1.一种低功率晶体振荡电路，包括：
晶体；
高电源；
低电源；
第一电容器，具有耦合至所述晶体的第一端子；
第二电容器，具有耦合至所述晶体的第一端子；
第一电流镜晶体管，具有耦合至所述高电源的第一端子以及耦合至栅极端子的第二端子，所述第一电流镜晶体管具有第一宽长比的沟道；
第一电流源，被配置为输出第一值的电流，所述第一电流源具有耦合至所述第一电流镜晶体管的所述第二端子的第一端子；
第二电流镜晶体管，具有耦合至所述高电源的第一端子、耦合至所述第一电流镜晶体管的所述栅极端子的栅极端子，以及耦合至所述晶体的第二端子，并且所述第二电流镜晶体管具有比所述第一宽长比大X倍的第二宽长比；
第三电流镜晶体管，具有耦合至所述高电源的第一端子以及耦合至所述第三电流镜晶体管的栅极端子的第二端子，所述第三电流镜晶体管具有第三宽长比；
第二电流源，被配置为输出第二值的电流，所述第二电流源具有耦合至所述第三电流镜晶体管的所述第二端子的第一端子；
第四电流镜晶体管，具有耦合所述至高电源的第一端子、耦合至所述第三电流镜晶体管的所述栅极端子的栅极端子，以及耦合至所述第二电流镜晶体管的所述第二端子的第二端子，所述第四电流镜晶体管具有比所述第三宽长比大Y倍的第四宽长比；以及第五电流镜晶体管，具有耦合至所述高电源的第一端子、耦合至所述第三电流镜晶体管的所述栅极端子和所述第四电流镜晶体管的所述栅极端子的栅极端子，以及耦合至所述第一电流镜晶体管的所述第二端子的第二端子，所述第五电流镜晶体管具有比所述第三宽长比小Z倍的第五宽长比，并且所述第三电流镜晶体管的所述栅极端子、所述第四电流镜晶体管的所述栅极端子和所述第五电流镜晶体管的所述栅极端子耦合至所述晶体。
2.根据权利要求1所述的低功率晶体振荡器电路，还包括：
第三电容器，具有耦合至所述晶体的所述输入端子的第一端子以及耦合至所述第三电流镜晶体管的所述栅极端子、所述第四电流镜晶体管的所述栅极端子和所述第五电流镜晶体管的所述栅极端子的第二端子，所述第一电容器具有耦合至所述低电源的第二端子，所述第二电容器具有耦合至所述低电源的第二端子，所述第二值的电流小于所述第一值的电流，所述第一电流源具有耦合至所述低电源的第二端子，所述第二电流源具有耦合至所述低电源的第二端子。
3.根据权利要求1所述的低功率晶体振荡器电路，还包括：
电流限制电路，耦合在所述高电源和所述第四电流镜晶体管的所述第一端子之间，所述电流限制电路将从所述高电源流向所述第四电流镜晶体管的所述第一端子的电流限制为第三值，所述第三值的电流小于所述第一值的电流。
4.根据权利要求1所述的低功率晶体振荡器电路，其中X大于200。
5.根据权利要求1所述的低功率晶体振荡器电路，其中Y大于2。
6.根据权利要求5所述的低功率晶体振荡器电路，其中Z大于3。
7.一种低功率晶体振荡电路，包括
晶体，具有输入端子和输出端子；
高电源；
低电源；
第一电容器，耦合至所述晶体的输入端子；
第二电容器，耦合至所述晶体的输出端子；
第一电流镜晶体管，耦合至所述高电源；
第一电流源，被配置为输出第一值的电流，所述第一电流源耦合至所述第一电流镜晶体管；
第二电流镜晶体管，耦合至所述高电源、所述第一电流镜晶体管；
第三电流镜晶体管，耦合至所述高电源；
第二电流源，被配置为输出小于所述第一值的第二值的电流，所述第二电流源耦合至所述第三电流镜晶体管；
第四电流镜晶体管，耦合至所述第三电流镜晶体管和所述第二电流镜晶体管；以及第五电流镜晶体管，耦合至所述高电源、所述第三电流镜晶体管、所述第四电流镜晶体管以及所述第一电流镜晶体管。
8.根据权利要求7所述的低功率晶体振荡器电路，还包括：
第三电容器，耦合至所述晶体的所述输入端子，并且耦合至所述第三电流镜晶体管的所述栅极端子、所述第四电流镜晶体管的所述栅极端子和所述第五电流镜晶体管的所述栅极端子，所述第三电流镜晶体管的所述栅极端子、所述第四电流镜晶体管的所述栅极端子和所述第五电流镜晶体管的所述栅极端子耦合至所述晶体的所述输入端子；以及第六电流镜晶体管，耦合至所述高电源；
第三电流源，输出小于所述第一值的第三值的电流，所述第三电流源耦合至所述第六电流镜晶体管；以及
第七电流镜晶体管，耦合至所述高电源，栅极端子耦合至所述第六电流镜晶体管的栅极端子，并且第二端子耦合至所述第四电流镜晶体管的所述第一端子的。
9.根据权利要求7所述的低功率晶体振荡器电路，其中所述第二电流镜晶体管的宽长比大于所述第一电流镜晶体管的宽长比。
10.根据权利要求7所述的低功率晶体振荡器电路，其中所述第四电流镜晶体管的宽长比大于所述第三电流镜晶体管的宽长比。
11.根据权利要求10所述的低功率晶体振荡器电路，其中所述第二电流镜晶体管的宽长比小于所述第三电流镜晶体管的宽长比。
12.根据权利要求10所述的低功率晶体振荡器电路，还包括：
第三电容器，具有耦合至所述第六电流镜晶体管的所述栅极端子的第一端子以及耦合至所述高电源的第二端子。
13.根据权利要求11所述的低功率晶体振荡器电路，其中所述第二值等于所述第三值。
14.一种低功率晶体振荡电路，包括：
晶体；
高电源；
低电源；
第一电容器，耦合在所述晶体和所述低电源之间；
第二电容器，耦合在所述晶体和所述低电源之间；
第一电流镜晶体管，耦合至所述高电源；
第一值的第一电流源，耦合至所述第一电流镜晶体管；
第二电流镜晶体管，耦合至所述高电源并且耦合至所述第一电流镜晶体管；
第三电流镜晶体管，耦合至所述高电源和所述第一电流镜晶体管；
第二值的第二电流源，所述第二值小于所述第一值，所述第二电流源耦合至所述第三电流镜晶体管；
第四电流镜晶体管，耦合至所述第一电流镜晶体管；
第一控制晶体管，耦合至所述高电源、所述第三电流镜晶体管以及第二端子；
第三电流源，输出小于所述第一值的第三值的电流，所述第三电流源耦合至所述第一控制晶体管以及所述低电源；以及
第二控制晶体管，耦合至所述第二电流镜晶体管、所述第一控制晶体管、所述晶体的所述输出端子，以及所述第四电流镜晶体管。
15.根据权利要求14所述的低功率晶体振荡器电路，其中所述第二值等于所述第三值。
16.根据权利要求14所述的低功率晶体振荡器电路，还包括：
第五电流镜晶体管，具有耦合至所述高电源的第一端子、栅极端子，以及耦合至所述栅极端子的第二端子；
第四电流源，输出第四值的电流，所述第四电流源具有耦合至所述第五电流镜晶体管的所述第二端子的第一端子以及耦合至所述低电源的第二端子，所述第四值的电流小于所述第一值的电流；以及
第六电流镜晶体管，具有第一端子、耦合至所述第五电流镜晶体管的所述栅极端子的栅极端子，以及耦合至所述晶体的所述输出端子的所述第二端子的第二端子。
17.根据权利要求16所述的低功率晶体振荡器电路，还包括：
第七电流镜晶体管，具有耦合至所述高电源的第一端子、耦合至所述第五电流镜晶体管的所述栅极端子和所述第六电流镜晶体管的所述栅极端子的栅极端子、耦合至所述第一电流镜晶体管的所述第二端子的第二端子，
其中所述第五电流镜晶体管的所述栅极端子、所述第六电流镜晶体管的所述栅极端子和所述第七电流镜晶体管的所述栅极端子耦合至所述晶体的所述输入端子。
18.根据权利要求17所述的低功率晶体振荡器电路，还包括：
第三电容器，具有耦合至所述晶体的所述输入端子的第一端子、耦合至所述第五电流镜晶体管的所述栅极端子、所述第六电流镜晶体管的所述栅极端子和所述第七电流镜晶体管的所述栅极端子的第二端子。
19.根据权利要求17所述的低功率晶体振荡器电路，还包括：
第八电流镜晶体管，具有耦合至所述高电源的第一端子、栅极端子，以及耦合至所述栅极端子的第二端子；
第五电流源，输出第五值的电流，所述第五电流源具有耦合至所述第八电流镜晶体管的所述第二端子的第一端子以及耦合至所述低电源的第二端子，所述第五值的电流小于所述第一值的电流；以及
第九电流镜晶体管，具有耦合至所述高电源的第一端子，耦合至所述第五电流镜晶体管的所述栅极端子的栅极端子，以及耦合至所述第六电流镜晶体管的所述第一端子的第二端子。
20.根据权利要求19所述的低功率晶体振荡器电路，还包括：
第十电流镜晶体管，具有耦合至所述高电源的第一端子、耦合至所述第八电流镜晶体管的所述栅极端子的栅极端子，以及耦合至所述第五电流镜晶体管的所述第一端子的第二端子；以及
第十一电流镜晶体管，具有耦合至所述高电源的第一端子、耦合至所述第八电流镜晶体管的所述栅极端子的栅极端子，以及耦合至所述第七电流镜晶体管的所述第一端子的第二端子。