一种基于掺硼金刚石薄膜的抗坏血酸氧化酶传感器电极
专利汇可以提供一种基于掺硼金刚石薄膜的抗坏血酸氧化酶传感器电极专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种基于掺 硼 金刚石 薄膜 的 抗坏血酸 氧 化酶 传感器 电极 ，由硼掺杂金刚石薄膜、 氨 基单分子层和酶膜层构成；其制备方法是：首先将钽片经表面预处理后，利用热丝CVD设备在钽片上沉积掺硼金刚石薄膜，然后对掺硼金刚石薄膜进行氨基化修饰，最后在氨基化的金刚石薄膜表面采用化学交联法固定抗坏血酸氧化酶；该电极可用于电化学 生物 传感器 。本 发明 的优点是：该抗坏血酸氧化酶传感器电极 检测限 达1×10-11mol/L，且由于继承了金刚石耐 腐蚀 、极高的析氧过电位、宽的电势窗口、较高电化学的 稳定性 等优点，决定了该电极灵敏度高、重现性好、寿命长。，下面是一种基于掺硼金刚石薄膜的抗坏血酸氧化酶传感器电极专利的具体信息内容。
1.一种基于掺硼金刚石薄膜的抗坏血酸氧化酶传感器电极，其特征在于：由硼掺杂金刚石薄膜、氨基单分子层和酶膜层构成。
2.一种如权利要求1所述基于掺硼金刚石薄膜的抗坏血酸氧化酶传感器电极的制备方法，其特征在于步骤如下：
1)将钽片衬底表面进行预处理；
2)在预处理后的钽片衬底表面利用热丝CVD设备沉积掺硼金刚石薄膜；
3)利用光化学反应对掺硼金刚石薄膜进行氨基化修饰，制得氨基化的掺硼金刚石薄膜；
4)采用化学交联法在氨基化修饰的掺硼金刚石薄膜表面固定抗坏血酸氧化酶，即可制得基于掺硼金刚石薄膜的抗坏血酸氧化酶传感器电极。
3.根据权利要求2所述基于掺硼金刚石薄膜的抗坏血酸氧化酶传感器电极的制备方法，其特征在于，所述钽片衬底表面预处理的方法是：先将钽片衬底机械抛光以去除表面的氧化层和污染物；然后进行金刚砂的机械研磨使钽片表面产生划伤和缺陷；最后进行表面超声处理。
4.根据权利要求2所述基于掺硼金刚石薄膜的抗坏血酸氧化酶传感器电极的制备方法，其特征在于：所述利用热丝CVD设备沉积掺硼金刚石薄膜的方法是，将预处理后的衬底放入热丝CVD设备的反应室沉积金刚石薄膜，该热丝CVD设备以钽丝作为热源，灯丝温度为2100～2300℃，沉积工艺参数：反应气源为氢气和丙酮混合气，混合气中氢气与丙酮的流量比为100∶25～35，固体三氧化二硼为硼源，反应室的真空度小于1Pa、衬底温度为
790～810℃。
5.根据权利要求2所述基于掺硼金刚石薄膜的抗坏血酸氧化酶传感器电极的制备方法，其特征在于：所述利用光化学反应对掺硼金刚石薄膜进行氨基化修饰的方法是，将制备的掺硼金刚石薄膜放入质量百分比浓度为25％的氨水中，采用254nm紫外线照射8小时，制得氨基化的掺硼金刚石薄膜。
6.根据权利要求2所述基于掺硼金刚石薄膜的抗坏血酸氧化酶传感器电极的制备方法，其特征在于：所述采用化学交联法在氨基化修饰的掺硼金刚石薄膜表面固定抗坏血酸氧化酶的方法是，将500unit抗坏血酸氧化酶溶于100μL质量百分比浓度为1％的壳聚糖醋酸溶液中，然后滴加到氨基化修饰的掺硼金刚石薄膜表面，接着再滴加40μL质量百分比浓度为1％的戊二醛水溶液，干燥后放在4℃冰箱中保存。
7.一种如权利要求1所述基于掺硼金刚石薄膜的抗坏血酸氧化酶传感器电极的应用，其特征在于：用于电化学生物传感器的电极。
一种基于掺硼金刚石薄膜的抗坏血酸氧化酶传感器电极
技术领域
背景技术
发明内容
790～810℃。
1×10 mol/L、1×10 mol/L。
具体实施方式
10 ～10 范围内具有良好的线性关系。实验表明：该抗坏血酸氧化酶传感器灵敏度高、操-4
作简便、重现性好，同一电极三个月内在1×10 mol/L的抗坏血酸溶液进行500次重复测定，电流输出稳定。
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