芯片的带载能力与灯珠阵列中灯珠数量相匹配。上述方案出现死灯时直接将相应位置的发光二极管显示模组进行更换，不需要融化表面密封层，也不需要破坏外部胶层，其维护方式较为简单。采用多个独立驱动的发光二极管显示模组的设置，在降低LED显示屏中每一模块尺寸的同时，减小了每一模块上的灯珠数量，进而可提高LED显示屏的良品率。采用该方案可将模块尺寸减小，单个模块内部组件更为简单，小模块本身在灯珠故障的维修上能够节省大量的时间，从而最大程度的提高产能。
CN115731811A	灯板组件和显示设备本公开是关于一种灯板组件和显示设备。本公开提供的灯板组件，包括：基板；一个以上发光元件，用于发射光线，发光元件设置于基板；一个以上透光件，透光件覆盖发光元件，透光件包括位于发光元件前方的部分透光面和位于发光元件侧方的全透光面；其中，部分透光面包括相对于发光元件倾斜的第一倾斜面和第二倾斜面，第一倾斜面和第二倾斜面的倾斜方向不同，发光元件发射到部分透光面的光线的一部分进行反射，另一部分进行透射，被反射的光线通过全透光面射出。本公开的设置可以使得整个灯板组件的发光更加地均匀。
CN115731809A	一种显示面板的制作方法、显示面板及显示模组本发明提供一种显示面板制作方法、显示面板及显示模组，在显示背板上设置多颗发光芯片；同时在显示背板上设置分别将各发光芯片覆盖的封装胶单元，各封装胶单元之间相互分离；对各封装胶单元进行二次加工，使得各封装胶单元形成为透镜。本发明的显示面板通过在显示背板上设置分别将各发光芯片覆盖的封装胶单元，且各封装胶单元之间是相互分离的，然后通过对封装胶单元进行二次加工，使其形成为透镜，从而将发光芯片发出的光更好的扩散出来，解决了因维修不便导致的资源浪费和成本增加的问题，以及因发光芯片数量减少和间距加大导致的颗粒光斑的问题，实现了局部可维修和独立散光，提升了信赖性、维修可操作性及显示效果，降低了维修成本。
CN115731808A	拼接显示器及其制造方法一种拼接显示器的制造方法包括：在多个显示器的其中相邻两者之间设置挡墙，其中显示器的每一者包含保护层，且显示器的其中相邻两者之间具有间隙，挡墙以及显示器围绕间隙；以及在间隙中填入黏胶，使得保护层的其中一者的折射率相近于黏胶的折射率。显示器的保护层的折射率相近于黏胶的折射率，可改善光线产生亮纹现象的情况。观测人员可从各个角度观看拼接显示器。可增加观测人员的观测视角并改善拼接显示器的光学表现。
CN115731804A	显示装置及其卷曲方法本申请实施例公开了一种显示装置及其卷曲方法；该显示装置包括、显示面板、用于卷曲显示面板的卷轴回收部、第一支撑板、与第一支撑板相对设置的第二支撑板、高度调节部，高度调节部用于使第一支撑板沿垂直于第二支撑板的方向位移；本申请通过在第一支撑板与第二支撑板之间设置高度调节部，根据卷曲于卷轴回收部上的显示面板与设置于卷轴回收部外的显示面板的对应表面的高度差，利用高度调节部使第一支撑板沿垂直于第二支撑板的方向位移，以使高度差减小，从而降低卷曲于卷轴回收部上的显示面板与设置于卷轴回收部外的显示面板交界处、及卷曲于卷轴回收部上的显示面板的应力，减少显示面板卷曲回收或释放时膜层分离的风险。
CN115731803A	柔性显示面板及显示装置本申请提供一种柔性显示面板及显示装置，包括柔性屏体具有相背的显示面、背面，第一非弯折部及与它连接的第一弯折部和第二弯折部、与第一弯折部连接的第二非弯折部、与第二弯折部连接的第三非弯折部；支撑件设置于柔性屏体的背面，且具有靠近柔性屏体的第一面和与第一面相背的第二面，支撑件包括第一支撑件、第二支撑件、第三支撑件、第四支撑件、第五支撑件；第二支撑件和第三支撑件可相对第一支撑件彼此朝向相反方向弯折；第二支撑件对应于第一弯折部靠近第一非弯折部起始弯折处的位置设置第一开口，和/或第二支撑件与第一开口相异位置的至少部分的厚度小于第一支撑件的厚度。该显示面板能改善弯折过程应力集中的问题，降低反拱失效的概率。
CN115731798A	可折叠显示装置及其制备方法、电子设备本申请公开了一种可折叠显示装置及其制备方法、电子设备。可折叠显示装置包括：屏体和支撑结构，屏体包括两个非弯折区和位于相邻非弯折区之间的弯折区，展平状态下，相邻非弯折区位于弯折区在第一方向上的两侧；支撑结构包括两组支撑组件，两组支撑组件分别位于弯折区的弯折轴线的两侧，每组支撑组件包括间隔设置的第一支撑部与第二支撑部；支撑结构根据既定的经验公式设计得到，经验公式包括第一特征参数与第二特征参数，第一特征参数包括展平状态下的第一支撑部与第二支撑部的间距和/或折叠状态下的第二支撑部相对第一支撑部的偏转角度；第二特征参数根据屏体的形态设计需求确定。根据本申请实施例，有利于提高可折叠显示装置的可靠性。
CN115731796A	显示模组及显示装置本申请涉及一种显示模组及显示装置。显示模组包括：柔性屏，柔性屏包括第一显示部和第二显示部；第一支撑构件，第一显示部设置于第一支撑构件；第二支撑构件，第二显示部设置于第二支撑构件，第一支撑构件与第二支撑构件铰接；以及滑卷轴，至少部分第二显示部绕设于滑卷轴；其中，第二显示部具有展开状态和收起状态，滑卷轴配置为能够相对于第一支撑构件和第二支撑构件的铰接处沿第一方向运动，以使第二显示部在展开状态和收起状态之间进行切换。本申请中柔性屏的展开及收纳方式是折叠与滑卷的组合方式。本申请实施例中的显示模组，不仅可以显著地改变柔性屏的平面尺寸，而且具有相对较薄的厚度。
CN115731789A	电子设备电子设备包括：显示面板，包括第一区域、弯曲区域和第二区域，在第一区域中具有像素，弯曲区域相对于虚拟轴弯曲，弯曲区域在第一区域和第二区域之间，其中，第一区域和第二区域配置为在弯曲配置中彼此面对；下板，在显示面板下方；柔性电路板，连接到第二区域，并且包括绝缘层、接地信号线和接地图案，在绝缘层的至少一部分中具有开口部分，接地图案通过开口部分从绝缘层暴露，并且连接到接地信号线；树脂层，在柔性电路板的第一表面上，并且覆盖开口部分，树脂层具有平坦表面；以及粘合层，将树脂层的平坦表面结合到下板。
CN115731788A	显示装置本申请涉及显示装置。显示装置包括显示面板。覆盖窗覆盖显示面板。第一膜布置在覆盖窗之上。第一膜具有由于外部冲击而导致的小于参考频率的频率下的储能模量的第一变化率和由于外部冲击而导致的大于参考频率的频率下的储能模量的第二变化率。
CN115731780A	盖板单元及其制备方法、柔性盖板、柔性显示模组本申请公开了盖板单元及其制备方法、柔性盖板、柔性显示模组，属于显示技术领域。该盖板单元用于柔性盖板，盖板单元包括：第一缓冲膜层、第一刚性层和第二刚性层，第一刚性层和第二刚性层分别与第一缓冲膜层相对的两个表面连接；第一缓冲膜层由缓冲膜材料通过光固化方式或者热固化方式进行固化成膜而得到。第一缓冲膜层与第一刚性层和第二刚性层之间具有良好的界面粘接强度，有效阻止第一缓冲膜层伸长或者压缩，利于后续的贴合加工。第一缓冲膜层利于提高盖板单元的抗冲击性，有效吸收并缓冲冲击能量的应力波，使得应力波的波长和振幅降低，第一缓冲膜层能够实现对刚性层的有效防护性。
CN115731776A	电子装置一种电子装置，其包括：显示面板；第一电路板，电连接到显示面板；第二电路板，电连接到显示面板并且在第一方向上与第一电路板隔开；以及壳体，包括容纳显示面板、第一电路板和第二电路板的内部空间，壳体还包括第一开口部和第二开口部，第一开口部暴露内部空间并且相比于到第二电路板更靠近第一电路板，第二开口部暴露内部空间、与第一开口部间隔开并且设置在第一电路板与第二电路板之间，且在壳体的第一开口部和壳体的第二开口部中分别包括穿透壳体的第一孔和第二孔。
CN115731774A	一种可降低风荷载并液压自复位的交通标志板结构本发明公开一种可降低风荷载并液压自复位的交通标志板结构，包括标志板，所述标志板由板A和板B组成，并且板A和板B之间通过转动组件实现转动连接，所述板B的底部通过支撑架固定于地面，并且板A和板B之间还设置有支撑组件，所述支撑组件包括四个缸筒，四个所述缸筒分别固定于板A正反两面两侧的上部，所述缸筒的内部设置有活塞，所述活塞的一侧固定有活塞杆，所述活塞杆的顶端贯穿且延伸至缸筒的外部，所述活塞杆的顶端与板B相固定，本发明使用可弯折的标志板结构，当风压达到一定程度，标志板可受力后弯折，受力面积减小，不需要粗大的支撑结构，节省支撑结构的材料，低碳环保，且无风压时能够自动复位。
CN115731764A	一种驾驶模拟器AI车辆的方法及系统本发明涉及模拟驾驶技术领域，具体地说，涉及一种驾驶模拟器AI车辆的方法及系统。其包括路况收录单元、AI模拟单元、驾驶测试单元、碰撞反馈单元和驾驶评价单元。本发明相比于常见的AI车辆系统来说，操作者可以在同一个车祸场景中选择不同位置车辆进行测试，以此来锻炼自己的驾驶技术，并且AI模拟模块对各个车辆进行AI模拟，其他车辆会以贴近现实的反应移动，使测试更加贴近现实，同时在测试的过程中，如果发生碰撞，会根据碰撞的情况进行反馈，让操作者切身体会车祸时的感觉，加深印象，并且在测试结束后对本次测试进行评价，便于后期针对操作者的错误操作进行更改，避免车祸发生。
CN115731760A	一种可调电路故障考核方法、系统及装置本发明提出了一种可调电路故障考核方法，包括考核系统，考核系统上设有测试模块和故障设置模块，首先，在测试模块上预设测试电路中的电气控制元器件，在故障设置模块上设置与测试电路中电气控制元器件相对应的电气电路图；其次，在故障设置模块上，安装多个与前述中的电气电路图相对应的测试节点；然后，考核者通过测试节点设置故障电路；最后，考生实操解答前述中的故障电路，通过将测试电路和故障设置电路一起布局，使得布线简单；以及在设置故障电路的时候可对应测试模块的位置，清晰、快速的设置故障点，提高设置故障和恢复故障点的效率，能够有效降低电路故障考核设置成本。
CN115731759A	一种网络化立体实验装置库及其使用方法本发明提供一种网络化立体实验装置库及其使用方法，包括服务器、多层网络通信设备以及多台实验设备箱，多层网络通信包括多台交换机和多台路由器，多台交换机均和服务器相连，多台交换机通过级联的方式部署，每一交换机和多台路由器相连，多台路由器通过级联的方式部署，每台实验设备箱中包括多个实验器材，多个实验器材均与一台路由器相连，每台实验设备箱分配独立的IP地址，多台实验设备箱经过TCP/IP和UDP协议相互通信，实验人员通过电脑能够远程连接服务器，进而实现单一实验设备箱的控制和多台实验设备箱的协同控制，本发明支持多人同时在线实验，实现大规模的网络在线实验，满足大量相关专业学生的实验需求。
CN115731747A	一种低空多无人机概率型冲突探测方法及存储介质本发明公开了一种低空多无人机概率型冲突探测方法及存储介质，本发明采用神经网络精确预测无人机航迹，并考虑预测不可避免的误差构建碰撞坐标系，在碰撞坐标系内计算碰撞概率，从而实现低空多无人机复杂环境下的冲突探测，为制定及时的冲突解脱策略奠定基础。
CN115731746A	全球空域环境数据融合模型及方法本发明涉及一种全球空域环境数据融合模型及方法，属于航空及空中交通管理领域技术领域，所述模型包括基础共用层、业务属性层和接口交换层，基础共用层用于提供多个遵循标准，并根据遵循标准分别统一时间基准、统一地理空间绘制和统一数据规范；业务属性层用于提供包括多项信息的全球空域环境数据；接口交换层用于对业务属性层提供的全球空域环境数据进行转换以及封装，并对数据库服务器外部接口和内部接口规范进行定义。本申请提供的模型及方法可实现相对独立的各类数据间的关联、整编、融合，切实解决现有信息重复甚至信息不统一等问题，还能够提供标准化数据交换接口，为使用者提供易传输、通用的数据交换标准，解决了数据无法转换的问题。
CN115731745A	通信设备、通信系统和用于通信的方法本发明提供了一种安装在交通工具中的空中通信设备，其中，该空中通信设备被配置为经由数据链路协议从安装在该交通工具外部的地面通信设备接收导航信息。本发明进一步提供一种地面通信设备、一种通信系统和一种用于通信的方法。
CN115731744A	一种基于数据融合轨迹预测的船舶避碰决策方法本发明公开了一种基于数据融合轨迹预测的船舶避碰决策方法，包括以下步骤：S1、采集并融合多个传感器的数据得到所述船舶的导航数据；S2、根据所述步骤S1中的导航数据构建自适应神经网络并确定运动参数预测值；S3、根据所述步骤S2中的运动参数预测值构建船舶间的运动几何关系；S4、对所述步骤S3中得到运动几何关系，设定碰撞危险的度量与目标函数，建立避碰角决策模型；S5、将所述步骤S2中的运动参数预测值作为已知量，输入限制条件和所述步骤S4中的目标函数，通过多目标优化算法对避碰角决策模型进行求解。提高了预测的可靠性和准确性。满足不同会遇局面下船舶转向避碰的安全性和经济型要求，大幅度降低了误检率，保证了正确率。
CN115731743A	用于运行联网车辆的方法、驾驶辅助系统和车辆本发明涉及一种用于运行联网的本车辆的方法，该联网的本车辆与至少一个基础设施部件和/或至少一个另外的联网车辆交换行驶信息和/或规划。除了为联网的本车辆确定的行驶信息和/或规划，尤其是机动动作、轨迹或行驶走廊以外，至少一个基础设施部件和/或至少一个另外的联网车辆也将行驶信息和/或规划传送给车辆的全体和/或基础设施部件。这些行驶状况和/或规划包含对被观察车辆的预期行驶行为的预测，行驶信息和/或规划被传输给车辆的全体。联网的本车辆接收根据方法步骤a)传输的行驶信息和/或规划并且使用这些行驶信息和/或规划，以便改进机动动作协调的稳健性和安全性。本发明还涉及一种驾驶辅助系统以及车辆。
CN115731741A	辅助驾驶方法及系统、存储介质、终端及装置本发明提供一种辅助驾驶方法及系统、存储介质、终端及装置，所述辅助驾驶方法包括以下步骤：建立本车与邻车的通信连接；在所述本车与所述邻车之间共享两者的三维尺寸信息、实时定位信息和行驶角度信息；基于所述本车和所述邻车的三维尺寸信息、实时定位信息和行驶角度信息计算所述本车与所述邻车之间的相对距离，以辅助所述本车的驾驶。本发明的辅助驾驶方法及系统、存储介质、终端及装置能够准确进行车辆间相对位置的判断，并及时进行预警，极具实用性。
CN115731737A	停车场寻车的方法、装置、存储介质及电子设备本发明提供了一种停车场寻车的方法、装置、可读存储介质及电子设备，该方法包括：基于车位查询请求携带的查询设备标识，确定车主的查询位置；基于车位查询请求携带的查询车主标识和已建立的车主标识信息与车位间的关联关系，确定所述查询车主标识对应的目标车位；基于所述查询位置和所述目标车位，确定寻车路线对应的目标指示灯，控制所述目标指示灯的开启。本发明提供的技术方案利用查询设备和车主标识确定出目标车位，并利用目标指示灯指示用户到达目标车位，即使在网络信号较差的停车场也可以使得用户快速准确的找到目标车位，为用户提供便利。
CN115731733A	驾驶辅助装置本发明提供一种驾驶辅助装置(100)，具备：取得信号机信息和本车辆的位置信息的信息取得部(21)；基于信号机信息和位置信息导出向驾驶员推荐的推荐驾驶的导出部(22)；控制报知部向驾驶员报知推荐驾驶的信息的报知控制部(23)；在报知了推荐驾驶的信息之后，判定驾驶员是否按照推荐驾驶的信息进行着驾驶操作的判定部(24)。报知控制部(23)当判定为驾驶员进行着按照推荐驾驶的信息的驾驶操作时，控制报知部在显示部(10)显示信号机信息中所包含的直到信号机切换为止的剩余时间的信息。
CN115731732A	路况分享方法、系统、介质及装置本发明提供一种路况分享方法、系统、介质及装置，所述方法包括以下步骤：接收车辆发送的第一路况信息和第一路况照片信息；识别所述第一路况照片信息获得第二路况信息；判断所述第一路况信息是否属于所述第二路况信息，当属于时，基于所述第一路况照片信息获得位置信息，基于所述位置信息在地图的对应地点做标记。本发明的一种路况分享方法、系统、介质及装置，用于准确、快速、及时获取实时路况，并进行分享。
CN115731731A	路况信息获取方法、车载终端及存储介质本申请公开了一种路况信息获取方法、终端及存储介质。路况信息获取方法包括：获取第一联网摄像头拍摄的实时图像；检测第一联网摄像头拍摄的实时图像中是否包含第二车辆；确定第一联网摄像头拍摄的实时图像中包含第二车辆，则与第二车辆建立通信连接；第二车辆包括第二联网摄像头；获取第二联网摄像头拍摄的实时图像并显示。本申请通过获取其他车辆拍摄的图像，来获取当前的路况信息，例如得知道路拥堵的原因及处于拥堵路段的车流状况，从而提高用户出行体验。
CN115731730A	基于频分复用的公交车后置计时器系统、设备及存储介质本发明提供基于频分复用的公交车后置计时器系统、设备及存储介质，涉及电学信号处理领域。该基于频分复用的公交车后置计时器系统，包括红绿灯发射数据模块，用于对红绿灯的状态信号和倒计时信号进行处理，并传递到无线通信电路模块；无线收发模块，用于与发射端的核心控制芯片相连，接收到红绿灯发射数据模块处理后的信号，利用电磁波在自由空间中传播的特性将信号传递到无线接收模块。无线接收模块，实现信号的解调，获取所需的计时器信息。解决了在正常的机动车行驶过程中，常常会发生由于前方的公交车车身较高，导致后面的小车司机无法看到前方的红绿灯信息，从而造成闯红灯等危险情况的发生的问题。
CN115731728A	一种城市控规规划方案的调整方法、装置、设备及介质本发明公开了一种城市控规规划方案的调整方法、装置、设备及介质，所述方法基于预设的初始控规规划方案中设定的各交通小区土地利用情况、出行率和和各交通方式的出行比例，得到每一交通方式对应的OD矩阵，并结合路段流量分配，得到每一交通方式对应的每一OD对之间每一路段的流量预测结果，当流量预测结果超过路段最大通行能力时，通过调整路段交通承载力、调整用地开发强度和调整用地结构中的至少一种对所述初始控规规划方案进行调整，直至流量预测结果不超过路段最大通行能力。本发明能多维度考虑交通影响程度对控规规划方案进行调整，提高了控规规划方案编制的合理性。相应地，本发明还提供一种城市控规规划方案的调整装置、终端设备及介质。
CN115731726A	信号灯控制方法、装置、电子设备和存储介质本公开提供了一种信号灯控制方法，涉及人工智能技术领域，尤其涉及自动驾驶技术领域和智能交通技术领域。具体实现方案为：根据目标信号周期的在前信号周期中第一道路的第一车辆数量和第二道路的第二车辆数量，确定目标信号周期的第一目标绿信比，其中，第二道路与第一道路汇合形成道路出口，第一目标绿信比为道路出口对应的第一信号灯的绿灯信号的占比；根据第一车辆数量和第一道路的第一预设车辆数量阈值，确定目标信号周期的第一绿信比阈值；根据第一目标绿信比和第一绿信比阈值，在目标信号周期中确定第一信号灯的绿灯信号的第一相位时长；根据目标相位差和第一相位时长，确定第一信号灯的第一控制策略。本公开还提供了一种信号灯控制装置、电子设备和存储介质。
CN115731724A	一种基于强化学习的区域交通信号配时方法及系统本发明涉及一种基于强化学习的区域交通信号配时方法及系统，属于交通信号配时处理技术领域。本发明在对区域交通环境数据和车辆轨迹数据进行数据抽取得到路口和信号灯构成元素后，基于路口和信号灯构成元素确定区域交通信号配时任务，然后，基于区域交通信号配时任务构建区域交通等待模型，最后，采用多智能体强化学习算法学习训练区域交通等待模型，结合优化后的基于策略的NAC算法完成区域中各智能体策略的协调优化过程，并引入RNN循环神经网络对协调优化过程中产生的优化协调结果进行处理得到区域交通信号配时方案，进而解决现有交通信号配时过程中存在的维度灾难问题。
CN115731722A	基于云边融合的泊位状态分析方法以及系统本申请公开一种基于云边融合的泊位状态分析方法以及系统。方法包括：判断泊位编号是否存在对应的历史泊位缓存信息；若否，则根据三维投影算法对泊位标定坐标进行变换，获得泊位编号对应的三维泊位投影框，并根据三维泊位投影框与每个车辆检测框，计算每个车辆的停靠状态；若是，则判断每个车辆检测框是否存在于历史泊位缓存信息中；若是，则根据历史泊位缓存信息，调用每个车辆检测框对应的车辆的停靠状态；若否，则根据三维泊位投影框与车辆检测框，计算车辆检测框对应的车辆的停靠状态；根据每个车辆的停靠状态，判断泊位编号对应的泊位内是否存在车辆；若是，则泊位编号对应的泊位内存在车辆；若否，则泊位编号对应的泊位内不存在车辆。

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