1.一种电路，其包括：
第一晶体管，其具有控制端子、第一电流端子和第二电流端子，所述第一晶体管的所述控制端子是所述电路的第一输入端；
第二晶体管，其具有控制端子、第一电流端子和第二电流端子，所述第二晶体管的所述控制端子是所述电路的第二输入端，所述第一输入端和所述第二输入端是所述电路的差分输入端；
自适应偏置电流源电路，其耦合到所述第一晶体管的所述第二电流端子；
自适应电阻电路，其耦合在所述第二晶体管的所述第二电流端子和所述自适应偏置电流源电路之间，所述自适应电阻电路包括第三晶体管，所述第三晶体管具有控制端子、第一电流端子和第二电流端子，所述第三晶体管的所述控制端子耦合到所述第二晶体管的所述控制端子，并且所述第三晶体管的所述第一电流端子耦合到所述第二晶体管的所述第二电流端子。
2.根据权利要求1所述的电路，其中所述自适应电阻电路包括耦合到所述第三晶体管的所述第一电流端子和所述第二电流端子的电阻器。
3.根据权利要求2所述的电路，其进一步包括：
第四晶体管，其具有第一电流端子和第二电流端子，所述第四晶体管的所述第二电流端子耦合到所述第一晶体管的所述第一电流端子；以及
第二电流源，其耦合所述第四晶体管的所述第一电流端子和所述第二电流端子。
4.根据权利要求1所述的电路，其中所述自适应电阻电路包括电阻器和第三晶体管，所述电阻器与所述第三晶体管并联耦合。
5.根据权利要求1所述的电路，其中所述自适应电阻电路的电阻与所述自适应偏置电流源的偏置电流成反比。
6.根据权利要求1所述的电路，其中当来自所述自适应偏置电流源的偏置电流正在流动时，所述自适应电阻电路导致多于一半的所述偏置电流流过所述第一晶体管并且少于一半的所述偏置电流流过所述第二晶体管和所述自适应电阻电路。
7.根据权利要求6所述的电路，其进一步包括耦合到所述第一晶体管的所述第一电流端子的第二电流源，其中通过所述第一晶体管的电流的大小至少是来自所述第二电流源的电流的大小。
8.根据权利要求1所述的电路，其中所述电路为运算放大器的至少一部分，并且所述运算放大器为电压调节器的部件。
9.一种电路，其包括：
第一晶体管，其具有控制端子、第一电流端子和第二电流端子；
第二晶体管，其具有控制端子、第一电流端子和第二电流端子，所述第一晶体管的控制端子和所述第二晶体管的控制端子耦合；
第一电流镜，其耦合到所述第二晶体管的所述第二电流端子；以及
放大器，其具有第一输入端、第二输入端和输出端，所述输出端耦合到所述第一晶体管的所述控制端子和所述第二晶体管的所述控制端子，所述放大器包括形成晶体管的差分输入对的第二晶体管和第三晶体管，所述晶体管的差分输入对一起耦合在公共节点，所述公共节点耦合到所述第一电流镜，并且所述放大器包括耦合在所述晶体管的差分输入对的所述第三晶体管和所述公共节点之间的自适应电阻电路，所述自适应电阻电路包括耦合到第四晶体管的电阻器，所述放大器进一步包括第二电流镜，所述第二电流镜包括第五晶体管和第六晶体管，所述第五晶体管耦合到所述第二晶体管，并且所述第六晶体管耦合到所述第三晶体管，并且所述放大器进一步包括与所述第五晶体管并联耦合的固定电流源。
10.根据权利要求9所述的电路，其中所述第四晶体管包括控制输入端、第一电流端子和第二电流端子，并且所述电阻器的第一端子耦合到所述第四晶体管的所述第一端子并且所述电阻器的第二端子耦合到所述第四晶体管的所述第二电流端子。
11.根据权利要求9所述的电路，其中所述自适应电阻电路的电阻与通过所述第二晶体管的电流成反比。
12.一种电路，其包括：
第一晶体管，其具有控制端子、第一电流端子和第二电流端子，所述第一晶体管的所述控制端子是所述电路的第一输入端；
第二晶体管，其具有控制端子、第一电流端子和第二电流端子，所述第二晶体管的所述控制端子是所述电路的第二输入端，所述第一输入端和所述第二输入端是所述电路的差分输入端；
电流镜，其包括第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管耦合到所述第一晶体管，并且所述第四晶体管耦合到所述第二晶体管；
电流源，其与所述第三晶体管并联耦合；
电阻电路，其耦合在所述第二晶体管的所述第二电流端子和所述第一晶体管的所述第二电流端子之间，其中所述电阻电路被配置为迫使多于一半的偏置电流通过所述第一晶体管并且小于一半的所述偏置电流通过所述第二晶体管。
13.根据权利要求12所述的电路，其中所述电阻电路包括电阻器和第五晶体管，所述电阻器与所述第五晶体管并联耦合。
14.根据权利要求13所述的电路，其中所述第五晶体管包括控制输入端、第一电流端子和第二电流端子，所述第二晶体管的所述控制输入端和所述第五晶体管的所述控制输入端耦合在一起，并且所述第五晶体管的所述第一电流端子耦合到所述第二晶体管的所述第二电流端子，并且所述电阻器耦合到所述第五晶体管的所述第一电流端子和所述第二电流端子。
15.根据权利要求13所述的电路，其中当导通时，所述第五晶体管在线性操作区域中操作。
16.根据权利要求12所述的电路，其中所述电阻电路的电阻与所述偏置电流的流过所述第二晶体管的部分偏置电流成反比。