多频带发射器 |
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| 申请号 | CN202280057136.9 | 申请日 | 2022-08-11 | 公开(公告)号 | CN117837089A | 公开(公告)日 | 2024-04-05 |
| 申请人 | 高通股份有限公司; | 发明人 | 王川; B·S·阿苏里; 刘利; V·帕尼卡斯; | ||||
| 摘要 | 在某些方面，一种方法包括经由公共输入端接收第一中频(IF) 信号 和第二IF信号，将该第一IF信号上变频为第一射频(RF)信号，经由第一天线阵列发射该第一RF信号，将该第二IF信号上变频为第二RF信号，以及经由第二天线阵列发射该第二RF信号。在第一发射模式下，该第一RF信号在第一频带中并且该第二RF信号在第二频带中，并且在第二发射模式下，该第一RF信号和该第二RF信号都在该第一频带中。 | ||||||
| 权利要求 | 1.一种装置，包括： |
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| 说明书全文 | 多频带发射器[0001] 相关申请的交叉引用 [0003] 背景 技术领域[0004] 本公开的各方面整体涉及无线通信，并且更具体地涉及多频带发射器。 背景技术[0005] 无线通信系统被广泛部署以提供各种类型的通信内容，诸如语音、视频、分组数据、消息接发、广播等等。无线通信系统(例如，第五代(5G)系统)可在毫米波(mmWave)频带(例如，高于24GHz)中进行操作以增大带宽和数据速率。无线通信系统还可以采用波束成形来改善链路预算和系统容量。发明内容 [0006] 以下内容呈现了对一个或多个具体实施的简要概括，以便提供对这样的具体实施的基本的理解。该概括不是对全部预期实现方式的详尽概述，并且不旨在于标识全部实现方式的关键或重要元素，也不旨在于描绘任何或全部实现方式的范围。其唯一的目的是以简化的形式介绍一个或多个具体实施的一些概念，作为随后介绍的更详细的描述的序言。 [0007] 第一方面涉及一种装置。所述装置包括第一信号路径，所述第一信号路径具有输入端和输出端，其中所述第一信号路径的所述输入端耦合到中频(IF)输入端，并且所述第一信号路径包括被配置为使第一IF信号通过并且抑制第二IF信号的第一滤波器。所述装置还包括第二信号路径，所述第二信号路径具有输入端和输出端，其中所述第二信号路径的所述输入端耦合到所述IF输入端，并且所述第二信号路径包括被配置为使所述第二IF信号通过并且抑制所述第一IF信号的第二滤波器。所述装置还包括具有输入端和多个输出端的第一发射器阵列、具有输入端和多个输出端的第二发射器阵列、具有输入端和多个输出端的第三发射器阵列，以及具有第一输入端、第二输入端、耦合到所述第一发射器阵列的所述输入端的第一输出端以及耦合到所述第三发射器阵列的所述输入端的第二输出端的第一电源分配网络(PDN)。所述装置还包括耦合在所述第一信号路径的所述输出端与所述第一PDN的所述第一输入端之间的第一混频器、耦合在所述第二信号路径的所述输出端与所述第二发射器阵列的所述输入端之间的第二混频器，以及耦合在所述第二信号路径的所述输出端与所述第一PDN的所述第二输入端之间的第三混频器。 [0008] 第二方面涉及一种用于发射的方法。所述方法包括经由公共输入端接收第一中频(IF)信号和第二IF信号，将所述第一IF信号上变频为第一射频(RF)信号，经由第一天线阵列发射所述第一RF信号，将所述第二IF信号上变频为第二RF信号，以及经由第二天线阵列发射所述第二RF信号。在第一发射模式下，所述第一RF信号在第一频带中并且所述第二RF信号在第二频带中，并且在第二发射模式下，所述第一RF信号和所述第二RF信号都在所述第一频带中。 [0009] 第三方面涉及一种装置，包括。所述装置包括：第一信号路径，所述第一信号路径具有输入端和输出端，其中所述第一信号路径包括第一滤波器；以及第二信号路径，所述第二信号路径具有输入端和输出端，其中所述第二信号路径包括第二滤波器，并且所述第一信号路径的所述输入端和所述第二信号路径的所述输入端耦合到公共输入端。所述装置还包括具有输入端和多个输出端的第一发射器阵列、具有输入端和多个输出端的第二发射器阵列、具有输入端和多个输出端的第三发射器阵列、耦合到所述第一信号路径的所述输出端的第一混频器、耦合到所述第二信号路径的所述输出端的第二混频器，以及耦合到所述第二信号路径的所述输出端的第三混频器。所述装置还包括用于在第一发射模式和第二发射模式下将所述第一混频器耦合到所述第一发射器阵列的所述输入端的构件、用于在所述第一发射模式下将所述第二混频器耦合到所述第二发射器阵列的所述输入端的构件，以及用于在所述第二发射模式下将所述第三混频器耦合到所述第三发射器阵列的所述输入端的构件。附图说明 [0010] 图1示出了根据本公开的某些方面的发射系统的示例。 [0011] 图2示出了根据本公开的某些方面的耦合到发射系统的天线阵列的示例。 [0012] 图3示出了根据本公开的某些方面的多频带发射系统的示例。 [0013] 图4A示出了根据本公开的某些方面的处于第一发射模式的多频带发射系统中的中频(IF)信号的示例。 [0014] 图4B示出了根据本公开的某些方面的处于第一发射模式的多频带发射系统中的射频(RF)信号的示例。 [0015] 图5A示出了根据本公开的某些方面的处于第二发射模式的多频带发射系统中的IF信号的示例。 [0016] 图5B示出了根据本公开的某些方面的处于第二发射模式的多频带发射系统中的RF信号的示例。 [0017] 图6A示出了根据本公开的某些方面的处于第三发射模式的多频带发射系统中的IF信号的示例。 [0018] 图6B示出了根据本公开的某些方面的处于第三发射模式的多频带发射系统中的RF信号的示例。 [0019] 图7A示出了根据本公开的某些方面的电源分配网络的示例性具体实施。 [0020] 图7B示出了根据本公开的某些方面的电源分配网络的另一示例性具体实施。 [0021] 图8示出了根据本公开的某些方面的发射器阵列的示例。 [0022] 图9示出了根据本公开的某些方面的耦合到第一天线阵列的多频带发射系统的示例。 [0023] 图10示出了根据本公开的某些方面的耦合到第二天线阵列的多频带发射系统的示例。 [0024] 图11示出了根据本公开的某些方面的耦合到多频带发射系统的输入端的IF电路的示例。 [0025] 图12示出了示出根据本公开的某些方面的用于发射的方法的流程图。 具体实施方式[0026] 以下结合附图阐述的详细描述旨在作为各种配置的描述，而无意表示可实践本文中所描述的概念的仅有配置。为了提供对各种概念的全面理解，具体实施方式包括特定细节。然而，对于本领域的技术人员来说显而易见的是，可以在没有这些具体细节的情况下实践这些概念。在一些实例中，为了避免对这些概念造成模糊，公知的结构和组件是以框图形式示出的。 [0027] 图1示出了根据某些方面的发射系统105的示例。发射系统105可以用于在mmWave频带(例如，高于24GHz)中发射射频(RF)信号。在图1所示的示例中，发射系统105包括第一放大器110、第二放大器112、第三放大器152、第一混频器114、第二混频器154、第一频率合成器116、第二频率合成器156、第一发射器阵列120和第二发射器阵列160。 [0028] 如下文进一步论述，第一发射器阵列120被配置为在第一频带(frequency band)(下文中称为“第一频带(band)”)中发射RF信号，并且第二发射器阵列160被配置为在第二频带(frequency band)(下文中称为“第二频带(band)”)中发射RF信号。本文中，频带也可以指子频带或频带组。第一频带和第二频带在mmWave频带(例如，高于24GHz)中。在一个示例中，第一频带可以在24GHz至29GHz的频率范围内，并且第二频带可以在37GHz至48GHz的频率范围内。然而，应当理解，本公开不限于此示例，并且第一频带和第二频带可以在其他频率范围内。在一个示例中，第一频带包括低频带，并且第二频带包括高频带，高频带中的最低频率高于低频带中的最高频率。 [0029] 在图1所示的示例中，第一放大器110的输入端耦合到发射系统105的输入端108。在一个示例中，发射系统105的输入端108被配置为接收中频(IF)信号，如下文进一步论述。 第二放大器112和第一混频器114串联耦合在第一放大器110的输出端与第一发射器阵列 120的输入端122之间的第一信号路径中。第一频率合成器116耦合到第一混频器114并且被配置为生成第一本地振荡器(LO)信号。第一频率合成器116将第一LO信号输出到第一混频器114，以用于将在输入端108处接收到的IF信号上变频到第一频带(例如，低频带)中的RF信号。 [0030] 第三放大器152和第二混频器154串联耦合在第一放大器110的输出端与第二发射器阵列160的输入端162之间的第二信号路径中。第二频率合成器156耦合到第二混频器154并且被配置为生成第二信号LO信号。第二频率合成器156将第二LO信号输出到第二混频器154，以用于将在输入端108处接收到的IF信号上变频到第二频带(例如，高频带)中的RF信号。 [0031] 在某些方面，可以省略第二放大器112和第三放大器152。在这些方面，发射系统105可以包括被配置为将来自第一放大器110的输出端的IF信号分配到第一混频器114和第二混频器154的电源分配网络。 [0032] 第一发射器阵列120具有多个输出端124‑1至124‑N，输出端124‑1至124‑N中的每一者可以耦合到第一天线阵列252(图2所示)中的相应天线。第一发射器阵列120被配置为从第一混频器114接收第一频带(例如，低频带)中的RF信号，基于所接收的RF信号来生成RF信号，并且在输出端124‑1至124‑N中的相应一者处输出该RF信号中的每一个RF信号。如下文进一步论述，第一发射器阵列120可以使用波束成形来调整RF信号之间的相位，从而以电的方式操纵第一天线阵列252的发射波束。 [0033] 第二发射器阵列160具有多个输出端164‑1至164‑M，输出端164‑1至164‑M中的每一者可以耦合到第二天线阵列282(图2所示)中的相应天线。用于第二发射器阵列160的输出端164‑1至164‑M的数量可以等于或不同于用于第一发射器阵列120的输出端124‑1至124‑N的数量(即，M＝N或M≠N)。第二发射器阵列160被配置为从第二混频器154接收第二频带(例如，高频带)中的RF信号，基于所接收的RF信号来生成RF信号，并且在输出端164‑1至 164‑M中的相应一者处输出该RF信号中的每一个RF信号。如下文进一步论述，第二发射器阵列160可以使用波束成形来调整RF信号之间的相位，从而以电的方式操纵第二天线阵列282的发射波束。 [0034] 图2示出了根据某些方面的第一发射器阵列120和第二发射器阵列160的示例性具体实施。在此示例中，第一发射器阵列120耦合到第一天线阵列252，该第一天线阵列包括基板250上的天线255‑1至255‑N(也被称为天线元件)。天线255‑1至255‑N中的每一者可以用贴片天线或另一类型的天线来实现，该贴片天线或另一类型的天线可以形成在或安装在基板250上。在此示例中，第一发射器阵列120的每个输出端124‑1至124‑N耦合到天线255‑1至255‑N中的相应一者。 [0035] 在此示例中，第一发射器阵列120包括电源分配网络(PDN)222(也被称为分频器或分路器)和多个发射链225‑1至225‑N。PDN 222具有耦合到第一发射器阵列120的输入端122的输入端，以及多个输出端。PDN 222被配置为在其输入端处接收RF信号并且在其输出端处将该RF信号分裂为多个RF信号。发射链225‑1至225‑N中的每一者具有耦合到PDN 222的输出端中的相应一个输出端的输入端226‑1至226‑N，以及耦合到第一发射器阵列120的输出端124‑1至124‑N中的相应一者的输出端228‑1至228‑N。例如，PDN 222可以包括放大器(未示出)，以在多个RF信号被输出到发射链225‑1至225‑N之前增大多个RF信号的功率。 [0036] 在图2所示的示例中，发射链225‑1至225‑N中的每一者包括相应放大器230‑1至230‑N(例如，可变增益放大器)、相应移相器235‑1至235‑N以及相应功率放大器240‑1至 240‑N。移相器235‑1至235‑N中的每一者被配置为将相应RF信号的相位移位相应相移。移相器235‑1至235‑N用于设置第一天线阵列252的发射波束方向。就这一点而言，波束形成器控制器290设置移相器235‑1至235‑N的相移以实现期望的发射波束方向。为了易于说明，图2未示出波束形成器控制器290与移相器235‑1至235‑N之间的个别连接。 [0037] 在图2所示的示例中，第二发射器阵列160耦合到第二天线阵列282，该第二天线阵列包括基板280上的天线285‑1至285‑M(也被称为天线元件)。天线285‑1至285‑M中的每一者可以用贴片天线或另一类型的天线来实现，该贴片天线或另一类型的天线可以形成在或安装在基板280上。在此示例中，第二发射器阵列160的每个输出端164‑1至164‑M耦合到天线285‑1至285‑M中的相应一者。 [0038] 在此示例中，第二发射器阵列160包括PDN 262(也被称为分频器或分路器)和多个发射链265‑1至265‑M。PDN 262具有耦合到第二发射器阵列160的输入端162的输入端，以及多个输出端。PDN 262被配置为在其输入端处接收RF信号并且在其输出端处将该RF信号分裂为多个RF信号。发射链265‑1至265‑M中的每一者具有耦合到PDN 262的输出端中的相应一个输出端的输入端266‑1至266‑M，以及耦合到第二发射器阵列160的输出端164‑1至164‑M中的相应一者的输出端268‑1至268‑M。例如，PDN 262可以包括放大器(未示出)，以在多个RF信号被输出到发射链265‑1至265‑M之前增大多个RF信号的功率。 [0039] 在图2所示的示例中，发射链265‑1至265‑M中的每一者包括相应放大器270‑1至270‑M(例如，可变增益放大器)、相应移相器275‑1至275‑M以及相应功率放大器278‑1至 278‑M。移相器275‑1至275‑M中的每一者被配置为将相应RF信号的相位移位相应相移。移相器275‑1至275‑M用于设置第二天线阵列282的发射波束方向。就这一点而言，波束形成器控制器290设置移相器275‑1至275‑M的相移以实现期望的发射波束方向。为了易于说明，图2未示出波束形成器控制器290与移相器275‑1至275‑M之间的个别连接。 [0040] 在此示例中，第一发射器阵列120经由第一天线阵列252在第一频带(例如，低频带)中发射信号，并且第二发射器阵列160经由第二天线阵列282在第二频带(例如，高频带)中发射信号。因此，发射系统105只能在单个频带中操作天线阵列252和282中的每一者(即，在第一频带中操作第一天线阵列252并且在第二频带中操作第二天线阵列282)。因此，发射系统105不支持天线阵列252和282两者都在第一频带中进行操作的配置或天线阵列252和282两者都在第二频带中进行操作的配置。 [0041] 另外，发射系统105一次只能在第一频带和第二频带中的一者中进行操作。这是因为发射系统105不具有用于分离针对第一频带的IF信号和针对第二频带的IF信号的机制。因此，发射系统105需要一次一个地接收针对第一频带的IF信号和针对第二频带的IF信号。 因此，发射系统105不能同时在第一频带和第二频带中发射信号。 [0042] 图3示出了根据某些方面的示例性多频带发射系统305。多频带发射系统305可以用于在mmWave频带(例如，高于24GHz)中发射RF信号。在一些具体实施中，多频带发射系统305被集成在芯片上。多频带发射系统305可以用于用户装备(UE)、基站或用于发射RF信号的另一类型的无线设备中。多频带发射系统305具有被配置为(例如，从芯片上或芯片外的IF电路)接收IF信号的IF输入端308。如下文进一步论述，多频带发射系统305克服了发射系统105的限制中的一个或多个限制。 [0043] 在图3所示的示例中，多频带发射系统305包括第一信号路径315和第二信号路径355。第一信号路径315可以包括串联耦合的第一滤波器310和第一放大器312，并且第二信号路径355可以包括串联耦合的第二滤波器350和第二放大器352。如下文进一步论述，第一滤波器310和第二滤波器350可以被配置为分离在输入端308处接收到的IF信号。在一个示例中，第一滤波器310和第二滤波器350可以被配置为分离针对不同频带的IF信号，从而允许多频带发射系统305同时在多个频带(例如，上文所论述的第一频带和第二频带)中发射RF信号。在图3的示例中，第一滤波器310用低通滤波器(LPF)实现，并且第二滤波器350用高通滤波器(HPF)实现。然而，应当理解，第一滤波器310和第二滤波器350不限于此示例，如下文进一步论述。 [0044] 在图3所示的示例中，多频带发射系统305还包括第一频率合成器340、第二频率合成器345、第一开关390、第二开关392、第一混频器318、第二混频器358、第三混频器346和第四混频器386。如下文进一步论述，第一开关390和第二开关392允许模式控制器395将多频带发射系统305选择性地切换(即，配置)到多种发射模式中的任一种发射模式。 [0045] 在图3所示的示例中，多频带发射系统305还包括第一发射器阵列320、第二发射器阵列370、第三发射器阵列330和第四发射器阵列360。在某些方面，第一发射器阵列320和第三发射器阵列330被各自配置为发射第一频带中的信号，并且第二发射器阵列370和第四发射器阵列360被各自配置为发射第二频带中的信号。第一频带和第二频带可以都在mmWave频带(例如，高于24GHz)中。在一个示例中，第一频带可以在24GHz至29GHz的频率范围内，并且第二频带可以在37GHz至48GHz的频率范围内。然而，应当理解，本公开不限于此示例，并且第一频带和第二频带可以在其他频率范围内。 [0046] 多频带发射系统305还可以包括具有第一输入端326、第二输入端327、第一输出端328和第二输出端329的第一PDN 323。第一输入端326耦合到第一混频器318的输出端，并且第二输入端327耦合到第三混频器346的输出端。第一输出端328耦合到第一发射器阵列320的输入端322，并且第二输出端329耦合到第三发射器阵列330的输入端332。在此示例中，第一PDN 323是耦合到模式控制器395的可重新配置的PDN。第一PDN 323被配置为在模式控制器395的控制下将第一输入端326或第二输入端327选择性地耦合到第二输出端329。如下文进一步论述，此允许模式控制器395针对不同发射模式重新配置第一PDN 323。第一PDN 323还可以将第一输入端326耦合到第一输出端328。下文参考图7A论述第一PDN 323的示例性具体实施。 [0047] 多频带发射系统305还可以包括具有第一输入端366、第二输入端367、第一输出端368和第二输出端369的第二PDN 363。第一输入端366耦合到第二混频器358的输出端，并且第二输入端367耦合到第四混频器386的输出端。第一输出端368耦合到第二发射器阵列370的输入端372，并且第二输出端369耦合到第四发射器阵列360的输入端362。在此示例中，第二PDN 363是耦合到模式控制器395的可重新配置的PDN。第二PDN 363被配置为在模式控制器395的控制下将第一输入端366或第二输入端367选择性地耦合到第二输出端369。如下文进一步论述，此允许模式控制器395针对不同发射模式重新配置第二PDN 363。第二PDN 363还可以将第一输入端366耦合到第一输出端368。下文参考图7A论述第二PDN 363的示例性具体实施。 [0048] 多频带发射系统305的输入端308被配置为接收IF信号。例如，输入端308可以耦合到IF电路(图3未示出)，该IF电路被配置为将来自基带处理器的基带信号上变频为IF信号，并且将该IF信号输出到输入端308。IF信号可以包括针对不同频带(例如，第一频带和第二频带)的IF信号，针对不同频带的IF信号可以由第一滤波器310和第二滤波器350分离，如下文进一步论述。 [0049] 在图3所示的示例中，第一信号路径315的输入端314耦合到输入端308，并且第一信号路径315的输出端316耦合到第一混频器318。第一滤波器310和第一放大器312串联耦合在输入端314与输出端316之间的第一信号路径315中。第一混频器318耦合在第一信号路径315的输出端316与第一PDN 323的第一输入端326之间。应当理解，在一些具体实施中，第一信号路径315可以包括图3未示出的一个或多个附加设备，诸如附加滤波器和/或附加放大器。在此示例中，第一频率合成器340耦合到第一混频器318。如下文进一步论述，第一频率合成器340被配置为生成并输出第一LO信号。第一频率合成器340可以包括一个或多个锁相环(PLL)。在某些方面，第一频率合成器340可以被配置为在模式控制器395的控制下调整(即，调谐)第一LO信号的频率。 [0050] 在图3所示的示例中，第二信号路径355的输入端354耦合到输入端308，并且第二信号路径355的输出端356耦合到第二混频器358。第二滤波器350和第二放大器352串联耦合在输入端354与输出端356之间的第二信号路径355中。第二混频器358耦合在第二信号路径355的输出端356与第二PDN 363的第一输入端366之间。应当理解，在一些具体实施中，第二信号路径355可以包括图3未示出的一个或多个附加设备。在此示例中，第二频率合成器345耦合到第二混频器358。如下文进一步论述，第二频率合成器345被配置为生成并输出第二LO信号。第二频率合成器345可以包括一个或多个PLL。在某些方面，第二频率合成器345可以被配置为在模式控制器395的控制下调整(即，调谐)第二LO信号的频率。 [0051] 在图3所示的示例中，第三混频器346耦合在第二信号路径355的输出端356与第一PDN 323的第二输入端327之间，并且第二开关392耦合在第二频率合成器345与第三混频器346之间。此外，第四混频器386耦合在第一信号路径315的输出端316与第二PDN 363的第二输入端367之间，并且第一开关390耦合在第一频率合成器340与第四混频器386之间。 [0052] 第一发射器阵列320具有多个输出端324‑1至324‑N，输出端324‑1至324‑N中的每一者可以耦合到第一天线阵列325中的相应天线(图3未示出)。第一发射器阵列320被配置为经由第一PDN 323从第一混频器318接收第一频带(例如，低频带)中的RF信号，基于所接收的RF信号来生成RF信号，并且在输出端324‑1至324‑N中的相应一者处输出该RF信号中的每一个RF信号。如下文进一步论述，第一发射器阵列320可以使用波束成形来调整RF信号之间的相位，从而以电的方式操纵第一天线阵列325的发射波束。 [0053] 第二发射器阵列370具有多个输出端374‑1至374‑N，输出端374‑1至374‑N中的每一者可以耦合到第二天线阵列335中的相应天线(图3未示出)。第二发射器阵列370被配置为经由第二PDN 363从第二混频器358接收第二频带(例如，高频带)中的RF信号，基于所接收的RF信号来生成RF信号，并且在输出端374‑1至374‑N中的相应一者处输出该RF信号中的每一个RF信号。如下文进一步论述，第二发射器阵列370可以使用波束成形来调整RF信号之间的相位，从而以电的方式操纵第二天线阵列335的发射波束。 [0054] 第三发射器阵列330具有多个输出端334‑1至334‑N，输出端334‑1至334‑N中的每一者可以耦合到第二天线阵列335中的相应天线(图3未示出)。第三发射器阵列330被配置为经由第一PDN 323从第一混频器318或第三混频器346接收第一频带(例如，低频带)中的RF信号，基于所接收的RF信号来生成RF信号，并且在输出端334‑1至334‑N中的相应一者处输出该RF信号中的每一个RF信号。如下文进一步论述，第三发射器阵列330可以使用波束成形来调整RF信号之间的相位，从而以电的方式操纵第二天线阵列335的发射波束。在此示例中，第二天线阵列335中的每个天线可以耦合到第二发射器阵列370的输出端374‑1至374‑N中的相应一者和第三发射器阵列330的输出端334‑1至334‑N中的相应一者，每个天线可以是被配置为在第一频带和第二频带中进行发射的多频带天线。 [0055] 第四发射器阵列360具有多个输出端364‑1至364‑N，输出端364‑1至364‑N中的每一者可以耦合到第一天线阵列325中的相应天线(图3未示出)。第四发射器阵列360被配置为经由第二PDN 363从第二混频器358或第四混频器386接收第二频带(例如，高频带)中的RF信号，基于所接收的RF信号来生成RF信号，并且在输出端364‑1至364‑N中的相应一者处输出该RF信号中的每一个RF信号。如下文进一步论述，第四发射器阵列360可以使用波束成形来调整RF信号之间的相位，从而以电的方式操纵第一天线阵列325的发射波束。在此示例中，第一天线阵列325中的每个天线可以耦合到第一发射器阵列320的输出端324‑1至324‑N中的相应一者和第四发射器阵列360的输出端364‑1至364‑N中的相应一者，每个天线可以是被配置为在第一频带和第二频带中进行发射的多频带天线。 [0056] 如上文所论述，发射系统305可以由模式控制器395选择性地切换(即，配置)为在多种发射模式中的任一种发射模式下进行操作。就这一点而言，现在将根据本公开的各种方面来描述示例性发射模式。 [0057] 在第一发射模式下，发射系统305同时发射第一频带和第二频带中的RF信号。在第一发射模式下，模式控制器395断开第一开关390并且断开第二开关392。在此模式下，发射系统305的输入端308同时(例如，从IF电路)接收针对第一频带的第一IF信号和针对第二频带的第二IF信号。图4A在频率图上示出了第一IF信号420和第二IF信号425的示例。如图4A所示，第一IF信号420和第二IF信号425具有不同的频率，从而允许使用滤波来分离第一IF信号420和第二IF信号425。在一个示例中，第一滤波器310用具有图4A所示的示例性频率响应410的LPF实现，并且第二滤波器350用具有图4A所示的示例性频率响应415的HPF实现。在此示例中，第一滤波器310具有高于第一IF信号420的频率的截止频率，并且第二滤波器350具有低于第二IF信号425的频率的截止频率。因此，第一滤波器310使第一IF信号420通过并且抑制第二IF信号425，并且第二滤波器350使第二IF信号425通过并且抑制第一IF信号420。例如，可以这样做以避免第一频带和第二频带中的信号之间的干扰，抑制从其他频带生成的发射，并且/或者维持3GPP兼容的线性度。在此示例中，第一滤波器310的截止频率可以被称为第一截止频率，并且第二滤波器350的截止频率可以被称为第二截止频率。 [0058] 如本文所使用，截止频率(也被称为拐点频率)可以被定义为滤波器使信号衰减‑3dB的频率。此外，如本文所使用，当滤波器使信号衰减至少‑3dB时，滤波器抑制信号。 [0059] 第一频率合成器340生成第一LO信号以在第一混频器318处将第一IF信号420上变频到期望的第一RF信号450(图4B中示出)。在此示例中，第一RF信号450在第一频带(例如，低频带)中。第一RF信号450经由第一PDN 323耦合到第一发射器阵列320的输入端322。这是因为在此示例中，第一PDN 323的第一输入端326耦合到第一PDN 323的第一输出端328。第一发射器阵列320经由第一天线阵列325发射第一RF信号450。 [0060] 在某些方面，第三发射器阵列330还可以经由第一PDN 323接收第一RF信号450，并且经由第二天线阵列335发射第一RF信号450。在此示例中，模式控制器395重新配置(即，使)第一PDN 323将第一输入端326耦合到第二输出端329(该第二输出端耦合到第三发射器阵列330的输入端332)。因此，在此示例中，第一RF信号450可以经由第一天线阵列325和第二天线阵列335被发射，以获得增大的天线增益和增大的有效各向同性辐射功率(EIRP)。 [0061] 第二频率合成器345生成第二LO信号以在第二混频器358处将第二IF信号425上变频到期望的第二RF信号455(图4B中示出)。在此示例中，第二RF信号455在第二频带(例如，高频带)中。应当理解，第一IF信号420与第二IF信号425之间的间隔可以不同于第一RF信号450与第二RF信号455之间的间隔。第二RF信号455经由第二PDN 363耦合到第二发射器阵列 370的输入端372。这是因为在此示例中，第二PDN 363的第一输入端366耦合到第二PDN 363的第一输出端368。第二发射器阵列370经由第二天线阵列335发射第二RF信号455。 [0062] 在某些方面，第四发射器阵列360还可以经由第二PDN 363接收第二RF信号455，并且经由第一天线阵列325发射第二RF信号455。在此示例中，模式控制器395重新配置(即，使)第二PDN 363将第一输入端366耦合到第二输出端369(该第二输出端耦合到第四发射器阵列360的输入端362)。因此，在此示例中，第二RF信号455可以经由第一天线阵列325和第二天线阵列335被发射，以获得增大的天线增益和增大的有效各向同性辐射功率(EIRP)。 [0063] 在第二发射模式下，发射系统305同时发射第一频带中的RF信号。在第二发射模式下，模式控制器395断开第一开关390并且闭合第二开关392。在此模式下，发射系统305的输入端308同时(例如，从IF电路)接收第一IF信号和第二IF信号。图5A在频率图上示出了第一IF信号520和第二IF信号525的示例，在该频率图中，第一IF信号520和第二IF信号525具有不同的频率。对于第一滤波器310用具有高于第一IF信号520的截止频率的LPF来实现并且第二滤波器350用具有低于第二IF信号525的截止频率的HPF来实现的示例，图5A还示出了第一滤波器310的示例性频率响应510和第二滤波器350的示例性频率响应515。在此示例中，第一滤波器310使第一信号路径315中的第一IF信号520通过同时抑制第二IF信号525，并且第二滤波器350使第二信号路径355中的第二IF信号525通过同时抑制第一IF信号520。 [0064] 第一频率合成器340生成第一LO信号以在第一混频器318处将第一IF信号520上变频到期望的第一RF信号550(图5B中示出)。在此示例中，第一RF信号550在第一频带(例如，低频带)中。第一LO信号的频率在第二发射模式中可以与在第一发射模式中不同。第一RF信号550经由第一PDN 323耦合到第一发射器阵列320的输入端322，并且第一发射器阵列320经由第一天线阵列325发射第一RF信号550。这是因为在此示例中，第一PDN 323的第一输入端326耦合到第一PDN 323的第一输出端328。 [0065] 第二频率合成器345生成第二LO信号以在第三混频器346处将第二IF信号525上变频到期望的第二RF信号555(图5B中示出)，该第三混频器经由第二开关392(该第二开关在第二发射模式下闭合)耦合到第二频率合成器345。在此示例中，第二RF信号555在第一频带(例如，低频带)中并且可以在第一频带内的频率上与第一RF信号550分离。第二LO信号的频率在第二发射模式中可以与在第一发射模式中不同。就这一点而言，模式控制器395可以在将发射系统305切换到第二发射模式时调整由第二频率合成器345输出的第二LO的频率，使得第二RF信号555在第一频带中。 [0066] 在第二发射模式下，第二RF信号555经由第一PDN 323耦合到第三发射器阵列330的输入端332，并且第三发射器阵列330经由第二天线阵列335发射第二RF信号555。为此，模式控制器395重新配置(即，使)第一PDN 323将第二输入端327(该第二输入端耦合到第三混频器346)耦合到第二输出端329(该第二输出端耦合到第三发射器阵列330)。 [0067] 在第三发射模式下，发射系统305同时发射第二频带中的RF信号。在第三发射模式下，模式控制器395闭合第一开关390并且断开第二开关392。在此模式下，发射系统305的输入端308同时(例如，从IF电路)接收第一IF信号和第二IF信号。图6A在频率图上示出了第一IF信号620和第二IF信号625的示例，在该频率图中，第一IF信号620和第二IF信号625具有不同的频率。对于第一滤波器310用具有高于第一IF信号620的截止频率的LPF来实现并且第二滤波器350用具有低于第二IF信号625的截止频率的HPF来实现的示例，图6A还示出了第一滤波器310的示例性频率响应610和第二滤波器350的示例性频率响应615。在此示例中，第一滤波器310使第一信号路径315中的第一IF信号620通过同时抑制第二IF信号625，并且第二滤波器350使第二信号路径355中的第二IF信号625通过同时抑制第一IF信号620。 [0068] 第一频率合成器340生成第一LO信号以在第四混频器386处将第一IF信号620上变频到期望的第一RF信号650(图6B中示出)，该第四混频器经由第一开关390(该第一开关在第三发射模式下闭合)耦合到第一频率合成器340。在此示例中，第一RF信号650在第二频带中。第一LO信号的频率在第三发射模式中可以与在第一发射模式和第二发射模式中不同。就这一点而言，模式控制器395可以在将发射系统305切换到第三发射模式时调整由第一频率合成器340输出的第一LO的频率，使得第一RF信号650在第二频带中。 [0069] 第一RF信号650经由第二PDN 363耦合到第四发射器阵列360的输入端362，并且第四发射器阵列360经由第一天线阵列325发射第一RF信号650。为此，模式控制器395重新配置(即，使)第二PDN 363将第二输入端367(该第二输入端耦合到第四混频器386)耦合到第二输出端369(该第二输出端耦合到第四发射器阵列360)。 [0070] 第二频率合成器345生成第二LO信号以在第二混频器358处将第二IF信号625上变频到期望的第二RF信号655(图6B中示出)。在此示例中，第二RF信号655在第二频带中。第二RF信号655经由第二PDN 363耦合到第二发射器阵列370的输入端372，并且第二发射器阵列370经由第二天线阵列335发射第二RF信号655。这是因为在此示例中，第二PDN 363的第一输入端366耦合到第二PDN 363的第一输出端368。 [0071] 因此，与图1所示的发射系统105不同，多频带发射系统305支持(例如，在第一发射模式下)第一频带和第二频带中的同时多频带发射。多频带发射系统305还支持(例如，在第二发射模式下)第一频带中的同时发射和(例如，在第三发射模式下)第二频带中的同时发射。 [0072] 在图4A、图5A和图6A的示例中，第一滤波器310用LPF实现，并且第二滤波器350用HPF实现。然而，应当理解，第一滤波器310和第二滤波器350不限于这些示例。例如，在其他具体实施中，第一滤波器310和/或第二滤波器350可以各自用陷波滤波器、带通滤波器或能够分离不同频率下的IF信号的另一类型的滤波器来实现。例如，第一滤波器310可以用第一IF信号在第一滤波器310的通带内并且第二IF信号在第一滤波器310的通带外的带通滤波器实现。类似地，第二滤波器350可以用第二IF信号在第二滤波器350的通带内并且第一IF信号在第二滤波器350的通带外的带通滤波器实现。在此示例中，第一滤波器310的通带可以被称为第一通带，并且第二滤波器350的通带可以被称为第二通带。 [0073] 在某些方面，发射系统305可以在载波聚合(CA)模式下进行操作，在该CA模式下，发射系统305使用多个载波(也被称为分量载波)来同时传输数据。在一个示例中，模式控制器395可以在第一发射模式期间在CA模式下操作发射系统305，在该CA模式下，第一RF信号用于在第一频带中的载波中的一个或多个载波中传输数据，并且第二RF信号用于在第二频带中的载波中的一个或多个其他载波中传输数据。 [0074] 图7A示出了根据某些方面的第一PDN 323的示例性具体实施。在此示例中，第一PDN 323包括第三放大器710、第四放大器720和第五放大器730。第三放大器710具有耦合到第一输入端326的信号输入端712、耦合到模式控制器395的使能输入端716以及耦合到第一输出端328的输出端714。第四放大器720具有耦合到第一输入端326的信号输入端722、耦合到模式控制器395的使能输入端726以及耦合到第二输出端329的输出端724。第五放大器730具有耦合到第二输入端327的信号输入端732、耦合到模式控制器395的使能输入端736以及耦合到第二输出端329的输出端734。如下文进一步论述，在此示例中，模式控制器395被配置为通过经由相应使能输入端716、726和736选择性地启用或禁用第三放大器710、第四放大器720和第五放大器730中的每一者来重新配置第一PDN 323。当被启用时，第三放大器710、第四放大器720和第五放大器730中的每一者被配置为放大相应信号输入端712、722和732处的信号，并且在相应的输出端714、724和734处输出所放大的信号。 [0075] 在此示例中，第二PDN 363包括第六放大器740、第七放大器750和第八放大器760。第六放大器740具有耦合到第一输入端366的信号输入端742、耦合到模式控制器395的使能输入端746以及耦合到第一输出端368的输出端744。第七放大器750具有耦合到第一输入端 366的信号输入端752、耦合到模式控制器395的使能输入端756以及耦合到第二输出端369的输出端754。第八放大器760具有耦合到第二输入端367的信号输入端762、耦合到模式控制器395的使能输入端766以及耦合到第二输出端369的输出端764。如下文进一步论述，在此示例中，模式控制器395被配置为通过经由相应使能输入端746、756和766选择性地启用或禁用第六放大器740、第七放大器750和第八放大器760中的每一者来重新配置第二PDN 363。当被启用时，第六放大器740、第七放大器750和第八放大器760中的每一者被配置为放大相应信号输入端742、752和762处的信号，并且在相应的输出端744、754和764处输出所放大的信号。 [0076] 在第一发射模式下，模式控制器395启用(即，激活)第三放大器710、启用第四放大器720并且禁用第五放大器730，以将第一PDN 323的第一输入端326耦合到第一PDN 323的第一输出端328和第二输出端329。模式控制器395启用第六放大器740、启用第七放大器750并且禁用第八放大器760，以将第二PDN 363的第一输入端366耦合到第二PDN 363的第一输出端368和第二输出端369。 [0077] 在第二发射模式下，模式控制器395启用(即，激活)第三放大器710、禁用第四放大器720并且启用第五放大器730，以将第一PDN 323的第一输入端326经由第三放大器710耦合到第一PDN 323的第一输出端328，并且将第一PDN 323的第二输入端327经由第五放大器730耦合到第一PDN 323的第二输出端329。模式控制器395还可以禁用第二PDN 363中的第六放大器740、第七放大器750和第八放大器760。 [0078] 在第三发射模式下，模式控制器395启用(即，激活)第六放大器740、禁用第七放大器750并且启用第八放大器760，以将第二PDN 363的第一输入端366经由第六放大器740耦合到第二PDN 363的第一输出端368，并且将第二PDN 363的第二输入端367经由第八放大器760耦合到第二PDN 363的第二输出端329。模式控制器395还可以禁用第一PDN 323中的第三放大器710、第四放大器720和第五放大器730。 [0079] 应当理解，第一PDN 323不限于图7A所示的示例性具体实施。例如，在一些具体实施中，可以省略第三放大器710、第四放大器720和/或第五放大器730。在这些具体实施中，第一PDN 323可以包括用于向第一PDN 323提供可重新配置性的开关。就这一点而言，图7B示出了第一PDN 323包括第一输入端326与第一输出端328之间的第一开关780、第一输入端326与第二输出端329之间的第二开关782以及第二输入端327与第二输出端329之间的第三开关784的示例。在此示例中，模式控制器395可以通过选择性地接通或关断第一开关780、第二开关782和第三开关784来重新配置第一PDN 323。例如，在第一发射模式下，模式控制器395可以接通第一开关780、接通第二开关782并且关断第三开关784，以将第一输入端326耦合到第一输出端328和第二输出端329。在第二发射模式下，模式控制器395可以接通第一开关780、关断第二开关782并且接通第三开关784，以将第一输入端326耦合到第一输出端 328并且将第二输入端327耦合到第二输出端329。在其他示例中，第一PDN 323可以用开关和放大器的组合来实现。例如，在一些具体实施中，图7A所示的第三放大器710、第四放大器 720和第五放大器730中的仅一者或两者可以被第一开关780、第二开关782和第三开关784中的相应一者替换。 [0080] 应当理解，第二PDN 363不限于图7所示的示例性具体实施。例如，在一些具体实施中，可以省略第六放大器740、第七放大器750和/或第八放大器760。就这一点而言，图7B示出了第二PDN 363包括第一输入端366与第一输出端368之间的第一开关790、第一输入端366与第二输出端369之间的第二开关792以及第二输入端367与第二输出端369之间的第三开关794的示例。在此示例中，模式控制器395可以通过选择性地接通或关断第一开关790、第二开关792和第三开关794来重新配置第二PDN 363。例如，在第一发射模式下，模式控制器395可以接通第一开关790、接通第二开关792并且关断第三开关794，以将第一输入端366耦合到第一输出端368和第二输出端369。在第三发射模式下，模式控制器395可以接通第一开关790、关断第二开关792并且接通第三开关794，以将第一输入端366耦合到第一输出端 368并且将第二输入端367耦合到第二输出端369。在一些示例中，第二PDN 363可以用开关和放大器的组合来实现。 [0081] 图7A和图7B还示出了根据某些方面的第一信号路径315还包括第九放大器770和第三滤波器772的示例。在此示例中，第一滤波器310、第一放大器312、第九放大器770和第三滤波器772串联耦合在第一信号路径315的输入端314与输出端316之间。第九放大器770(例如，可变增益放大器)可以用于增大第一信号路径315的增益，并且第三滤波器772(例如，LPF)可以用于提高第一信号路径315的频率选择性(例如，进一步抑制第二IF信号425、525或625)。 [0082] 在图7A和图7B所示的示例中，根据某些方面，第二信号路径355还包括第十放大器774和第四滤波器776。在此示例中，第二滤波器350、第二放大器352、第十放大器774和第四滤波器776串联耦合在第二信号路径355的输入端354与输出端356之间。第十放大器774(例如，可变增益放大器)可以用于增大第二信号路径355的增益，并且第四滤波器776(例如，HPF)可以用于提高第二信号路径355的频率选择性(例如，进一步抑制第一IF信号420、520或620)。 [0083] 应当理解，发射系统305可以包括图3、图7A和图7B未示出的附加设备。例如，在一些具体实施中，发射系统305可以包括用于测量发射器阵列320、330、360和370中的一者或多者的输出端处的发射功率的一个或多个功率检测器。在另一示例中，发射系统305可以包括用于在发射系统305与接收系统(未示出)之间切换第一天线阵列325和第二天线阵列335的天线的一个或多个双工器。在另一示例中，发射系统305还可以包括耦合到第三混频器346的第三频率合成器和耦合到第四混频器386的第四合成器，而不是第一开关390和第二开关392。在此示例中，第三频率合成器可以被配置为在第二发射模式下向第三混频器346输出本地振荡器以用于将第二IF信号525上变频到第二RF信号555，并且第四频率合成器可以被配置为在第三发射模式下向第四混频器386输出本地振荡器以用于将第一IF信号620上变频到第一RF信号650。 [0084] 此外，应当理解，在一些具体实施中，可以省略图3、图7A和图7B中的示例所示的设备中的一个或多个设备。例如，对于发射系统305不使用第二发射模式并且不在第一发射模式下使用第三发射器阵列330来发射第一RF信号450的示例，可以省略第三发射器阵列330、第三混频器346、第四放大器720和第五放大器730。对于发射系统305不使用第三发射模式并且不在第一发射模式下使用第四发射器阵列360来发射第二RF信号455的示例，可以省略第四发射器阵列360、第四混频器386、第七放大器750和第八放大器760。 [0085] 还应当理解，例如，发射系统305可以与接收系统共享一个或多个设备，以使芯片面积最小化并且共享设计目标规范。例如，发射系统305可以与接收系统共享第一频率合成器340和/或第二频率合成器345。在另一示例中，发射系统305可以与接收系统共享第一滤波器310(例如，LPF滤波器)和第二滤波器350(例如，HPF滤波器)。 [0086] 图8示出了根据某些方面的发射器阵列810的示例性具体实施。第一发射器阵列320、第二发射器阵列370、第三发射器阵列330和第四发射器阵列360中的每一者可以用图8中的示例性发射器阵列810的单独实例来实现。 [0087] 在此示例中，发射器阵列810包括PDN 830(也被称为分频器或分路器)和多个发射链822‑1至822‑N。PDN 830具有耦合到发射器阵列810的输入端812的输入端832以及多个输出端834‑1至834‑N。PDN 830被配置为在输入端832处接收RF信号并且在输出端834‑1至834‑N处将该RF信号分裂为多个RF信号。发射链822‑1至822‑N中的每一者具有耦合到PDN 830的输出端834‑1至834‑N中的相应一者的输入端824‑1至824‑N，以及耦合到发射器阵列 810的输出端814‑1至814‑N中的相应一者的输出端826‑1至826‑N。 [0088] 在图8所示的示例中，发射链822‑1至822‑N中的每一者包括相应放大器825‑1至825‑N(例如，可变增益放大器)、相应移相器827‑1至827‑N以及相应功率放大器828‑1至 828‑N。在发射链822‑1至822‑N中的每一者中，相应放大器825‑1至825‑N的输入端耦合到PDN 830的相应输出端834‑1至834‑N，相应移相器827‑1至827‑N的输入端耦合到相应放大器825‑1至825‑N的输出端，相应功率放大器828‑1至828‑N的输入端耦合到相应移相器827‑ 1至827‑N的输出端，并且相应功率放大器828‑1至828‑N的输出端耦合到发射器阵列810的相应输出端814‑1至814‑N。 [0089] 移相器827‑1至827‑N中的每一者被配置为将相应RF信号的相位移位相应相移以设置相应天线阵列(例如，第一天线阵列325和第二天线阵列335中的相应一者)的发射波束方向。就这一点而言，波束形成器控制器850基于期望的发射波束方向来设置移相器827‑1至827‑N的相移。 [0090] 图9示出了根据某些方面的第一天线阵列325的示例性具体实施。在此示例中，第一天线阵列325包括多个天线920‑1至920‑N(也被称为天线元件)。天线920‑1至920‑N中的每一者可以用贴片天线或另一类型的天线来实现，该贴片天线或另一类型的天线可以形成在或安装在基板940(例如，印刷电路板或另一类型的基板)上。在此示例中，天线920‑1至920‑N中的每一者耦合到第一发射器阵列320的输出端324‑1至324‑N中的相应一者以及第四发射器阵列360的输出端364‑1至364‑N中的相应一者。 [0091] 在图9所示的示例中，系统可以包括第一滤波器925‑1至925‑N，第一滤波器925‑1至925‑N中的每一者耦合在天线920‑1至920‑N中的相应一者与第一发射器阵列320的输出端324‑1至324‑N中的相应一者之间。系统还可以包括第二滤波器930‑1至930‑N，第二滤波器930‑1至930‑N中的每一者耦合在天线920‑1至920‑N中的相应一者与第四发射器阵列360的输出端364‑1至364‑N中的相应一者之间。第一滤波器925‑1至925‑N和第二滤波器930‑1至930‑N可以形成在或安装在基板940上。因此，天线920‑1至920‑N中的每一者经由第一滤波器925‑1至925‑N中的相应一者耦合到第一发射器阵列320的输出端324‑1至324‑N中的相应一者，并且经由第二滤波器930‑1至930‑N中的相应一者耦合到第四发射器阵列360的输出端364‑1至364‑N中的相应一者。 [0092] 在某些方面，第一滤波器925‑1至925‑N和第二滤波器930‑1至930‑N可以被配置为减少第一发射器阵列320与第四发射器阵列360之间的串扰。对于第一发射器阵列320发射第一频带中的RF信号并且第四发射器阵列360发射第二频带中的RF信号的示例，第一滤波器925‑1至925‑N中的每一者可以用被配置为使第一频带中的RF信号通过并且抑制第二频带中的RF信号的相应LPF来实现，并且第二滤波器930‑1至930‑N中的每一者可以用被配置为使第二频带中的RF信号通过并且抑制第一频带中的RF信号的相应HPF来实现。 [0093] 图10示出了根据某些方面的第二天线阵列335的示例性具体实施。在此示例中，第二天线阵列335包括多个天线1020‑1至1020‑N(也被称为天线元件)。天线1020‑1至1020‑N中的每一者可以用贴片天线或另一类型的天线来实现，该贴片天线或另一类型的天线可以形成在或安装在基板1040(例如，印刷电路板或另一类型的基板)上。在此示例中，天线1020‑1至1020‑N中的每一者耦合到第三发射器阵列330的输出端334‑1至334‑N中的相应一者以及第二发射器阵列370的输出端374‑1至374‑N中的相应一者。在一些具体实施中，基板 1040和基板940可以是同一基板，在这种情况下，天线920‑1至920‑N和1020‑1至1020‑N在公共基板上。在其他具体实施中，基板1040和940可以是分开的。 [0094] 在图10所示的示例中，系统包括第一滤波器1025‑1至1025‑N，第一滤波器1025‑1至1025‑N中的每一者耦合在天线1020‑1至1020‑N中的相应一者与第三发射器阵列330的输出端334‑1至334‑N中的相应一者之间。系统还可以包括第二滤波器1030‑1至1030‑N，第二滤波器1030‑1至1030‑N中的每一者耦合在天线1020‑1至1020‑N中的相应一者与第二发射器阵列370的输出端374‑1至374‑N中的相应一者之间。第一滤波器1025‑1至1025‑N和第二滤波器1030‑1至1030‑N可以形成在或安装在基板1040上。因此，天线1020‑1至1020‑N中的每一者经由第一滤波器1025‑1至1025‑N中的相应一者耦合到第三发射器阵列330的输出端334‑1至334‑N中的相应一者，并且经由第二滤波器1030‑1至1030‑N中的相应一者耦合到第二发射器阵列370的输出端374‑1至374‑N中的相应一者。 [0095] 在某些方面，第一滤波器1025‑1至1025‑N和第二滤波器1030‑1至1030‑N可以被配置为减少第三发射器阵列330与第二发射器阵列370之间的串扰。对于第三发射器阵列330发射第一频带中的RF信号并且第二发射器阵列370发射第二频带中的RF信号的示例，第一滤波器1025‑1至1025‑N中的每一者可以用被配置为使第一频带中的RF信号通过并且抑制第二频带中的RF信号的相应LPF来实现，并且第二滤波器1030‑1至1030‑N中的每一者可以用被配置为使第二频带中的RF信号通过并且抑制第一频带中的RF信号的相应HPF来实现。 [0096] 尽管发射器阵列320、330、360和370在图3和图7中的示例中示出为具有相同数量(即，N)个输出端，但应当理解，情况不必如此，并且发射器阵列320、330、360和370可以具有不同数量个输出端。此外，应当理解，第一天线阵列325和第二天线阵列335可以具有不同数量个天线。 [0097] 图11示出了包括多频带发射系统305、第一天线阵列325和第二天线阵列335的系统的示例。该系统还包括IF电路1120和基带处理器1110(也被称为调制解调器)。IF 1120具有耦合到基带处理器1110的输出端1112的输入端1122，以及耦合到多频带发射系统305的输入端308的输出端1124。 [0098] 在此示例中，基带处理器1110被配置为接收数据信号和/或控制信号，并且将这些数据信号和/或控制信号处理成基带信号。由基带处理器1110进行的处理可以包括对数据信号和/或控制信号进行编码和/或调制。基带处理器1110在输出端1112处输出基带信号。 [0099] IF电路1120被配置为将基带信号转换为IF信号(例如，IF信号420、425、520、525、620和/或625)，并且将该IF信号从输出端1124输出到发射系统305。例如，IF电路1120可以通过对基带信号进行上变频来将基带信号转换为IF信号。在此示例中，IF电路1120可以包括用于将基带信号与一个或多个LO信号进行混频以将基带信号上变频为IF信号的混频器(未示出)。IF信号的频率在由发射系统305发射的RF信号的频率与基带之间。在一些具体实施中，IF电路1120和发射系统305可以被集成在分开的芯片上，IF电路1120的输出端1124经由电缆或传输线耦合到发射系统305的输入端308。 [0100] 图12示出了根据本公开的某些方面的用于发射的方法1200。方法1200可以例如由发射系统305执行。 [0101] 在框1210处，经由公共输入端接收第一中频(IF)信号和第二IF信号。例如，公共输入端可以对应于IF输入端308。第一IF信号和第二IF信号可以来自IF电路(例如，IF电路1120)。 [0102] 在框1220处，将第一IF信号上变频为第一射频(RF)信号。例如，第一IF信号可以由第一混频器318进行上变频。 [0103] 在框1230处，经由第一天线阵列发射第一RF信号。例如，第一RF信号可以由第一发射器阵列320经由第一天线阵列(例如，第一天线阵列325)发射。 [0104] 在框1240处，将第二IF信号上变频为第二RF信号。例如，第二IF信号可以由第二混频器358进行上变频。 [0105] 在框1250处，经由第二天线阵列发射第二RF信号，其中在第一发射模式下，第一RF信号在第一频带中并且第二RF信号在第二频带中，并且在第二发射模式下，第一RF信号和第二RF信号都在第一频带中。例如，第二RF信号可以由第二发射器阵列370经由第二天线阵列(例如，第二天线阵列335)发射。 [0106] 在一个示例中，第一频带在24GHz至29GHz的频率范围内，并且第二频带在37GHz至48GHz的频率范围内。然而，应当理解，第一频带和第二频带不限于此示例。 [0107] 在某些方面，方法1200还可以包括在第一发射模式下，经由第二天线阵列发射第一RF信号，并且经由第一天线阵列发射第二RF信号。例如，第一RF信号可以由第三发射器阵列330经由第二天线阵列发射，并且第二RF信号可以由第四发射器阵列360经由第一天线阵列发射。 [0108] 在某些方面，在第三发射模式下，第一RF信号和第二RF都在第二频带中。 [0109] 在某些方面，经由第一天线阵列发射第一RF信号可以包括将第一RF信号路由到与第一天线阵列耦合的第一发射器阵列(例如，第一发射器阵列320)的输入端，并且经由第二天线阵列发射第二RF信号可以包括在第一发射模式下将第二RF信号路由到与第二天线阵列耦合的第二发射器阵列(例如，第二发射器阵列370)的输入端，以及在第二发射模式下将第二RF信号路由到与第二天线阵列耦合的第三发射器阵列(例如，第三发射器阵列330)的输入端。例如，第一RF信号可以由第一PDN 323路由，并且第二RF信号可以在第一发射模式下由第二PDN 363路由并在第二发射模式下由第一PDN 323路由。 [0110] 上文所论述的模式控制器395可以用被设计成执行本文所描述的功能的通用处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)或另一可编程逻辑设备、分立硬件组件(例如，逻辑门)或它们的任何组合来实现。处理器可通过执行包括用于执行本文中所描述的功能的代码的软件来执行该功能。软件可存储在计算机可读存储介质上，诸如RAM、ROM、EEPROM、光盘和/或磁盘。 [0111] 在以下经编号条款中描述了各实现示例： [0112] 1.一种装置，包括： [0113] 第一信号路径，所述第一信号路径具有输入端和输出端，其中所述第一信号路径的所述输入端耦合到中频(IF)输入端，并且所述第一信号路径包括被配置为使第一IF信号通过并且抑制第二IF信号的第一滤波器； [0114] 第二信号路径，所述第二信号路径具有输入端和输出端，其中所述第二信号路径的所述输入端耦合到所述IF输入端，并且所述第二信号路径包括被配置为使所述第二IF信号通过并且抑制所述第一IF信号的第二滤波器； [0115] 第一发射器阵列，所述第一发射器阵列具有输入端和多个输出端； [0116] 第二发射器阵列，所述第二发射器阵列具有输入端和多个输出端； [0117] 第三发射器阵列，所述第三发射器阵列具有输入端和多个输出端； [0118] 第一电源分配网络(PDN)，所述第一PDN具有第一输入端、第二输入端、耦合到所述第一发射器阵列的所述输入端的第一输出端，以及耦合到所述第三发射器阵列的所述输入端的第二输出端； [0119] 第一混频器，所述第一混频器耦合在所述第一信号路径的所述输出端与所述第一PDN的所述第一输入端之间； [0120] 第二混频器，所述第二混频器耦合在所述第二信号路径的所述输出端与所述第二发射器阵列的所述输入端之间；以及 [0121] 第三混频器，所述第三混频器耦合在所述第二信号路径的所述输出端与所述第一PDN的所述第二输入端之间。 [0122] 2.根据条款1所述的装置，其中： [0123] 所述第一滤波器包括低通滤波器；并且 [0124] 所述第二滤波器包括高通滤波器。 [0125] 3.根据条款2所述的装置，其中： [0126] 所述第一信号路径还包括与所述第一滤波器串联耦合的第一放大器；并且[0127] 所述第二信号路径还包括与所述第二滤波器串联耦合的第二放大器。 [0128] 4.根据条款1至3中任一项所述的装置，还包括耦合到所述第一PDN的控制器，其中所述控制器被配置为： [0129] 在第一发射模式下，使所述第一PDN将所述第一PDN的所述第一输入端耦合到所述第一PDN的所述第一输出端和所述第一PDN的所述第二输出端；并且 [0130] 在第二发射模式下，使所述第一PDN将所述第一PDN的所述第二输入端耦合到所述第一PDN的所述第二输出端。 [0131] 5.根据条款4所述的装置，其中所述控制器被配置为使所述第一PDN在载波聚合模式期间在所述第一发射模式下进行操作。 [0132] 6.根据条款1至5中任一项所述的装置，其中所述第一PDN包括： [0133] 第一放大器，所述第一放大器耦合在所述第一PDN的所述第一输入端与所述PDN的所述第一输出端之间； [0134] 第二放大器，所述第二放大器耦合在所述PDN的所述第一输入端与所述PDN的所述第二输出端之间；以及 [0135] 第三放大器，所述第三放大器耦合在所述第一PDN的所述第二输入端与所述第一PND的所述第二输出端之间。 [0136] 7.根据条款6所述的装置，还包括控制器，其中在第一发射模式下，所述控制器被配置为启用所述第一放大器、启用所述第二放大器并且禁用所述第三放大器。 [0137] 8.根据条款7所述的装置，其中在第二发射模式下，所述控制器被配置为启用所述第一放大器、禁用所述第二放大器并且启用所述第三放大器。 [0138] 9.根据条款1至8中任一项所述的装置，还包括： [0139] 第四发射器阵列，所述第四发射器阵列具有输入端和多个输出端； [0140] 第二PDN，所述第二PDN具有第一输入端、第二输入端、耦合到所述第二发射器阵列的所述输入端的第一输出端，以及耦合到所述第四发射器阵列的所述输入端的第二输出端，其中所述第二混频器耦合在所述第二信号路径的所述输出端与所述第二PDN的所述第一输入端之间；以及 [0141] 第四混频器，所述第四混频器耦合在所述第一信号路径的所述输出端与所述第二PDN的所述第二输入端之间。 [0142] 10.根据条款9所述的装置，还包括耦合到所述第一PDN和所述第二PDN的控制器，其中所述控制器被配置为： [0143] 在第一发射模式下，使所述第一PDN将所述第一PDN的所述第一输入端耦合到所述第一PDN的所述第二输出端，并且使所述第二PDN将所述第二PDN的所述第一输入端耦合到所述第二PDN的所述第二输出端； [0144] 在第二发射模式下，使所述第一PDN将所述第一PDN的所述第二输入端耦合到所述第一PDN的所述第二输出端；并且 [0145] 在第三发射模式下，使所述第二PDN将所述第二PDN的所述第二输入端耦合到所述第二PDN的所述第二输出端。 [0146] 11.根据条款10所述的装置，其中在所述第一发射模式下，所述控制器被配置为使所述第一PDN将所述第一PDN的所述第一输入端耦合到所述第一PDN的所述第一输出端，并且使所述第二PDN将所述第二PDN的所述第一输入端耦合到所述第二PDN的所述第一输出端。 [0147] 12.根据条款9至11中任一项所述的装置，还包括： [0148] 第一频率合成器，所述第一频率合成器耦合到所述第一混频器； [0149] 第二频率合成器，所述第二频率合成器耦合到所述第二混频器； [0150] 第一开关，所述第一开关耦合在所述第一频率合成器与所述第四混频器之间；以及 [0151] 第二开关，所述第二开关耦合在所述第二频率合成器与所述第三混频器之间。 [0152] 13.根据条款9至12中任一项所述的装置，其中所述第一PDN包括： [0153] 第一放大器，所述第一放大器耦合在所述第一PDN的所述第一输入端与所述第一PDN的所述第一输出端之间； [0154] 第二放大器，所述第二放大器耦合在所述第一PDN的所述第一输入端与所述第一PDN的所述第二输出端之间；以及 [0155] 第三放大器，所述第三放大器耦合在所述第一PDN的所述第二输入端与所述第一PND的所述第二输出端之间。 [0156] 14.根据条款13所述的装置，其中所述第二PDN包括： [0157] 第四放大器，所述第四放大器耦合在所述第二PDN的所述第一输入端与所述第二PDN的所述第一输出端之间； [0158] 第五放大器，所述第五放大器耦合在所述第二PDN的所述第一输入端与所述第二PDN的所述第二输出端之间；以及 [0159] 第六放大器，所述第六放大器耦合在所述第二PDN的所述第二输入端与所述第二PND的所述第二输出端之间。 [0160] 15.根据条款14所述的装置，还包括控制器，其中： [0161] 在第一发射模式下，所述控制器被配置为启用所述第一放大器、启用所述第二放大器、禁用所述第三放大器、启用所述第四放大器、启用所述第五放大器并且禁用所述第六放大器； [0162] 在第二发射模式下，所述控制器被配置为启用所述第一放大器、禁用所述第二放大器并且启用所述第三放大器；并且 [0163] 在第三发射模式下，所述控制器被配置为启用所述第四放大器、禁用所述第五放大器并且启用所述第六放大器。 [0164] 16.根据条款9至15中任一项所述的装置，还包括第一天线阵列，所述第一天线阵列包括第一天线，其中所述第一天线中的每一个第一天线耦合到所述第一发射器阵列的所述输出端中的相应一个输出端和所述第四发射器阵列的所述输出端中的相应一个输出端。 [0165] 17.根据条款16所述的装置，还包括第二天线阵列，所述第二天线阵列包括第二天线，其中所述第二天线中的每一个第二天线耦合到所述第三发射器阵列的所述输出端中的相应一个输出端和所述第二发射器阵列的所述输出端中的相应一个输出端。 [0166] 18.根据条款16或17所述的装置，还包括： [0167] 第一滤波器；以及 [0168] 第二滤波器； [0169] 其中所述第一天线中的每一个第一天线经由所述第一滤波器中的相应一个第一滤波器耦合到所述第一发射器阵列的所述输出端中的所述相应一个输出端，并且经由所述第二滤波器中的相应一个第二滤波器耦合到所述第四发射器阵列的所述输出端中的所述相应一个输出端。 [0170] 19.根据条款1至18中任一项所述的装置，还包括： [0171] 基带处理器；以及 [0172] IF电路，所述IF电路耦合在所述基带处理器与所述IF输入端之间。 [0173] 20.根据条款1至19中任一项所述的装置，其中所述第一发射器阵列包括： [0174] 第二PDN，所述第二PDN具有输入端和多个输出端，其中所述第二PDN的所述输入端耦合到所述第一发射器阵列的所述输入端；以及 [0175] 多个发射链，其中所述发射链中的每一个发射链耦合在所述第二PDN的所述输出端中的相应一个输出端与所述第一发射器阵列的所述输出端中的相应一个输出端之间，并且其中所述发射链中的每一个发射链包括相应移相器。 [0176] 21.一种用于发射的方法，包括： [0177] 经由公共输入端接收第一中频(IF)信号和第二IF信号； [0178] 将所述第一IF信号上变频为第一射频(RF)信号； [0179] 经由第一天线阵列发射所述第一RF信号； [0180] 将所述第二IF信号上变频为第二RF信号；以及 [0181] 经由第二天线阵列发射所述第二RF信号； [0182] 其中在第一发射模式下，所述第一RF信号在第一频带中并且所述第二RF信号在第二频带中；并且 [0183] 其中在第二发射模式下，所述第一RF信号和所述第二RF信号都在所述第一频带中。 [0184] 22.根据条款21所述的方法，还包括在所述第一发射模式下，经由所述第二天线阵列发射所述第一RF信号，并且经由所述第一天线阵列发射所述第二RF信号。 [0185] 23.根据条款21或22所述的方法，其中在第三发射模式下，所述第一[0186] RF信号和所述第二RF信号都在所述第二频带中。 [0187] 24.根据条款21至23中任一项所述的方法，其中所述第一频带在24GHz至29GHz的频率范围内，并且所述第二频带在37GHz至48GHz的频率范围内。 [0188] 25.根据条款21至24中任一项所述的方法，其中： [0189] 经由所述第一天线阵列发射所述第一RF信号包括将所述第一RF信号路由到与所述第一天线阵列耦合的第一发射器阵列的输入端；并且 [0190] 经由所述第二天线阵列发射所述第二RF信号包括： [0191] 在所述第一发射模式下，将所述第二RF信号路由到与所述第二天线阵列耦合的第二发射器阵列的输入端；以及 [0192] 在所述第二发射模式下，将所述第二RF信号路由到与所述第二天线阵列耦合的第三发射器阵列的输入端。 [0193] 26.一种装置，包括： [0194] 第一信号路径，所述第一信号路径具有输入端和输出端，其中所述第一信号路径包括第一滤波器； [0195] 第二信号路径，所述第二信号路径具有输入端和输出端，其中所述第二信号路径包括第二滤波器，并且所述第一信号路径的所述输入端和所述第二信号路径的所述输入端耦合到公共输入端； [0196] 第一发射器阵列，所述第一发射器阵列具有输入端和多个输出端； [0197] 第二发射器阵列，所述第二发射器阵列具有输入端和多个输出端； [0198] 第三发射器阵列，所述第三发射器阵列具有输入端和多个输出端； [0199] 第一混频器，所述第一混频器耦合到所述第一信号路径的所述输出端； [0200] 第二混频器，所述第二混频器耦合到所述第二信号路径的所述输出端； [0201] 第三混频器，所述第三混频器耦合到所述第二信号路径的所述输出端； [0202] 用于在第一发射模式和第二发射模式下将所述第一混频器耦合到所述第一发射器阵列的所述输入端的构件； [0203] 用于在所述第一发射模式下将所述第二混频器耦合到所述第二发射器阵列的所述输入端的构件；以及 [0204] 用于在所述第二发射模式下将所述第三混频器耦合到所述第三发射器阵列的所述输入端的构件。 [0205] 27.根据条款26所述的装置，还包括： [0206] 第四发射器阵列，所述第四发射器阵列具有输入端和多个输出端； [0207] 第四混频器，所述第四混频器耦合到所述第一信号路径的所述输出端；以及[0208] 用于在第三发射模式下将所述第四混频器耦合到所述第四发射器阵列的所述输入端的构件； [0209] 其中用于在所述第一发射模式下将所述第二混频器耦合到所述第二发射器阵列的所述输入端的所述构件在所述第三发射模式下将所述第二混频器耦合到所述第二发射器阵列的所述输入端。 [0210] 28.根据条款27所述的装置，还包括第一天线阵列，所述第一天线阵列包括第一天线，其中所述第一天线中的每一个第一天线耦合到所述第一发射器阵列的所述输出端中的相应一个输出端和所述第四发射器阵列的所述输出端中的相应一个输出端。 [0211] 29.根据条款28所述的装置，还包括第二天线阵列，所述第二天线阵列包括第二天线，其中所述第二天线中的每一个第二天线耦合到所述第三发射器阵列的所述输出端中的相应一个输出端和所述第二发射器阵列的所述输出端中的相应一个输出端。 [0212] 本文中使用诸如“第一”、“第二”等指定对元素的任何引述一般并不限定那些元素的数量或次序。确切而言，这些指定在本文被用作区分两个或更多个元素或元素实例的便捷方法。由此，对第一元素和第二元素的引述并不意味着仅能采用两个元素、或者第一元素必须位于第二元素之前。 [0213] 在本公开内容内，“示例性的”一词用来意指“用作示例、实例或说明”。在本文中被描述为“示例性”的任何实现方式或方面不必被解释为优于或胜过本公开的其他方面。同样，术语“方面”不要求本公开内容的全部方面都包括所论述的特征、优点或者操作模式。术语“耦合”在本文中用于指两个结构之间的直接或间接电耦合。 [0214] 提供本公开的先前描述以使本领域的任何技术人员能够制作或使用本公开。对本公开的各种修改对于本领域技术人员来说将是显而易见的，并且本文定义的一般原理可以应用于其他变型而不背离本公开的精神或范围。由此，本公开并非旨在被限定于本文中所描述的示例，而是应被授予与本文中所公开的原理和新颖特征相一致的最广范围。 |
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