1.一种可调谐电路，包括：
电感器，包括第一端子和第二端子，所述第一端子耦合到节点；
第一电容器，包括第三端子和第四端子，所述第三端子耦合到所述节点；和
可变电容器，包括第五端子和第六端子，所述第五端子耦合到所述节点。
2.根据权利要求1所述的可调谐电路，其中：
所述第一电容器的所述第四端子和所述可变电容器的所述第六端子被配置为耦合到处于接地电压的接地节点。
3.根据权利要求2所述的可调谐电路，还包括：
第二电感器，包括第七端子和第八端子，所述第七端子耦合到所述第一端子并且所述第八端子耦合到第二节点；
第二电容器，包括第九端子和第十端子，所述第九端子耦合到所述第二节点并且所述第十端子耦合到所述接地节点；和
第二可变电容器，包括第十一端子和第十二端子，所述第十一端子耦合到所述第二节点并且所述第十二端子耦合到所述接地节点。
4.根据权利要求1所述的可调谐电路，其中：
所述第一电容器的所述第四端子和所述可变电容器的所述第六端子耦合到所述电感器的所述第二端子。
5.根据权利要求1所述的可调谐电路，还包括：
无源器件，包括所述电感器和所述第一电容器；和
半导体器件，包括所述可变电容器。
6.根据权利要求5所述的可调谐电路，还包括封装衬底，其中所述无源器件和所述半导体器件耦合到所述封装衬底。
7.根据权利要求5所述的可调谐电路，其中所述无源器件还包括玻璃衬底。
8.根据权利要求7所述的可调谐电路，其中所述无源器件还包括所述电感器的铜导电元件和所述第一电容器的铜导电元件。
9.根据权利要求1所述的可调谐电路，其中：
所述第一电容器包括固定电容；和
所述可变电容器包括被配置为调谐所述可调谐电路的谐振频率的可变电容。
10.根据权利要求9所述的可调谐电路，其中：
所述可变电容在从最小电容到最大电容的范围内；和
所述最大电容小于所述固定电容的100％。
11.根据权利要求1所述的可调谐电路，被集成到射频(RF)前端模块中。
12.根据权利要求1所述的可调谐电路，被集成到选自由以下组成的组的设备中：机顶盒；娱乐单元；导航设备；通信设备；固定位置数据单元；移动位置数据单元；全球定位系统(GPS)设备；移动电话；蜂窝电话；智能电话；会话发起协议(SIP)电话；平板；平板手机；服务器；计算机；便携式计算机；移动计算设备；穿戴式计算设备；台式计算机；个人数字助理(PDA)；监视器；计算机监视器；电视机；调谐器；无线电；卫星无线电；音乐播放器；数字音乐播放器；便携式音乐播放器；数字视频播放器；视频播放器；数字视频光盘(DVD)播放器；便携式数字视频播放器；机动车辆；车辆部件；航空电子系统；无人机；和多旋翼直升机。
13.一种可调谐电路，包括：
第一声学谐振器，包括第一端子和第二端子，所述第一端子耦合到被配置为接收输入信号的第一节点；和
可变电容器，包括第三端子和第四端子，所述第三端子耦合到所述第一端子，所述第四端子耦合到所述第二端子。
14.根据权利要求13所述的可调谐电路，还包括：
无源器件，包括所述第一声学谐振器；和
半导体器件，包括所述可变电容器。
15.根据权利要求13所述的可调谐电路，其中：
所述第二端子和所述第四端子耦合到接地电压轨。
16.根据权利要求15所述的可调谐电路，还包括：
第二声学谐振器，耦合在输入节点和所述第一节点之间。
17.根据权利要求13所述的可调谐电路，其中：
所述第二端子和所述第四端子耦合到被配置为生成输出信号的输出节点。
18.根据权利要求17所述的可调谐电路，还包括：
第二声学谐振器，耦合在所述输出节点和接地电压轨之间。
19.一种可调谐电路封装，包括：
封装衬底；
无源器件，耦合到所述封装衬底，所述无源器件包括：
电感器，包括第一端子和第二端子，所述第一端子耦合到节点；
第一电容器，包括第三端子和第四端子，所述第三端子耦合到所述节点；以及半导体器件，耦合到所述封装衬底，所述半导体器件包括可变电容器，所述可变电容器包括第五端子和第六端子，所述第五端子耦合到所述节点。
20.根据权利要求19所述的可调谐电路封装，其中所述无源器件还包括玻璃上无源(POG)器件。
21.根据权利要求19所述的可调谐电路封装，其中所述半导体器件还包括低噪声放大器(LNA)电路。
22.根据权利要求19所述的可调谐电路封装，其中所述半导体器件还包括耦合到所述电感器的所述第一端子的天线开关模块(ASM)并且所述ASM被配置为耦合到天线。
23.根据权利要求22所述的可调谐电路封装，其中：
所述天线被配置为接收包括一定频率范围的信号；并且
所述可调谐电路封装被配置为减少或防止所述信号的至少一个频率的传输。
24.一种制造可调谐电路封装的方法，包括：
形成封装衬底；
形成包括电感器和第一电容器的无源器件，所述电感器包括第一端子和第二端子，所述第一端子耦合到节点，并且所述第一电容器包括第三端子和第四端子，所述第三端子耦合到所述节点；
形成包括可变电容器的半导体器件，所述可变电容器包括第五端子和第六端子；
将所述无源器件耦合到所述封装衬底；以及
将所述半导体器件耦合到所述封装衬底以将所述第五端子耦合到所述节点。