复位电路及电子设备 |
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| 申请号 | CN202310344852.1 | 申请日 | 2022-10-25 | 公开(公告)号 | CN117930949A | 公开(公告)日 | 2024-04-26 |
| 申请人 | 荣耀终端有限公司; | 发明人 | 李明良; | ||||
| 摘要 | 本 申请 提供了一种复位 电路 及 电子 设备，涉及电路领域。本申请中复位电路，复位电路包括：第一充电电路，用于N次连续为第二充电电路充电，每次充电操作包括第一充电电路与充电器从电连接到断开电连接，且N次连续为第二充电电路充电的时长小于1分钟；第二充电电路，用于在第一充电电路与充电器从断开电连接到电连接的时段内向复位 信号 输出电路输出 控制信号 ；复位信号输出电路，用于在检测到控制信号的 电压 值超过预设 阈值 ，则输出复位信号。采用本申请中的复位电路，使得在充电器与电子设备反复电连接的过程中，生成复位信号，触发电子设备进行复位操作，无需依赖电子设备中的实体按键，同时也降低了电子设备的成本。 | ||||||
| 权利要求 | 1.一种复位电路，其特征在于，设置于电子设备中，所述复位电路包括：第一充电电路、第二充电电路和复位信号输出电路； |
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| 说明书全文 | 复位电路及电子设备[0001] 本申请是分案申请，原申请的申请号是202211311478.7，原申请日是2022年10月25日，原申请的全部内容通过引用结合在本申请中。 技术领域[0002] 本申请涉及电路领域，尤其涉及一种复位电路及电子设备。 背景技术[0003] 随着智能终端的发展，智能终端越来越被用户所使用。智能终端(如智能手表、手环)在运行过程中，可能会出现故障(如程序跑飞)，导致智能终端死机，需要对智能终端进行复位操作，以恢复智能终端运行。目前对智能终端进行复位的方式有多种，一种是在智能终端中设置有看门狗电路，通过看门狗电路输出复位信号以对智能终端进行复位操作。另一种方式是在智能终端上设置复位按键，当用户按压复位按键时，触发MCU进行复位操作。 [0004] 然而，看门狗电路的成本高，且需要进行对应的软件配置，增大了智能终端的成本。而另一种复位智能终端的方式需要依赖于复位按键，若智能终端中没有复位按键，则智能终端不能通过复位按键实现复位功能。发明内容 [0005] 为了解决上述技术问题，本申请提供一种复位电路及电子设备，使得在充电器与电子设备反复电连接的过程中，生成复位信号，触发电子设备进行复位操作，无需依赖电子设备中的实体按键，同时也降低了电子设备的成本。 [0006] 第一方面，本申请提供了一种复位电路，设置于电子设备中，复位电路包括：第一充电电路、第二充电电路和复位信号输出电路；第一充电电路，用于在经过N次连续与充电器从电连接到断开的过程中，为第二充电电路充电，其中，N为大于1的整数，且第一充电电路N次连续与充电器从电连接到断开的时长小于1分钟；第二充电电路，用于在向复位信号输出电路输出控制信号；复位信号输出电路，用于在检测到控制信号的电压值超过预设阈值，则输出复位信号，复位信号用于触发电子设备中的微处理器进行复位操作。 [0007] 这样，通过充电器与第一充电电路多次连续从电连接到断开的操作，使得第一充电电路可以延迟为第二充电电路充电，避免出现充电器与电子设备电连接就触发复位操作的问题，同时，由于第一充电电路连续N次与充电器从电连接到断开的时长小于1分钟，可以避免对第二充电电路充电的时间过长的问题，提高用户进行复位操作的使用体验。同时，由于需要充电器的多次插拔，使得第二充电电路的电压逐渐增高，第二充电电路输出的控制信号的电压也逐渐增加，当第二充电电路的控制信号的电压值超出预设阈值，即可触发复位信号输出电路输出复位信号，该复位电路不采用看门狗电路也无需依赖电子设备中的实体按键，降低了电子设备的成本，同时增多了复位电路的应用场景。 [0008] 根据第一方面，第一充电电路包括：第一电容、放电组件和第一二极管；所述第二充电电路包括：第二电容和第一电阻；第一电容的第一端电连接第一二极管的阳极以及放电组件的第一端；放电组件的第二端接地；第一二极管的阴极电连接第二电容的第一端以及第一电阻的第一端；第二电容的第一端电连接复位信号输出电路的输入端；第二电容的第二端电连接第一电阻的第二端；第一电阻的第二端接地；复位信号输出电路的输出端电连接微处理器的复位端；其中，第一电容的第二端与放电组件的第二端用于与充电器电连接。 [0009] 这样，第一电容在与充电器接通的瞬间，由于第一电容两端的电压不能突变，使得在第一电容的第一端形成了脉冲电压，该脉冲电压可以为第二电容充电，当第一电容与充电器断开连接时，该第一电容通过放电组件释放电量，减小该第一电容两端的电压，以使得下一次该第一电容与充电器接通瞬间产生用于为第二电容充电的脉冲电压。例如，放电组件(如放电组件包括第四电阻)可以与该电子设备的充电管理电路中的等效电阻(如第三电阻)形成放电回路，或者该第一电容与该放电组件(包括第三电阻和第四电阻)形成放电回路。由于第一充电电路中包括了第一二极管，且第一二极管的阴极与第二电容的第一端电连接，使得在第一电容与充电器断开连接时，第二电容不会反向放电；同时，第二充电电路中的第一电阻可以释放掉第二电容中的电量，避免充电器每次正常为电子设备充电时累计的电量，从而可以避免出现误触发复位操作的问题。 [0010] 根据第一方面，第一充电电路还包括：第二电阻；第二电阻的第一端电连接第一二极管的阴极，第二电阻的第二端电连接第二电容的第一端以及第二电阻的第一端。这样，在第一充电电路中增加第二电阻，可以限制流入第二电容的电流，从而通过第二电子可以控制第一电容对第二电容充电的速度。通过设置的第二电阻，还可以隔离第一电容与复位信号输出电路的作用，避免第一电容向第二电容充电过程中，误触发复位信号输出电路的问题，提升了复位电路的防ESD(Electro‑Static discharge，“静电释放”)性能。 [0011] 根据第一方面，第一充电电路还包括：第二电阻；第二电阻的第一端电连接第一电容的第一端，第二电阻的第二端电连接第一二极管的阳极。这样，在第一充电电路中增加第二电阻，可以限制流入第二电容的电流，从而通过第二电子可以控制第一电容对第二电容充电的速度。通过设置的第二电阻，可以隔离第一电容与复位信号输出电路的作用，避免第一电容向第二电容充电过程中，误触发复位信号输出电路的问题，提升了复位电路的防ESD(Electro‑Static discharge，“静电释放”)性能。 [0012] 根据第一方面，放电组件包括：第三电阻和第四电阻；第四电阻的第一端电连接第一电容的第一端；第四电阻的第二端电连接第三电阻的第一端；第三电阻的第二端电连接第一电容的第二端；第三电阻的第一端接地。这样，该第一电容、第三电阻以及第四电阻可以形成放电回路，设置的第三电阻可以增加对第一电容放电的速度，使得下一次该第一电容与充电器接触时，该第一电容的两端电压更小，可以更加高效的为第二电容充电。 [0013] 根据第一方面，放电组件包括：第三电阻和第二二极管；第三电阻的第二端电连接第一电容的第二端；第三电阻的第一端接地以及电连接第二二极管的输入端；第二二极管的输出端电连接第一电容的第一端。这样，放电组件可以包括第三电阻和第二二极管，使得第一电容、第三电阻以及第二二极管可以形成对放电回路，降低第一电容两端的电压；同时也可以避免第一电容在断电后出现负电压的问题。 [0014] 根据第一方面，第一充电电路包括：第一电容、放电组件和第一二极管；第二充电电路包括：第二电容和第一电阻；第一电容的第一端电连接第一二极管的输入端以及放电组件的第一端；放电组件的第二端接地；第一二极管的输出端电连接所述第二电容的第一端以及所述第一电阻的第一端；第二电容的第一端电连接所述复位信号输出电路的输入端；第二电容的第二端电连接所述第一电阻的第二端；第一电阻的第二端接地；复位信号输出电路的输出端电连接所述微处理器的复位端；其中，第一电容的第二端与放电组件的第二端用于与充电器电连接。 [0015] 这样，第一电容在与充电器接通的瞬间，由于第一电容两端的电压不能突变，使得在第一电容的第一端形成了脉冲电压，该脉冲电压可以为第二电容充电，当第一电容与充电器断开连接时，该第一电容通过放电组件释放电量，减小该第一电容两端的电压，以使得下一次该第一电容与充电器接通瞬间产生用于为第二电容充电的脉冲电压。该放电组件(如放电组件包括第四电阻)的第二端接地，可以与该电子设备的充电管理电路中的等效电阻(如第三电阻)形成放电回路，无需额外设置新的组件，降低复位电路的成本。 [0016] 根据第一方面，放电组件包括：第四电阻；第四电阻的第一端电连接第一电容的第一端；第四电阻的第二端电连接第三电阻的第一端，第三电阻为电子设备中充电管理电路的等效电阻；第三电阻的第二端电连接第一电容的第二端；第三电阻的第一端接地。这样，可以利用电子设备的充电管理电路的等效电阻作为第三电阻，使得无需在复位电子中额外设置器件，可以节省复位电阻的成本。 [0017] 根据第一方面，放电组件包括：第二二极管；第一电容的第二端电连接第三电阻的第二端，第三电阻为电子设备中充电管理电路的等效电阻；第三电阻的第一端接地以及电连接所述第二二极管的输入端；第二二极管的输出端电连接第一电容的第一端。这样，可以利用电子设备的充电管理电路的等效电阻作为第三电阻，使得无需在复位电子中额外设置器件，可以节省复位电阻的成本。 [0018] 根据第一方面，复位信号输出电路包括：N型金属氧化物半导体NMOS晶体管；NMOS晶体管的栅极作为复位信号输出电路的输入端；NMOS晶体管的漏极作为复位信号输出电路的输出端；NMOS晶体管的源极电连接第一电阻的第二端。这样，复位信号输出电路采用NMOS晶体管实现，使得该复位信号输出电路简单，降低该复位信号输出电路的成本。 [0019] 根据第一方面，复位信号输出电路包括：非电路；非电路的输入端作为复位信号输出电路的输入端；非电路的输出端作为复位信号输出电路的输出端。这样，复位信号输出电路可以采用非电路，非电路的输入信号与输出信号相反，可以触发MCU进行复位操作。 [0020] 根据第一方面，复位信号输出电路包括：比较器；比较器的负向输入端作为复位信号输出电路的输入端；比较器的正向输入端电连接参考电压，参考电压的电压值范围为0.5V～1V；比较器的输出端作为复位信号输出电路的输出端，其中，微处理器的复位端由低电平信号触发。这样，比较器的正向输入端电连接参考电压，且参考电压的电压值范围为 0.5V～1V，也就是说，当比较器检测到负向输入端的电压小于正向输入端的电压时，输出高电平；当比较器检测到负向输入端的电压大于正向输入端的电压时，输出低电平信号，由于MCU的复位端由低电平信号触发，当MCU的复位端接收到低电平信号时，触发MCU进行复位操作。使用比较器作为复位信号输出电路的方式简单，且不易出现误触发的问题。 [0021] 根据第一方面，第四电阻的阻值小于第一电阻的阻值。这样，第四电阻的阻值小于第一电阻的阻值，使得当第一电容为第二电容充电时，可以使得第四电阻消耗的电量大于第二电容消耗的电量，避免第一电容第一次就将第二电容充满电量的问题。 [0022] 根据第一方面，第一充电电路与充电器从电连接到断开的时长范围为1秒～5秒。这样，第一充电电路与充电器从电连接到断开连接的时长大于5秒时，会导该复位电路输出复位信号的时间过长，降低了用户的使用体验。 [0023] 第二方面，本申请提供了一种电子设备，包括：第一方面以及第一方面的任意一种实现方式相对应的复位电路和微处理器，复位电路的复位信号输出端电连接微处理器的复位端。 [0024] 根据第二方面，电子设备为智能手表、智能手环或智能卡片机。 [0025] 根据第二方面，智能手表或智能手环上未设置有按键。 [0026] 第二方面实现方式分别与第一方面以及第一方面的任意一种实现方式相对应。第二方面实现方式所对应的技术效果可参见上述第一方面以及第一方面的任意一种实现方式所对应的技术效果，此处不再赘述。附图说明 [0027] 为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 [0028] 图1是示例性示出的一种电子设备的示意图； [0029] 图2是示例性示出的一种复位电路的结构示意图； [0030] 图3是示例性示出的一种复位电路的电路示意图； [0031] 图4a是示例性示出的一种模拟充电器与智能手表连接的示意图； [0032] 图4b是示例性示出的又一种模拟充电器与智能手表连接的示意图； [0033] 图5是示例性示出了第一充电电路中包括第二电阻的电路示意图； [0034] 图6是示例性示出了第一充电电路中包括第二电阻的电路示意图； [0035] 图7是示例性示出了复位电路中还包括第三电阻的电路示意图； [0036] 图8是示例性示出了一种复位电路包括比较器的电路示意图； [0037] 图9是示例性示出了一种复位电路包括非电路的电路示意图； [0038] 图10是示例性示出了一种使用示波器检测各位置的电压的示意图； [0039] 图11是示例性示出的一种场景下4个检测点的波形图； [0040] 图12是示例性示出的一种场景下4个检测点的波形图； [0041] 图13是示例性示出的一种场景下4个检测点的波形图； [0042] 图14是示例性示出的一种场景下4个检测点的波形图。 具体实施方式[0043] 下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。 [0044] 本申请实施例中的电子设备，可以是可穿戴电子设备，如智能手表、手环等，当然，电子设备还可以是其他设备，如卡片机(便携式卡片机)等。本申请实施例不对电子设备的具体形式进行限定。为了方便说明，下文以电子设备为智能手表进行举例说明。 [0045] 图1为示例性示出的一种电子设备的示意图。 [0046] 如图1所示，该智能手表100可以包括主板、显示屏、电池等。其中，主板上可以集成有微处理器(Microcontroller Unit，“MCU”)、内部存储器、充电电路等。当然，智能手表还可以包括其他组成器件，主板上还可以集成其他电路结构，本申请实施例对此不作限定。智能手表的充电电路包括电源管理电路和充电管理电路。电源管理电路连接锂电池、充电管理电路、以及微处理器。智能手表中的内部存储器可以用于存储计算机可执行程序代码，可执行程序代码可以包括指令。微处理器通过运行存储在内部存储器的指令，从而执行手机的各种功能应用以及数据处理。上述集成在主板上的微处理器、内部存储器、充电电路等，均包括一个或多个芯片。 [0048] 电源管理电路接收电池和/或充电管理电路的输入，为微处理器，内部存储器，外部存储器，显示屏，和无线通信模块等供电。 [0049] 目前智能手表的应用越来越广泛，智能手表在运行过程中，存在程序跑飞而导致的死机问题。通常可以在智能手表中设置实体的按键，用户可以通过长按该实体的按键，使得复位电路向智能手表中的MCU输入复位信号，触发MCU进行复位操作。复位信号可以是指用于触发复位的信号；假设复位信号为低电平信号，当MCU中的复位端接收到低电平信号时触发进行复位操作。但是，这种复位方式依赖于实体按键。如图1所示，图1中的智能手表中未设置实体按键，当智能手表发生程序跑飞的故障时，不能通过实体按键产生复位信号。在一个示例中，由于该智能手表100中未设置有实体按键，该智能手表中还可以设置看门狗电路，该看门狗芯片与智能手表100中的微处理器电连接。智能手表处于正常运行状态时，MCU定时向看门狗电路的输入端输入喂狗信号，看门狗电路接收到喂狗信号，则不输出复位信号。当MCU出现死机的问题时，该MCU无法继续向看门狗电路发送喂狗信号，该看门狗电路由于未及时收到喂狗信号，则输出复位信号，触发MCU进行复位操作。 [0050] 由于看门狗电路的成本高，导致该智能手表的成本增加，不利于该智能手表的推广。若智能手表设置有实体按键，可以通过用户按压实体按键输出复位信号，触发MCU进行复位操作，但是，该方式不能应用于如图1中所示的智能手表。 [0051] 本申请实施例提供了一种复位电路，该复位电路的信号输出端可以与智能手表中的MCU的复位端电连接，该复位电路的输入端与充电器电连接。当充电器与复位电路之间连接数次从电连接到断开电连接，可以触发该复位电路向MCU的复位端输出复位信号，从而触发该MCU进行复位操作。本示例中的复位电路无需设置看门狗电路，也无需依赖于电子设备中的实体按键，使得该复位电路的成本低，同时提高了该复位电路在智能手表中的应用场景。 [0052] 图2为示例性示出的一种复位电路的结构示意图。 [0053] 该智能手表包括MCU和复位电路，该复位电路10包括第一充电电路、第二充电电路102以及复位信号输出电路103。该第一充电电路的第一端与第二充电电路的第一端连接，该第一充电电路的第二端与该第一充电电路101的第三端用于电连接充电器。该第一充电电路101的第二端还可以接入该智能手表的地。该第二充电电路的第二端接地(即电连接该智能手表的地)，该第二充电电路102的第一端还电连接复位信号输出电路的第一端。该复位信号输出电路103的第二端接地，该复位信号输出电路103的第三端电连接MCU的复位端(即RESET端)。 [0054] 需要说明的是，本示例中接地是指电路或元器件电连接该智能手表中的地。 [0055] 该第一充电电路101，用于在经过N次连续与充电器从电连接到断开的过程中，为第二充电电路充电，其中，N为大于1的整数，且第一充电电路N次连续与充电器从电连接到断开的时长小于1分钟。第二充电电路102，用于在预设时长内检测到电压达到预设阈值，向复位信号输出电路输出控制信号，预设时长小于1分钟。复位信号输出电路103，用于在接收到控制信号后，输出复位信号，复位信号用于触发电子设备中的微处理器进行复位操作。 [0056] 具体地，智能手表当出现死机问题，需要进行复位操作时，用户可以将充电器与复位电路中第一充电电路101的第二端和第三端电连接，以使的该充电器可以为第一充电电路101充电。在第一间隔时长后，用户断开充电器与复位电路中第一充电电路101之间的电连接，第一间隔时长可以为1～10秒，如1秒、2秒、5秒、8秒、10秒等。用户重复N次上述将充电器与第一充电电路101电连接，并在第一间隔时长后断开充电器与第一充电电路101的电连接的步骤。N为大于1的整数，例如，N可以为2、4、6、8等。 [0057] 第一充电电路101在N次与充电器从电连接到断开的过程中，可以为第二充电电路102充电。当该第二充电电路102的电压达到预设阈值，向复位信号输出电路103输出控制信号。该复位信号输出电路103在接收到控制信号后，向MCU的复位端输出复位信号。 [0058] 需要说明的是，复位电路中第一充电电路101的第二端和第三端可以作为该智能手表与充电器电连接的输入端。同时，该第一充电电路101的第二端和第三端也可以作为智能手表中充电管理电路的输入端，也就是说，如图2中的o1端和o2端还分别电连接充电管理电路的输入端。 [0059] 本示例中，由于需要充电器与第一充电电路多次连续从电连接到断开的操作，可以避免用户的误操作导致智能手表进行复位操作，同时，本示例中，无需使用看门狗电路也无需依赖智能手表中的实体按键，降低了智能手表的成本，同时提增多了复位电路的应用场景。 [0060] 图3为示例性示出的一种复位电路的电路示意图。如图3所示，该复位电路中的第一充电电路101包括：第一电容(如图3中的C1)、放电组件和第一二极管(如图3中的D3)。第二充电电路102包括：第二电容(如图3中的C2)和第一电阻(如图3中的R1)。本示例中复位信号输出电路以NMOS晶体管(如图3中的Q1)为例进行说明。 [0061] 具体地，第一充电电路101中的放电组件用于为第一电容放电，该放电组件可以包括一个或多个电阻，还可以包括电阻和二极管。可选地，本示例中，放电组件以一个电阻为例进行说明，如图3中的电阻R4所示。第一电容C1的第一端电连接第一二极管D3的阳极以及电阻R4的第一端；该电阻R4的第二端接地。第一二极管D3的阴极电连接第二电容C2的第一端以及第一电阻R1的第一端；第一电阻R1的第二端接地；第二电容C2的第一端电连接NMOS晶体管Q1的栅极，NMOS晶体管Q1的漏极电连接微处理器的复位端；该NMOS晶体管Q1的源极接地。第二电容C2的第二端电连接第一电阻R1的第二端；其中，第一电容C1的第二端与电阻R4的第二端用于与充电器电连接。本示例中，第一电容C1和第二电容C2的电容值可以根据实际应用进行设置，例如，为减小对第二电容充电的时间，第二电容的电容值小于第一电容的电容值，如该第一电容的电容值为10微法；第二电容的电容值为2.2微法。 [0062] 下面结合图4a具体说明图3中的复位电路的工作过程。图4a为示例性示出的一种模拟充电器与智能手表连接的示意图。 [0063] 如图4a所示，电池和电阻R5用于模拟充电器，开关S1闭合的操作用于模拟用户将充电器与第一充电电路101电连接的动作，开关S1断开的操作用于模拟用户断开充电器与第一充电电路101之间的电连接的动作。其中，电阻R3用于指示该智能手表的充电管理电路中的等效电阻；该第三电阻R3的第二端电连接第一电容C1的第二端；第三电阻R3的第一端接地以及电连接电阻R4的第二端。 [0064] 如图4a所示，在t1时刻，用户将充电器与智能手表的充电输入端电连接(即充电器插入智能手表中设置的充电孔)，即该充电器与复位电路中的第一充电电路101电连接。t1时刻该开关S1闭合，电池为第一电容C1充电，由于电容两端的电压不能突变，因此，在t1时刻，开关S1闭合的瞬间，充电电压会施加到第一电容C1的第一端，在第一电容C1的第一端形成脉冲电压。在第一电容C1的第一端形成的脉冲电压通过第一二极管D3为第二电容C2充电。本示例中，由于放电组件包括电阻R4，当第一电容C1为第二电容C2充电时，一部分电流向电阻R4分流。本示例中，当放电组件包括电阻R4时，可以通过该电阻R4控制每次向第二电容C2充电的电量，避免一次性为第二电容C2充满电的问题。可选地，电阻R4的阻值小于第一电阻R1的阻值。当电阻R4的阻值小于第一电子R1的阻值时，可以进一步减小流向第二电容C2的电流，避免第二电容C2快速被充满电量的问题，例如，本示例中，该电阻R4可以设置为5KΩ，第一电阻R1大于电阻R4即可，如可以是10KΩ、20KΩ、50KΩ等，本示例中，第一电阻R1设置为5MΩ。随着开关S1闭合时长的增加，该第一电容C1的两端的电压不断减小，使得该第一电容C1不能继续对第二电容C2充电。 [0065] 在t2时刻，开关S1断开，由于存在电阻R4以及等效的第三电阻R3，第一电容C1、第三电阻R3以及电阻R4可以形成放电回路1：C1——R3——R4——C1。通过第三电阻R3和电阻R4，可以释放掉该第一电容C1中电量，以减小第一电容C1的第一端和第二端之间的电压。在t2时刻，该开关S1断开时，该第二电容C2与第一电阻R1形成放电回路2：C2——R1——C2。放电回路2可以消耗第二电容C2上的电量，可以避免因用户长期使用充电器进行充电时，导致第二电容的电压逐渐升高而误触发复位信号输出电路输出复位信号的问题。可选地，可以选择大阻值的第一电阻，以减小第二电容C2的放电速度，本示例中可以为第一电阻R1设置为兆欧级别的阻值，例如，第一电阻R1的阻值为5MΩ。 [0066] 同时该第二电容C2的第一端电连接Q1的栅极，该第二电容C2的电量小，输出的电压不满足Q1的导通条件，如第一次该第二电容C2的输出的电压为0.7V。不满足NMOS晶体管Q1的导通电压(如导通电压为1.2V)，则NMOS晶体管不导通。其中，MCU的复位端的电压默认为高电平。 [0067] 可选地，每个NMOS晶体管的Vgs(即栅源电压)的导通电压不同，在应用时，可以通过分压电阻调节NMOS晶体管Q1的导通电压。通常NMOS晶体管的导通条件为Vgs的压差范围出0.6～1.2V，本示例中，增加分压电阻，使得调节后的NMOS晶体管Q1的导通电压可以为1.2V。图4b示出了增加了分压电阻后的复位电路的电路示意图。如图4b所示，新增分压电阻R6。第一电容C1的第一端电连接第一二极管D3的阳极以及电阻R4的第一端；该电阻R4的第二端接地。第一二极管D3的阴极电连接第二电容C2的第一端以及分压电阻R6的第一端；该分压电阻R6的第二端电连接NMOS晶体管Q1的栅极，并且该分压电阻R6的第二端电连接第一电阻R1的第一端，第一电阻R1的第二端接地，第二电容C2的第二端接地。该NMOS晶体管Q1的漏极电连接微处理器的复位端；该NMOS晶体管Q1的源极接地。其中，第一电容C1的第二端与电阻R4的第二端用于与充电器电连接。由于设置有分压电阻R6，从而可以调节NMOS晶体管Q1的导通电压，该分压电阻的阻值可以与第一电阻的阻值相同。 [0068] 可选地，若为NMOS晶体管Q1设置有分压电阻，该分压电阻还可以作为第二电容C2的放电电阻，即分压电阻可以作为该第一电阻R1。 [0069] 本示例中，第一二极管D3的阴极与第二电容C2的第一端电连接，也可以避免第二电容C2反向放电，导致第二电容C2不能充电的问题。该t1时刻与t2时刻之间的差值的范围可以为[1,5]，本示例中，t1时刻与t2时刻之间的差值为1秒。可选地，随着开关S1断开时长的增加，第一电容C1中存储的电量减小，该第一电容C1两端的电压减小，有利于下一次第一电容C1为第二电容C2充电。 [0070] 在t3时刻，该开关S1再次闭合，由于在t2～t3时刻，该第一电容C1经过放电，该第一电容C1的第一端和第二端之间的电压减小，在开关S1闭合的瞬间，充电电压再次施加到第一电容C1的第一端，在第一电容C1的第一端形成脉冲电压。在t3时刻，该脉冲电压再次通过第一二极管D3为第二电容C2充电。可选地，t2～t3之间的时长可以大于t1～t2之间的时长，也可以小于或等于t1～t2之间的时长，本示例中，不做限制。 [0071] 在t4时刻，开关S1断开，由于存在电阻R4以及等效的第三电阻R3，第一电容C1、第三电阻R3以及电阻R4可以形成放电回路1：C1——R3——R4——C1。通过电阻R4，可以放掉该第一电容C1中电流，以减小第一电容C1的第一端和第二端之间的电压。在t4时刻，该开关S1断开时，该第二电容C2与第一电阻R1形成放电回路2：C2——R1——C2。 [0072] 本示例中，假设开关S1经过4次从闭合到断开的操作，该第二电容C2的电压逐渐达到预设阈值，该预设阈值可以为Q1中Vgs的导通电压。例如，开关S1第四次闭合，该第二电容C2的电压达到NMOS晶体管Q1中Vgs的导通电压，使得NMSO管Q1导通，该NMOS晶体管的漏极电压降低，即该NMOS晶体管Q1的漏极输出低电平信号，该MCU的复位端接收到低电平的复位信号，触发MCU执行复位操作。本示例中，MCU的复位端由低电平信号触发。由于NMOS晶体管Q1被导通，持续消耗第二电容C2中的电量，该第二电容C2的电压不断下降。当第二电容C2输入NMOS晶体管Q1的栅极的电压为低电压(即该Vgs的电压小于导通电压)，该NMOS晶体管Q1的漏极电压重新从低电平变为高电平。 [0073] 需要说明的是，在第四次开关S1闭合后，可以经过t1～t2的时长后，断开该开关S1与第一电容C1的电连接。可选地，也可以不断开开关S1与第一电容C1的电连接。 [0074] 本示例中的复位电路简单，通过充电器与第一充电电路的连续多次从电连接到断开的过程中，对第二电容充电，当第二电容的电压达到NMOS晶体管的导通电压时，该NMOS晶体管Q1输出低电平，并随着NMOS晶体管Q1的导通，使得该NMOS晶体管Q1输出了复位信号，触发MCU进行复位操作，该复位电路的输出复位信号不依赖于实体按键，成本远小于看门狗电路的成本，降低电子设备的成本。 [0075] 在一些实施例中，该第一充电电路101还可以包括：第二电阻。该第二电阻的第一端电连接第一二极管的阴极，第二电阻的第二端电连接第二电容的第一端以及第二电阻的第一端。图5示例性示出了第一充电电路中包括第二电阻的电路示意图。 [0076] 如图5所示，该复位电路中的第一充电电路101包括：第一电容(如图5中的C1)、放电组件、第一二极管(如图5中的D3)和第二电阻(如图5中的R2)。第二充电电路102包括：第二电容(如图5中的C2)和第一电阻(如图5中的R1)。本示例中复位信号输出电路以NMOS晶体管(如图5中的Q1)为例进行说明。 [0077] 具体地，放电组件以包括电阻为例进行说明，如图5中的电阻R4所示。第一电容C1的第一端电连接第一二极管D3的阳极以及电阻R4的第一端；该电阻R4的第二端接地。第一二极管D3的阴极电连接第二电阻R2的第一端，该第二电阻R2的第二端电连接第二电容C2的第一端以及第一电阻R1的第一端；第一电阻R1的第二端接地；第二电容C2的第一端电连接NMOS晶体管Q1的栅极，NMOS晶体管Q1的漏极电连接微处理器的复位端；该NMOS晶体管Q1的源极接地。第二电容C2的第二端电连接第一电阻R1的第二端；其中，第一电容C1的第二端与电阻R4的第二端用于与充电器电连接。其中，电阻R3用于指示该智能手表的充电管理电路中的等效电阻。该第三电阻R3的第二端电连接第一电容C1的第二端；第三电阻R3的第一端接地以及电连接电阻R4的第二端。 [0078] 本示例中，与图4a类似，电池和电阻R5用于模拟充电器，开关S1闭合的操作用于模拟用户将充电器与第一充电电路101电连接的动作，开关S1断开的操作用于模拟用户将充电器与第一充电电路101断开电连接的动作。 [0079] 在t1时刻，用户将充电器电连接该智能手表的充电输入端，即该充电器与复位电路中的第一充电电路101电连接。t1时刻该开关S1闭合，电池为第一电容C1充电，在开关S1闭合的瞬间，充电电压会施加到第一电容C1的第一端，在第一电容C1的第一端形成脉冲电压。在第一电容C1的第一端形成的脉冲电压通过第一二极管D3以及第二电阻R2为第二电容C2充电。本示例中，在第一充电电路101中增加该第二电阻R2，使得由第一二极管D3、第二电阻R2以及第一电容C1组成的支路的电阻增大，从而可以减少该支路中的电流，控制第一电容C1对第二电容C2充电的速度。本示例中，第二电阻可以设置为120KΩ。 [0080] 另外，由于第一电容C1产生的脉冲电压中可能存在毛刺，导致误触发NMOS晶体管Q1的问题，通过设置的第二电阻R2，可以隔离第一电容C1与NMOS晶体管Q1，避免第一电容C1向第二电容C2充电过程中，误触发NMOS晶体管Q1导通的问题，提升了复位电路的防ESD(Electro‑Static discharge，“静电释放”)性能。 [0081] 本示例中，电阻R4、第一电阻R1的作用与图4a中的作用相同，可以参考图4a中的相关描述，此处不再进行赘述。 [0082] 图5中的复位电路在t2时刻开关S1断开的过程与图4a中的相关描述类似，可以参照图4a中的相关描述，此处不再进行赘述。同理，图5中的复位电路产生复位信号的过程与图4a中复位电路输出复位信号的过程类似，可以参照图4a中的相关描述，此处不再进行赘述。 [0083] 在一些实施例中，第二电阻的第一端也可以电连接第一电容的第一端，第二电阻的第二端电连接第一二极管的阳极。图6为示例性示出了第一充电电路中包括第二电阻的电路示意图。 [0084] 如图6所示，该复位电路中的第一充电电路101包括：第一电容(如图6中的C1)、放电组件、第一二极管(如图6中的D3)和第二电阻(如图6中的R2)。第二充电电路102包括：第二电容(如图6中的C2)和第一电阻(如图6中的R1)。本示例中复位信号输出电路以NMOS晶体管(如图6中的Q1)为例进行说明。 [0085] 图6中的复位电路的工作原理与图5中复位电路的工作原理相同，可以参见图5中的相关描述，此处不再进行赘述。 [0086] 在一些实施例中，放电组件包括：第三电阻和第四电阻；第四电阻的第一端电连接第一电容的第一端；第四电阻的第二端电连接第三电阻的第一端；第三电阻的第二端电连接第一电容的第二端；第三电阻的第一端接地。本示例中，放电组件包括第三电阻R3和第四电阻R4为例进行说明。图7示例性示出了放电组件中还包括第三电阻的电路示意图。如图7所示，该第三电阻R3的第二端电连接第一电容C1的第二端，该第三电阻R3的第一端接地。第一电容C1的第一端电连接第一二极管D3的阳极以及电阻R4的第一端；该电阻R4的第二端接地。第一二极管D3的阴极电连接第二电阻R2的第一端，该第二电阻R2的第二端电连接第二电容C2的第一端以及第一电阻R1的第一端；第一电阻R1的第二端接地；第二电容C2的第一端电连接NMOS晶体管Q1的栅极，NMOS晶体管Q1的漏极电连接微处理器的复位端；该NMOS晶体管Q1的源极接地。第二电容C2的第二端电连接第一电阻R1的第二端；其中，第一电容C1的第二端与电阻R4的第二端用于与充电器电连接。 [0087] 本示例中，该第三电阻R3可以在充电器断开与第一电容C1的电连接时，对第一电容C1进行放电，可以进一步提高对第一电容C1的放电速度，确保该第一电容C1可以在下一次充电器与第一电容C1电连接时，继续为第二电容C2充电。 [0088] 在t1时刻，用户将充电器电连接该智能手表的充电输入端，即该充电器与复位电路中的第一充电电路101电连接。t1时刻，在开关S1闭合的瞬间，充电电压会施加到第一电容C1的第一端，在第一电容C1的第一端形成脉冲电压。该脉冲电压通过第一二极管D3以及第二电阻R2为第二电容C2充电。本示例中，该电阻R4可以设置为5KΩ，第一电阻R1设置为5MΩ。随着开关S1闭合时长的增加，该第一电容C1的两端逐渐形成电压，不再继续对第二电容C2充电。 [0089] 本示例中，在充电器为第一电容C1充电时，部分电流流经第四电阻，可以减少为第一电容充电的电压，也可以避免第一电容C1快速将第二电容C2充满电量或者误触发NMOS晶体管Q1导通的问题。 [0090] 在t2时刻，开关S1断开，由于存在电阻R4和第三电阻R3，形成放电回路1：C1——R3——R4——C1。通过电阻R4和第三电阻R3，可以加快放掉该第一电容C1中电量的速度，以减小第一电容C1的第一端和第二端之间的电压。在t2时刻，该开关S1断开时，该第二电容C2与第一电阻R1形成放电回路2：C2——R1——C2。放电回路2可以消耗第二电容C2上的电量。可选地，该第三电阻R3的阻值可以与电阻R4的阻值相同，如第三电阻R3的阻值为5KΩ。 [0091] 图6中的复位电路产生复位信号的过程与图4a中复位电路输出复位信号的过程类似，可以参照图4a中的相关描述，此处不再进行赘述。 [0092] 在一些实施例中，该放电组件还可以包括第三电阻R3和第二二极管D4。该第二二极管D4的阳极接地，该第二二极管D4的阴极电连接第一电容C1的第一端。该第二二极管D4可以在充电器与第一电容C1断开电连接时，对第一电容C1进行放电，避免第一电容C1的第一端出现负电压的问题。该复位电路的结构如图8所示。 [0093] 该复位电路中的第一充电电路101包括：第一电容(如图8中的C1)、放电组件、第一二极管(如图8中的D3)和第二电阻(如图8中的R2)。第二充电电路102包括：第二电容(如图8中的C2)和第一电阻(如图8中的R1)。本示例中复位信号输出电路以比较器(如图8中的Q1)为例进行说明。 [0094] 具体地，该第三电阻R3的第二端电连接第一电容C1的第二端，该第三电阻R3的第一端接地。第一电容C1的第一端电连接第一二极管D3的阳极以及第二二极管D4的阴极；该第二二极管D4的阳极与第三电阻R3的第一端电连接。第一二极管D3的阴极电连接第二电阻R2的第一端，该第二电阻R2的第二端电连接第二电容C2的第一端以及第一电阻R1的第一端；第一电阻R1的第二端接地；第二电容C2的第一端电连接比较器103的负向输入端。第二电容C2的第二端电连接第一电阻R1的第二端。该比较器103的正向输入端电连接参考电压Vref，比较器103的输出端电连接MCU的复位端。该参考电压可以由该智能手表中满足该参考电压的电压值的器件提供，该参考电压的电压值范围为0.5V～1V。其中，该第三电阻R3的第一端和第二端可以用于与充电器电连接。 [0095] 下面具体说明该复位电路的工作过程。 [0096] 在t5时刻，用户将充电器电连接该智能手表的充电输入端，即该充电器与复位电路中的第一充电电路101电连接。t5时刻该开关S1闭合，在开关S1闭合的瞬间，充电电压会施加到第一电容C1的第一端，在第一电容C1的第一端形成脉冲电压。在第一电容C1的第一端形成的脉冲电压通过第一二极管D3、第二电阻R2为第二电容C2充电。本示例中，由于二极管为单向导通器件，使得当第一电容C1为第二电容C2充电时，电流均流向第二电容C2。 [0097] 比较器103的负向输入端电连接第二电阻R2的第二端，该比较器检测负向输入端的电压与参考电压进行比较，此时该负向输入端的电压小于参考电压，则该比较器的输出端输出高电平。 [0098] 在t6时刻，开关S1断开，由于设置有第二二极管D4，形成放电回路1：C1————R3——D4——C1。通过第二二极管D4和第三电阻R3，可以放掉该第一电容C1中电量，以减小第一电容C1的第一端和第二端之间的电压。在t6时刻，该开关S1断开时，该第二电容C2与第一电阻R1形成放电回路2：C2——R1——C2。放电回路2可以消耗第二电容C2上的电量。 [0099] 同时该第二电容C2的第一端电连接比较器103的负向输入端，该第二电容C2输出的电压值小，若比较器检测到负向输入端的电压小于参考电压，则该比较器103输出高电平。本示例中，该参考电压可以是0.7V。 [0100] 随着开关S1断开时长的增加，第三电阻R3和第二二极管D4消耗第一电容C1中的存储的电量，该第一电容C1两端的电压减小，有利于下一次为第二电容C2充电。 [0101] 在t7时刻，该开关S1再次闭合，由于在t6～t7时刻，该第一电容C1经过放电，该第一电容C1的第一端和第二端之间的电压减小，在开关S1闭合的瞬间，充电电压再次施加到第一电容C1的第一端，在第一电容C1的第一端形成脉冲电压。在t7时刻，该脉冲电压再次通过第一二极管D3和第二电阻R2为第二电容C2充电。可选地，t6～t7之间的时刻可以大于t5～t6之间的时长。 [0102] 在t8时刻，开关S1断开，由于存在第二二极管D4，形成放电回路1：C1——R3——D4——C1。通过第二二极管D4和第三电阻R3，可以放掉该第一电容C1中电量，以减小第一电容C1的第一端和第二端之间的电压。在t8时刻，该开关S1断开时，该第二电容C2与第一电阻R1形成放电回路2：C2——R1——C2。 [0103] 本示例中，假设开关S1经过4次从闭合到断开的操作，该第二电容C2的电压达到预设阈值，该预设阈值可以为大于参考电压的值(如预设阈值为0.8V)。该比较器将负向输入端的电压与参考电压进行比较，确定该负向输入端的电压高于参考电压，则该比较器的输出端输出低电平信号。该MCU的复位端接收到低电平的复位信号，触发MCU执行复位操作。本示例中，MCU的复位端的复位信号为低电平信号。随着第二电容C2的电量减少，当比较器检测到负向输入端的电压小于参考电压时，该比较器则输出高电平信号。 [0104] 需要说明的是，该比较器可以采用现有的比较器电路或比较器芯片。 [0105] 在一些实施例中，该复位信号输出电路103还可以是非电路，非电路的输入端与第二电容的第一端电连接，该非电路103的输出端与MCU的复位端电连接。 [0106] 该复位电路中的第一充电电路101包括：第一电容(如图9中的C1)、放电组件、第一二极管(如图9中的D3)和第二电阻(如图9中的R2)。第二充电电路102包括：第二电容(如图9中的C2)和第一电阻(如图9中的R1)。该复位信号输出电路103可以是非电路，非电路103可以是反向器。 [0107] 具体地，该第三电阻R3的第二端电连接第一电容C1的第二端，该第三电阻R3的第一端接地。第一电容C1的第一端电连接第一二极管D3的阳极以及第二二极管D4的阴极；该第二二极管D4的阳极与第三电阻R3的第一端电连接。第一二极管D3的阴极电连接第二电阻R2的第一端，该第二电阻R2的第二端电连接第二电容C2的第一端以及第一电阻R1的第一端；第一电阻R1的第二端接地；第二电容C2的第一端电连接非电路103的输入端。第二电容C2的第二端电连接第一电阻R1的第二端。该非电路103的输出端电连接MCU的复位端。 [0108] 下面具体说明该复位电路的工作过程。 [0109] 在t5时刻，用户将充电器电连接该智能手表的充电输入端，即该充电器与复位电路中的第一充电电路101电连接。t5时刻，在开关S1闭合的瞬间，充电电压会施加到第一电容C1的第一端，在第一电容C1的第一端形成脉冲电压。该脉冲电压通过第一二极管D3、第二电阻R2为第二电容C2充电。本示例中，由于第二二极管D4为单向导通器件，当第一电容C1为第二电容C2充电时，电流均流向第二电容。 [0110] 非电路103的输入端电连接第二电阻R2的第二端以及该第二电容C2的第一端，该非电路103获取的电压低于预设阈值(如预设阈值为0.7V)，此时该非电路103输出高电平。本示例中，高电平可以是2～5V。 [0111] 在t6时刻，开关S1断开，由于存在第二二极管D4，形成放电回路1：C1————R3——D4——C1。通过第二二极管D4和第三电阻R3，可以放掉该第一电容C1中电量，以减小第一电容C1的第一端和第二端之间的电压。在t6时刻，该开关S1断开时，该第二电容C2与第一电阻R1形成放电回路2：C2——R1——C2。放电回路2可以消耗第二电容C2上的电量。 [0112] 同时该第二电容C2的第一端电连接非电路103的输入端，该第二电容C2的电量小，输出的电压小，如输出的电压为0.25V，则该非电路103输出高电平。 [0113] 随着开关S1断开时长的增加，第三电阻R3和第二二极管D4消耗第一电容C1中的存储的电量，该第一电容C1两端的电压减小，有利于下一次为第二电容C2充电。 [0114] 在t7时刻，该开关S1再次闭合，由于在t6～t7时刻，该第一电容C1经过放电，该第一电容C1的第一端和第二端之间的电压减小，在开关S1闭合的瞬间，充电电压再次施加到第一电容C1的第一端，在第一电容C1的第一端形成脉冲电压。在t7时刻，该脉冲电压再次通过第一二极管D3和第二电阻R2为第二电容C2充电。可选地，t6～t7之间的时刻可以大于t5～t6之间的时长。 [0115] 在t8时刻，开关S1断开，由于设置有第二二极管D4，形成放电回路1：C1——R3——D4——C1。通过第二二极管D4和R3，可以放掉该第一电容C1中电量，以减小第一电容C1的第一端和第二端之间的电压。在t8时刻，该开关S1断开时，该第二电容C2与第一电阻R1形成放电回路2：C2——R1——C2。 [0116] 本示例中，假设开关S1经过4次从闭合到断开的操作，该第二电容C2的电压超过预设阈值(如为0.7V)。该非电路检测到输入端的电压为1V，大于预设阈值，该非电路103的输出端输出低电平(低电平信号的范围为0～0.25V)，触发MCU执行复位操作。本示例中，MCU的复位端的复位信号为低电平信号。当比较器检测到负向输入端的电压小于参考电压时，该比较器则输出高电平信号。 [0117] 图10为示例性示出的使用示波器检测各位置的电压的示意图。 [0118] 该复位电路中的第一充电电路101包括：第一电容(如图10中的C1)、放电组件、第一二极管(如图10中的D3)和第二电阻(如图10中的R2)。第二充电电路102包括：第二电容(如图10中的C2)和第一电阻(如图10中的R1)。该复位信号输出电路103以NMOS晶体管为例进行说明。 [0119] 具体地，第三电阻R3的第二端电连接第一电容C1的第二端，该第三电阻R3的第一端接地。第一电容C1的第一端电连接第一二极管D3的阳极以及电阻R4的第一端；该电阻R4的第二端接地。第一二极管D3的阴极电连接第二电阻R2的第一端，该第二电阻R2的第二端电连接第二电容C2的第一端以及第一电阻R1的第一端；第一电阻R1的第二端接地；第二电容C2的第一端电连接NMOS晶体管Q1的栅极，NMOS晶体管Q1的漏极电连接微处理器的复位端；该NMOS晶体管Q1的源极接地。第二电容C2的第二端电连接第一电阻R1的第二端；其中，第一电容C1的第二端与电阻R4的第二端用于与充电器电连接。 [0120] 由于智能手表的充电管理电路的回路中可能存在的电容量，本示例中，以第三电容C3模拟充电管理电路中可能存在的电容量。该第三电容C3的第一端与电连接第三电阻R3的第一端，该第三电容C3的第二端接地。 [0121] 本示例中该示波器采用四通道示波器，该示波器的A通道用于测量充电器输入的信号，可以将A通道的检测点接在第三电容C3的第一端与第三电阻R3的第二端之间的位置。该示波器的B通道用于测量第一二极管D3的输出信号，可以将B通道的检测点接在第一二极管D3的阴极。该示波器的C通道用于测量NMOS晶体管的栅极电压，可以将C通道的检测点接在NMOS晶体管Q1的栅极。该示波器的D通道用于测量NMOS晶体管的漏极电压，可以将D通道的检测点接在NMOS晶体管Q1的漏极，其中，示波器的G端接地。 [0122] 图11～图14示出了不同场景下4个检测点的波形图。 [0123] 图11为示例性示出的充电器与第一充电电路之间电连接的时长大于充电器与第一充电电路断开电连接的时长情况下，4个检测点的波形图。 [0124] 具体地说，如图11所示，横坐标用于指示时间，每个格子时间为1秒；该纵坐标用于指示电压，其中，不同检测点对应每格(Div)的电压不同。本示例中，A通道的检测点的波形中每格(Div)表示5V；B通道的检测点的波形中每格(Div)表示5V；C通道的检测点的波形中每格(Div)表示1V；D通道的检测点的波形中每格(Div)表示5V。如图11所示，该充电器第一次与智能手表中第一电容电连接的时长为0.7秒，经过0.7秒后，用户断开充电器与第一电容的电连接，断开时长小于0.7秒(如为0.05秒)。从图11中可以看到，当充电器经过一次与第一电容从电连接到断开的过程，该第二电容C2的第二端(即栅极的电压)增加。充电器经过8次反复与第一电容从电连接到断开的过程，通过该复位电路，NMOS晶体管Q1的栅极电压不断升高，并在第7.3秒时达到NMOS晶体管Q1的导通电压(如导通电压为1.2V)，该NMOS晶体管Q1的漏极输出一个复位信号(如图11中的细的实线所示)，从而触发MCU进行复位操作。 [0125] 图11中充电器与第一电容C1断开的时长短，会导致该第一电容C1的放电不充分，增加了充电器的插拔次数。 [0126] 图12为示例性示出的充电器与第一充电电路之间电连接的时长小于充电器与第一充电电路断开电连接的时长情况下，4个检测点的波形图。 [0127] 具体地说，如图12所示，横坐标用于指示时间，每格时间为1秒；该纵坐标用于指示电压，其中，不同检测点对应每格(Div)的电压不同。本示例中，A通道的检测点的波形中每格(Div)表示5V；B通道的检测点的波形中每格(Div)表示5V；C通道的检测点的波形中每格(Div)表示1V；D通道的检测点的波形中每格(Div)表示5V。如图12所示，该充电器第一次与智能手表中第一电容电连接的时长为0.2秒，经过0.2秒后，用户断开充电器与第一电容的电连接，断开时长大于0.2秒(如为0.8秒)。从图12中可以看到，当充电器经过一次与第一电容从电连接到断开的过程，该第二电容C2的第二端(即栅极的电压)增加。充电器经过4次反复与第一电容从电连接到断开的过程，通过该复位电路，NMOS晶体管Q1的栅极电压不断升高，并在第4.2秒时达到NMOS晶体管Q1的导通电压(如导通电压为1.2V)，该NMOS晶体管Q1的漏极输出一个复位信号(如图12中的细的实线所示)，从而触发MCU进行复位操作。 [0128] 需要说明的是，本示例中在第二电容输出的电压达到预设阈值后，充电器依然反复与第一电容从电连接到断开，即第一电容持续为第二电容充电，故图12中从4.2秒后，NMOS晶体管的漏极输出低电平信号。 [0129] 图13为示例性示出的充电器与第一充电电路之间电连接的时长等于充电器与第一充电电路断开电连接的时长情况下，4个检测点的波形图。 [0130] 具体地说，如图13所示，横坐标用于指示时间，每格时间为1秒；该纵坐标用于指示电压，其中，不同检测点对应每格(Div)的电压不同。本示例中，A通道的检测点的波形中每格(Div)表示5V；B通道的检测点的波形中每格(Div)表示5V；C通道的检测点的波形中每格(Div)表示1V；D通道的检测点的波形中每格(Div)表示5V。如图13所示，该充电器第二次与智能手表中第一电容电连接的时长为0.5秒，经过0.5秒后，用户断开充电器与第一电容的电连接，断开时长等于0.5秒(如为0.5秒)。从图13中可以看到，当充电器经过第二次与第一电容从电连接到断开的过程，该第二电容C2的第二端(即栅极的电压)增加。从第二次开始，充电器经过4次反复与第一电容从电连接到断开的操作，通该复位电路中的NMOS晶体管Q1的栅极电压不断升高，并在第5.4秒时达到NMOS晶体管Q1的导通电压(如导通电压为1.2V)，该NMOS晶体管Q1的漏极输出一个复位信号(如图13中的细的实线所示)，从而触发MCU进行复位操作。 [0131] 图14为示例性示出的在1秒中充电器与第一充电电路之间电连接m次的情况下，4个检测点的波形图，m为大于2的整数。 [0132] 具体地说，如图14所示，横坐标用于指示时间，每格时间为1秒；该纵坐标用于指示电压，其中，不同检测点对应每格(Div)的电压不同。本示例中，A通道的检测点的波形中每格(Div)表示5V；B通道的检测点的波形中每格(Div)表示5V；C通道的检测点的波形中每格(Div)表示1V；D通道的检测点的波形中每格(Div)表示5V。如图14所示，在1秒中内该充电器与智能手表中第一电容电连接4次，该NMOS晶体管Q1的漏极输出一个复位信号(如图14中的细的实线所示)，从而触发MCU进行复位操作。 [0133] 快速电连接以及断开充电器和第一充电电路之间的电连接，如一秒内充电器与第一充电电路之间电连接m次，m为大于2的整数，该插拔充电器的方式使得输出复位信号的更稳定，抗干扰能力强。 [0134] 本文中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。 [0135] 本申请实施例的说明书和权利要求书中的术语“第一”和“第二”等是用于区别不同的对象，而不是用于描述对象的特定顺序。例如，第一目标对象和第二目标对象等是用于区别不同的目标对象，而不是用于描述目标对象的特定顺序。 [0136] 在本申请实施例中，“示例性的”或者“例如”等词用于表示作例子、例证或说明。本申请实施例中被描述为“示例性的”或者“例如”的任何实施例或设计方案不应被解释为比其它实施例或设计方案更优选或更具优势。确切而言，使用“示例性的”或者“例如”等词旨在以具体方式呈现相关概念。 [0137] 在本申请实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是指两个或两个以上。例如，多个处理单元是指两个或两个以上的处理单元；多个系统是指两个或两个以上的系统。 [0138] 本申请各个实施例的任意内容，以及同一实施例的任意内容，均可以自由组合。对上述内容的任意组合均在本申请的范围之内。 [0139] 上面结合附图对本申请的实施例进行了描述，但是本申请并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本申请的启示下，在不脱离本申请宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，均属于本申请的保护之内。 |
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