1.一种功率放大电路，包含：
多个功率放大器，被进行多级连接，将高频输入信号进行放大并输出放大后的高频输出信号；
多个偏置电路，对所述多个功率放大器分别输出偏置电流；以及
偏置控制电路，基于作为所述多个偏置电路中的一个偏置电路内的部位的电位并根据所述高频输出信号的功率而变化的第2参照电位，将用于使比所述一个偏置电路靠前级的一个或多个偏置电路所输出的偏置电流增加的偏置控制电流输出到比所述一个偏置电路靠前级的一个或多个偏置电路，
所述一个偏置电路包含第4晶体管，所述一个偏置电路所输出的偏置电流从所述第4晶体管的发射极输出，所述第2参照电位是所述第4晶体管的基极电位或发射极电位。
2.根据权利要求1所述的功率放大电路，其中，
所述偏置控制电路包含：
第1电路，输出基于所述第2参照电位的控制电流；
第2电路，输出基于所述控制电流的控制电位；以及
第3电路，输出基于所述控制电位的所述偏置控制电流。
3.根据权利要求2所述的功率放大电路，其中，
所述第1电路包含：
第1晶体管，在集电极被输入第1电源电位，在基极被输入所述第2参照电位；
第2晶体管，集电极以及基极与所述第1晶体管的发射极电连接，发射极与第1参照电位电连接；以及
第3晶体管，基极与所述第2晶体管的基极电连接，发射极与第1参照电位电连接，集电极与所述第2电路电连接，输出所述控制电流。
4.根据权利要求2所述的功率放大电路，其中，
所述第1电路包含：
第3晶体管，在基极被输入所述第2参照电位，发射极与第1参照电位电连接，集电极与所述第2电路电连接，输出所述控制电流。
5.根据权利要求4所述的功率放大电路，其中，
所述一个偏置电路包含：
所述第4晶体管，在集电极被输入第1电源电位，在基极被输入恒流，从发射极输出偏置电流；
第5晶体管，集电极以及基极与所述第4晶体管的基极电连接；以及
第6晶体管，集电极以及基极与所述第5晶体管的发射极电连接，发射极与第1参照电位电连接，
所述第3晶体管的基极与所述第6晶体管的集电极以及基极电连接。
6.根据权利要求4所述的功率放大电路，其中，
所述一个偏置电路包含：
所述第4晶体管，在集电极被输入第1电源电位，在基极被输入恒流，从发射极输出偏置电流；
第5晶体管，集电极以及基极与所述第4晶体管的基极电连接；以及
第6晶体管，集电极以及基极与所述第5晶体管的发射极电连接，发射极与第1参照电位电连接，
所述第3晶体管的基极与所述第4晶体管的发射极电连接。
7.根据权利要求2至6中的任一项所述的功率放大电路，其中，
所述偏置控制电路还包含：
第4电路，电连接在所述第1电路与第1参照电位之间，产生与所述控制电流相应的电位下降。
8.根据权利要求2至6中的任一项所述的功率放大电路，其中，
所述偏置控制电路还包含：
第5电路，电连接在所述第1电路与所述第2电路之间，产生与所述控制电流相应的电位下降。
9.根据权利要求2至6中的任一项所述的功率放大电路，其中，
所述第2电路包含：
第1电阻，在一端被输入第2电源电位；
第2电阻，一端与所述第1电阻的另一端电连接；
第3电阻，一端与所述第2电阻的另一端电连接；以及
第7晶体管，集电极与所述第1电阻的另一端以及所述第2电阻的一端电连接，基极与所述第2电阻的另一端以及所述第3电阻的一端电连接，发射极与所述第3电阻的另一端电连接。
10.根据权利要求2至6中的任一项所述的功率放大电路，其中，
比所述一个偏置电路靠前级的一个或多个偏置电路包含：
第8晶体管，在集电极被输入第1电源电位，在基极被输入恒流，从发射极输出偏置电流；
第9晶体管，集电极以及基极与所述第8晶体管的基极电连接；以及
第10晶体管，集电极以及基极与所述第9晶体管的发射极电连接，发射极与第1参照电位电连接，
所述第3电路的输出端子与所述第8晶体管的基极、和所述第9晶体管的集电极以及基极电连接。
11.根据权利要求2至6中的任一项所述的功率放大电路，其中，
比所述一个偏置电路靠前级的一个偏置电路包含：
第8晶体管，在集电极被输入第1电源电位，在基极被输入恒流，从发射极输出偏置电流；
第9晶体管，集电极以及基极与所述第8晶体管的基极电连接；以及
第10晶体管，集电极以及基极与所述第9晶体管的发射极电连接，发射极与第1参照电位电连接，
所述第3电路的输出端子与所述第10晶体管的集电极以及基极电连接。
12.根据权利要求2至6中的任一项所述的功率放大电路，其中，
比所述一个偏置电路靠前级的一个偏置电路包含：
第8晶体管，在集电极被输入第1电源电位，在基极被输入恒流，从发射极输出偏置电流；
第9晶体管，集电极以及基极与所述第8晶体管的基极电连接；以及
第10晶体管，集电极以及基极与所述第9晶体管的发射极电连接，发射极与第1参照电位电连接，
所述第3电路的输出端子与所述第8晶体管的发射极电连接。
13.根据权利要求2至6中的任一项所述的功率放大电路，其中，
比所述一个偏置电路靠前级的一个偏置电路包含：
第8晶体管，在集电极被输入第1电源电位，在基极被输入恒流，从发射极输出偏置电流；
第9晶体管，集电极以及基极与所述第8晶体管的基极电连接；以及
第10晶体管，集电极以及基极与所述第9晶体管的发射极电连接，发射极与第1参照电位电连接，
比所述一个偏置电路靠前级的另一个偏置电路包含：
第11晶体管，在集电极被输入所述第1电源电位，在基极被输入恒流，从发射极输出偏置电流；
第12晶体管，集电极以及基极与所述第11晶体管的基极电连接；以及
第13晶体管，集电极以及基极与所述第12晶体管的发射极电连接，发射极与第1参照电位电连接，
所述第3电路的输出端子与所述第8晶体管的基极以及所述第11晶体管的基极电连接。
14.根据权利要求13所述的功率放大电路，其中，
所述第3电路包含：
第14晶体管，在集电极被输入第2电源电位，在基极被输入所述控制电位；以及第15晶体管，在集电极被输入所述第2电源电位，在基极被输入所述控制电位，所述第14晶体管的发射极与所述第8晶体管的基极电连接，
所述第15晶体管的发射极与所述第11晶体管的基极电连接。
15.根据权利要求2至6中的任一项所述的功率放大电路，其中，
比所述一个偏置电路靠前两级的偏置电路包含：
第11晶体管，在集电极被输入第1电源电位，在基极被输入恒流，从发射极输出偏置电流；
第12晶体管，集电极以及基极与所述第11晶体管的基极电连接；以及
第13晶体管，集电极以及基极与所述第12晶体管的发射极电连接，发射极与第1参照电位电连接，
所述第3电路的输出端子与所述第11晶体管的基极电连接。
16.一种偏置控制电路，对功率放大电路的偏置电流进行控制，所述功率放大电路包含：多个功率放大器，被进行多级连接，将高频输入信号进行放大并输出放大后的高频输出信号；以及多个偏置电路，对所述多个功率放大器分别输出偏置电流，其中，所述偏置控制电路基于作为所述多个偏置电路中的一个偏置电路内的部位的电位并根据所述高频输出信号的功率而变化的第2参照电位，将用于使比所述一个偏置电路靠前级的一个或多个偏置电路所输出的偏置电流增加的偏置控制电流输出到比所述一个偏置电路靠前级的一个或多个偏置电路，
所述一个偏置电路包含第4晶体管，所述一个偏置电路所输出的偏置电流从所述第4晶体管的发射极输出，所述第2参照电位是所述第4晶体管的基极电位或发射极电位。