1.一种氮化镓限幅器，其特征在于，包括：三级限幅电路，第一级限幅电路、第二级限幅电路和第三级限幅电路按照氮化镓限幅器的主传输线的信号传输方向依次接入所述主传输线；
所述第一级限幅电路中包括2N个氮化镓PIN二极管，N为正整数；
任意N个氮化镓PIN二极管串联，构成两个氮化镓PIN二极管串，其中第一氮化镓PIN二极管串的阳极端连接所述主传输线，阴极端接地，第二氮化镓PIN二极管串的阴极端连接所述主传输线，阳极端接地；
所述第二级限幅电路中包括四个氮化镓肖特基二极管；
任意两个氮化镓肖特基二极管串联，构成两个氮化镓肖特基二极管串，其中第一氮化镓肖特基二极管串的阳极端连接所述主传输线，阴极端接地，第二氮化镓肖特基二极管串的阴极端连接所述主传输线，阳极端接地；
所述第三级限幅电路中包括两个氮化镓肖特基二极管；
第一氮化镓肖特基二极管的阳极端连接所述主传输线，阴极端接地，第二氮化镓肖特基二极管的阴极端连接所述主传输线，阳极端接地。
2.根据权利要求1所述的氮化镓限幅器，其特征在于，所述第一级限幅电路中还包括2N个氮化镓肖特基二极管；
任意N个氮化镓肖特基二极管串联，构成第三氮化镓肖特基二极管串和第四氮化镓肖特基二极管串，所述第三氮化镓肖特基二极管串的阳极端连接所述第一氮化镓PIN二极管串的阴极端，所述第三氮化镓肖特基二极管串的阴极端接地；
所述第四氮化镓肖特基二极管串的阴极端连接所述第二氮化镓PIN二极管串的阳极端，所述第三氮化镓肖特基二极管串的阳极端接地。
3.根据权利要求2所述的氮化镓限幅器，其特征在于，所述第一级限幅电路中氮化镓肖特基二极管的数量为四个，氮化镓PIN二极管为两个。
4.一种氮化镓限幅器的制备方法，其特征在于，用于制备上述权利要求1‑3中任一项所述的氮化镓限幅器，所述氮化镓限幅器的制备方法包括：
+ ‑
在半绝缘衬底上依次生长NGaN层和NGaN层；
‑
在所述N GaN层上生长SiO2层，预留出第一预设位置，并在所述第一预设位置上依次生‑ +
长I层GaN本征层、PGaN层以及PGaN层，得到PIN二极管台面；
‑
去除所述SiO2层后，在所述NGaN层除所述第一预设位置外和第二预设位置外的区域进+ +
行刻蚀，直至露出所述NGaN层的上表面，在所述NGaN层上得到肖特基二极管台面；
+
在所述N GaN层上暴露区域的第三预设位置进行刻蚀，以便对所述PIN二极管台面和所述肖特基二极管台面进行台面隔离，直到露出所述半绝缘衬底的上表面；
+
在所述NGaN层的暴露区域上制备欧姆接触；
+ + + ‑
在所述NGaN层和所述PGaN层上的暴露区域，以及所述NGaN层和NGaN层上的暴露区域制作电极，并采用划片机按照预定划片区域进行划片，得到氮化镓限幅器。
5.根据权利要求4所述的氮化镓限幅器的制备方法，其特征在于，所述在半绝缘衬底上+ ‑
依次生长NGaN层和NGaN层，包括：
+
在半绝缘衬底上采用金属有机化学气相沉积方式外延生长NGaN层；
+ ‑
在所述NGaN层上采用金属有机化学气相沉积方式外延生长NGaN层。
‑
6.根据权利要求5所述的氮化镓限幅器的制备方法，其特征在于，在所述NGaN层上生长‑
SiO2层，预留出第一预设位置，并在所述第一预设位置上依次生长I层GaN本征层、PGaN层以+
及PGaN层，得到PIN二极管台面，包括：
‑
在所述NGaN层上除第一预设位置外的区域生长SiO2层；
‑ ‑ +
在所述N GaN层上的所述第一预设位置上依次生长I层GaN本征层、P GaN层以及P GaN层；
‑
在所述NGaN层上腐蚀所述SiO2层，得到PIN二极管台面。
7.根据权利要求6所述的氮化镓限幅器的制备方法，其特征在于，
+ + 18 ‑3 19
所述NGaN层的厚度范围为2μm～4μm，所述N GaN层的掺杂浓度量级为10 cm ～10 cm‑3
；
‑ ‑ 14 ‑3
所述N GaN层的厚度范围为200nm～1μm，所述N GaN层的掺杂浓度量级为10 cm ～
17 ‑3
10 cm ；
所述I层GaN本征层的厚度范围为400nm～800nm；
‑ ‑ 16 ‑3
所述PGaN层的厚度范围为300nm～600nm，所述PGaN层的掺杂浓度量级为10 cm ～
17 ‑3
10 cm ；
+ + 18 ‑3
所述PGaN层的厚度范围为300nm～600nm，所述PGaN层的掺杂浓度量级为10 cm ～
20 ‑3
10 cm ；
所述SiO2层的厚度范围为400nm～800nm。
‑
8.根据权利要求4所述的氮化镓限幅器的制备方法，其特征在于，在所述NGaN层除所述第一预设位置外和第二预设位置外的区域进行刻蚀，包括：
‑
在所述NGaN层除所述第一预设位置外和第二预设位置外的区域采用干法刻蚀工艺，利用感应耦合离子刻蚀设备采用BCL3或CL2气体进行刻蚀；
+
在所述NGaN层上暴露区域的第三预设位置进行刻蚀，包括：
+
在所述NGaN层上暴露区域的第三预设位置采用干法刻蚀工艺，利用感应耦合离子刻蚀设备采用BCL3或CL2气体进行刻蚀。
9.根据权利要求4所述的氮化镓限幅器的制备方法，其特征在于，制备欧姆接触采用的金属包括：Ti/Al/Ni/Au合金，Ti/Au合金，Ti/Al/Ti/Au合金，或Ti/Al/Pt/Au合金。
10.根据权利要求4‑9中任一项所述的氮化镓限幅器的制备方法，其特征在于，所述在+ + + ‑
所述N GaN层和所述P GaN层上的暴露区域，以及所述NGaN层和NGaN层上的暴露区域制作电极，并采用划片机按照预定划片区域进行划片，得到氮化镓限幅器，包括：
在暴露的半绝缘衬底上蒸发Ti/Au合金，形成氮化镓限幅器的外围金属电路；
+ + + ‑
在所述NGaN层和所述PGaN层上的暴露区域，以及所述NGaN层和NGaN层上的暴露区域蒸发Ti/Au合金或Ni/Au合金，制作电极，得到氮化镓限幅器的正面电路；
将氮化镓限幅器的背面减薄至50μm，并在其表面蒸发Ti/Au合金，形成背金层；
用划片机按照预定划片区域进行划片，得到氮化镓限幅器，所述氮化镓限幅器为包含氮化镓PIN二极管和氮化镓肖特基二极管在内的电路。