1.一种在真空室中的衬底的表面上制造陶瓷薄膜的方法，所述陶瓷薄膜包括多个晶粒，其中，所述多个晶粒的每一个包括一个或多个纳米孪晶区，所述纳米孪晶区的体积分数在所述陶瓷薄膜的30～80％的范围内，所述方法包括：
提供包括多种溅射材料的多个靶；
在所述真空室中形成气体气氛；和
向所述多个靶供应电能以引起所述多种溅射材料的共溅射，从而形成包括所述一个或多个纳米孪晶区的所述陶瓷薄膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底包括不锈钢、金属合金、硅或氧化镁中的一种。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底包括钛合金。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述多个靶包括第一靶和第二靶，所述第一靶包括钛金属，并且所述第二靶包括硼化钛，所述气体气氛包括氮气，所述陶瓷薄膜包括钛、氮和硼。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述陶瓷薄膜中的所述多个晶粒嵌入非晶基质中。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述多个晶粒和所述非晶基质包括钛、硼和氮。
7.根据权利要求4所述的方法，其中，所述气体气氛还包括氩气，并且所述气体气氛中的氮分数约为20％。
8.根据权利要求4所述的方法，其中，所述陶瓷薄膜的硼浓度在2～18原子百分比的范围内。
9.根据权利要求4所述的方法，其中，所述多个晶粒中的每一个的尺寸在8～16纳米的范围内。
10.根据权利要求4所述的方法，其中，所述一个或多个纳米孪晶区中的每一个中的孪晶间距在0.35～0.65纳米的范围内。
11.根据权利要求4所述的方法，其包括：
以0.1～0.8纳米/秒的沉积速率在所述衬底的所述表面上共溅射所述多种溅射材料。
12.根据权利要求4所述的方法，其中，所述陶瓷薄膜的厚度等于或大于400纳米。
13.根据权利要求4所述的方法，其包括：
在所述衬底上施加衬底偏压，所述衬底偏压在‑150～‑50伏的范围内。
14.根据权利要求4所述的方法，其包括：
在所述衬底的所述表面上以一定温度共溅射所述多种溅射材料，所述温度等于或小于
400摄氏度。
15.根据权利要求4所述的方法，其包括：
在不对所述衬底施加加热或冷却的情况下共溅射所述多种溅射材料。
16.根据权利要求4所述的方法，其中，所述供应电能包括：
在所述第一靶上施加第一DC功率；和
在所述第二靶上施加第二DC功率，
其中，所述第一DC功率等于450瓦，并且所述第二DC功率在50～200瓦的范围内。
17.根据权利要求4所述的方法，其包括：
在向所述多个靶供应电能之前，在所述衬底的所述表面上形成中间层；以及通过在所述中间层上共溅射所述多种溅射材料以形成所述陶瓷薄膜。
18.一种在真空室中的衬底的表面上制造陶瓷薄膜的方法，所述陶瓷薄膜包括多个晶粒，其中，所述多个晶粒中的每一个包括一个或多个纳米孪晶区，所述方法包括：
提供包括多种溅射材料的多个靶；
在所述真空室中形成气体气氛；
向所述多个靶供应电能以引起所述多种溅射材料的共溅射，从而以0.1～0.8纳米/秒的沉积速率形成包括所述一个或多个纳米孪晶区的所述陶瓷薄膜。
19.一种设备，其包括：
具有表面的衬底；和
位于所述衬底的所述表面上以增强所述衬底的机械属性的陶瓷薄膜，所述陶瓷薄膜包含多个晶粒，其中，所述多个晶粒中的每一个包括一个或多个纳米孪晶区，所述纳米孪晶区的体积分数在所述陶瓷薄膜的30～80％的范围内。
20.一种陶瓷薄膜，其包括：
多个晶粒，其中，所述多个晶粒中的每一个包括一个或多个纳米孪晶区，所述纳米孪晶区的体积分数在所述陶瓷薄膜的30～80％的范围内。