1.一种可单片集成的正温度系数补偿振荡器电路，其特征在于：包括启动电路、偏置电路、温度补偿电路和振荡器电路；
所述启动电路包括P型场效应管MP1、MP2，N型场效应管MN1、MN2和电容C1；P型场效应管MP2和N型场效应管MN2在电源电压VDD上电初始时，为三极管Q1提供初始电流，同时P型场效应管MP2对电容C1充电；当电源电压VDD上电过程结束后，电容C1上极板被充电到高电平VDD，P型场效应管MP2源端和漏端达到相同电平，无电流通过，N型场效应管MN2脱离主电路，完成启动过程；
所述偏置电路包括P型场效应管MP3、MP4、MP5，三极管Q1、Q2和电阻R1、R2；P型场效应管MP4的电流由以下式子决定：
其中，VbeQ1和VbeQ2分别为三极管Q1和Q2基极与发射极正向导通电压；VT为热电压；IC1和IC2分别为三极管Q1和Q2的集电极电流，本例中IC1＝IC2；IS1和IS2为三极管Q1和Q2的集电极饱和电流，IS1和IS2分别跟三极管Q1和Q2的基极‑发射极结面积有关，本例中设定三极管Q2的基极‑发射极结面积为Q1的N倍，即IS2＝N*IS1；则式子可以简化为：
P型场效应管MP4和MP5构成电流镜，P型场效应管MP5的宽长比为P型场效应管MP4的M倍，因此两者的漏端电流成比例关系：
Id(MP5)＝M*Id(MP4)
忽略PNP型三极管Q3的基极电流，因此流经电阻R2的电流即为P型场效应管MP5漏端的电流；假设相同类型电阻R1、R2的阻值比例系数为K，即R2/R1＝K，则PNP型三极管Q3的基极电压为：
其中，M、N和K均为比例常数，VT为温度系数为+0.087mV/℃的热电压，因此V3具有正温度系数；
所述温度补偿电路包括电阻R3、R4，修调电阻阵列Rtrim，PNP型三极管Q3，NPN型三极管Q4和P型场效应管MP6；P型场效应管MP6的电流由以下式子决定：
其中，VbeQ3和VbeQ4分别为PNP型三极管Q3和NPN型三极管Q4的基极与发射极正向导通电压，其值近似相等，Rtrim为修调电阻阵列，选用不同正温度系数的电阻组合，用以微调V3的正温度系数。
2.根据权利要求1所述的一种可单片集成的正温度系数补偿振荡器电路，其特征在于：
所述P型场效应管MP1和MP2的沟道长度大于沟道宽度，为倒比管。
3.根据权利要求1所述的一种可单片集成的正温度系数补偿振荡器电路，其特征在于：
所述偏置电路中的电阻R1、R2为相同类型电阻。
4.根据权利要求1所述的一种可单片集成的正温度系数补偿振荡器电路，其特征在于：
所述修调电阻阵列Rtrim选用不同正温度系数的电阻组合。
5.根据权利要求1所述的一种可单片集成的正温度系数补偿振荡器电路，其特征在于：
所述振荡器电路中的电容C2为MIM电容，其电容值具有负温度特性，即随着温度的上升，电容值减小。