1.一种设备，包括：
单片半导体衬底；
所述衬底上的氮化镓层；
第一e模式型HEMT功率晶体管，被配置为接收漏极与源极之间的650V的最大电压；
所述第一e模式型HEMT功率晶体管的驱动器；
在所述单片半导体衬底内部和顶部的电路，所述电路包括：
至少一个第二e模式型晶体管，被配置为将控制电压直接发送到所述第一晶体管的栅
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极，所述第二晶体管的面积大于5mm。
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2.根据权利要求1所述的电路，其中所述第二晶体管的面积在10至15mm的范围内。
3.根据权利要求1所述的电路，其中所述第二晶体管由多个e模式型晶体管的组件形成。
4.一种设备，包括：
衬底；
所述衬底上的氮化镓层；
第一e模式型HEMT功率晶体管，在所述氮化镓层中，所述第一功率晶体管包括第一端子、第二端子和第三端子；
驱动器，被耦合至所述第一功率晶体管，所述驱动器包括：
第二晶体管，被耦合至所述第一功率晶体管的所述第一端子和所述第二端子；
第三晶体管，被耦合至所述第二端子和VDD；以及
触发电路，被耦合至所述第三晶体管。
5.根据权利要求4所述的设备，其中所述驱动器包括第四晶体管，所述第四晶体管被耦合在所述第一端子与所述触发电路之间。
6.根据权利要求5所述的驱动器，其中所述驱动器包括第五晶体管，所述第五晶体管被耦合在所述第四晶体管的栅极与所述第一端子之间。
7.根据权利要求6所述的驱动器，其中所述驱动器包括电压调节电路，所述电压调节电路被耦合至所述第五晶体管。
8.根据权利要求7所述的驱动器，其中所述驱动器包括逆变器，所述逆变器被耦合至所述第五晶体管的栅极。
9.一种设备，包括：
氮化镓层；
第一功率晶体管，在所述氮化镓层中，所述第一功率晶体管是发射模式型的高电子迁移率晶体管(HEMT)；
驱动器，被耦合至所述第一功率晶体管，所述驱动器包括：
第二晶体管，被耦合至所述第一功率晶体管；
第三晶体管，被耦合至所述第二晶体管和所述第一功率晶体管；
第四晶体管，被耦合至所述第三晶体管；
触发电路，被耦合至所述第三晶体管和第四晶体管；
电压调节电路，被耦合至所述第四晶体管。
10.根据权利要求9所述的设备，其中所述驱动器包括第一电阻器和第五晶体管，所述第一电阻器和所述第五晶体管被耦合至所述第四晶体管和所述电压调节电路。
11.根据权利要求10所述的设备，其中所述驱动器包括第六晶体管，所述第六晶体管被耦合至所述第一电阻器和所述电压调节电路。
12.根据权利要求11所述的设备，其中所述驱动器包括逆变器，所述逆变器被耦合在所述第六晶体管与所述第五晶体管之间。
13.根据权利要求12所述的设备，其中所述驱动器包括逻辑电路，所述逻辑电路被耦合至所述逆变器和所述电压调节电路。
14.根据权利要求13所述的设备，其中第六晶体管与所述第一电阻器并联耦合。
15.根据权利要求14所述的设备，其中所述第六晶体管的栅极被耦合至所述逆变器的输入，并且所述逆变器的输出被耦合至所述第五晶体管的栅极。
16.根据权利要求15所述的设备，其中所述第一功率晶体管的栅极被耦合至所述第二晶体管与所述第三晶体管之间的节点。
17.根据权利要求16所述的设备，其中所述第四晶体管的栅极被耦合至所述第一电阻器。