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一种用于高频头上的22KHz信号抗干扰调谐放大电路

申请号 CN202110774193.6 申请日 2021-07-08 公开(公告)号 CN113472297A 公开(公告)日 2021-10-01
申请人 浙江盛洋科技股份有限公司; 发明人 徐明森; 邓秀峰; 周星;
摘要 本 发明 公开一种用于高频头上的22KHz 信号 抗干扰调谐放大 电路 ,包括调谐放大电路、峰值检测电路和数据 限幅 器电路;峰值检测电路与调谐放大电路连接,峰值检测电路与数据限幅器电路连接;信号从调谐放大电路输入,从数据限幅器电路输出;调谐放大电路用于调谐放大 模拟信号 ;峰值检测电路对调谐放大后的信号的峰值进行提取和保持;数据限幅器电路用于将峰值检测电路提取的调幅波包络信号转换为 数字信号 ;该抗干扰调谐放大电路具有采用较少元器件,提高抗噪能 力 ,降 低信号 转换中的错误率的特点。
权利要求

1.一种用于高频头上的22KHz信号抗干扰调谐放大电路,其特征在于:包括调谐放大电路、峰值检测电路和数据限幅器电路;峰值检测电路与调谐放大电路连接,峰值检测电路与数据限幅器电路连接;信号从调谐放大电路输入,从数据限幅器电路输出;调谐放大电路用于调谐放大模拟信号;峰值检测电路对调谐放大后的信号的峰值进行提取和保持;数据限幅器电路用于将峰值检测电路提取的调幅波包络信号转换为数字信号;调谐放大电路包括NPN型三极管Q1,三极管Q1的基极连接一电容C1,信号经过电容C1,输入三极管Q1;三极管Q1的发射极接地,三极管Q1的基极和集电极之间并联有电阻R2和电容C2;三极管Q1的集电极连接电源V1;三极管Q1的集电极与电源V1之间串联电阻R3。
2.根据权利要求1所述的一种用于高频头上的22KHz信号抗干扰调谐放大电路,其特征在于:峰值检测电路包括NPN型三极管Q2、电阻R3和电容C3;三极管Q2的基极与调谐放大电路中三极管Q1的集电极连接;三极管Q2的集电极与基极连接,三极管Q2的发射极与电阻R4连接后接地,三极管Q2的发射极与电容C3连接后接地。
3.根据权利要求2所述的一种用于高频头上的22KHz信号抗干扰调谐放大电路,其特征在于:数据限幅器电路包括NPN型三极管Q3和NPN型三极管Q4;三极管Q3的基极与峰值检测电路中的三极管Q2的发射极连接,且两者之间串联一电阻R5;三极管Q3的集电极串联连接电源V1,三极管Q3的集电极与电源V1之间串联有电阻R6;三极管Q3的发射极连接电阻R7后接地,三极管Q3的发射极与三极管Q4的发射集相连;三极管Q3的集电极与三极管Q4的基极连接,且两者之间串联一电阻R9;三极管Q4的基极连接电阻R10后接地;三极管Q4的集电极与电源V1连接,三极管Q4的集电极与电源V1之间串联一电阻R8。
4.根据权利要求1或3所述的一种用于高频头上的22KHz信号抗干扰调谐放大电路,其特征在于:数据限幅器电路与MCU连接。
5.根据权利要求3所述的一种用于高频头上的22KHz信号抗干扰调谐放大电路,其特征在于:R1阻值为4K7,R2阻值为68K,R3阻值为4K7,R4阻值为33K,R5阻值为1K,R6阻值为15K,R7阻值为1K,R8阻值为47K,R9阻值为6K8,R10阻值为20K;C1电容量为3.3nF,C2电容量为
22pF,C3电容量为4.7nF;电源V1为6V直流电源。
6.根据权利要求3所述的一种用于高频头上的22KHz信号抗干扰调谐放大电路,其特征在于:NPN三极管Q1、Q2、Q3、Q4皆为NXP型两颗双晶体管封装PUMX1。

说明书全文

一种用于高频头上的22KHz信号抗干扰调谐放大电路

技术领域

[0001] 本发明涉及电子电路领域,特别涉及一种用于高频头上的22KHz信号抗干扰调谐放大电路。

背景技术

[0002] 现有技术22KHz信号抗干扰调谐放大电路中,其涉及到的放大、调谐和数据限幅器电路是使用运算放大器、比较器和数字电路设计的,或者使用放大器并调谐每个单独的22kHz周期。后者非常昂贵,需要很大的PCB区域,同时放大和脉冲计数过程容易出错。
[0003] 鉴于上述问题,本发明设计出种用于高频头上的22KHz信号抗干扰调谐放大电路,本案由此产生。

发明内容

[0004] 本发明提供一种用于高频头上的22KHz信号抗干扰调谐放大电路,该抗干扰调谐放大电路具有采用较少元器件,提高抗噪能,降低信号转换中的错误率的特点;具体地,本发明是通过以下技术方案实现:
[0005] 一种用于高频头上的22KHz信号抗干扰调谐放大电路,包括调谐放大电路、峰值检测电路和数据限幅器电路;峰值检测电路与调谐放大电路连接,峰值检测电路与数据限幅器电路连接;信号从调谐放大电路输入,从数据限幅器电路输出;调谐放大电路用于调谐放大模拟信号;峰值检测电路对调谐放大后的信号的峰值进行提取和保持;数据限幅器电路用于将峰值检测电路提取的调幅波包络信号转换为数字信号
[0006] 通过调谐放大电路从而实现调谐放大模拟信号的目的;通过峰值检测电路对调谐放大后的信号的峰值进行提取和保持,形成调幅波包络信号;通过数据限幅器电路用于将峰值检测电路提取的调幅波包络信号转换为数字信号。
[0007] 进一步,调谐放大电路包括NPN型三极管Q1,三极管Q1的基极连接一电容C1,信号经过电容C1,输入三极管Q1;三极管Q1的发射极接地,三极管Q1的基极和集电极之间并联有电阻R2和电容C2;三极管Q1的集电极连接电源V1;三极管Q1的集电极与电源V1之间串联电阻R3。
[0008] 进一步,峰值检测电路包括NPN型三极管Q2、电阻R3和电容C3;三极管Q2的基极与调谐放大电路中三极管Q1的集电极连接;三极管Q2的集电极与基极连接,三极管Q2的发射极与电阻R4连接后接地,三极管Q2的发射极与电容C3连接后接地。
[0009] 进一步,数据限幅器电路包括NPN型三极管Q3和NPN型三极管Q4;三极管Q3的基极与峰值检测电路中的三极管Q2的发射极连接,且两者之间串联一电阻R5;三极管Q3的集电极串联连接电源V1,三极管Q3的集电极与电源V1之间串联有电阻R6;三极管Q3的发射极连接电阻R7后接地,三极管Q3的发射极与三极管Q4的发射集相连;三极管Q3的集电极与三极管Q4的基极连接,且两者之间串联一电阻R9;三极管Q4的基极连接电阻R10后接地;三极管Q4的集电极与电源V1连接,三极管Q4的集电极与电源V1之间串联一电阻R8。
[0010] 调幅波的包络信号经过三极管Q3和三极管Q4,转换为二进制信号从三极管Q4的集电极处输出。
[0011] 上述三种电路中,并未采用运算放大器、比较器等价格昂贵的元器件,采用三极管,具有非常小的PCB面积占用和极低的成本。同时上述电路高平的抗扰性,并且可以抵抗Diseqc信号中的大变化以及伴随Diseqc信号而引起的毛刺。该电路还可以调谐音调电压信令的存在,同时解码数据控制消息。
[0012] 进一步,数据限幅器电路与MCU连接。
[0013] 优选地,R1阻值为4K7,R2阻值为68K,R3阻值为4K7,R4阻值为33K,R5阻值为1K,R6阻值为15K,R7阻值为1K,R8阻值为47K,R9阻值为6K8,R10阻值为20K;C1电容量为3.3nF,C2电容量为22pF,C3电容量为4.7nF;电源V1为6V直流电源。
[0014] 进一步,NPN三极管Q1、Q2、Q3、Q4皆为NXP型两颗双晶体管封装PUMX1。
[0015] 本发明发明的22KHz信号抗干扰调谐放大电路,提供了高水平的抗噪声能力,并且能够抵御在数据控制信息中出现的数据控制信号和故障的大变化。它只需更少更小的元件,其中一些是双晶体管封装,具有非常小的PCB面积占用和极低的成本。该电路还可以调谐音调和电压信令的存在,同时解码数据控制消息。附图说明
[0016] 图1为本发明提供的一种用于高频头上的22KHz信号抗干扰调谐放大电路实施例的示意图。

具体实施方式

[0017] 下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步说明。
[0018] 如图1所示,一种用于高频头上的22KHz信号抗干扰调谐放大电路,包括依次连接的调谐放大电路11、峰值检测电路22和数据限幅器电路33;信号从调谐放大电路11输入,从数据限幅器电路33输出,数据限幅器电路33与MCU连接,输出后的信号进入MCU。
[0019] 调谐放大电路11用于调谐放大以22KHz为中心频率的Dsicqc 1.0信号。峰值检测电路22对调谐放大后的信号的峰值进行提取和保持。数据限幅器电路33将峰值检测电路22提取的调幅波包络信号转换为数字信号。
[0020] 其中调谐放大电路11包括NPN型三极管Q1,三极管Q1的基极连接一电容C1,电容C1连接电阻R1;三极管Q1的发射极接地,三极管Q1的基极和集电极之间并联有电阻R2和电容C2。三极管Q1的集电极连接电源V1。三极管Q1的集电极与电源V1之间串联电阻R3。信号从电阻R1的一端进入,经过电容C1调谐,三极管Q1放大后,从三极管Q1的集电极端输出。
[0021] 峰值检测电路22包括NPN型三极管Q2、电阻R3和电容C3。其中三极管Q2的基极与调谐放大电路11中三极管Q1的集电极连接。三极管Q2的集电极与基极连接,三极管Q2的发射极与电阻R4连接后接地,三极管Q2的发射极与电容C3连接后接地。信号从三极管Q2的基极进入,从三级管Q2的发射极输出。
[0022] 数据限幅器电路33包括NPN型三极管Q3和NPN型三极管Q4;其中三极管Q3的基极与峰值检测电路22中的三极管Q2的发射极连接,且两者之间串联一电阻R5;三极管Q3的集电极串联连接电源V1,三极管Q3的集电极与电源V1之间串联有电阻R6;三极管Q3的发射极连接电阻R7后接地,三极管Q3的发射极与三极管Q4的发射集相连;三极管Q3的集电极与三极管Q4的基极连接,且两者之间串联一电阻R9;三极管Q4的基极连接电阻R10后接地;三极管Q4的集电极与电源V1连接,三极管Q4的集电极与电源V1之间串联一电阻R8;调幅波的包络信号经过三极管Q3和三极管Q4,转换为二进制信号从三极管Q4的集电极处输出。
[0023] 其中上述电路中的元器件选择以下规格:R1=4K7,R2=68K,R3=4K7,R4=33K,R5=1K,R6=15K,R7=1K,R8=47K,R9=6K8,R10=20K;
[0024] C1=3.3nF,C2=22pF,C3=4.7nF;
[0025] NPN三极管Q1、Q2、Q3、Q4皆为NXP型两颗双晶体管封装PUMX1。
[0026] 电源V1为6V直流电源。
[0027] 以上是本发明优选实施方式,在本发明构思前提下所做出若干其他简单替换和改动,都应当视为属于本发明的保护范畴。
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