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半导体装置
申请号	CN202310819809.6	申请日	2023-07-05	公开(公告)号	CN117938137A	公开(公告)日	2024-04-26
申请人	株式会社东芝; 东芝电子元件及存储装置株式会社;			发明人	新仓雄一郎; 常次幸男; 今井恒;
摘要	本发明的实施方式涉及半导体装置。一实施方式的半导体装置(1)具备：第一及第二绝缘元件(110、210)，被基于控制信号 VIN进行控制；第一控制电路 (100)，基于控制信号对第一及第二绝缘元件中的任一方的选择进行控制；第一开关元件(SW1)；第二开关元件(SW2)；第二控制电路(140b)，基于第一绝缘元件的输出对第一开关元件(SW1)进行控制；以及第三控制电路(240b)，基于第二绝缘元件的输出对第二开关元件(SW2)进行控制。
权利要求	1.一种半导体装置，其特征在于，具备：第一绝缘元件及第二绝缘元件，被基于控制信号进行控制；第一控制电路，基于所述控制信号对所述第一绝缘元件及所述第二绝缘元件中的任一方的选择进行控制；第一开关元件；第二开关元件；第二控制电路，基于所述第一绝缘元件的输出对所述第一开关元件进行控制；以及第三控制电路，基于所述第二绝缘元件的输出对所述第二开关元件进行控制。 2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一开关元件包含增强型的第一MOSFET和增强型的第二MOSFET，所述第二开关元件包含增强型的第三MOSFET和增强型的第四MOSFET，所述第二控制电路基于所述第一绝缘元件的输出对所述第一MOSFET的第一栅极电压及第一源极电压、以及所述第二MOSFET的第二栅极电压及第二源极电压进行控制，所述第三控制电路基于所述第二绝缘元件的输出对所述第三MOSFET的第三栅极电压及第三源极电压、以及所述第四MOSFET的第四栅极电压及第四源极电压进行控制。 3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第一MOSFET的源极与所述第二MOSFET的源极连接，所述第三MOSFET的源极与所述第四MOSFET的源极连接。 4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一控制电路包含：第一晶体管，栅极被输入所述控制信号，源极被施加电源电压，漏极与第一节点连接；以及第二晶体管，栅极被输入所述控制信号，漏极与所述第一节点连接，源极被施加接地电压；基于所述第一节点的电压来选择所述第一绝缘元件及所述第二绝缘元件中的任一方。 5.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第一绝缘元件包含第一发光元件及第一受光元件，所述第二绝缘元件包含第二发光元件及第二受光元件。 6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述第一控制电路包含：第一晶体管，栅极被输入所述控制信号，源极被施加电源电压，漏极与第一节点连接；以及第二晶体管，栅极被输入所述控制信号入，漏极与所述第一节点连接，源极被施加接地电压；所述第一发光元件的阳极能够与所述第一晶体管的所述源极连接，所述第一发光元件的阴极与所述第一节点连接，所述第二发光元件的阳极与所述第一节点连接，所述第二发光元件的阴极能够与所述第二晶体管的所述源极连接。 7.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还具备基板，所述第一MOSFET、所述第二MOSFET、所述第三MOSFET及所述第四MOSFET设于所述基板的上方，所述第一受光元件及所述第二受光元件设于所述基板的上方，所述第一发光元件设于所述第一受光元件的上方，所述第二发光元件设于所述第二受光元件的上方，所述第一受光元件的上表面的一部分以及所述第一发光元件被第一密封材料覆盖，所述第二受光元件的上表面的一部分以及所述第二发光元件被第二密封材料覆盖。 8.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还具备基板，所述第一MOSFET、所述第二MOSFET、所述第三MOSFET及所述第四MOSFET设于所述基板的上方，所述第一受光元件设于所述第一MOSFET及所述第二MOSFET之上，所述第二受光元件设于所述第三MOSFET及所述第四MOSFET之上，所述第一发光元件设于所述第一受光元件的上方，所述第二发光元件设于所述第二受光元件的上方。 9.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还具备基板，所述第一MOSFET及所述第二MOSFET被一体地设于所述基板的上方，所述第三MOSFET及所述第四MOSFET被一体地设于所述基板的上方，所述第一受光元件设于所述第一MOSFET及所述第二MOSFET之上，所述第二受光元件设于所述第三MOSFET及所述第四MOSFET之上，所述第一发光元件设于所述第一受光元件的上方，所述第二发光元件设于所述第二受光元件的上方。 10.根据权利要求1至3、5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述第一控制电路包含第一电路，该第一电路基于所述控制信号使所述第一绝缘元件及所述第二绝缘元件中的一方在与所述第一绝缘元件及所述第二绝缘元件中的另一方不同的定时进行动作。 11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，所述第一控制电路还包含：第二电路，基于第一电压对所述第一绝缘元件进行驱动；以及第三电路，基于第二电压对所述第二绝缘元件进行驱动；所述第一电路基于所述控制信号在第一时刻对所述第二电路供给所述第一电压，基于所述控制信号在与所述第一时刻不同的第二时刻对所述第三电路供给所述第二电压。 12.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一开关元件包含增强型的第五MOSFET和增强型的第六MOSFET，所述第二开关元件包含耗尽型的第七MOSFET和耗尽型的第八MOSFET，所述第二控制电路基于所述第一绝缘元件的输出对所述第五MOSFET的第五栅极电压及第五源极电压、以及所述第六MOSFET的第六栅极电压及第六源极电压进行控制，所述第三控制电路基于所述第二绝缘元件的输出对所述第七MOSFET的第七栅极电压及第七源极电压、以及所述第八MOSFET的第八栅极电压及第八源极电压进行控制。 13.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，所述第五MOSFET的源极与所述第六MOSFET的源极连接，所述第七MOSFET的源极与所述第八MOSFET的源极连接。 14.根据权利要求12或13所述的半导体装置，其特征在于，所述第一控制电路包含第一电路，该第一电路基于所述控制信号使所述第一绝缘元件及所述第二绝缘元件中的一方在与所述第一绝缘元件及所述第二绝缘元件中的另一方不同的定时进行动作。
说明书全文	半导体装置 [0001] 关联申请 [0002] 本申请享受以日本专利申请2022‑171610号(申请日：2022年10月26日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。技术领域 [0003] 本发明的实施方式涉及半导体装置。背景技术 [0004] 已知这样一种绝缘元件：其在使一次侧(发送侧)电路与二次侧(接收侧)电路之间电绝缘的状态下，基于向一次侧电路输入的控制信号在一次侧电路中进行控制，由此使二次侧电路的开关元件进行通断动作。另外，作为使用了绝缘元件的半导体装置，例如已知有光继电装置。光继电装置是包含发光元件、受光元件以及具有设于发光元件与受光元件之间的绝缘层的绝缘元件，利用两个MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)进行开关动作的半导体继电装置。光继电装置是无触点的继电器，在基于向一次侧电路输入的控制信号利用一次侧电路对二次侧电路的MOSFET的通断进行控制时使用。发明内容 [0005] 实施方式的半导体装置具备：第一绝缘元件及第二绝缘元件，被基于控制信号进行控制；第一控制电路，基于控制信号对第一绝缘元件及第二绝缘元件中的任一方的选择进行控制；第一开关元件；第二开关元件；第二控制电路，基于第一绝缘元件的输出对第一开关元件进行控制；以及第三控制电路，基于第二绝缘元件的输出基对第二开关元件进行控制。 [0006] 根据本实施方式，可提供能够抑制两个开关元件同时接通的半导体装置。附图说明 [0007] 图1是表示第一实施方式的半导体装置的结构的一个例子的电路图。 [0008] 图2是表示第一实施方式的半导体装置的构造的一个例子的立体图。 [0009] 图3是表示第一实施方式的半导体装置的平面构造的一个例子的俯视图。 [0010] 图4是表示第一实施方式的第一变形例的半导体装置的构造的一个例子的立体图。 [0011] 图5是表示第一实施方式的第二变形例的半导体装置的构造的一个例子的立体图。 [0012] 图6是表示第一实施方式的第三变形例的半导体装置的构造的一个例子的立体图。 [0013] 图7是表示第一实施方式的第三变形例的半导体装置的平面构造的一个例子的俯视图。 [0014] 图8是表示第一实施方式的第四变形例的半导体装置的结构的一个例子的电路图。 [0015] 图9是表示第一实施方式的第五变形例的半导体装置的结构的一个例子的电路图。 [0016] 图10是表示第一实施方式的第六变形例的半导体装置的结构的一个例子的电路图。 [0017] 图11是表示第一实施方式的第七变形例的半导体装置的结构的一个例子的电路图。 [0018] 图12是表示第一实施方式的第八变形例的半导体装置的结构的一个例子的电路图。 [0019] 图13是表示第二实施方式的半导体装置的结构的一个例子的电路图。 [0020] 图14是表示第二实施方式的半导体装置的动作的一个例子的真值表。 [0021] 图15是表示第二实施方式的半导体装置的动作的一个例子的时序图。 [0022] 图16是表示第二实施方式的第一变形例的半导体装置的结构的一个例子的电路图。 [0023] 图17是表示第二实施方式的第二变形例的半导体装置的结构的一个例子的电路图。 [0024] 图18是表示第二实施方式的第三变形例的半导体装置的结构的一个例子的电路图。 [0025] 图19是表示第二实施方式的第四变形例的半导体装置的结构的一个例子的电路图。 [0026] 图20是表示第二实施方式的第五变形例的半导体装置的结构的一个例子的电路图。 [0027] 图21是表示第三实施方式的半导体装置的结构的一个例子的电路图。 [0028] 图22是表示第三实施方式的半导体装置的动作的一个例子的真值表。 [0029] 图23是表示第三实施方式的半导体装置的动作的一个例子的时序图。 [0030] 图24是表示第四实施方式的半导体装置的结构的一个例子的电路图。 [0031] 图25是表示第四实施方式的半导体装置内的二次侧电路的结构的一个例子的电路图。 [0032] 图26是表示第四实施方式的第一变形例的半导体装置的结构的一个例子的电路图。 [0033] 图27是表示第五实施方式的半导体装置的结构的一个例子的电路图。 [0034] 图28是表示第五实施方式的半导体装置的构造的一个例子的立体图。 [0035] 图29是表示第五实施方式的半导体装置的平面构造的一个例子的俯视图。 [0036] 附图标记说明 [0037] 1…半导体装置；2、9…电源电压端子；3…接地电压端子；4…控制输入端子；5～8…输入输出端子；30…基板；50～52、60～63、70、70a、70b、80、80a、80b、90～93、121、122、 141～144、161a、161b、161c、162a、162b、163a、163b、161、162、221、222、241～244、261a、 261b、261c、262a、262b、263a、263b…电极；100…控制电路；101、201…信号生成电路；102…恒压电路；103、400…DT电路；104、204…驱动电路；110、210…绝缘元件；111、211…振子； 112、212…振动发电设备；120、220…发光元件；140、140‑1、140‑2、240、240‑1、240‑2…受光部；140a、140a1、140a2、140a3、140aa、140ab、240a、240aa、240ab…受光元件；140b、140ba、 140bb、240b、240ba、240bb…控制电路；150、150‑1、150‑2、250、250‑1、250‑2…驱动电路； 151、251…接收电路；152、252…比较器；155、255…电流镜电路；160、260…芯片；160a、 160b、260a、260b、260a’、260b’…MOSFET；170、270…支承台；180、280…粘接层；300、310、 320…密封材料；401…保护电路；500、600…光继电器；W11～W19、W21～W29、W31、W51、W52、W61、W62…布线具体实施方式 [0038] 以下，参照附图对实施方式进行说明。附图的尺寸及比例未必与现实相同。此外，在以下的说明中，具有相同功能及结构的构成要素有时标注相同附图标记，并省略重复的说明。在对具有同样的结构的要素彼此进行特别区分的情况下，有时会在相同附图标记的末尾附加相互不同的文字或数字。另外，关于对某一实施方式的描述，只要没有明确或者明显要被排除，就全部可当作对其它实施方式的描述。 [0039] 1.第一实施方式 [0040] 对第一实施方式的半导体装置进行说明。在本实施方式中，作为半导体装置的一个例子，对利用发光元件与受光元件之间的光耦合基于控制信号来控制二次侧电路的开关元件的通断的光继电装置进行说明。此外，在以下的说明中，在一次侧电路中，也将用于控制二次侧电路的开关元件的控制信号仅称为信号。 [0041] 使用图1对半导体装置的结构进行说明。图1是表示半导体装置的结构的一个例子的电路图。 [0042] 如图1所示，半导体装置1具备电源电压端子2、接地电压端子3、控制输入端子4、输入输出端子5～8、控制电路100、电阻元件R1及R2、绝缘元件110及210、控制电路140b及240b、包含MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)160a及160b的开关元件SW1以及包含MOSFET260a及260b的开关元件SW2。 [0043] 对于电源电压端子2，从外部向其供给电源电压VCC。 [0044] 对于接地电压端子3，从外部向其供给接地电压GND。此外，接地电压端子3也可以接地。 [0045] 对于控制输入端子4，从外部向其供给电压VIN。电压VIN是对半导体装置1的动作进行控制的电压(以下，也称为“控制信号”)。电压VIN是高(“H”)电平的电压或者低(“L”)电平的电压。 [0046] 输入输出端子5～8与设于外部的电路等分别连接。电压VOUT1被输入到输入输出端子5或者从输入输出端子5输出。电压VOUT2被输入到输入输出端子6或者从输入输出端子6输出。电压VOUT3被输入到输入输出端子7或者从输入输出端子7输出。电压VOUT4被输入到输入输出端子8或者从输入输出端子8输出。开关元件SW1及SW2是双向的开关元件。因此，若开关元件SW1及SW2被设为接通状态，则输入输出端子5～8可能变为输入及输出中的任一方。例如，在电压VOUT1为正、电压VOUT2为负的情况下，向输入输出端子5流入电流。 [0047] MOSFET160a、160b、260a及260b例如是增强型的n沟道MOS晶体管。MOSFET160a、160b、260a及260b用于所传送的信号的控制。MOSFET160a、160b、260a及260b的阈值电压例如是1V。在MOSFET160a及160b为接通状态的情况下，半导体装置1经由输入输出端子5及6传送信号。在MOSFET160a及160b为切断状态的情况下，半导体装置1不传送信号。另外，在MOSFET260a及260b为接通状态的情况下，半导体装置1经由输入输出端子7及8传送信号。在MOSFET260a及260b为切断状态的情况下，半导体装置1不传送信号。半导体装置1可经由输入输出端子5及6以及输入输出端子7及8中的任一方传送信号。以下，也将MOSFET160a及 160b合称为开关元件SW1。也将MOSFET260a及260b合称为开关元件SW2。 [0048] 控制电路100是基于电压VIN对绝缘元件110及210进行控制的电路。具体而言，控制电路100基于电压VIN对绝缘元件110及210中的任一方的选择进行控制。控制电路100包含p沟道MOS晶体管P1(以下，称为“晶体管P1”)以及n沟道MOS晶体管N1(以下，称为“晶体管N1”)。 [0049] 对晶体管P1的栅极施加电压VIN。对晶体管P1的源极施加电压VCC。晶体管P1的漏极与节点ND1连接。 [0050] 对晶体管N1的栅极施加电压VIN。晶体管N1的漏极与节点ND1连接。对晶体管N1的源极施加电压GND。 [0051] 电阻元件R1的一端与晶体管P1的源极连接。电阻元件R1的另一端与绝缘元件110连接。电阻元件R2的一端与晶体管N1的源极连接。电阻元件R2的另一端与绝缘元件210连接。此外，电阻元件R1及R2也可以包含于控制电路10。 [0052] 绝缘元件110及210是可确保输入输出的电绝缘并且基于控制信号对二次侧电路的开关元件SW1及SW2的通断进行控制的元件。绝缘元件110包含发光元件120及受光元件140a。发光元件120与受光元件140a通过设于发光元件120与受光元件140a之间的未图示的绝缘层电绝缘。绝缘元件210包含发光元件220及受光元件240a。发光元件220与受光元件 240a通过设于发光元件220与受光元件240a之间的未图示的绝缘层电绝缘。 [0053] 发光元件120及220例如是LED(Light Emitting Diode)。以下，对发光元件120及220为LED的情况进行说明。发光元件120的阳极与电阻元件R1的另一端连接。发光元件120的阴极与节点ND1连接。发光元件220的阳极与节点ND1连接。发光元件220的阴极与电阻元件R2的另一端连接。换言之，发光元件120及220串联连接。 [0054] 控制电路100由于具有上述结构，因此基于节点ND1的电压来选择绝缘元件110及绝缘元件210中的任一方。 [0055] 受光元件140a及240a例如是光电二极管或光电晶体管等。以下，对受光元件140a及240a为光电二极管的情况进行说明。受光元件140a及240a例如包含串联连接的数个～数十个光电二极管。受光元件140a的两端与控制电路140b连接。受光元件240a的两端与控制电路240b连接。以下，也将受光元件140a和控制电路140b合称为受光部140。也将受光元件240a与控制电路240b合称为受光部240。受光部140及240例如是(PDA(Photo Diode Array))，具有独立的光干涉(成为无串扰的结构)。 [0056] 控制电路140b是基于受光元件140a的两端的电压对MOSFET160a及160b进行控制的电路。具体而言，控制电路140b基于受光元件140a的两端的电压、即绝缘元件110(受光元件140a)的输出对MOSFET160a的栅极电压及源极电压、以及MOSFET160b的栅极电压及源极电压(开关元件SW1)进行控制。控制电路140b包含驱动电路150。 [0057] 驱动电路150是基于受光元件140a的两端的电压对MOSFET160a及160b进行驱动的电路。例如，驱动电路150将基于受光元件140a的两端的电压的电压Vg1施加到MOSFET160a及160b的栅极。电压Vg1例如是受光元件140a的阳极的电压。驱动电路150将基于受光元件140a的两端的电压的电压Vs1施加到MOSFET160a及160b的源极。电压Vs1例如是受光元件 140a的阴极的电压。 [0058] 控制电路240b是基于受光元件240a的两端的电压对MOSFET260a及260b进行控制的电路。具体而言，控制电路240b基于受光元件240a的两端的电压、即绝缘元件210(受光元件240a)的输出对MOSFET260a的栅极电压及源极电压、以及MOSFET260b的栅极电压及源极电压(开关元件SW2)进行控制。控制电路240b包含驱动电路250。 [0059] 驱动电路250是基于受光元件240a的两端的电压对MOSFET260a及260b进行驱动的电路。例如，驱动电路250将基于受光元件240a的两端的电压的电压Vg2施加到MOSFET260a及260b的栅极。电压Vg2例如是受光元件240a的阳极的电压。驱动电路250将基于受光元件240a的两端的电压的电压Vs2施加到MOSFET260a及260b的源极。电压Vs2例如是受光元件 240a的阴极的电压。此外，驱动电路250既可以是与驱动电路150相同的结构，也可以是与驱动电路150不同的结构。 [0060] MOSFET160a的栅极与MOSFET160b的栅极连接。MOSFET160a的源极与MOSFET160b的源极连接。MOSFET160a的漏极与输入输出端子5连接。MOSFET160b的漏极与输入输出端子6连接。MOSFET260a的栅极与MOSFET260b的栅极连接。MOSFET260a的源极与MOSFET260b的源极连接。MOSFET260a的漏极与输入输出端子7连接。MOSFET260b的漏极与输入输出端子8连接。 [0061] 上述结构的半导体装置1利用发光元件120与受光元件140a之间以及发光元件220与受光元件240a之间的光耦合，基于信号对开关元件SW1及SW2进行控制。换言之，在发光元件120与受光元件140a之间以及发光元件220与受光元件240a之间，传送基于电压VIN的信号(电压VIN转换为光而得的信号)。另外，半导体装置1包含具有发光元件120、受光元件140a及开关元件SW1的光继电器500、以及具有发光元件220、受光元件240a及开关元件SW2的光继电器600。在本实施方式中，电源电压端子2、接地电压端子3、控制输入端子4、控制电路100、电阻元件R1及R2以及发光元件120及220相当于一次侧(发送侧)电路。受光元件140a及240a、控制电路140b及240b、MOSFET160a、160b、260a及260b以及输入输出端子5～8相当于二次侧(接收侧)电路。此外，一次侧电路及二次侧电路的结构并不限定于上述结构。 [0062] 接下来，使用图2对半导体装置1的构造进行说明。图2是表示半导体装置1的构造的一个例子的立体图。此外，在以下的说明中，Z方向与相对于基板的形成半导体装置1的表面而言的铅垂方向对应。X方向是与该基板的表面平行的方向。Y方向是与该基板的表面平行并且与X方向垂直的方向。此外，在图2中，为了使附图容易理解，省略了对半导体装置1内的布线的图示。 [0063] 如图2所示，半导体装置1是电子器件的封装。半导体装置1还包含基板30、电极50～52、60～63、70a、70b、80a及80b、支承台170及270、粘接层180及280以及密封材料300。此外，在以下的说明中，将配置基板30和MOSFET160a中的MOSFET160a的一端称为沿着Z方向的上端。另外，将配置基板30和MOSFET160a中的基板30的一端称为沿着Z方向的下端。电极60～63也可以取消。该情况下，电阻元件R1及R2设于控制电路100(包含于控制电路100)。 [0064] 基板30例如是使用了BT(双马来酰亚胺三嗪)树脂的电路基板、使用了聚酰亚胺的柔性基板(FPC：Flexible Printed Circuits)。 [0065] 电极50～52、60～63、70a、70b、80a及80b设于基板30的上表面上。电极51在俯视时(在从图2的纸面上侧观察时)例如具有大致L字型的形状。电极51可以如下：连接布线W24(参照图3)的一方的端部和搭载构成控制电路100的元件的另一方端部分别被设为装配所需的大小，另一方面，将两者连接的部分在Y方向上比前二者窄，并为了提高基板30与密封材料300的紧贴性而改性。 [0066] 控制电路100设于电极51的上表面上。控制电路100与电极51电连接。 [0067] 电阻元件R1设于电极60的上表面上。电阻元件R1与电极60电连接。电阻元件R2设于电极63的上表面上。电阻元件R2与电极63电连接。 [0068] MOSFET160a、160b、260a及260b分别被设为相互不同的芯片。 [0069] MOSFET160a包含电极161a、162a及163a。电极161a配置于MOSFET160a的下表面。电极161a在MOSFET160a的下表面处与电极70a相接地配置。由此，MOSFET160a设于电极70a的上表面上。换言之，MOSFET160a设于基板30的上方。电极162a及163a配置于MOSFET160a的上表面。电极161a作为MOSFET160a的漏极电极发挥功能。电极162a作为MOSFET160a的源极电极发挥功能。电极163a作为MOSFET160a的栅极电极发挥功能。 [0070] MOSFET160b包含电极161b、162b及163b。电极161b配置于MOSFET160b的下表面。电极161b在MOSFET160b的下表面处与电极70b相接地配置。由此，MOSFET160b设于电极70b的上表面上。换言之，MOSFET160b设于基板30的上方。电极162b及163b配置于MOSFET160b的上表面。电极161b作为MOSFET160b的漏极电极发挥功能。电极162b作为MOSFET160b的源极电极发挥功能。电极163b作为MOSFET160b的栅极电极发挥功能。 [0071] MOSFET260a包含电极261a、262a及263a。电极261a配置于MOSFET260a的下表面。电极261a在MOSFET260a的下表面处与电极80a相接地配置。由此，MOSFET260a设于电极80a的上表面上。换言之，MOSFET260a设于基板30的上方。电极262a及263a配置于MOSFET260a的上表面。电极261a作为MOSFET260a的漏极电极发挥功能。电极262a作为MOSFET260a的源极电极发挥功能。电极263a作为MOSFET260a的栅极电极发挥功能。 [0072] MOSFET260b包含电极261b、262b及263b。电极261b配置于MOSFET260b的下表面。电极261b在MOSFET260b的下表面处与电极80b相接地配置。由此，MOSFET260b设于电极80b的上表面上。换言之，MOSFET260b设于基板30的上方。电极262b及263b配置于MOSFET260b的上表面。电极261b作为MOSFET260b的漏极电极发挥功能。电极262b作为MOSFET260b的源极电极发挥功能。电极263b作为MOSFET260b的栅极电极发挥功能。 [0073] 此外，MOSFET260b、260a、160b及160a例如沿X方向按照该顺序排列。 [0074] 支承台170设于基板30的上表面上。支承台170支承受光部140及发光元件120。支承台170既可以是导电体，也可以是绝缘体。支承台170具有沿X方向及Y方向延伸的板状的形状。 [0075] 受光部140被设为包含受光元件140a的芯片。受光部140以受光元件140a与支承台170的上表面相接的方式配置。换言之，受光元件140a设于基板30的上方。另外，受光元件 140a配置于受光部140的上表面。受光部140例如以受光元件140a在该受光元件的上表面具有受光面的方式配置。 [0076] 受光元件140a包含电极141～144。电极141～144配置于受光元件140a的上表面。虽然在图2中未作图示，但电极141及143例如在受光元件140a内电连接。另外，虽然在图2中未作图示，但电极142及144例如在受光元件140a内电连接。电极141及143例如作为受光元件140a的阳极电极发挥功能。电极142及144例如作为受光元件140a的阴极电极发挥功能。 [0077] 支承台270设于基板30的上表面上。支承台270支承受光部240及发光元件220。支承台270既可以是导电体，也可以是绝缘体。支承台270具有沿X方向及Y方向延伸的板状的形状。 [0078] 受光部240被设为包含受光元件240a的芯片。受光部240以受光元件240a与支承台270的上表面相接的方式配置。换言之，受光元件240a设于基板30的上方。另外，受光元件 240a配置于受光部240的上表面。受光部240例如以受光元件240a在该受光元件的上表面具有受光面的方式配置。 [0079] 受光元件240a包含电极241～244。电极241～244配置于受光元件240a的上表面。虽然在图2中未作图示，但电极241及243例如在受光元件240a内电连接。另外，虽然在图2中未作图示，但电极242及244例如在受光元件240a内电连接。电极241及243例如作为受光元件240a的阳极电极发挥功能。电极242及244例如作为受光元件240a的阴极电极发挥功能。 [0080] 发光元件120及220分别被设为相互不同的芯片。 [0081] 发光元件120配置于受光元件140a的上方。发光元件220配置于受光元件240a的上方。发光元件120及220各自在该发光元件的下表面具有光的照射面。发光元件120的照射面与受光元件140a的受光面对置。另外，发光元件220的照射面与受光元件240a的受光面对置。此外，发光元件120及220各自的照射面的尺寸例如比受光元件140a及240a的受光面中的对应的受光面的尺寸大。 [0082] 发光元件120包含电极121及122。电极121及122配置于发光元件120的上表面。电极121例如作为发光元件120的阳极电极发挥功能。电极122例如作为发光元件120的阴极电极发挥功能。 [0083] 发光元件220包含电极221及222。电极221及222配置于发光元件220的上表面。电极221例如作为发光元件220的阳极电极发挥功能。电极222例如作为发光元件220的阴极电极发挥功能。 [0084] 在发光元件120及受光元件140a之间，配置与发光元件120及受光元件140a分别相接的粘接层180。另外，在发光元件220及受光元件240a之间，配置与发光元件220及受光元件240a分别相接的粘接层280。粘接层180及280分别包含例如对从发光元件120及220照射的光具有透射性的绝缘材料。该绝缘材料例如是硅酮、环氧树脂。粘接层180及280例如是包含该绝缘材料的绝缘膜。此外，粘接层180及280例如也可以使用包含该绝缘材料的绝缘浆料来形成。在粘接层180及280是绝缘膜的情况下，与使用绝缘浆料形成粘接层180及280的情况相比，能够使粘接层180及280的膜厚较厚。为了提高耐压性，粘接层180及280优选为绝缘膜。 [0085] 电源电压端子2、接地电压端子3及控制输入端子4例如与基板30的下表面相接地配置。虽然在图2中未作图示，但电源电压端子2经由贯通基板30的导电体而与电极50电连接。虽然在图2中未作图示，但接地电压端子3经由贯通基板30的导电体而与电极51电连接。虽然在图2中未作图示，但控制输入端子4经由贯通基板30的导电体而与电极52电连接。 [0086] 输入输出端子5～8例如与基板30的下表面相接地配置。虽然在图2中未作图示，但输入输出端子5经由贯通基板30的导电体及电极70a而与MOSFET160a的电极161a电连接。虽然在图2中未作图示，但输入输出端子6经由贯通基板30的导电体及电极70b而与MOSFET160b的电极161b电连接。虽然在图2中未作图示，但输入输出端子7经由贯通基板30的导电体及电极80a而与MOSFET260a的电极261a电连接。虽然在图2中未作图示，但输入输出端子8经由贯通基板30的导电体及电极80b而与MOSFET260b的电极261b电连接。 [0087] 密封材料300以覆盖MOSFET160a、160b、260a及260b、支承台170及270、受光部140及240、发光元件120及220、电极50～52、60～63、70a、70b、80a及80b、控制电路100以及电阻元件R1及R2的方式设置。电极50～52、60～63、70a、70b、80a及80b各自至基板30的端部之间设有在利用密封材料300覆盖MOSFET160a、160b、260a及260b、支承台170及270、受光部140及240、发光元件120及220、电极50～52、60～63、70a、70b、80a及80b、控制电路100以及电阻元件R1及R2时密封材料300不会剥落的程度的距离。密封材料300包含非透光性材料。该非透光性材料例如是掺入了碳化硅、炭黑的环氧树脂。由此，密封材料300保护半导体装置1，并且抑制光继电器500及600之间的光的漏出。 [0088] 在此，光的漏出包含光继电器500及600之间的光的串扰以及光从发光元件120及220向各MOSFET的沟道的漏出。光的串扰例如是发光元件120的照射光向受光元件240a的受光面漏出以及发光元件220的照射光向受光元件140a的受光面漏出。通过抑制光的串扰，抑制切断状态的MOSFET意外地变为接通状态。另外，MOSFET的沟道存在包含具有光灵敏度的部分的情况。在这样的情况下，通过抑制光从发光元件120及220向各MOSFET的沟道的漏出，抑制处于接通状态或切断状态的该MOSFET的状态意外地变化为切断状态或接通状态。 [0089] 电阻元件R1及R2也可以分别内置于控制电路100。该情况下，也可以从控制电路100与发光元件120的阳极电极121然后是发光元件220的阴极电极222直接连接。 [0090] 使用图3对半导体装置1内的电连接进行说明。图3是表示半导体装置1的平面构造的一个例子的俯视图。 [0091] 如图3所示，半导体装置1还包含布线W11～W19、W21～W29及W31。 [0092] 布线W11～W19、W21～W29、W31及W32例如是通过引线键合而形成的线。布线W11～W19、W21～W29、W31及W32由导电材料构成。此外，布线W11～W19、W21～W29、W31及W32例如也可以是柔性基板。 [0093] 布线W11将电极50与电极60电连接。布线W12将电阻元件R1与电极121电连接。布线W13将电极61与电极122电连接。布线W14将控制电路100与电极61电连接。布线W15将电极141与电极163a电连接。布线W16将电极142与电极162a电连接。布线W17将电极144与电极 162b电连接。布线W18将电极143与电极163b电连接。布线W19将电极162a与电极162b电连接。 [0094] 布线W21将控制电路100与电极62电连接。布线W22将电极62与电极221电连接。布线W23将电阻元件R2与电极222电连接。布线W24将电极51与电极63电连接。布线W25将电极241与电极263a电连接。布线W26将电极242与电极262a电连接。布线W27将电极244与电极 262b电连接。布线W28将电极243与电极263b电连接。布线W29将电极262a与电极262b电连接。 [0095] 布线W31将电极52与控制电路100电连接。布线W32将电极50与控制电路100电连接。 [0096] 在取消电极60～63的情况下，通过用布线连接控制电路100与发光元件120，用布线连接控制电路100与发光元件220，能够削减布线的根数。具体而言，电阻元件R1及R2分别被内置于控制电路100。取消布线W12和布线W13，使布线W11与电极121直接连接，使布线W14与电极122直接连接。另外，也可以取消布线W22和布线W23，使布线W21与电极221直接连接，使布线W24与电极222直接连接。 [0097] 接下来，使用图1对半导体装置1的动作进行说明。 [0098] 在电压VIN为“H”电平的情况下，晶体管P1被设为切断状态，晶体管N1被设为接通状态。由此，节点ND1的电压变为电压GND(“L”电平)。其结果是，从发光元件120的阳极向阴极流动电流，因此发光元件120变为接通状态(发光状态)。此时，由于设有电阻元件R1，因此流入发光元件120的电流被限制为不损坏发光元件120的电流。另外，由于不从发光元件220的阳极向阴极流动电流，因此发光元件220变为切断状态(非发光状态)。 [0099] 若发光元件120变为接通状态，则受光元件140a从发光元件120受光，因此产生电压。驱动电路150将基于受光元件140a的两端的电压的“H”电平的电压Vg1(比MOSFET160a及160b的阈值电压大的电压，例如5V)施加到MOSFET160a及160b的栅极。驱动电路150将基于受光元件140a的两端的电压的“L”电平的电压Vs1(例如，电压GND)施加到MOSFET160a及 160b的源极。由此，MOSFET160a及160b(开关元件SW1)被设为接通状态，输入输出端子5及6电连接。另外，若发光元件220变为切断状态，则受光元件240a不从发光元件220受光，因此不产生电压。驱动电路250将基于受光元件240a的两端的电压的“L”电平的电压Vg2(例如，电压GND)施加到MOSFET260a及260b的栅极。驱动电路250将基于受光元件240a的两端的电压的“L”电平的电压Vs2(例如，电压GND)施加到MOSFET260a及260b的源极。由此，MOSFET260a及260b(开关元件SW2)被设为切断状态，输入输出端子7及8被设为非电连接状态。 [0100] 另一方面，在电压VIN为“L”电平的情况下，晶体管P1被设为接通状态，晶体管N1被设为切断状态。由此，节点ND1的电压变为电压VCC(“H”电平)。其结果是，不从发光元件120的阳极向阴极流动电流，因此发光元件120变为切断状态(非发光状态)。另外，由于从发光元件220的阳极向阴极流动电流，因此发光元件220变为接通状态(发光状态)。此时，由于设有电阻元件R2，因此流入发光元件220电流被限制为不损坏发光元件220的电流。 [0101] 若发光元件120变为切断状态，则受光元件140a不从发光元件120受光，因此不产生电压。驱动电路150将基于受光元件140a的两端的电压的“L”电平的电压Vg1(例如，电压GND)施加到MOSFET160a及160b的栅极。驱动电路150将基于受光元件140a的两端的电压的“L”电平的电压Vs1(例如，电压GND)施加到MOSFET160a及160b的源极。由此，MOSFET160a及160b(开关元件SW1)被设为切断状态，输入输出端子5及6被设为非电连接状态。另外，若发光元件220变为接通状态，则受光元件240a从发光元件220受光，因此产生电压。驱动电路 250将基于受光元件240a的两端的电压的“H”电平的电压Vg2(比MOSFET260a及260b的阈值电压大的电压，例如5V)施加到MOSFET260a及260b的栅极。驱动电路250将基于受光元件 240a的两端的电压的“L”电平的电压Vs2(例如，电压GND)施加到MOSFET260a及260b的源极。由此，MOSFET260a及260b(开关元件SW2)被设为接通状态，输入输出端子7及8电连接。 [0102] 根据本实施方式，能够使开关元件SW1及SW2交替导通。换言之，能够抑制开关元件SW1及SW2同时导通。 [0103] 本实施方式的半导体装置1包含控制电路100、绝缘元件110及210、控制电路140b及240b以及MOSFET160a、160b、260a及260b。 [0104] 控制电路100基于控制信号VIN对绝缘元件110及210中的任一方的选择进行控制。 [0105] 具体而言，控制电路100包含晶体管P1及N1。对晶体管P1的栅极输入控制信号VIN，对晶体管P1的源极施加电压VCC，晶体管P1的漏极与节点ND1连接。对晶体管N1的栅极输入控制信号VIN，晶体管N1的漏极与节点ND1连接，对晶体管N1的源极施加电压GND。 [0106] 通过上述结构，基于节点ND1的电压来选择绝缘元件110及绝缘元件210中的任一方。即，在本实施方式中，基于节点ND1的电压来选择发光元件120及220中的任一方。换言之，基于节点ND1的电压，在发光元件120为接通状态时，发光元件220变为切断状态，而在发光元件120为切断状态时，发光元件220变为接通状态。由于发光元件120及220交替地发光，因此受光元件140a及240a交替地受光。在受光元件140a受光的情况下，利用控制电路140b使MOSFET160a及160b(开关元件SW1)为接通状态。在受光元件140a不受光的情况下，利用控制电路140b使MOSFET160a及160b(开关元件SW1)为切断状态。在受光元件240a受光的情况下，利用控制电路240b使MOSFET260a及260b(开关元件SW2)为接通状态。在受光元件240a不受光的情况下，利用控制电路240b使MOSFET260a及260b(开关元件SW2)为切断状态。因此，根据本实施方式，能够抑制开关元件SW1及SW2同时导通。 [0107] 另外，根据本实施方式的结构，即使在控制信号VIN变为开路(open)的情况下也能够使开关元件SW2导通，能够制造闩锁状态。 [0108] MOSFET在元件之间特性值有偏差。受光元件及发光元件也与MOSFET相同，在元件之间特性值有偏差。MOSFET的特性值的偏差例如是半导体装置的一方的光继电器所包含的各MOSFET的特性值与另一方的光继电器所包含的各MOSFET的特性值之差。MOSFET的特性值例如包含对该MOSFET供给规定大小的电压(充电电流)时的接通开始时间。受光元件的特性值的偏差例如是一方的受光元件的光灵敏度与另一方的受光元件的光灵敏度之差。发光元件的特性值的偏差例如是一方的发光元件的照射光强度与另一方的发光元件的照射光强度之差。 [0109] 根据本实施方式，作为MOSFET160a、160b、260a及260b，使用相同类型的MOSFET、即增强型的n沟道MOSFET。因此，能够使开关元件SW1及SW2的接通和切断的动态特性、即MOSFET的特性值近似。由此，与各MOSFET的特性值的偏差更大的情况相比，死区时间的设计变得容易。 [0110] 另外，根据本实施方式，半导体装置1被形成为一个封装。因此，例如，在制造工序中，作为MOSFET160a、160b、260a及260b，例如能够使用同一个晶圆内的接近的芯片。作为受光元件140a及240a，与MOSFET160a、160b、260a及260b相同，例如能够使用同一个晶圆内的接近的芯片。作为发光元件120及220，与MOSFET160a、160b、260a及260b相同，例如能够使用同一个晶圆内的接近的芯片。出于这些原因，能够抑制MOSFET的特性值的偏差的增加、受光元件的特性值的偏差的增加以及发光元件的特性值的偏差的增加。 [0111] 而且，根据本实施方式，发光元件120配置于受光元件140a的上方。发光元件220配置于受光元件240a的上方。换言之，发光元件120与受光元件140a接近。发光元件220与受光元件240a接近。因此，能够提高光电效应。 [0112] (第一变形例) [0113] 对第一实施方式的第一变形例的半导体装置进行说明。在第一实施方式的第一变形例的半导体装置1中，半导体装置1的构造与第一实施方式不同。在以下的说明中，对于与第一实施方式相同的结构省略说明，以与第一实施方式不同的结构为中心进行说明。 [0114] 使用图4对半导体装置1的构造进行说明。图4是表示半导体装置1的构造的一个例子的立体图。在图4中，与图2相同，省略了对布线的图示。 [0115] 如图4所示，半导体装置1还包含密封材料310及320。 [0116] 密封材料310以覆盖受光部140的上表面的一部分、粘接层180及发光元件120的方式设置。密封材料320以覆盖受光部240的上表面的一部分、粘接层280及发光元件220的方式设置。密封材料310及320包含与密封材料300相比热膨胀系数小的非透光性材料。该非透光性材料例如是环氧树脂及硅酮树脂。 [0117] 密封材料300以覆盖密封材料310及320、电极50～52、60～63、70a、70b、80a及80b、控制电路100、MOSFET160a、160b、260a及260b、支承台170及270、受光部140及240的侧面和上表面的一部分以及电阻元件R1及R2的方式设置。 [0118] 电极60～63也可以被取消。该情况下，电阻元件R1及R2设于控制电路100。 [0119] 其它构造与第一实施方式所示的图2及图3相同。 [0120] 通过本变形例，也起到与第一实施方式同等的效果。 [0121] 另外，根据本变形例，受光部140(受光元件140a)的上表面的一部分、粘接层180及发光元件120被密封材料310覆盖。受光部240(受光元件240a)的上表面的一部分、粘接层280及发光元件220被密封材料320覆盖。因此，密封材料310能够对设于发光元件120与受光元件140a之间的粘接层180进行保护(抑制由于密封树脂300的热变形时的应力的原因，受光元件140a的受光面与发光元件120的出射面的剥离所导致的向受光元件140a的受光面的到达光量的降低)。密封材料320能够对设于发光元件220与受光元件240a之间的粘接层280进行保护(抑制由于密封树脂300的热变形时的应力的原因，受光元件240a的受光面与发光元件220的出射面的剥离所导致的向受光元件240a的受光面的到达光量的降低)。另外，密封材料310及320能够抑制在光继电器500及600之间的受光元件(140a及240a)的受光面处接收的光的经时变化。 [0122] (第二变形例) [0123] 对第一实施方式的第二变形例的半导体装置进行说明。在第一实施方式的第二变形例的半导体装置1中，半导体装置1的构造与第一实施方式不同。在以下的说明中，对于与第一实施方式相同的结构省略说明，以与第一实施方式不同的结构为中心进行说明。 [0124] 使用图5对半导体装置1的构造进行说明。图5是表示半导体装置1的构造的一个例子的立体图。 [0125] 如图5所示，受光部140(受光元件140a)例如设于相邻的两个MOSFET(MOSFET160a及160b)之上。换言之，在图5所示的例子中，受光元件140a包含与MOSFET160a及160b的上表面相接的部分。受光部140与电极162a、163a、162b及163b分离地配置。受光部240(受光元件240a)例如设于相邻的两个MOSFET(MOSFET260a及260b)之上。换言之，在图5所示的例子中，受光元件240a包含与MOSFET260a及260b的上表面相接的部分。受光部240与电极262a、 263a、262b及263b分离地配置。此外，取消了第一实施方式中的支承台170及270。 [0126] 另外，粘接层180及280例如是绝缘膜。 [0127] 电极60～63也可以被取消。该情况下，电阻元件R1及R2设于控制电路100。另外，布线能够像在第一实施方式中描述的那样削减根数，能够小型化地、廉价地进行制造。 [0128] 其它构造与第一实施方式所示的图2及图3相同。 [0129] 通过本变形例，也起到与第一实施方式同等的效果。 [0130] 另外，根据本变形例，受光部140设于MOSFET160a及160b之上。受光部240设于MOSFET260a及260b之上。因此，能够遮蔽具有光灵敏度的各MOSFET的沟道部分。另外，还能够组合第一变形例。 [0131] (第三变形例) [0132] 对第一实施方式的第三变形例的半导体装置进行说明。在第一实施方式的第三变形例的半导体装置1中，半导体装置1的构造与第一实施方式的第二变形例不同。在以下的说明中，对于与第一实施方式的第二变形例相同的结构省略说明，以与第一实施方式的第二变形例不同的结构为中心进行说明。 [0133] 使用图6对半导体装置1的构造进行说明。图6是表示半导体装置1的构造的一个例子的立体图。 [0134] 如图6所示，半导体装置1还包含电极70、80及90～93。此外，取消了第一实施方式的第二变形例中的电极70a、70b、80a及80b。 [0135] 电极70、80及90～93设于基板30的上表面上。 [0136] 电极141及144配置于受光元件140a的上表面的沿着Y方向的MOSFET160a侧。取消了电极142及143。 [0137] MOSFET160a及160b例如被设为一个芯片(以下，称为“芯片160”)。换言之，MOSFET160a及160b(芯片160)被一体地设于电极70之上。在图6所示的例子中，电极161a及161b配置于芯片160的上表面。电极161a与电极161b分离地配置。作为源极电极发挥功能的在图5中说明的电极162a及162b一体地形成为共同的电极(以下，称为“电极162c”)。电极 162c配置于芯片160的上表面。电极162c与电极161b分离地配置。作为栅极电极发挥功能的在图5中说明的电极163a及163b一体地形成为共同的电极(以下，称为“电极163c”)。电极 163c配置于芯片160的上表面。电极163c与电极161a分离地配置。MOSFET160a包含电极 161a、162c及163c。MOSFET160b包含电极161b、162c及163c。 [0138] 电极241及244配置于受光元件240a的上表面的沿着Y方向的MOSFET260a侧。取消了电极242及243。 [0139] MOSFET260a及260b例如被设为一个芯片(以下，称为“芯片260”)。换言之，MOSFET260a及260b(芯片260)被一体地设于电极80之上。在图6所示的例子中，电极261a及261b配置于芯片260的上表面。电极261a与电极261b分离地配置。作为源极电极发挥功能的在图5中说明的电极262a及262b一体地形成为共同的电极(以下，称为“电极262c”)。电极 262c配置于芯片260的上表面。电极262c与电极261b分离地配置。作为栅极电极发挥功能的在图5中说明的电极263a及263b一体地形成为共同的电极(以下，称为“电极263c”)。电极 263c配置于芯片260的上表面。电极263c与电极261a分离地配置。MOSFET260a包含电极 261a、262c及263c。MOSFET260b包含电极261b、262c及263c。 [0140] 受光部140(受光元件140a)例如设于MOSFET160a及160b(芯片160)之上。受光部240(受光元件240a)例如设于MOSFET260a及260b(芯片260)之上。另外，粘接层180及280例如是绝缘膜。 [0141] 虽然在图6中未作图示，但输入输出端子5经由贯通基板30的导电体而与电极90电连接。虽然在图6中未作图示，但输入输出端子6经由贯通基板30的导电体而与电极91电连接。虽然在图6中未作图示，但输入输出端子7经由贯通基板30的导电体而与电极92电连接。虽然在图6中未作图示，但输入输出端子8经由贯通基板30的导电体而与电极93电连接。 [0142] 其它构造与第一实施方式的第二变形例所示的图5相同。 [0143] 使用图7对半导体装置1内的电连接进行说明。图7是表示半导体装置1的平面构造的一个例子的俯视图。 [0144] 如图7所示，半导体装置1还包含布线W51、W52、W61及W62。此外，取消了第一实施方式中的布线W16、W17、W19、W26、W27及W29。 [0145] 布线W15将电极141与电极163c电连接。布线W18将电极144与电极162c电连接。布线W25将电极241与电极263c电连接。布线W28将电极244与电极262c电连接。 [0146] 布线W51、W52、W61及W62例如是通过引线键合而形成的线。布线W51、W52、W61及W62由导电材料构成。此外，布线W51、W52、W61及W62例如也可以是柔性基板。 [0147] 布线W51将电极161a与电极90电连接。布线W52将电极161b与电极91电连接。布线W61将电极261a与电极92电连接。布线W62将电极261b与电极93电连接。 [0148] 其它构造与第一实施方式所示的图3相同。 [0149] 电极60～63也可以被取消。该情况下，电阻元件R1及R2设于控制电路100。另外，布线能够像在第一实施方式中描述的那样削减根数，能够小型化地、廉价地进行制造。 [0150] 通过本变形例，也起到与第一实施方式的第二变形例同等的效果。 [0151] 另外，根据本变形例，MOSFET160a及160b例如被设为一个芯片。MOSFET260a及260b例如被设为一个芯片。因此，容易在MOSFET160a及160b之上配置受光部140。容易在MOSFET260a及260b之上配置受光部240。由此，容易形成MOSFET、受光部及发光元件的堆叠构造。 [0152] (第四变形例) [0153] 对第一实施方式的第四变形例的半导体装置进行说明。第一实施方式的第四变形例的半导体装置1在利用磁耦合(磁场耦合)基于信号对开关元件SW1及SW2进行控制这一点与第一实施方式不同。在以下的说明中，对于与第一实施方式相同的结构省略说明，以与第一实施方式不同的结构为中心进行说明。 [0154] 使用图8对半导体装置1的结构进行说明。图8是表示半导体装置1的结构的一个例子的电路图。 [0155] 如图8所示，控制电路100还包含逆变器电路IV1以及信号生成电路101及201。 [0156] 逆变器电路IV1的输入端子与节点ND1及信号生成电路201连接。逆变器电路IV1的输出端子与信号生成电路101连接。 [0157] 信号生成电路101是基于电压生成信号的电路。具体而言，例如，信号生成电路101在从逆变器电路IV1输出的电压V11为“H”电平的情况下进行动作。信号生成电路101在电压V11为“H”电平的情况下对电压V11进行调制，并将经调制的电压作为信号S11发送到后述的线圈L11的一端。 [0158] 信号生成电路201是基于电压生成信号的电路。具体而言，例如，信号生成电路201在向逆变器电路IV1输入的电压V21(节点ND1的电压)为“H”电平的情况下进行动作。信号生成电路201在电压V21为“H”电平的情况下对电压V21进行调制，并将经调制的电压作为信号S21发送到后述的线圈L21的一端。 [0159] 绝缘元件110具有将第一实施方式中的发光元件120及受光元件140a置换为线圈L11及L12的结构。具体而言，例如，线圈L11的一端与信号生成电路101连接。线圈L11的另一端接地。线圈L12的一端与控制电路140b(后述的接收电路151)连接。线圈L12的另一端接地。线圈L11与线圈L12通过设于线圈L11与线圈L12之间的未图示的绝缘层电绝缘。 [0160] 绝缘元件210具有将第一实施方式中的发光元件220及受光元件240a置换为线圈L21及L22的结构。具体而言，例如，线圈L21的一端与信号生成电路201连接。线圈L21的另一端接地。线圈L22的一端与控制电路240b(后述的接收电路251)连接。线圈L22的另一端接地。线圈L21与线圈L22通过设于线圈L21与线圈L22之间的未图示的绝缘层电绝缘。 [0161] 控制电路140b还包含接收电路151。另外，控制电路140b具有将第一实施方式中的驱动电路150置换为驱动电路150x的结构。 [0162] 接收电路151是接收信号的电路。具体而言，例如，接收电路151对从线圈L12接收的信号S12进行解调，并将经解调的信号作为电压V12供给到驱动电路150x。 [0163] 驱动电路150x是基于从接收电路151供给的电压V12对MOSFET160a及160b进行驱动的电路。例如，驱动电路150x将基于电压V12的电压Vg1施加到MOSFET160a及160b的栅极。驱动电路150x将基于电压V12的电压Vs1施加到MOSFET160a及160b的源极。电压Vg1例如是电压Vs1以上的电压。此外，驱动电路150x在不被从接收电路151供给电压V12的情况下，例如将“L”电平的电压作为电压Vg1施加到MOSFET160a及160b的栅极，将“L”电平的电压作为电压Vs1施加到MOSFET160a及160b的源极。 [0164] 这样，控制电路140b基于绝缘元件110(线圈L12)的输出对MOSFET160a的栅极电压及源极电压、以及MOSFET160b的栅极电压及源极电压进行控制。 [0165] 控制电路240b还包含接收电路251。另外，控制电路240b具有将第一实施方式中的驱动电路250置换为驱动电路250x的结构。 [0166] 接收电路251是接收信号的电路。具体而言，例如，接收电路251对从线圈L22接收的信号S22进行解调，并将经解调的信号作为电压V22供给到驱动电路250x。 [0167] 驱动电路250x是基于从接收电路251供给的电压V22对MOSFET260a及260b进行驱动的电路。例如，驱动电路250x将基于电压V22的电压Vg2施加到MOSFET260a及260b的栅极。驱动电路250x将基于电压V22的电压Vs2施加到MOSFET260a及260b的源极。电压Vg2例如是电压Vs2以上的电压。此外，驱动电路250x在不被从接收电路251供给电压V22的情况下，例如将“L”电平的电压作为电压Vg2施加到MOSFET260a及260b的栅极，将将“L”电平的电压作为电压Vs2施加到MOSFET260a及260b的源极。 [0168] 这样，控制电路240b基于绝缘元件210(线圈L22)的输出对MOSFET260a的栅极电压及源极电压、以及MOSFET260b的栅极电压及源极电压进行控制。 [0169] 如图8所示，在一次侧电路中，取消了第一实施方式中的电阻元件R1及R2。 [0170] 其它电路结构与第一实施方式所示的图1相同。 [0171] 接下来，使用图8对半导体装置1的动作进行说明。 [0172] 在电压VIN为“H”电平的情况下，晶体管P1被设为切断状态，晶体管N1被设为接通状态。由此，节点ND1的电压变为电压GND(“L”电平)。其结果是，向信号生成电路201供给“L”电平的电压，因此信号生成电路201不动作。因此，接收电路251不从线圈L22接收信号S22，不向驱动电路250x供给电压V22，MOSFET260a及260b(开关元件SW2)被设为切断状态。另外，由于向信号生成电路101供给“H”电平的电压，因此信号生成电路101基于电压V11生成信号S11，并将所生成的信号S11发送到线圈L11的一端。 [0173] 若向线圈L11输入信号S11，则基于信号S11在线圈L11中流动电流。由此，线圈L11产生磁场。另外，由于该磁场，贯穿线圈L12的磁通发生变化。由此，在线圈L12中流动电流(感应电流)。若在线圈L12中流动电流，则基于该电流而从线圈L12向接收电路151发送信号S12。 [0174] 若接收电路151接收到信号S12，则接收电路151将基于信号S12的电压V12发送到驱动电路150x。驱动电路150x将基于从接收电路151供给的电压V12的“H”电平的电压Vg1(例如，5V)施加到MOSFET160a及160b的栅极。驱动电路150x将基于电压V12的“L”电平的电压Vs1(例如，电压GND)施加到MOSFET160a及160b的源极。由此，MOSFET160a及160b(开关元件SW1)被设为接通状态。 [0175] 另一方面，在电压VIN为“L”电平的情况下，晶体管P1被设为接通状态，晶体管N1被设为切断状态。由此，节点ND1的电压变为电压VCC(“H”电平)。其结果是，向信号生成电路101供给“L”电平的电压，因此信号生成电路101不动作。因此，接收电路151不从线圈L12接收信号S12，不向驱动电路150x供给电压V12，MOSFET160a及160b(开关元件SW1)被设为切断状态。另外，由于向信号生成电路201供给“H”电平的电压，因此信号生成电路201基于电压V21生成信号S21，并将所生成的信号S21发送到线圈L21的一端。 [0176] 若向线圈L21输入信号S21，则基于信号S21在线圈L21中流动电流。由此，线圈L21产生磁场。另外，由于该磁场，贯穿线圈L22的磁通发生变化。由此，在线圈L22中流动电流(感应电流)。若在线圈L22中流动电流，则基于该电流而从线圈L22向接收电路251发送信号S22。 [0177] 若接收电路251接收到信号S22，则接收电路251将基于信号S22的电压V22供给到驱动电路250x。驱动电路250x将基于从接收电路251供给的电压V22的“H”电平的电压Vg2(例如，5V)施加到MOSFET260a及260b的栅极。驱动电路250x将基于电压V22的“L”电平的电压Vs2(例如，电压GND)施加到MOSFET260a及260b的源极。由此，MOSFET260a及260b(开关元件SW2)被设为接通状态。 [0178] 这样，上述结构的半导体装置1利用线圈L11与线圈L12之间以及线圈L21与线圈L22之间的磁耦合，基于信号对开关元件SW1及SW2进行控制。 [0179] 通过本变形例，也起到与第一实施方式同等的效果。 [0180] (第五变形例) [0181] 对第一实施方式的第五变形例的半导体装置进行说明。在第一实施方式的第五变形例的半导体装置1中，磁耦合的形式与第一实施方式的第四变形例不同。在以下的说明中，对于与第一实施方式的第四变形例相同的结构省略说明，以与第一实施方式的第四变形例不同的结构为中心进行说明。 [0182] 使用图9对半导体装置1的结构进行说明。图9是表示半导体装置1的结构的一个例子的电路图。 [0183] 如图9所示，绝缘元件110具有将第一实施方式的第四变形例中的线圈L12置换为磁阻元件R11～R14的结构。磁阻元件例如有霍尔元件。具体而言，例如，对磁阻元件R11的一端施加电压VCC。磁阻元件R11的另一端与节点ND11连接。磁阻元件R12的一端与节点ND11连接。磁阻元件R12的另一端接地。节点ND11与控制电路140b(后述的比较器152)连接。对磁阻元件R13的一端施加电压VCC。磁阻元件R13的另一端与节点ND12连接。磁阻元件R14的一端与节点ND12连接。磁阻元件R14的另一端接地。节点ND12与控制电路140b(后述的比较器152)连接。线圈L11与磁阻元件R11～R14通过设于线圈L11与磁阻元件R11～R14之间的未图示的绝缘层电绝缘。 [0184] 绝缘元件210具有将第一实施方式的第四变形例中的线圈L22置换为磁阻元件R21～R24的结构。具体而言，例如，对磁阻元件R21的一端施加电压VCC。磁阻元件R21的另一端与节点ND21连接。磁阻元件R22的一端与节点ND21连接。磁阻元件R22的另一端接地。节点ND21与控制电路240b(后述的比较器252)连接。对磁阻元件R23的一端施加电压VCC。磁阻元件R23的另一端与节点ND22连接。磁阻元件R24的一端与节点ND22连接。磁阻元件R24的另一端接地。节点ND22与控制电路240b(后述的比较器252)连接。线圈L21与磁阻元件R21～R24通过设于线圈L21与磁阻元件R21～R24之间的未图示的绝缘层电绝缘。 [0185] 控制电路140b还包含比较器152。 [0186] 比较器152是将两个电压进行比较并输出基于其比较结果的电压的电路。具体而言，例如，比较器152对节点ND11的电压V13与节点ND12的电压V14进行比较，并将基于其比较结果的电压(例如，电压V13、电压V14或电压V13与电压V14的差分电压)作为电压V15供给到接收电路151。 [0187] 控制电路240b还包含比较器252。 [0188] 比较器252是对两个电压进行比较并输出基于其比较结果的电压的电路。具体而言，例如，比较器252对节点ND21的电压V23与节点ND22的电压V24进行比较，并将基于其比较结果的电压(例如，电压V23、电压V24或电压V23与电压V24的差分电压)作为电压V25供给到接收电路251。 [0189] 其它电路结构与第一实施方式的第四变形例所示的图8相同。 [0190] 接下来，使用图9对半导体装置1的动作进行说明。 [0191] 在电压VIN为“H”电平的情况下，与第一实施方式的第四变形例相同，信号生成电路201不动作，MOSFET260a及260b(开关元件SW2)被设为切断状态。另外，信号生成电路101基于电压V11生成信号S11，并将所生成的信号S11发送到线圈L11的一端。 [0192] 若向线圈L11输入信号S11，则基于信号S11在线圈L11中流动电流。由此，线圈L11产生磁场。另外，由于该磁场，节点ND11及ND12的电压发生变化。节点ND11的电压V13以及节点ND12的电压V14被供给到比较器152。 [0193] 若向比较器152供给电压V13及V14，则比较器152例如将电压V13与电压V14的差分电压作为电压V15供给到接收电路151。在向接收电路151供给电压V15后，接收电路151及驱动电路150x与第一实施方式的第四变形例同样地进行动作。其结果是，MOSFET160a及160b(开关元件SW1)被设为接通状态。 [0194] 另一方面，在电压VIN为“L”电平的情况下，与第一实施方式的第四变形例相同，信号生成电路101不动作，MOSFET160a及160b(开关元件SW1)被设为切断状态。另外，信号生成电路201基于电压V21生成信号S21，并将所生成的信号S21发送到线圈L21的一端。 [0195] 若向线圈L21输入信号S21，则基于信号S21在线圈L21中流动电流。由此，线圈L21产生磁场。另外，由于该磁场，节点ND21及ND22的电压发生变化。节点ND21的电压V23以及节点ND22的电压V24被供给到比较器252。 [0196] 若向比较器252供给电压V23及V24，则比较器252例如将电压V23与电压V24的差分电压作为电压V25供给到接收电路251。在向接收电路251供给电压V25后，接收电路251及驱动电路250x与第一实施方式的第四变形例同样地进行动作。其结果是，MOSFET260a及260b(开关元件SW2)被设为接通状态。 [0197] 这样，上述结构的半导体装置1利用线圈L11与电阻元件R11～R14之间以及线圈L21与电阻元件R21～24之间的磁耦合，基于信号对开关元件SW1及SW2进行控制。 [0198] 通过本变形例，也起到与第一实施方式同等的效果。 [0199] (第六变形例) [0200] 对第一实施方式的第六变形例的半导体装置进行说明。第一实施方式的第六变形例的半导体装置1在利用电容耦合(电场耦合)基于信号对开关元件SW1及SW2进行控制这一点与第一实施方式的第四变形例不同。在以下的说明中，对于与第一实施方式的第四变形例相同的结构省略说明，以与第一实施方式的第四变形例不同的结构为中心进行说明。 [0201] 使用图10对半导体装置1的结构进行说明。图10是表示半导体装置1的结构的一个例子的电路图。 [0202] 如图10所示，绝缘元件110具有将第一实施方式的第四变形例中的线圈L11及L12置换为电容元件C11的结构。具体而言，例如，电容元件C11的一方的电极与信号生成电路101连接。电容元件C11的另一方的电极与控制电路140b(接收电路151)连接。电容元件C11的一方的电极与电容元件C11的另一方的电极通过设于这些电极之间的未图示的绝缘层电绝缘。 [0203] 绝缘元件210具有将第一实施方式的第四变形例中的线圈L21及L22置换为电容元件C21的结构。具体而言，例如，电容元件C21的一方的电极与信号生成电路201连接。电容元件C21的另一方的电极与控制电路240b(接收电路251)连接。电容元件C21的一方的电极与电容元件C21的另一方的电极通过设于这些电极之间的未图示的绝缘层电绝缘。 [0204] 其它电路结构与第一实施方式的第四变形例所示的图8相同。 [0205] 接下来，使用图10对半导体装置1的动作进行说明。 [0206] 在电压VIN为“H”电平的情况下，与第一实施方式的第四变形例相同，信号生成电路201不动作，MOSFET260a及260b(开关元件SW2)被设为切断状态。另外，信号生成电路101基于电压V11生成信号S11，并将所生成的信号S11发送到电容元件C11的一方的电极。 [0207] 若向电容元件C11的一方的电极输入信号S11，则在电容元件C11的一方的电极与另一方的电极之间形成电容耦合。由此，从电容元件C11的另一方的电极向接收电路151发送信号S13。 [0208] 在接收电路151接收到信号S13后，接收电路151及驱动电路150x与第一实施方式的第四变形例同样地进行动作。其结果是，MOSFET160a及160b(开关元件SW1)被设为接通状态。 [0209] 另一方面，在电压VIN为“L”电平的情况下，与第一实施方式的第四变形例相同，信号生成电路101不动作，MOSFET160a及160b(开关元件SW1)被设为切断状态。另外，信号生成电路201基于电压V21生成信号S21，并将所生成的信号S21发送到电容元件C21的一方的电极。 [0210] 若向电容元件C21的一方的电极输入信号S21，则在电容元件C21的一方的电极与另一方的电极之间形成电容耦合。由此，从电容元件C21的另一方的电极向接收电路251发送信号S23。 [0211] 在接收电路251接收到信号S23后，接收电路251及驱动电路250x与第一实施方式的第四变形例同样地进行动作。其结果是，MOSFET260a及260b(开关元件SW2)被设为接通状态。 [0212] 这样，上述结构的半导体装置1利用电容元件C11及C21的电容耦合，基于信号对开关元件SW1及SW2进行控制。 [0213] 通过本变形例，也起到与第一实施方式同等的效果。 [0214] (第七变形例) [0215] 对第一实施方式的第七变形例的半导体装置进行说明。第一实施方式的第七变形例的半导体装置1在利用磁共振耦合基于信号对开关元件SW1及SW2进行控制这一点与第一实施方式的第五变形例不同。在以下的说明中，对于与第一实施方式的第五变形例相同的结构省略说明，以与第一实施方式的第五变形例不同的结构为中心进行说明。 [0216] 使用图11对半导体装置1的结构进行说明。图11是表示半导体装置1的结构的一个例子的电路图。 [0217] 如图11所示，绝缘元件110具有将第一实施方式的第五变形例中的线圈L11及电阻元件R11～R14置换为电容元件C12及C13、线圈L13及L14以及电阻元件R15及R16的结构。具体而言，例如，电容元件C12的一方的电极与信号生成电路101连接。电容元件C12的另一方的电极与线圈L13的一端连接。线圈L13的另一端与电阻元件R15的一端连接。电阻元件R15的另一端接地。电容元件C13的一方的电极与控制电路140b(比较器152)连接。电容元件C13的另一方的电极与线圈L14的一端连接。线圈L14的另一端与电阻元件R16的一端连接。电阻元件R16的另一端与控制电路140b(比较器152)连接。即，利用电容元件C12、线圈L13及电阻元件R15形成谐振电路。利用电容元件C13、线圈L14及电阻元件R16形成谐振电路。一方的谐振电路与另一方的谐振电路通过设于这些谐振电路之间的未图示的绝缘层电绝缘。 [0218] 绝缘元件210具有将第一实施方式的第五变形例中的线圈L21及电阻元件R21～R24置换为电容元件C22及C23、线圈L23及L24以及电阻元件R25及R26的结构。具体而言，例如，电容元件C22的一方的电极与信号生成电路201连接。电容元件C22的另一方的电极与线圈L23的一端连接。线圈L23的另一端与电阻元件R25的一端连接。电阻元件R25的另一端接地。电容元件C23的一方的电极与控制电路240b(比较器252)连接。电容元件C23的另一方的电极与线圈L24的一端连接。线圈L24的另一端与电阻元件R26的一端连接。电阻元件R26的另一端与控制电路240b(比较器252)连接。即，利用电容元件C22、线圈L23及电阻元件R25形成谐振电路。利用电容元件C23、线圈L24及电阻元件R26形成谐振电路。一方的谐振电路与另一方谐振电路通过设于这些谐振电路之间的未图示的绝缘层电绝缘。 [0219] 其它电路结构与第一实施方式的第五变形例所示的图9相同。 [0220] 接下来，使用图11对半导体装置1的动作进行说明。 [0221] 在电压VIN为“H”电平的情况下，与第一实施方式的第五变形例相同，信号生成电路201不动作，MOSFET260a及260b(开关元件SW2)被设为切断状态。另外，信号生成电路101基于电压V11生成信号S11，并将所生成的信号S11发送到电容元件C12的一方的电极。 [0222] 若向电容元件C12的一方的电极输入信号S11，则在包含电容元件C12、线圈L13及电阻元件R15的谐振电路与包含电容元件C13、线圈L14及电阻元件R16的谐振电路之间形成磁共振耦合。由此，从包含电容元件C13、线圈L14及电阻元件R16的谐振电路的一端向比较器152供给电压V16。从包含电容元件C13、线圈L14及电阻元件R16的谐振电路的另一端向比较器152供给电压V17。 [0223] 在向比较器152供给电压V16及V17后，比较器152、接收电路151及驱动电路150x与第一实施方式的第五变形例同样地进行动作。其结果是，MOSFET160a及160b(开关元件SW1)被设为接通状态。 [0224] 另一方面，在电压VIN为“L”电平的情况下，与第一实施方式的第五变形例相同，信号生成电路101不动作，MOSFET160a及160b(开关元件SW1)被设为切断状态。另外，信号生成电路201基于电压V21生成信号S21，并将所生成的信号S21发送到电容元件C22的一方的电极。 [0225] 若向电容元件C22的一方的电极输入信号S21，则在包含电容元件C22、线圈L23及电阻元件R25的谐振电路与包含电容元件C23、线圈L24及电阻元件R26的谐振电路之间形成磁共振耦合。由此，从包含电容元件C23、线圈L24及电阻元件R26的谐振电路的一端向比较器252供给电压V26。从包含电容元件C23、线圈L24及电阻元件R26的谐振电路的另一端向比较器252供给电压V27。 [0226] 在向比较器252供给电压V26及V27后，比较器252、接收电路251及驱动电路250x与第一实施方式的第五变形例同样地进行动作。其结果是，MOSFET260a及260b(开关元件SW2)被设为接通状态。 [0227] 这样，上述结构的半导体装置1利用包含电容元件C12、线圈L13及电阻元件R15的谐振电路与包含电容元件C13、线圈L14及电阻元件R16的谐振电路之间、以及包含电容元件C22、线圈L23及电阻元件R25的谐振电路与包含电容元件C23、线圈L24及电阻元件R26的谐振电路之间的磁共振耦合，基于信号对开关元件SW1及SW2进行控制。 [0228] 通过本变形例，也起到与第一实施方式同等的效果。 [0229] (第八变形例) [0230] 对第一实施方式的第八变形例的半导体装置进行说明。第一实施方式的第八变形例的半导体装置1在利用声波耦合(振动)基于信号对开关元件SW1及SW2进行控制这一点与第一实施方式第四变形例不同。在以下的说明中，对于与第一实施方式的第四变形例相同的结构省略说明，以与第一实施方式的第四变形例不同的结构为中心进行说明。 [0231] 使用图12对半导体装置1的结构进行说明。图12是表示半导体装置1的结构的一个例子的电路图。 [0232] 如图12所示，绝缘元件110具有将第一实施方式的第四变形例中的线圈L11及L12置换为振子111及振动发电设备112的结构。具体而言，例如，振子111与信号生成电路101连接。振动发电设备112与控制电路140b(接收电路151)连接。振子111与振动发电设备112通过设于振子111与振动发电设备112之间的未图示的绝缘层电绝缘。 [0233] 绝缘元件210具有将第一实施方式的第四变形例中的线圈L21及L22置换为振子211及振动发电设备212的结构。具体而言，例如，振子211与信号生成电路201连接。振动发电设备212与控制电路240b(接收电路251)连接。振子211与振动发电设备212通过设于振子 211与振动发电设备212之间的未图示的绝缘层电绝缘。 [0234] 振子111及211例如是产生振动的电路。振子111及211例如是MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)振子。 [0235] 振动发电设备112及212例如是将振动转换为电压的设备。 [0236] 其它电路结构与第一实施方式的第四变形例所示的图8相同。 [0237] 接下来，使用图12对半导体装置1的动作进行说明。 [0238] 在电压VIN为“H”电平的情况下，与第一实施方式的第四变形例相同，信号生成电路201不动作，MOSFET260a及260b(开关元件SW2)被设为切断状态。另外，信号生成电路101基于电压V11生成信号S11，并将所生成的信号S11发送到振子111。 [0239] 若向振子111输入信号S11，则振子111产生振动。振动发电设备112感测所产生的振动，并将感测到的振动转换为电压。振动发电设备112将转换而得的电压作为电压V18供给到接收电路151。 [0240] 在向接收电路151供给电压V18后，接收电路151及驱动电路150x与第一实施方式的第四变形例同样地进行动作。其结果是，MOSFET160a及160b(开关元件SW1)被设为接通状态。 [0241] 另一方面，在电压VIN为“L”电平的情况下，与第一实施方式的第四变形例相同，信号生成电路101不动作，MOSFET160a及160b(开关元件SW1)被设为切断状态。另外，信号生成电路201基于电压V21生成信号S21，并将所生成的信号S21发送到振子211。 [0242] 若向振子211输入信号S21，则振子211产生振动。振动发电设备212感测所产生的振动，并将感测到的振动转转为电压。振动发电设备212将转换而得的电压作为电压V28供给到接收电路251。 [0243] 在向接收电路251供给电压V28后，接收电路251及驱动电路250x与第一实施方式的第四变形例同样地进行动作。其结果是，MOSFET260a及260b(开关元件SW2)被设为接通状态。 [0244] 这样，上述结构的半导体装置1利用振子111与振动发电设备112之间以及振子211与振动发电设备212之间的声波耦合(振动)，基于信号对开关元件SW1及SW2进行控制。 [0245] 通过本变形例，也起到与第一实施方式同等的效果。 [0246] 2.第二实施方式 [0247] 对第二实施方式的半导体装置进行说明。在第二实施方式的半导体装置1中，控制电路100的结构与第一实施方式不同。另外，第二实施方式的半导体装置1在一次侧电路不具有电阻元件R1及R2这一点与第一实施方式不同。在以下的说明中，对于与第一实施方式相同的结构省略说明，以与第一实施方式不同的结构为中心进行说明。 [0248] 使用图13对半导体装置1的结构进行说明。图13是表示半导体装置1的结构的一个例子的电路图。 [0249] 如图13所示，控制电路100包含恒压电路102、DT(Dead Time)电路103以及驱动电路104及204。此外，取消了第一实施方式中的晶体管P1及N1。 [0250] 恒压电路102例如是向DT电路103以及驱动电路104及204供给恒定的电压VREG的电路。恒压电路102例如是线性稳压器。 [0251] DT电路103是以不使MOSFET160a及160b(开关元件SW1)与MOSFET260a及260b(开关元件SW2)同时接通的方式进行控制的电路。DT电路103生成基于电压VIN的电压V31以及基于电压VIN的电压V41。电压V31及V41例如是与电压VIN相同的电压电平。此外，电压V31及V41也可以是与电压VIN不同的电压电平。DT电路103将所生成的电压V31供给到驱动电路104。DT电路103将所生成的电压V41供给到驱动电路204。在向驱动电路104及204各自供给电压时，DT电路103在不同的定时供给所生成的电压V31及V41。换言之，DT电路103基于电压VIN使绝缘元件110及绝缘元件210中的一方在与另一方不同的定时进行动作。DT电路103例如包含延迟电路。延迟电路例如包含逆变器电路。 [0252] 例如，在电压VIN的上升时(在电压VIN从“L”电平转变到了“H”电平时)，DT电路103将“H”电平的电压V31相比于电压VIN延迟时间DTon而供给到驱动电路104。DT电路103将“H”电平的电压V41无延迟地供给到驱动电路204。DT电路103在电压VIN为“H”电平的期间进行同样的动作。另一方面，在电压VIN的下降时(在电压VIN从“H”电平转变到了“L”电平时)，DT电路103将“L”电平的电压V31无延迟地供给到驱动电路104。DT电路103将“L”电平的电压V41相比于电压VIN延迟时间DToff而供给到驱动电路204。DT电路103在电压VIN为“L”电平的期间进行同样的动作。 [0253] 时间DTon是MOSFET160a及160b的上升(MOSFET260a及260b的下降)时的死区时间。时间DToff是MOSFET160a及160b的下降(MOSFET260a及260b的上升)时的死区时间。时间DTon及DToff是为了使MOSFET160a及160b的上升或下降的定时与MOSFET260a及260b的下降或上升的定时不重叠、即为了使MOSFET160a及160b与MOSFET260a及260b不同时接通而设定的。时间DTon被设定为比MOSFET160a及160b的上升时间(MOSFET260a及260b的下降时间)长的时间。时间DToff被设定为比MOSFET160a及160b的下降时间(MOSFET260a及260b的上升时间)长的时间。时间DTon及DToff能够根据MOSFET160a、160b、260a及260b的特性值而设定为任意的值。时间DTon及DToff例如是1ms、2ms等。 [0254] 驱动电路104是基于从DT电路103供给的电压V31对绝缘元件110(发光元件120)进行驱动的电路。例如，驱动电路104将电压VCC作为电压V32施加到发光元件120的阳极。驱动电路104将基于电压V31的电压V33施加到发光元件120的阴极。 [0255] 例如，在电压VIN的上升时，驱动电路104，将基于“H”电平的电压V31的“L”电平的电压V33施加到发光元件120的阴极。此时，发光元件120变为发光状态。驱动电路104在电压VIN为“H”电平的期间进行同样的动作。另一方面，在电压VIN的下降时，驱动电路104将基于“L”电平的电压V31的“H”电平的电压V33施加到发光元件120的阴极。此时，发光元件120变为非发光状态。驱动电路104在电压VIN为“L”电平的期间进行同样的动作。即，驱动电路104将与电压V31的电压电平不同的电压电平的电压V33施加到发光元件120的阴极。 [0256] 驱动电路204是基于从DT电路103供给的电压V41对绝缘元件210(发光元件220)进行驱动的电路。例如，驱动电路204将电压VCC作为电压V42施加到发光元件220的阳极。驱动电路204将基于电压V41的电压V43施加到发光元件220的阴极。 [0257] 例如，在电压VIN的上升时，驱动电路204将基于“H”电平的电压V41的“H”电平的电压V43施加到发光元件220的阴极。此时，发光元件220变为非发光状态。驱动电路204在电压VIN为“H”电平的期间进行同样的动作。另一方面，在电压VIN的下降时，驱动电路204将基于“L”电平的电压V41的“L”电平的电压V43施加到发光元件220的阴极。此时，发光元件220变为发光状态。驱动电路204在电压VIN为“L”电平的期间进行同样的动作。即，驱动电路204将与电压V41的电压电平相同的电压电平的电压V43施加到发光元件220的阴极。换言之，驱动电路204具有与驱动电路104不同的结构。 [0258] 其它电路结构与第一实施方式所示的图1相同。 [0259] 半导体装置1的构造与第一实施方式所示的图2及图3相同。 [0260] 接下来，使用图14及图15对半导体装置1的动作进行说明。 [0261] 图14是表示半导体装置1的动作的一个例子的真值表。在图14的例子中，示出了一次侧电路中的电压VCC、GND及VIN与二次侧电路中的开关元件SW1及SW2的动作的关系。图15是表示半导体装置1的动作的一个例子的时序图。在图15的例子中，示出了每一时刻的电压VCC、VIN、V31、V41、Vg1及Vg2、以及开关元件SW1及SW2的状态。以下，对在时刻t1～时刻t9之间电压VCC是“H”电平，在时刻t9电压VCC转变为“L”电平，在时刻t10电压VCC转变为“H”电平，之后在时刻t10～时刻t13之间电压VCC是“H”电平的情况进行说明。此外，在比时刻t1靠前的期间中，开关元件SW1是切断状态，开关元件SW2是接通状态。 [0262] 首先，如图14的真值表的第1行所示，对电压VCC为“H”电平，电压GND为“L”电平，电压VIN为“H”电平的情况进行说明。 [0263] 在时刻t1，若电压VIN从“L”电平转变为“H”电平，则DT电路103将“H”电平的电压V41无延迟地(在时刻t1)供给到驱动电路204。DT电路103将“H”电平的电压V31延迟地(在从时刻t1起的时间DTon后的时刻t2)供给到驱动电路104。即，通过DT电路103的这些动作，电压V41在时刻t1被设为“H”电平。电压V31在时刻t2被设为“H”电平。驱动电路204在时刻t1将基于“H”电平的电压V41的“H”电平的电压V43施加到发光元件220的阴极。由于电压VCC被作为电压V42施加到发光元件220的阳极，因此在时刻t1，发光元件220变为非发光状态。驱动电路104在时刻t2将基于“H”电平的电压V31的“L”电平的电压V33施加到发光元件120的阴极。由于电压VCC被作为电压V32施加到发光元件120的阳极，因此在时刻t2，发光元件120变为发光状态。 [0264] 若发光元件220变为非发光状态，则受光元件240a及控制电路240b(驱动电路250)与第一实施方式同样地进行动作，电压Vg2在时刻t1被设为“L”电平。由此，MOSFET260a及260b(开关元件SW2)被设为切断状态，输入输出端子7及8被设为非电连接状态。另外，若发光元件120变为发光状态，则受光元件140a及控制电路140b(驱动电路150)与第一实施方式同样地进行动作，电压Vg1在时刻t2被设为“H”电平。由此，MOSFET160a及160b(开关元件SW1)被设为接通状态，输入输出端子5及6电连接。 [0265] 电压V31在时刻t2～时刻t3之间维持“H”电平。由此，发光元件120在时刻t2～时刻t3之间维持发光状态。电压V41在时刻t1～时刻t4之间维持“H”电平。由此，发光元件220在时刻t1～时刻t4之间维持非发光状态。 [0266] 电压Vg1在时刻t2～时刻t3之间维持“H”电平。由此，开关元件SW1在时刻t2～时刻t3之间维持接通状态。电压Vg2在时刻t1～时刻t4之间维持“L”电平。由此，开关元件SW2在时刻t1～时刻t4之间维持切断状态。 [0267] 接下来，如图14的真值表的第2行所示，对电压VCC是“H”电平，电压GND是“L”电平，电压VIN是“L”电平的情况进行说明。 [0268] 在时刻t3，若电压VIN从“H”电平转变为“L”电平，则DT电路103将“L”电平的电压V31无延迟地(在时刻t3)供给到驱动电路104。DT电路103将“L”电平的电压V41延迟地(在从时刻t3起的时间DToff后的时刻t4)供给到驱动电路204。即，通过DT电路103的这些动作，电压V31在时刻t3被设为“L”电平。电压V41在时刻t4被设为“L”电平。驱动电路104在时刻t3将基于“L”电平的电压V31的“H”电平的电压V33施加到发光元件120的阴极。由于电压VCC被作为电压V32施加到发光元件120的阳极，因此在时刻t3，发光元件120变为非发光状态。驱动电路204在时刻t4将基于“L”电平的电压V41的“L”电平的电压V43施加到发光元件220的阴极。由于电压VCC被作为电压V42施加发光元件220的阳极，因此在时刻t4，发光元件220变为发光状态。 [0269] 若发光元件120变为非发光状态，则受光元件140a及控制电路140b(驱动电路150)与第一实施方式同样地进行动作，电压Vg1在时刻t3被设为“L”电平。由此，MOSFET160a及160b(开关元件SW1)被设为切断状态，输入输出端子5及6被设为非电连接状态。另外，若发光元件220变为发光状态，则受光元件240a及控制电路240b(驱动电路250)与第一实施方式同样地进行动作，电压Vg2在时刻t4被设为“H”电平。由此，MOSFET260a及260b(开关元件SW2)被设为接通状态，输入输出端子7及8电连接。 [0270] 电压V31在时刻t3～时刻t6之间维持“L”电平。由此，发光元件120在时刻t3～时刻t6之间维持非发光状态。电压V41在时刻t4～时刻t5之间维持“L”电平。由此，发光元件220在时刻t4～时刻t5之间维持发光状态。 [0271] 电压Vg1在时刻t3～时刻t6之间维持“L”电平。由此，开关元件SW1在时刻t3～时刻t6之间维持切断状态。电压Vg2在时刻t4～时刻t5之间维持“H”电平。由此，开关元件SW2在时刻t4～时刻t5之间维持接通状态。 [0272] 时刻t5～时刻t9之间的动作与时刻t1～时刻t5的动作相同。 [0273] 接下来，如图14的真值表的第3行所示，对电压VCC是“L”电平，电压GND是“L”电平，电压VIN是“X”电平(“H”电平或“L”电平)的情况，即不供给电压VCC的情况进行说明。 [0274] 在时刻t9，若电压VCC变为“L”电平，则DT电路103与时刻t1的动作同样地进行动作。驱动电路104在时刻t9将“L”电平的电压V32施加到发光元件120的阳极。由此，发光元件120变为非发光状态。驱动电路204在时刻t9将“L”电平的电压V42施加到发光元件220的阳极。由此，发光元件220变为非发光状态。 [0275] 若发光元件120变为非发光状态，则受光元件140a及控制电路140b(驱动电路150)与第一实施方式同样地进行动作，电压Vg1在时刻t9被设为“L”电平。由此，MOSFET160a及160b(开关元件SW1)被设为切断状态。另外，若发光元件220变为非发光状态，则受光元件 240a及控制电路240b(驱动电路250)与第一实施方式同样地进行动作，电压Vg2在时刻t9被设为“L”电平。由此，MOSFET260a及260b(开关元件SW2)被设为切断状态。 [0276] 电压V31在时刻t9～时刻t10之间被设为与时刻t1～时刻t5之间相同的电压电平。在时刻t9，通过使“L”电平的电压V32施加到发光元件120的阳极，发光元件120在时刻t9～时刻t10之间维持非发光状态。电压V41在时刻t9～时刻t10之间被设为与时刻t1～时刻t5之间相同的电压电平。在时刻t9，通过使“L”电平的电压V42施加到发光元件220的阳极，发光元件220在时刻t9～时刻t10之间维持非发光状态。 [0277] 电压Vg1在时刻t9～时刻t10之间维持“L”电平。由此，开关元件SW1在时刻t9～时刻t10之间维持切断状态。电压Vg2在时刻t9～时刻t10之间维持“L”电平。由此，开关元件SW2在时刻t9～时刻t10之间维持切断状态。 [0278] 时刻t10～时刻t13的动作与时刻t1～时刻t4的动作相同。 [0279] 通过本实施方式，也起到与第一实施方式同等的效果。 [0280] 另外，根据本实施方式，控制电路100包含DT电路103。DT电路103基于控制信号VIN使绝缘元件110及绝缘元件210中的一方在与另一方不同的定时进行动作。 [0281] 具体而言，DT电路103基于控制信号VIN在第一时刻(例如，图15的时刻t2)向驱动电路104供给电压V31，基于控制信号VIN在第二时刻(例如，图15的时刻t1)向驱动电路204供给电压V41。驱动电路104基于电压V31对绝缘元件110进行驱动。驱动电路204基于电压V41对绝缘元件210进行驱动。 [0282] 因此，在本实施方式中，能够抑制发光元件120变成发光状态的定时与发光元件220变成非发光状态的定时变为同时。由此，能够抑制开关元件SW1变成接通状态的定时与开关元件SW2变成切断状态的定时变为同时。另外，能够抑制发光元件120变成非发光状态的定时与发光元件220变成发光状态的定时变为同时。由此，能够抑制开关元件SW1变成切断状态的定时与开关元件SW2变成接通状态的定时变为同时。 [0283] 此外，还能够对本实施方式的半导体装置1应用第一实施方式的第一至第三变形例的构造。 [0284] (第一变形例) [0285] 对第二实施方式的第一变形例的半导体装置进行说明。第二实施方式的第一变形例的半导体装置1在利用磁耦合(磁场耦合)基于信号对开关元件SW1及SW2进行控制这一点与第二实施方式不同。在以下的说明中，对于与第二实施方式相同的结构省略说明，以与第二实施方式不同的结构为中心进行说明。 [0286] 使用图16对半导体装置1的结构进行说明。图16是表示半导体装置1的结构的一个例子的电路图。 [0287] 如图16所示，控制电路100还包含信号生成电路101及201。信号生成电路101及201具有与第一实施方式的第四变形例所示的图8相同的结构。另外，控制电路100具有将第二实施方式中的驱动电路104及204分别置换为驱动电路104x及204x的结构。 [0288] 驱动电路104x是基于从DT电路103供给的电压V31对绝缘元件110进行驱动的电路。例如，驱动电路104x将基于电压V31的电压V32(例如，与电压V31的电压电平相同的电压电平的电压)供给到信号生成电路101。 [0289] 驱动电路204x是基于从DT电路103供给的电压V41对绝缘元件210进行驱动的电路。例如，驱动电路204x将基于电压V41的电压V42(例如，与电压V41的电压电平不同的电压电平的电压)供给到信号生成电路201。 [0290] 绝缘元件110具有将第二实施方式中的发光元件120及受光元件140a置换为线圈L31及L32的结构。具体而言，例如，线圈L31的一端与信号生成电路101连接。线圈L31的另一端接地。线圈L32的一端与控制电路140b(接收电路151)连接。线圈L32的另一端接地。线圈L31与线圈L32通过设于线圈L31与线圈L32之间的未图示的绝缘层电绝缘。 [0291] 绝缘元件210具有将第二实施方式中的发光元件220及受光元件240a置换为线圈L41及L42的结构。具体而言，例如，线圈L41的一端与信号生成电路201连接。线圈L41的另一端接地。线圈L42的一端与控制电路240b(接收电路251)连接。线圈L42的另一端接地。线圈L41与线圈L42通过设于线圈L41与线圈L42之间的未图示的绝缘层电绝缘。 [0292] 控制电路140b还包含接收电路151。另外，控制电路140b具有将第二实施方式中的驱动电路150置换为驱动电路150x的结构。接收电路151及驱动电路150x具有与第一实施方式的第四变形例所示的图8相同的结构。 [0293] 控制电路240b还包含接收电路251。另外，控制电路240b具有将第二实施方式中的驱动电路250置换为驱动电路250x的结构。接收电路251及驱动电路250x具有与第一实施方式的第四变形例所示的图8相同的结构。 [0294] 其它电路结构与第二实施方式所示的图13相同。 [0295] 接下来，使用图16对半导体装置1的动作进行说明。 [0296] 若电压VIN从“L”电平转变为“H”电平，则DT电路103将“H”电平的电压V41无延迟地供给到驱动电路204x。DT电路103将“H”电平的电压V31延迟时间DTon而供给到驱动电路104x。 [0297] 驱动电路204x将基于“H”电平的电压V41的“L”电平的电压V42供给到信号生成电路201。由于向信号生成电路201供给“L”电平的电压V42，因此信号生成电路201不动作。因此，接收电路251不从线圈L42接收信号S42，不向驱动电路250x供给电压V43，MOSFET260a及260b(开关元件SW2)被设为切断状态。 [0298] 在从驱动电路204x开始驱动起的时间DTon后，驱动电路104x将基于“H”电平的电压V31的“H”电平的电压V32供给到信号生成电路101。由于向信号生成电路101供给“H”电平的电压V32，因此信号生成电路101基于电压V32生成信号S31，并将所生成的信号S31发送到线圈L31的一端。 [0299] 若向线圈L31输入信号S31，则通过线圈L31与线圈L32之间的磁耦合，从线圈L32向接收电路151发送信号S32。 [0300] 若接收电路151接收到信号S32，则接收电路151将基于信号S32的电压V33发送到驱动电路150x。驱动电路150x将基于从接收电路151供给的电压V33的“H”电平的电压Vg1(例如，5V)施加到MOSFET160a及160b的栅极。驱动电路150x将基于电压V33的“L”电平的电压Vs1(例如，电压GND)施加到MOSFET160a及160b的源极。由此，在从MOSFET260a及260b(开关元件SW2)变为切断状态起的时间DTon后，MOSFET160a及160b(开关元件SW1)被设为接通状态。 [0301] 另一方面，若电压VIN从“H”电平转变为“L”电平，则DT电路103将“L”电平的电压V31无延迟地供给到驱动电路104x。DT电路103将“L”电平的电压V41延迟时间DToff而供给到驱动电路204x。 [0302] 驱动电路104x将基于“L”电平的电压V31的“L”电平的电压V32供给到信号生成电路101。由于向信号生成电路101供给“L”电平的电压V32，因此信号生成电路101不动作。因此，接收电路151不从线圈L32接收信号S32，不向驱动电路150x供给电压V33，MOSFET160a及160b(开关元件SW1)被设为切断状态。 [0303] 在从驱动电路104x开始驱动起的时间DToff后，驱动电路204x将基于“L”电平的电压V41的“H”电平的电压V42供给到信号生成电路201。由于向信号生成电路201供给“H”电平的电压V42，因此信号生成电路201基于电压V42生成信号S41，并将所生成的信号S41发送到线圈L41的一端。 [0304] 若向线圈L41输入信号S41，则通过线圈L41与线圈L42之间的磁耦合，从线圈L42向接收电路251发送信号S42。 [0305] 若接收电路251接收到信号S42，则接收电路251将基于信号S42的电压V43发送到驱动电路250x。驱动电路250x将基于从接收电路251供给的电压V43的“H”电平的电压Vg2(例如，5V)施加到MOSFET260a及260b的栅极。驱动电路250x将基于电压V43的“L”电平的电压Vs2(例如，电压GND)施加到MOSFET260a及260b的源极。由此，在从MOSFET160a及160b(开关元件SW1)变为切断状态起的时间DToff后，MOSFET260a及260b(开关元件SW2)被设为接通状态。 [0306] 通过本变形例，也起到与第二实施方式同等的效果。 [0307] (第二变形例) [0308] 对第二实施方式的第二变形例的半导体装置进行说明。在第二实施方式的第二变形例的半导体装置1中，磁耦合的形式与第二实施方式的第一变形例不同。在以下的说明中，对于与第二实施方式的第一变形例相同的结构省略说明，以与第二实施方式的第一变形例不同的结构为中心进行说明。 [0309] 使用图17对半导体装置1的结构进行说明。图17是表示半导体装置1的结构的一个例子的电路图。 [0310] 如图17所示，绝缘元件110具有将第二实施方式的第一变形例中的线圈L32置换为磁阻元件R31～R34的结构。磁阻元件例如有霍尔元件。具体而言，例如，对磁阻元件R31的一端施加电压VCC。磁阻元件R31的另一端与节点ND31连接。磁阻元件R32的一端与节点ND31连接。磁阻元件R32的另一端接地。节点ND31与控制电路140b(比较器152)连接。对磁阻元件R33的一端施加电压VCC。磁阻元件R33的另一端与节点ND32连接。磁阻元件R34的一端与节点ND32连接。磁阻元件R34的另一端接地。节点ND32与控制电路140b(比较器152)连接。线圈L31与磁阻元件R31～R34通过设于线圈L31与磁阻元件R31～R34之间的未图示的绝缘层电绝缘。 [0311] 绝缘元件210具有将第二实施方式的第一变形例中的线圈L42置换为磁阻元件R41～R44的结构。具体而言，例如，对磁阻元件R41的一端施加电压VCC。磁阻元件R41的另一端与节点ND41连接。磁阻元件R42的一端与节点ND41连接。磁阻元件R42的另一端接地。节点ND41与控制电路240b(比较器252)连接。对磁阻元件R43的一端施加电压VCC。磁阻元件R43的另一端与节点ND42连接。磁阻元件R44的一端与节点ND42连接。磁阻元件R44的另一端接地。节点ND42与控制电路240b(比较器252)连接。线圈L41与磁阻元件R41～R44通过设于线圈L41与磁阻元件R41～R44之间的未图示的绝缘层电绝缘。 [0312] 控制电路140b还包含比较器152。控制电路240b还包含比较器252。比较器152及252具有与第一实施方式的第五变形例所示的图9相同的结构具有。 [0313] 其它电路结构与第二实施方式的第一变形例所示的图16相同。 [0314] 接下来，使用图17对半导体装置1的动作进行说明。 [0315] 若电压VIN从“L”电平转变为“H”电平，则DT电路103将“H”电平的电压V41无延迟地供给到驱动电路204x。DT电路103将“H”电平的电压V31延迟时间DTon而供给到驱动电路104x。 [0316] 驱动电路204x将基于“H”电平的电压V41的“L”电平的电压V42供给到信号生成电路201。由于向信号生成电路201供给“L”电平的电压V42，因此信号生成电路201不动作。即，MOSFET260a及260b(开关元件SW2)被设为切断状态。 [0317] 在从驱动电路204x开始驱动起的时间DTon后，驱动电路104x将基于“H”电平的电压V31的“H”电平的电压V32供给到信号生成电路101。由于向信号生成电路101供给“H”电平的电压V32，因此信号生成电路101基于电压V32生成信号S31，并将所生成的信号S31发送到线圈L31的一端。 [0318] 若向线圈L31输入信号S31，则由于线圈L31与电阻元件R31～R34之间的磁耦合，节点ND31及ND32的电压发生变化。节点ND31的电压V34以及节点ND32的电压V35被供给到比较器152。 [0319] 若向比较器152供给电压V34及V35，则比较器152例如将电压V34与电压V35的差分电压作为电压V36供给到接收电路151。在向接收电路151供给电压V36后，接收电路151及驱动电路150x与第二实施方式的第一变形例同样地进行动作。其结果是，在从MOSFET260a及260b(开关元件SW2)变为切断状态起的时间DTon后，MOSFET160a及160b(开关元件SW1)被设为接通状态。 [0320] 另一方面，若电压VIN从“H”电平转变为“L”电平，则DT电路103将“L”电平的电压V31无延迟地供给到驱动电路104x。DT电路103将“L”电平的电压V41延迟时间DToff而供给到驱动电路204x。 [0321] 驱动电路104x将基于“L”电平的电压V31的“L”电平的电压V32供给到信号生成电路101。由于向信号生成电路101供给“L”电平的电压V32，因此信号生成电路101不动作。即，MOSFET160a及160b(开关元件SW1)被设为切断状态。 [0322] 在从驱动电路104x开始驱动起的时间DToff后，驱动电路204x将基于“L”电平的电压V41的“H”电平的电压V42供给到信号生成电路201。由于向信号生成电路201供给“H”电平的电压V42，因此信号生成电路201基于电压V42生成信号S41，并将所生成的信号S41发送到线圈L41的一端。 [0323] 若向线圈L41输入信号S41，则由于线圈L41与电阻元件R41～R44之间的磁耦合，节点ND41及ND42的电压发生变化。节点ND41的电压V44以及节点ND42的电压V45被供给到比较器252。 [0324] 若向比较器252供给电压V44及V45，则比较器252例如将电压V44与电压V45的差分电压作为电压V46供给到接收电路251。在向接收电路251供给电压V46后，接收电路251及驱动电路250x与第二实施方式的第一变形例同样地进行动作。其结果是，在从MOSFET160a及160b(开关元件SW1)变为切断状态起的时间DToff后，MOSFET260a及260b(开关元件SW2)被设为接通状态。 [0325] 通过本变形例，也起到与第二实施方式同等的效果。 [0326] (第三变形例) [0327] 对第二实施方式的第三变形例的半导体装置进行说明。第二实施方式的第三变形例的半导体装置1在利用电容耦合(电场耦合)基于信号对开关元件SW1及SW2进行控制这一点与第二实施方式的第一变形例不同。在以下的说明中，对于与第二实施方式的第一变形例相同的结构省略说明，以与第二实施方式的第一变形例不同的结构为中心进行说明。 [0328] 使用图18对半导体装置1的结构进行说明。图18是表示半导体装置1的结构的一个例子的电路图。 [0329] 如图18所示，绝缘元件110具有将第二实施方式的第一变形例中的线圈L31及L32置换为电容元件C31的结构。具体而言，例如，电容元件C31的一方的电极与信号生成电路101连接。电容元件C31的另一方的电极与控制电路140b(接收电路151)连接。电容元件C31的一方的电极与电容元件C31的另一方的电极通过设于这些电极之间的未图示的绝缘层电绝缘。 [0330] 绝缘元件210具有将第二实施方式的第一变形例中的线圈L41及L42置换为电容元件C41的结构。具体而言，例如，电容元件C41的一方的电极与信号生成电路201连接。电容元件C41的另一方的电极与控制电路240b(接收电路251)连接。电容元件C41的一方的电极与电容元件C41的另一方的电极通过设于这些电极之间的未图示的绝缘层电绝缘。 [0331] 其它电路结构与第二实施方式的第一变形例所示的图16相同。 [0332] 接下来，使用图18对半导体装置1的动作进行说明。 [0333] 若电压VIN从“L”电平转变为“H”电平，则DT电路103将“H”电平的电压V41无延迟地供给到驱动电路204x。DT电路103将“H”电平的电压V31延迟时间DTon而供给到驱动电路104x。 [0334] 驱动电路204x将基于“H”电平的电压V41的“L”电平的电压V42供给到信号生成电路201。由于向信号生成电路201供给“L”电平的电压V42，因此信号生成电路201不动作。即，MOSFET260a及260b(开关元件SW2)被设为切断状态。 [0335] 在从驱动电路204x开始驱动起的时间DTon后，驱动电路104x将基于“H”电平的电压V31的“H”电平的电压V32供给到信号生成电路101。由于向信号生成电路101供给“H”电平的电压V32，因此信号生成电路101基于电压V32生成信号S31，并将所生成的信号S31发送到电容元件C31的一方的电极。 [0336] 若向电容元件C31的一方的电极输入信号S31，则在电容元件C31的一方的电极与另一方电极之间形成电容耦合。由此，从电容元件C31的另一方的电极向接收电路151发送信号S33。 [0337] 在接收电路151接收到信号S33后，接收电路151及驱动电路150x与第二实施方式的第一变形例同样地进行动作。其结果是，在从MOSFET260a及260b(开关元件SW2)变为切断状态起的时间DTon后，MOSFET160a及160b(开关元件SW1)被设为接通状态。 [0338] 另一方面，若电压VIN从“H”电平转变为“L”电平，则DT电路103将“L”电平的电压V31无延迟地供给到驱动电路104x。DT电路103将“L”电平的电压V41延迟时间DToff而供给到驱动电路204x。 [0339] 驱动电路104x将基于“L”电平的电压V31的“L”电平的电压V32供给到信号生成电路101。由于向信号生成电路101供给“L”电平的电压V32，因此信号生成电路101不动作。即，MOSFET160a及160b(开关元件SW1)被设为切断状态。 [0340] 在从驱动电路104x开始驱动起的时间DToff后，驱动电路204x将基于“L”电平的电压V41的“H”电平的电压V42供给到信号生成电路201。由于向信号生成电路201供给“H”电平的电压V42，因此信号生成电路201基于电压V42生成信号S41，并将所生成的信号S41发送到电容元件C41的一方的电极。 [0341] 若向电容元件C41的一方的电极输入信号S41，则在电容元件C41的一方的电极与另一方电极之间形成电容耦合。由此，从电容元件C41的另一方的电极向接收电路251发送信号S43。 [0342] 在接收电路251接收到信号S43后，接收电路251及驱动电路250x与第二实施方式的第一变形例同样地进行动作。其结果是，在从MOSFET160a及160b(开关元件SW1)变为切断状态起的时间DToff后，MOSFET260a及260b(开关元件SW2)被设为接通状态。 [0343] 通过本变形例，也起到与第二实施方式同等的效果。 [0344] (第四变形例) [0345] 对第二实施方式的第四变形例的半导体装置进行说明。第二实施方式的第四变形例的半导体装置1在利用磁共振耦合基于信号对开关元件SW1及SW2进行控制这一点与第二实施方式的第二变形例不同。在以下的说明中，对于与第二实施方式的第二变形例相同的结构省略说明，以与第二实施方式的第二变形例不同的结构为中心进行说明。 [0346] 使用图19对半导体装置1的结构进行说明。图19是表示半导体装置1的结构的一个例子示电路图。 [0347] 如图19所示，绝缘元件110具有将第二实施方式的第二变形例中的线圈L31及电阻元件R31～R34置换为电容元件C32及C33、线圈L33及L34以及电阻元件R35及R36的结构。具体而言，例如，电容元件C32的一方的电极与信号生成电路101连接。电容元件C32的另一方的电极与线圈L33的一端连接。线圈L33的另一端与电阻元件R35的一端连接。电阻元件R35的另一端接地。电容元件C33的一方的电极与控制电路140b(比较器152)连接。电容元件C33的另一方的电极与线圈L34的一端连接。线圈L34的另一端与电阻元件R36的一端连接。电阻元件R36的另一端与控制电路140b(比较器152)连接。即，利用电容元件C32、线圈L33及电阻元件R35形成谐振电路。利用电容元件C33、线圈L34及电阻元件R36形成谐振电路。一方的谐振电路与另一方谐振电路通过设于这些谐振电路之间的未图示的绝缘层电绝缘。 [0348] 绝缘元件210具有将第二实施方式的第二变形例中的线圈L41及电阻元件R41～R44置换为电容元件C42及C43、线圈L43及L44以及电阻元件R45及R46的结构。具体而言，例如，电容元件C42的一方的电极与信号生成电路201连接。电容元件C42的另一方的电极与线圈L43的一端连接。线圈L43的另一端与电阻元件R45的一端连接。电阻元件R45的另一端接地。电容元件C43的一方的电极与控制电路240b(比较器252)连接。电容元件C43的另一方的电极与线圈L44的一端连接。线圈L44的另一端与电阻元件R46的一端连接。电阻元件R46的另一端与控制电路240b(比较器252)连接。即，利用电容元件C42、线圈L43及电阻元件R45形成谐振电路。利用电容元件C43、线圈L44及电阻元件R46形成谐振电路。一方的谐振电路与另一方的谐振电路通过设于这些谐振电路之间的未图示的绝缘层电绝缘。 [0349] 其它电路结构与第二实施方式的第二变形例所示的图17相同。 [0350] 接下来，使用图19对半导体装置1的动作进行说明。 [0351] 若电压VIN从“L”电平转变为“H”电平，则DT电路103将“H”电平的电压V41无延迟地供给到驱动电路204x。DT电路103将“H”电平的电压V31延迟时间DTon而供给到驱动电路104x。 [0352] 驱动电路204x将基于“H”电平的电压V41的“L”电平的电压V42供给到信号生成电路201。由于向信号生成电路201供给“L”电平的电压V42，因此信号生成电路201不动作。即，MOSFET260a及260b(开关元件SW2)被设为切断状态。 [0353] 在从驱动电路204x开始驱动起的时间DTon后，驱动电路104x将基于“H”电平的电压V31的“H”电平的电压V32供给到信号生成电路101。由于向信号生成电路101供给“H”电平的电压V32，因此信号生成电路101基于电压V32生成信号S31，并将所生成的信号S31发送到电容元件C32的一方的电极。 [0354] 若向电容元件C32的一方的电极输入信号S31，则在包含电容元件C32、线圈L33及电阻元件R35的谐振电路与包含电容元件C33、线圈L34及电阻元件R36的谐振电路之间形成磁共振耦合。由此，从包含电容元件C33、线圈L34及电阻元件R36的谐振电路的一端向比较器152供给电压V37。从包含电容元件C33、线圈L34及电阻元件R36的谐振电路的另一端向比较器152供给电压V38。 [0355] 在向比较器152供给电压V37及V38后，比较器152、接收电路151及驱动电路150x与第二实施方式的第二变形例同样地进行动作。其结果是，在从MOSFET260a及260b(开关元件SW2)变为切断状态起的时间DTon后，MOSFET160a及160b(开关元件SW1)被设为接通状态。 [0356] 另一方面，若电压VIN从“H”电平转变为“L”电平，则DT电路103将“L”电平的电压V31无延迟地供给到驱动电路104x。DT电路103将“L”电平的电压V41延迟时间DToff而供给到驱动电路204x。 [0357] 驱动电路104x将基于“L”电平的电压V31的“L”电平的电压V32供给到信号生成电路101。由于向信号生成电路101供给“L”电平的电压V32，因此信号生成电路101不动作。即，MOSFET160a及160b(开关元件SW1)被设为切断状态。 [0358] 在从驱动电路104x开始驱动起的时间DToff后，驱动电路204x将基于“L”电平的电压V41的“H”电平的电压V42供给到信号生成电路201。由于向信号生成电路201供给“H”电平的电压V42，因此信号生成电路201基于电压V42生成信号S41，并将所生成的信号S41发送到电容元件C42的一方的电极。 [0359] 若向电容元件C42的一方的电极输入信号S41，则在包含电容元件C42、线圈L43及电阻元件R45的谐振电路与包含电容元件C43、线圈L44及电阻元件R46的谐振电路之间形成磁共振耦合。由此，从包含电容元件C43、线圈L44及电阻元件R46的谐振电路的一端向比较器252供给电压V47。从包含电容元件C43、线圈L44及电阻元件R46的谐振电路的另一端向比较器252供给电压V48。 [0360] 在向比较器252供给电压V47及V48后，比较器252、接收电路251及驱动电路250x与第二实施方式的第二变形例同样地进行动作。其结果是，在从MOSFET160a及160b(开关元件SW1)变为切断状态起的时间DToff后，MOSFET260a及260b(开关元件SW2)被设为接通状态。 [0361] 通过本变形例，也起到与第二实施方式同等的效果。 [0362] (第五变形例) [0363] 对第二实施方式的第五变形例的半导体装置进行说明。第二实施方式的第五变形例的半导体装置1在利用声波耦合(振动)基于信号对开关元件SW1及SW2进行控制这一点与第二实施方式的第一变形例不同。在以下的说明中，对于与第二实施方式的第一变形例相同的结构省略说明，以与第二实施方式的第一变形例不同的结构为中心进行说明。 [0364] 使用图20对半导体装置1的结构进行说明。图20是表示半导体装置1的结构的一个例子的电路图。 [0365] 如图20所示，绝缘元件110具有将第二实施方式的第一变形例中的线圈L31及L32置换为振子111及振动发电设备112的结构。具体而言，例如，振子111与信号生成电路101连接。振动发电设备112与控制电路140b(接收电路151)连接。振子111与振动发电设备112通过设于振子111与振动发电设备112之间的未图示的绝缘层电绝缘。 [0366] 绝缘元件210具有将第二实施方式的第一变形例中的线圈L41及L42置换为振子211及振动发电设备212的结构。具体而言，例如，振子211与信号生成电路201连接。振动发电设备212与控制电路240b(接收电路251)连接。振子211与振动发电设备212通过设于振子 211与振动发电设备212之间的未图示的绝缘层电绝缘。 [0367] 振子111及211、以及振动发电设备112及212具有与第一实施方式的第八变形例所示的图12相同的结构。 [0368] 其它电路结构与第二实施方式的第一变形例所示的图16相同。 [0369] 接下来，使用图20对半导体装置1的动作进行说明。 [0370] 若电压VIN从“L”电平转变为“H”电平，则DT电路103将“H”电平的电压V41无延迟地地供给到驱动电路204x。DT电路103将“H”电平的电压V31延迟时间DTon而供给到驱动电路104x。 [0371] 驱动电路204x将基于“H”电平的电压V41的“L”电平的电压V42供给到信号生成电路201。由于向信号生成电路201供给“L”电平的电压V42，因此信号生成电路201不动作。即，MOSFET260a及260b(开关元件SW2)被设为切断状态。 [0372] 在从驱动电路204x开始驱动起的时间DTon后，驱动电路104x将基于“H”电平的电压V31的“H”电平的电压V32供给到信号生成电路101。由于向信号生成电路101供给“H”电平的电压V32，因此信号生成电路101基于电压V32生成信号S31，并将所生成的信号S31发送到振子111。 [0373] 若向振子111输入信号S31，则振子111产生振动。振动发电设备112感测所产生的振动，并将感测到的振动转变为电压。振动发电设备112将转变而得的电压作为电压V39供给到接收电路151。 [0374] 在向接收电路151供给电压V39后，接收电路151及驱动电路150x与第二实施方式的第一变形例同样地进行动作。其结果是，在从MOSFET260a及260b(开关元件SW2)变为切断状态起的时间DTon后，MOSFET160a及160b(开关元件SW1)被设为接通状态。 [0375] 另一方面，若电压VIN从“H”电平转变为“L”电平，则DT电路103将“L”电平的电压V31无延迟地供给到驱动电路104x。DT电路103将“L”电平的电压V41延迟时间DToff而供给到驱动电路204x。 [0376] 驱动电路104x将基于“L”电平的电压V31的“L”电平的电压V32供给到信号生成电路101。由于向信号生成电路101供给“L”电平的电压V32，因此信号生成电路101不动作。即，MOSFET160a及160b(开关元件SW1)被设为切断状态。 [0377] 在从驱动电路104x开始驱动起的时间DToff后，驱动电路204x将基于“L”电平的电压V41的“H”电平的电压V42供给到信号生成电路201。由于向信号生成电路201供给“H”电平的电压V42，因此信号生成电路201基于电压V42生成信号S41，并将所生成的信号S41发送到振子211。 [0378] 若向振子211输入信号S41，则振子211产生振动。振动发电设备212感测所产生的振动，并将感测到的振动转变为电压。振动发电设备212将转变而得的电压作为电压V49供给到接收电路251。 [0379] 在向接收电路251供给电压V49后，接收电路251及驱动电路250x与第二实施方式的第一变形例同样地进行动作。其结果是，在从MOSFET160a及160b(开关元件SW1)变为切断状态起的时间DToff后，MOSFET260a及260b(开关元件SW2)被设为接通状态。 [0380] 通过本变形例，也起到与第二实施方式同等的效果。 [0381] 3.第三实施方式 [0382] 对第三实施方式的半导体装置进行说明。在第三实施方式的半导体装置1中，控制电路240b及开关元件SW2的结构与第二实施方式不同。在以下的说明中，对于与第二实施方式相同的结构省略说明，以与第二实施方式不同的结构为中心进行说明。 [0383] 使用图21对半导体装置1的结构进行说明。图21是表示半导体装置1的结构的一个例子的电路图。 [0384] 开关元件SW2具有将第二实施方式中的MOSFET260a及260b分别置换为MOSFET260a’及260b’的结构。 [0385] MOSFET260a’及260b’例如是耗尽型的n沟道MOS晶体管。MOSFET260a’及260b’的阈值电压例如是－1V。在MOSFET260a’及260b’为接通状态的情况下，半导体装置1传送信号。在MOSFET260a’及260b’为切断状态的情况下，半导体装置1不传送信号。 [0386] 控制电路240b具有将第二实施方式中的驱动电路250置换为驱动电路250y的结构。 [0387] 驱动电路250y是基于受光元件240a的两端的电压对MOSFET260a’及260b’进行驱动的电路。例如，驱动电路250y将基于受光元件240a的两端的电压的电压Vg2施加到MOSFET260a’及260b’的栅极。电压Vg2例如是受光元件240a的阳极的电压。驱动电路250y将基于受光元件240a的两端的电压的电压Vs2施加到MOSFET260a’及260b’的源极。电压Vs2例如是受光元件240a的阴极的电压。 [0388] MOSFET260a’的栅极与MOSFET260b’的栅极连接。MOSFET260a’的源极与MOSFET260b’的源极连接。MOSFET260a’的漏极与输入输出端子7连接。MOSFET260b’的漏极与输入输出端子8连接。 [0389] 其它电路结构与第二实施方式所示的图13相同。 [0390] 半导体装置1的构造与第一实施方式所示的图2及图3相同。 [0391] 接下来，使用图22及图23对半导体装置1的动作进行说明。 [0392] 图22是表示半导体装置1的动作的一个例子的真值表。在图22的例子中，示出了一次侧电路中的电压VCC、GND及VIN与二次侧电路中的开关元件SW1及SW2的动作的关系。图23是表示半导体装置1的动作一个例子的时序图。在图23的例子中，示出了每一时刻的电压VCC、VIN、V31、V41、Vg1及Vs2以及开关元件SW1及SW2的状态。以下，对在时刻t21～时刻t29之间电压VCC是“H”电平，在时刻t29电压VCC转变为“L”电平，在时刻t30电压VCC转变为“H”电平，之后在时刻t30～时刻t33之间电压VCC是“H”电平的情况进行说明。此外，在比时刻t21靠前的期间，开关元件SW1是切断状态，开关元件SW2是接通状态。 [0393] 首先，如图22的真值表的第1行所示，对电压VCC是“H”电平，电压GND是“L”电平，电压VIN是“H”电平的情况进行说明。 [0394] 在时刻t21，若电压VIN从“L”电平转变为“H”电平，则DT电路103基于电压VIN与第二实施方式同样地进行动作，电压V41在时刻t21被设为“H”电平，电压V31在时刻t22被设为“H”电平。驱动电路204基于电压V41与第二实施方式同样地进行动作，在时刻t21，发光元件220变为非发光状态。驱动电路104基于电压V31与第二实施方式同样地进行动作，在时刻t22，发光元件120变为发光状态。 [0395] 若发光元件220变为非发光状态，则受光元件240a不从发光元件220受光，因此不产生电压。驱动电路250y将基于受光元件240a的两端的电压的“L”电平的电压Vg2(例如，电压GND)施加到MOSFET260a’及260b’的栅极。驱动电路250y将基于受光元件240a的两端的电压的“H”电平的电压Vs2(例如，5V)施加到MOSFET260a’及260b’的源极。由此，电压Vs2在时刻t21被设为“H”电平。其结果是，MOSFET260a’及260b’(开关元件SW2)被设为切断状态，输入输出端子7及8被设为非电连接状态。另外，若发光元件120变为发光状态，则受光元件140a及控制电路140b(驱动电路150)与第二实施方式同样地进行动作，电压Vg1在时刻t22被设为“H”电平。由此，MOSFET160a及160b(开关元件SW1)被设为接通状态，输入输出端子5及6电连接。 [0396] 电压V31在时刻t22～时刻t23之间维持“H”电平。由此，发光元件120在时刻t22～时刻t23之间维持发光状态。电压V41在时刻t21～时刻t24之间维持“H”电平。由此，发光元件220在时刻t21～时刻t24之间维持非发光状态。 [0397] 电压Vg1在时刻t22～时刻t23之间维持“H”电平。由此，开关元件SW1在时刻t22～时刻t23之间维持接通状态。电压Vs2在时刻t21～时刻t24之间维持“H”电平。由此，开关元件SW2在时刻t21～时刻t24之间维持切断状态。 [0398] 接下来，如图22的真值表的第2行所示，对电压VCC是“H”电平，电压GND是“L”电平，电压VIN是“L”电平的情况进行说明。 [0399] 在时刻t23，若电压VIN从“H”电平转变为“L”电平，则DT电路103基于电压VIN与第二实施方式同样地进行动作，电压V31在时刻t23被设为“L”电平，电压V41在时刻t24被设为“L”电平。驱动电路104基于电压V31与第二实施方式同样地进行动作，在时刻t23，发光元件120变为非发光状态。驱动电路204基于电压V41与第二实施方式同样地进行动作，在时刻t24，发光元件220变为发光状态。 [0400] 若发光元件120变为非发光状态，则受光元件140a及控制电路140b(驱动电路150)与第二实施方式同样地进行动作，电压Vg1在时刻t23被设为“L”电平。由此，MOSFET160a及160b(开关元件SW1)被设为切断状态，输入输出端子5及6被设为非电连接状态。另外，若发光元件220变为发光状态，则受光元件240a从发光元件220受光，因此产生电压。驱动电路 250y将基于受光元件240a的两端的电压的“L”电平的电压Vg2(例如，电压GND)施加到MOSFET260a’及260b’的栅极。驱动电路250y将基于受光元件240a的两端的电压的“L”电平的电压Vs2(例如，电压GND)施加到MOSFET260a’及260b’的源极。由此，电压Vs2在时刻t24被设为“L”电平。其结果是，MOSFET260a’及260b’(开关元件SW2)被设为接通状态，输入输出端子7及8电连接。 [0401] 电压V31在时刻t23～时刻t26之间维持“L”电平。由此，发光元件120在时刻t23～时刻t26之间维持非发光状态。电压V41在时刻t24～时刻t25之间维持“L”电平。由此，发光元件220在时刻t24～时刻t25之间维持发光状态。 [0402] 电压Vg1在时刻t23～时刻t26之间维持“L”电平。由此，开关元件SW1在时刻t23～时刻t26之间维持切断状态。电压Vs2在时刻t24～时刻t25之间维持“L”电平。由此，开关元件SW2在时刻t24～时刻t25之间维持接通状态。 [0403] 时刻t25～时刻t29之间的动作与时刻t21～时刻t25动作相同。 [0404] 接下来，如图22的真值表的第3行所示，对电压VCC是“L”电平，电压GND是“L”电平，电压VIN是“X”电平(“H”电平或“L”电平)的情况，即不供给电压VCC的情况进行说明。 [0405] 在时刻t29，若电压VCC变为“L”电平，则DT电路103与时刻t21的动作同样地进行动作。驱动电路104在时刻t29将“L”电平的电压V32施加到发光元件120的阳极。由此，发光元件120变为非发光状态。驱动电路204在时刻t29将“L”电平的电压V42施加到发光元件220的阳极。由此，发光元件220变为非发光状态。 [0406] 若发光元件120变为非发光状态，则受光元件140a及控制电路140b(驱动电路150)与第二实施方式同样地进行动作，电压Vg1在时刻t29被设为“L”电平。由此，MOSFET160a及160b(开关元件SW1)被设为切断状态。另外，若发光元件220变为非发光状态，则驱动电路 250y将“L”电平的电压Vg2(例如，电压GND)施加到MOSFET260a’及260b’的栅极。驱动电路 250y将“L”电平的电压Vs2(例如，电压GND)施加到MOSFET260a’及260b’的源极。由此，电压Vs2在时刻t29被设为“L”电平。其结果是，MOSFET260a’及260b’(开关元件SW2)被设为接通状态，输入输出端子7及8电连接。 [0407] 电压V31在时刻t29～时刻t30之间被设为与时刻t21～时刻t25之间相同的电压电平。在时刻t29，通过向发光元件120的阳极施加“L”电平的电压V32，发光元件120在时刻t29～时刻t30之间维持非发光状态。电压V41在时刻t29～时刻t30之间被设为与时刻t21～时刻t25之间相同的电压电平。在时刻t29，通过向发光元件220的阳极施加“L”电平的电压V42，发光元件220在时刻t29～时刻t30之间维持非发光状态。 [0408] 电压Vg1在时刻t29～时刻t30之间维持“L”电平。由此，开关元件SW1在时刻t29～时刻t30之间维持切断状态。电压Vs2在时刻t29～时刻t30之间维持“L”电平。由此，开关元件SW2在时刻t29～时刻t30之间维持接通状态。 [0409] 时刻t30～时刻t33的动作与时刻t21～时刻t24的动作相同。 [0410] 通过本实施方式，也起到与第二实施方式同等的效果。 [0411] 另外，根据本实施方式，半导体装置1包含耗尽型的MOSFET260a’及260b’(开关元件SW2)。因此，能够在电压VCC为“L”电平时使开关元件SW2接通。 [0412] 此外，还能够对本实施方式的半导体装置1应用第二实施方式的第一至第五变形例所示的磁耦合、电容耦合、磁共振耦合及声波耦合的电路结构。另外，还能够对本实施方式的半导体装置1应用第一实施方式的第一至第三变形例的构造。 [0413] 4.第四实施方式 [0414] 对第四实施方式的半导体装置进行说明。在第四实施方式的半导体装置1中，一次侧电路及二次侧电路与第三实施方式不同。在以下的说明中，对于与第三实施方式相同的结构省略说明，以与第三实施方式不同的结构为中心进行说明。 [0415] 使用图24对半导体装置1的结构进行说明。图24是表示半导体装置1的结构的一个例子的电路图。 [0416] 如图24所示，控制电路100具有将第三实施方式中的驱动电路104及204分别置换为驱动电路104y及204y的结构。此外，取消了第三实施方式中的DT电路103。 [0417] 驱动电路104y是基于电压VIN对绝缘元件110(发光元件120)进行驱动的电路。例如，驱动电路104y将电压VCC作为电压V51施加到发光元件120的阳极。驱动电路104y将基于电压VIN的电压V52(例如，与电压VIN的电压电平不同的电压电平的电压)施加到发光元件120的阴极。 [0418] 驱动电路204y是基于电压VIN对绝缘元件210(发光元件220)进行驱动的电路。例如，驱动电路204y将电压VCC作为电压V61施加到发光元件220的阳极。驱动电路204y将基于电压VIN的电压V62(例如，与电压VIN的电压电平相同的电压电平的电压)施加到发光元件220的阴极。 [0419] 在二次侧电路中，控制电路140b具有将第三实施方式中的驱动电路150置换为驱动电路150z的结构。 [0420] 驱动电路150z是基于受光元件140a的两端的电压以及在受光元件140a中流动的光电流I1对MOSFET160a及160b进行驱动的电路。 [0421] 驱动电路150z例如包含电流镜电路155。电流镜电路155是生成与在受光元件140a中流动的光电流I1对应的镜像电流Im1的电路。例如，驱动电路150z将基于受光元件140a的两端的电压的电压Vg1’供给到后述的DT电路400。电压Vg1’例如是受光元件140a的阳极的电压。驱动电路150z将基于受光元件140a的两端的电压的电压Vs1施加到MOSFET160a及160b的源极。电压Vs1例如是受光元件140a的阴极的电压。电流镜电路155将与在受光元件 140a中流动的光电流I1对应的镜像电流Im1供给到后述的DT电路400。 [0422] 控制电路240b具有将第三实施方式中的驱动电路250y置换为驱动电路250z的结构。 [0423] 驱动电路250z是基于受光元件240a的两端的电压以及在受光元件240a中流动的光电流I2对MOSFET260a’及260b’进行驱动的电路。 [0424] 驱动电路250z例如包含电流镜电路255。电流镜电路255是生成与在受光元件240a中流动的光电流I2对应的镜像电流Im2的电路。例如，驱动电路250z将基于受光元件240a的两端的电压的电压Vg2施加到MOSFET260a’及260b’的栅极。电压Vg2例如是受光元件240a的阳极的电压。驱动电路250z将基于受光元件240a的两端的电压的电压Vs2’供给到后述的DT电路400。电压Vs2’例如是受光元件240a的阴极的电压。电流镜电路255将与在受光元件240a中流动的光电流I2对应的镜像电流Im2供给到后述的DT电路400。 [0425] 另外，二次侧电路还包含电源电压端子9及DT电路400。 [0426] 对于电源电压端子9，从外部向其供给电源电压VCC2。受光元件140a及240a、控制电路140b及240b、DT电路400以及MOSFET160a、160b、260a’及260b’被电压VCC2驱动。 [0427] DT电路400是以不使MOSFET160a及160b(开关元件SW1)与MOSFET260a’及260b’(开关元件SW2)同时接通的方式进行控制的电路。对于DT电路400，从控制电路140b向其供给电压Vg1’及电流Im1，从控制电路240b向其供给电压Vs2’及电流Im2。DT电路400基于从电流镜电路155供给的电流Im1对电压Vs2’进行控制。DT电路400基于从电流镜电路255供给的电流Im2对电压Vg1’进行控制。 [0428] 具体而言，在向DT电路400供给电流Im1、即光电流I1流经受光元件140a的情况下，DT电路400将电压Vs2’上拉(电平移位)。在不向DT电路400供给电流Im1、即光电流I1不流经受光元件140a的情况下，DT电路400不将电压Vs2’上拉。 [0429] 在向DT电路400供给电流Im2、即光电流I2流经受光元件240a的情况下，DT电路400将电压Vg1’下拉(电平移位)。在不向DT电路400供给电流Im2、即光电流I2不流经受光元件240a的情况下，DT电路400不将电压Vg1’下拉。 [0430] 接下来，使用图24对半导体装置1的动作进行说明。 [0431] 在电压VIN为“H”电平的情况下，驱动电路104y将电压VCC作为电压V51施加到发光元件120的阳极。驱动电路104y将基于电压VIN的“L”电平的电压V52施加到发光元件120的阴极。由此，发光元件120变为发光状态。驱动电路204y将电压VCC作为电压V61施加到发光元件220的阳极。驱动电路204y将基于电压VIN的“H”电平的电压V62施加到发光元件220的阴极。由此，发光元件220变为非发光状态。 [0432] 若发光元件120变为发光状态，则受光元件140a从发光元件120受光，因产生电压。在受光元件140a中流过光电流I1。驱动电路150z将基于受光元件140a的两端的电压的“H”电平的电压Vg1’(例如，5V)施加到DT电路400。驱动电路150z将基于受光元件140a的两端的电压的“L”电平的电压Vs1(例如，电压GND)施加到MOSFET160a及160b的源极。电流镜电路 155将与光电流I1对应的镜像电流Im1供给到DT电路400。 [0433] 另外，若发光元件220变为非发光状态，则受光元件240a不从发光元件220受光，因此不产生电压。在受光元件240a中不流过光电流I2。驱动电路250z将基于受光元件240a的两端的电压的“L”电平的电压Vg2(例如，电压GND)施加到MOSFET260a’及260b’的栅极。驱动电路250z将基于受光元件240a的两端的电压的“H”电平的电压Vs2’(例如，5V)供给到DT电路400。电流镜电路255不向DT电路400供给与光电流I2对应的镜像电流Im2。 [0434] 由于不向DT电路400供给电流Im2，因此DT电路400不将电压Vg1’下拉。DT电路400将未被下拉的电压Vg1’作为电压Vg1施加到MOSFET160a及160b的栅极。由此，MOSFET160a及160b(开关元件SW1)被设为接通状态。 [0435] 另外，由于向DT电路400供给电流Im1，因此DT电路400将电压Vs2’上拉。DT电路400将上拉后的电压Vs2’作为电压Vs2施加到MOSFET260a’及260b’的源极。由此，MOSFET260a’及260b’(开关元件SW2)被设为切断状态。 [0436] 另一方面，在电压VIN为“L”电平的情况下，驱动电路104y将电压VCC作为电压V51施加到发光元件120的阳极。驱动电路104y将基于电压VIN的“H”电平的电压V52施加到发光元件120的阴极。由此，发光元件120变为非发光状态。驱动电路204y将电压VCC作为电压V61施加到发光元件220的阳极。驱动电路204y将基于电压VIN的“L”电平的电压V62施加到发光元件220的阴极。由此，发光元件220变为发光状态。 [0437] 若发光元件220变为发光状态，则受光元件240a从发光元件220受光，因此产生电压。在受光元件240a中流动光电流I2。驱动电路250z将基于受光元件240a的两端的电压的“L”电平的电压Vg2(例如，电压GND)施加到MOSFET260a’及260b’的栅极。驱动电路250z将基于受光元件240a的两端的电压的“L”电平的电压Vs2’(例如，电压GND)供给到DT电路400。电流镜电路255向DT电路400供给与光电流I2对应的镜像电流Im2。 [0438] 另外，若发光元件120变为非发光状态，则受光元件140a不从发光元件120受光，因此不产生电压。在受光元件140a中不流动光电流I1。驱动电路150z将基于受光元件140a的两端的电压的“L”电平的电压Vg1’(例如，电压GND)供给到DT电路400。驱动电路150z将基于受光元件140a的两端的电压的“L”电平的电压Vs1(例如，电压GND)施加到MOSFET160a及160b的源极。电流镜电路155不向DT电路400供给与光电流I1对应的镜像电流Im1。 [0439] 由于不向DT电路400供给电流Im1，因此DT电路400不将电压Vs2’上拉。DT电路400将未被上拉的电压Vs2’作为电压Vs2施加到MOSFET260a’及260b’的源极。由此，MOSFET260a’及260b’(开关元件SW2)被设为接通状态。 [0440] 另外，由于向DT电路400供给电流Im2，因此DT电路400将电压Vg1’下拉。DT电路400将下拉后的电压Vg1’作为电压Vg1施加到MOSFET160a及160b的栅极。由此，MOSFET160a及160b(开关元件SW1)被设为切断状态。 [0441] 其它电路结构与第三实施方式所示的图21相同。 [0442] 在本实施方式中，利用控制电路100内的驱动电路104y及204y交替地驱动发光元件120及220。 [0443] 另外，二次侧电路包含DT电路400。DT电路400基于从控制电路140b供给的电流Im1对从控制电路240b供给的电压Vs2’进行调整，并基于从控制电路240b供给的电流Im2对从控制电路140b供给的电压Vg1’进行调整。DT电路400将经调整的电压Vg1’作为电压Vg1施加到MOSFET160a及160b的栅极。DT电路400将经调整的电压Vs2’作为电压Vs2施加到MOSFET260a’及260b’的源极。 [0444] 具体而言，DT电路400基于从控制电路140b供给的电流Im1对从控制电路240b供给的电压Vs2’进行上拉，并基于从控制电路240b供给的电流Im2对从控制电路140b供给的电压Vg1’进行下拉。DT电路400在被供给电流Im1的情况下将电压Vs2’上拉，在不被供给电流Im1的情况下不将电压Vs2’上拉。DT电路400在被供给电流Im2的情况下将电压Vg1’下拉，在不被供给电流Im2的情况下不将电压Vg1’下拉。 [0445] DT电路400在从控制电路140b供给电流Im1的情况下，将上拉后的电压Vs2’作为电压Vs2施加到MOSFET260a’及260b’的源极。DT电路400在不从控制电路140b供给电流Im1的情况下，将未被上拉的电压Vs2’作为电压Vs2施加到MOSFET260a’及260b’的源极。DT电路400在从控制电路240b供给电流Im2的情况下，将下拉后的电压Vg1’作为电压Vg1施加到MOSFET160a及160b的栅极。DT电路400在不从控制电路240b供给电流Im2的情况下，将未被下拉的电压Vg1’作为电压Vg1施加到MOSFET160a及160b的栅极。 [0446] 因此，在本实施方式中，在MOSFET160a及160b为接通状态的情况下，MOSFET260a’及260b’被设为切断状态。在MOSFET260a’及260b’为接通状态的情况下，MOSFET160a及160b被设为切断状态。由此，能够抑制开关元件SW1及SW2同时接通。 [0447] 使用图25对二次侧电路的结构进行说明。图25是表示二次侧电路的结构的一个例子的电路图。在图25的例子中，示出了光继电器500的结构。此外，就光继电器600的结构而言，如图24所示，除了驱动电路250z与DT电路400的连接、驱动电路250z与MOSFET260a’及260b’的栅极的连接以及DT电路400与MOSFET260a’及260b’的源极的连接不同于驱动电路 150z与DT电路400的连接、驱动电路150z与MOSFET160a及160b的源极的连接以及DT电路400与MOSFET160a及160b的栅极的连接这一点以外，与光继电器500的结构是相同的。 [0448] 受光元件140a包含使多个(在图25的例子中是六个)光电二极管串联连接而成的受光元件140a1、使多个(在图25的例子中是六个)光电二极管串联连接而成的受光元件140a2、使多个(在图25的例子中是四个)光电二极管串联连接而成的受光元件140a3以及二极管D51。 [0449] 受光元件140a1的阳极与节点ND52连接。受光元件140a1的阴极与节点ND51连接。受光元件140a2的阳极与节点ND53连接。受光元件140a2的阴极与节点ND52连接。换言之，受光元件140a1及140a2串联连接。受光元件140a1及140a2是为了对节点ND55的电压Vg1’进行充电(charge up)而设置的。 [0450] 二极管D51的阳极与节点ND52连接。二极管D51的阴极与节点ND53连接。 [0451] 若未图示的发光元件120变为发光状态，则受光元件140a1及140a2被设为接通状态，在受光元件140a1及140a2中分别流动电流，因此在节点ND53处流过将分别流经受光元件140a1及140a2的电流合计而得的电流(电流I1)。若未图示的发光元件120变为非发光状态，则受光元件140a1及140a2被设为切断状态，在受光元件140a1及140a2中分别不流动电流，因此在节点ND53中不流动电流I1。 [0452] 受光元件140a3的阳极与节点ND51连接。受光元件140a3的阴极与节点ND54连接。受光元件140a3是为了对节点ND55的电压Vg1’进行放电(discharge)而设置的。 [0453] 若未图示的发光元件120变为发光状态，则受光元件140a3被设为接通状态，因此从节点ND54向受光元件140a3流动电流I1a。若未图示的发光元件120变为非发光状态，则受光元件140a3被设为切断状态，因此从受光元件140a3向节点ND54流动电流I1a。 [0454] 电流镜电路155包含n沟道MOS晶体管N55及N56。 [0455] 晶体管N55的源极及栅极与节点ND55连接。晶体管N55的漏极与节点ND53连接。 [0456] 晶体管N56的源极与节点ND56连接。晶体管N56的漏极与节点ND53连接。晶体管N56的栅极与节点ND55连接。即，晶体管N55和晶体管N56构成了电流镜。 [0457] 驱动电路150z还包含电流供给电路156、二极管D52、电阻元件R51、放电电路157及二极管D53。 [0458] 电流供给电路156是根据基于从电源电压端子9供给的电压VCC2的电流I1b和与电流I1对应的镜像电流Im1而供给电流的电路。具体而言，电流供给电路156将电流I1b与电流Im1相加而得的电流I1c(＝I1b+Im1)供给到二极管D52的阳极。电流供给电路156将电流Im1供给到DT电路400。 [0459] 二极管D52的阳极与电流供给电路156连接。二极管D52的阴极与节点ND55连接。二极管D52是为了防止电流I1c从节点ND55流入电流供给电路156而设置的。 [0460] 电阻元件R51的一端与节点ND55连接。电阻元件R51的另一端与节点ND58连接。电阻元件R51是为了限制在放电电路157内的后述的晶体管N54及T51中流动的电流而设置的。 [0461] 放电电路157是对节点ND55的电压Vg1’进行放电的电路。放电电路157包含耗尽型的n沟道MOS晶体管N54及npn型的双极晶体管T51。 [0462] 晶体管N54的源极与节点ND51连接。晶体管N54的漏极与节点ND55连接。晶体管N54的栅极与节点ND54连接。 [0463] 晶体管T51的集电极与节点ND55连接。晶体管T51的基极与节点ND51连接。晶体管T51的发射极与节点ND57连接。对节点ND57供给电压GND。 [0464] 二极管D53的阳极与节点ND57连接。二极管D53的阴极与节点ND51连接。 [0465] 二次侧电路还包含二极管D54及D55。 [0466] 二极管D54的阳极与电源电压端子9连接。二极管D54的阴极与节点ND61连接。 [0467] 二极管D55的阳极与输入输出端子6连接。二极管D55的阴极与节点ND61连接。 [0468] 对于DT电路400，从驱动电路150z向其供给节点ND55的电压Vg1’。对于DT电路400，从电流供给电路156向其供给电流Im1。DT电路400基于从未图示的光继电器600的驱动电路250z供给的电流Im2来调整电压Vg1’。DT电路400将经调整的电压Vg1’作为电压Vg1施加到MOSFET160a及160b的栅极。 [0469] MOSFET160a及160b的栅极与节点ND60连接。MOSFET160a及160b的源极与节点ND57连接。MOSFET160a的漏极与输入输出端子5连接。MOSFET160b的漏极与输入输出端子6连接。 [0470] 若未图示的发光元件120变为发光状态，则受光元件140a1及140a2被设为接通状态，因此向节点ND53流动电流I1。电流镜电路155将与电流I1对应的镜像电流Im1供给到电流供给电路156。电流供给电路156基于从电源电压端子9供给的电流I1b以及从电流镜电路155供给的电流Im1向二极管D52供给电流I1c(＝I1b+Im1)，并向DT电路400供给电流Im1。另外，若未图示的发光元件120变为发光状态，则受光元件140a3被设为接通状态，因此从节点ND54向受光元件140a3流动电流I1a。由此，节点ND54的相对于节点ND57的电压变为比晶体管N54的阈值电压(例如，－1V)小，因此放电电路157内的晶体管N54及T51被设为切断状态。其结果是，基于电流I1c对节点ND55的电压Vg1’进行充电。由于向控制电路140b供给基于电压VCC2的电流I1b，因此与不从外部向二次侧电路供给电压的情况相比，节点ND55的电压Vg1’被高速地充电。换言之，与不从外部向二次侧电路供给电压的情况相比，二次侧电路高速地动作。 [0471] 另一方面，若未图示的发光元件120变为非发光状态，则受光元件140a1及140a2被设为切断状态，则不向节点ND53流动电流I1。电流镜电路155不向电流供给电路156供给与电流I1对应的镜像电流Im1。电流供给电路156基于从电源电压端子9供给的电流I1b向二极管D52供给电流I1c(＝I1b)，不向DT电路400供给电流Im1。另外，若未图示的发光元件120变为非发光状态，则受光元件140a3被设为切断状态，因此从受光元件140a3向节点ND54流动电流I1a。由此，节点ND54的相对于节点ND57的电压变为晶体管N54的阈值电压(例如，－1V)以上，因此放电电路157内的晶体管N54及T51被设为接通状态，从节点ND55向节点ND51流动发射极电流。其结果是，节点ND55的电压Vg1’被放电。由于向控制电路140b供给基于电压VCC2的电流I1b，因此与不从外部向二次侧电路供给电压的情况相比，节点ND55的电压Vg1’被高速地放电。换言之，与不从外部向二次侧电路供给电压的情况相比，二次侧电路高速地动作。 [0472] 如上所述，根据本实施方式，二次侧电路包含电源电压端子9。对于电源电压端子9，从外部向其供给电源电压VCC2。受光元件140a及240a、控制电路140b及240b、DT电路400以及MOSFET160a、160b、260a’及260b’被电压VCC2驱动。对于控制电路140b(驱动电路 150z)，从电源电压端子9向其供给基于电压VCC2的电流I1b。由于向控制电路140b供给电流I1b，因此与不从外部向二次侧电路供给电压的情况相比，二次侧电路能够高速地动作。 [0473] 此外，还能够对本实施方式的半导体装置1应用第二实施方式，将MOSFET260a’及260b’置换为增强型的MOSFET260a及260b。该情况下，DT电路400只要基于电流Im1来调整(下拉)向MOSFET260a及260b的栅极施加的电压Vg2即可。 [0474] (第一变形例) [0475] 对第四实施方式的第一变形例的半导体装置进行说明。第四实施方式的第一变形例的半导体装置1在对二次侧电路设置保护电路这一点与第四实施方式不同。在以下的说明中，对于与第四实施方式相同的结构省略说明，以与第四实施方式不同的结构为中心进行说明。 [0476] 使用图26对半导体装置1的结构进行说明。图26是表示半导体装置1的结构的一个例的电路图。 [0477] 如图26所示，二次侧电路还包含保护电路401。 [0478] 保护电路401是保护半导体装置1的电路。保护电路401例如是过电流保护电路、过热保护电路、过电压保护电路或电压降低检测电路等。 [0479] 过电流保护电路例如在流经半导体装置1的电流比基准值高时，判断为半导体装置1异常(感测到异常)。过热保护电路例如在半导体装置1的温度比基准值高时，判断为半导体装置1异常。过电压保护电路例如在向半导体装置1供给的电压比基准值高时，判断为半导体装置1异常。电压降低检测电路例如感测MOSFET160a、160b、260a’及260b’的栅极电压的降低。此外，保护电路401也可以设于控制电路140b及240b内。 [0480] 通过本变形例，也起到与第四实施方式同等的效果。 [0481] 另外，根据本变形例，对二次侧电路设置保护电路401。因此，能够抑制半导体装置1的损坏。 [0482] 5.第五实施方式 [0483] 对第五实施方式的半导体装置进行说明。在第五实施方式的半导体装置1中，开关元件SW1及SW2的电路结构以及半导体装置1的构造与第一实施方式不同。在以下的说明中，对于与第一实施方式相同的结构省略说明，以与第一实施方式不同的结构为中心进行说明。 [0484] 使用图27对半导体装置1的结构进行说明。图27是表示半导体装置1的结构的一个例子的电路图。 [0485] 如图27所示，受光部140包含受光部140‑1及140‑2。受光部140‑1包含受光元件140aa及控制电路140ba。控制电路140ba包含驱动电路150‑1。受光部140‑2包含受光元件 140ab及控制电路140bb。控制电路140bb包含驱动电路150‑2。受光部240包含受光部240‑1及240‑2。受光部240‑1包含受光元件240aa及控制电路240ba。控制电路240ba包含驱动电路 250‑1。受光部240‑2包含受光元件240ab及控制电路240bb。控制电路240bb包含驱动电路 250‑2。 [0486] MOSFET160a的栅极与驱动电路150‑1连接。对于MOSFET160a的栅极，从驱动电路150‑1向其施加电压Vg1a。MOSFET160a的漏极与MOSFET160b的漏极连接。MOSFET160a的源极与输入输出端子5及驱动电路150‑1连接。对于MOSFET160a的源极，从驱动电路150‑1向其施加电压Vs1a。MOSFET160b的栅极与驱动电路150‑2连接。对于MOSFET160b的栅极，从驱动电路150‑2向其施加电压Vg1b。MOSFET160b的源极与输入输出端子6及驱动电路150‑2连接。对于MOSFET160b的源极，从驱动电路150‑2向其施加电压Vs1b。MOSFET260a的栅极与驱动电路 250‑1连接。对于MOSFET260a的栅极，从驱动电路250‑1向其施加电压Vg2a。MOSFET260a的漏极与MOSFET260b的漏极连接。MOSFET260a的源极与输入输出端子7及驱动电路250‑1连接。对于MOSFET260a的源极，从驱动电路250‑1向其施加电压Vs2a。MOSFET260b的栅极与驱动电路250‑2连接。对于MOSFET260b的栅极，从驱动电路250‑2向其施加电压Vg2b。MOSFET260b的源极与输入输出端子8及驱动电路250‑2连接。对于MOSFET260b的源极，从驱动电路250‑2向其施加电压Vs2b。 [0487] 其它电路结构与第一实施方式所示的图1相同。 [0488] 使用图28对半导体装置1的构造进行说明。图28是表示半导体装置1的构造的一个例子的立体图。 [0489] 如图28所示，半导体装置1还包含电极70、80及90～93。此外，取消了第一实施方式中的电极70a、70b、80a及80b。 [0490] 电极70、80及90～93设于基板30的上表面上。 [0491] 虽然在图28中未作图示，但受光部140包含受光部140‑1及140‑2。电极141例如作为受光部140‑1所包含的受光元件140aa的阳极电极发挥功能。电极142例如作为受光元件140aa的阴极电极发挥功能。电极143例如作为受光部140‑2所包含的受光元件140ab的阳极电极发挥功能。电极144例如作为受光元件140ab的阴极电极发挥功能。虽然在图28中未作图示，但受光部240包含受光部240‑1及240‑2。电极241例如作为受光部240‑1所包含的受光元件240aa的阳极电极发挥功能。电极242例如作为受光元件240aa的阴极电极发挥功能。电极243例如作为受光部240‑2所包含的受光元件240ab的阳极电极发挥功能。电极244例如作为受光元件240ab的阴极电极发挥功能。 [0492] MOSFET160a及160b例如被设为一个芯片(以下，称为“芯片160”)。换言之，MOSFET160a及160b(芯片160)被一体地设于电极70之上。在图28所示的例子中，作为漏极电极发挥功能的电极161a及161b一体地形成为共同的电极(以下，称为“电极161c”)。电极161c配置于芯片160的下表面。电极161c在芯片160的下表面处与电极70相接地配置。电极 162a及163a配置于芯片160的上表面。MOSFET160a包含电极161c、162a及163a。电极162b及 163b配置于芯片160的上表面。电极162b与电极162a分离地配置。MOSFET160b包含电极 161c、162b及163b。 [0493] MOSFET260a及260b例如被设为一个芯片(以下，称为“芯片260”)。换言之，MOSFET260a及260b(芯片260)被一体地设于电极80之上。在图28所示的例子中，作为漏极电极发挥功能的电极261a及261b一体地形成为共同的电极(以下，称为“电极261c”)。电极261c配置于芯片260的下表面。电极261c在芯片260的下表面处与电极80相接地配置。电极 262a及263a配置于芯片260的上表面。MOSFET260a包含电极261c、262a及263a。电极262b及 263b配置于芯片260的上表面。电极262b与电极262a分离地配置。MOSFET260b包含电极 261c、262b及263b。 [0494] 另外，粘接层180及280例如是绝缘膜。 [0495] 虽然在图28中未作图示，但输入输出端子5经由贯通基板30的导电体而与电极90电连接。虽然在图28中未作图示，但输入输出端子6经由贯通基板30的导电体而与电极91电连接。虽然在图28中未作图示，但输入输出端子7经由贯通基板30的导电体而与电极92电连接。虽然在图28中未作图示，但输入输出端子8经由贯通基板30的导电体而与电极93电连接。 [0496] 其它构造与第一实施方式所示的图2相同。 [0497] 使用图29对半导体装置1内的电连接进行说明。图29是表示半导体装置1的平面构造的一个例子的俯视图。 [0498] 如图29所示，半导体装置1还包含布线W51、W52、W61及W62。此外，取消了第一实施方式中的布线W19及W29。 [0499] 布线W51、W52、W61及W62例如是通过引线键合而形成的线。布线W51、W52、W61及W62由导电材料构成。此外，布线W51、W52、W61及W62例如也可以是柔性基板。 [0500] 布线W51将电极162a与电极90电连接。布线W52将电极162b与电极91电连接。布线W61将电极262a与电极92电连接。布线W62将电极262b与电极93电连接。 [0501] 其它构造与第一实施方式所示的图3相同。 [0502] 在取消电极60～63的情况下，通过用布线连接控制电路100与发光元件120，用布线连接控制电路100与发光元件220，能够削减布线的根数。具体而言，电阻元件R1及R2分别被内置于控制电路100。取消布线W12和布线W13，使布线W11与电极121直接连接，使布线W14与电极122直接连接。另外，也可以取消布线W22和布线W23，使布线W21与电极221直接连接，使布线W24与电极222直接连接。 [0503] 通过本实施方式，也起到与第一实施方式同等的效果。 [0504] 此外，还能够对本实施方式的半导体装置1应用第一实施方式的第四至第八变形例所示的磁耦合、电容耦合、磁共振耦合及声波耦合的电路结构。还能够将本实施方式的半导体装置1中的开关元件SW1及SW2的电路结构应用于第二实施方式、第二实施方式的第一至第五变形例、第三实施方式、第四实施方式以及第四实施方式的第一变形例。另外，还能够将本实施方式的半导体装置1中的、把MOSFET160a及160b设为一个芯片并一体地形成漏极电极161a及161b的构造、以及把MOSFET260a及260b设为一个芯片并一体地形成漏极电极261a及261b的构造应用于第一实施方式的第一至第三变形例。 [0505] 6.变形例等 [0506] 如上所述，实施方式的半导体装置(1)具备：第一绝缘元件(110)及第二绝缘元件(210)，被基于控制信号(VIN)进行控制；第一控制电路(100)，基于控制信号(VIN)对第一绝缘元件(110)及第二绝缘元件(210)中的任一方的选择进行控制；第一开关元件(SW1)；第二开关元件(SW2)；第二控制电路(140b)，基于第一绝缘元件(110)的输出对第一开关元件(SW1)进行控制；以及第三控制电路(240b)，基于第二绝缘元件(210)的输出对第二开关元件(SW2)进行控制。 [0507] 此外，实施方式并不限定于上述说明的方式，可以进行各种变形。 [0508] 对本发明的一些实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子而提出的，并不意图限定发明的范围。这些实施方式能够以其它各种方式实施，能够在不脱离发明的主旨的范围内进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形包含在发明的范围及主旨中，并且同样包含在权利要求书所记载的发明及其等同的范围内。

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