1.一种具有高增益的射频低噪声放大器设计，其特征在于：通过差分三级级联实现高 的输出功率满足接收机的正常工作，同时在每一级的低噪声放大器的单元设计上采用增加 额外的增益级获得噪声系数和增益的折中；主要分为以下几个实现步骤：（1）设计合适的LNA的单元模块架构：为了在增加增益的基础上保证LNA的噪声系数不被严重影响，在单元模块设计中，加入附加的增益支路，减小对噪声的影响；（2）选择单元模块的形式：单元模块采用差分结构，从而减小对地的不平衡性；（3）选择合适的级数：为了实现一定的增益需求，满足接收机的正常工作，整个LNA采用三级进行级联；
LNA每一级单元模块对应的电路图采用差分的结构来进行实现，整个电路关于虚线AB对称，TL代表传输线，其中，C1、C8分别为两路输入的隔直电容，R1、R4、C2、C9、TL1、TL9构成了为MOS管M1、M4的偏置网络，Vbias1分别给M1、M4提供偏置电压，R2、R5、C3、C10构成了为MOS管M3、M6的偏置网络，Vbias2分别给M3、M6提供偏置电压，其中，TL4、TL12、C4、C11作为M3、M6的输出匹配网络，其中C4、C11同时作为MOS 管M2、M5的输入匹配网络的一部分，R3、R6、C5、C12、TL5、TL13构成了MOS管M2、M5的偏 置网络，Vbias3分别给M2、M5提供偏置电压，TL6、TL14、TL7、TL15、TL8、TL16和C7、C14 构成了MOS管M2、M5的输出匹配网络，Vdd为整个电路的工作电压，TL2、TL10和MOS管的M3 、M6构成了电流复用的技术，提高了整个电路的输出增益，TL3、TL11连接在M2、M5的源极可以调整MOS管M2、M5的输入阻抗，实现更好的匹配，C17、C18为M2、M5的交流接地电容，在整个电路中，MOS管M1、M4的漏极电流为两个支路M2、M5和M3、M6的漏极电流之和，通过调节两个支路的漏极的电流大小在增益和噪声之间寻求折中；
射频输入至电容C1，电容C1的输出端连接晶体管M1的输入端，且电容C1的输出端通过传输线TL1连接到电阻R1，两者中间并联电容C2到地，电阻R1的输出端连接至偏置电压Vbias1，为晶体管M1提供偏置电压，晶体管M1的源极接地，漏极作为输出端，分别通过传输线TL2、TL3连接到晶体管M3的源极、晶体管M2的源极，传输线TL3与晶体管M2的源极之前并联了一个接地电容C17，晶体管M3的栅极连接至电阻R2，其中电阻R2与晶体管M3栅极中间并联接地电容C3，电阻R2的输出端连接到偏置电压Vbias2，为晶体管M3提供偏置，晶体管M3的漏极一方面通过TL4连接到电源Vdd，且中间并联一个接地电容C6；另一方面通过电容C4连接到晶体管M2的栅极，提供输入信号，晶体管M2的栅极还通过传输线TL5连接到电阻R3，且中间并联一个接地电容C5，最终电阻R3输出端连接至偏置电压Vbias3，为晶体管M2提供偏置，晶体管M2的漏极一部分通过传输线TL6和传输线TL8连接到电源Vdd，同时通过传输线TL6、传输线TL7、电容C7连接到射频输出端RF_OUT；
射频输入至电容C8，电容C8的输出端连接晶体管M4的输入端，且电容C8的输出端通过传输线TL9连接到电阻R4，两者中间并联电容C9到地，电阻R4的输出端连接至偏置电压Vbias1，为晶体管M4提供偏置电压，晶体管M4的源极接地，漏极作为输出端，分别通过传输线TL10、TL11连接到晶体管M6的源极、晶体管M5的源极，传输线TL11与晶体管M5的源极之前并联了一个接地电容C18，晶体管M6的栅极连接至电阻R5，其中电阻R5与晶体管M6栅极中间并联接地电容C10，电阻R5的输出端连接到偏置电压Vbias2，为晶体管M6提供偏置，晶体管M6的漏极一方面通过TL12连接到电源Vdd，且中间并联一个接地电容C13；另一方面通过电容C11连接到晶体管M5的栅极，提供输入信号，晶体管M5的栅极还通过传输线TL13连接到电阻R6，且中间并联一个接地电容C12，最终电阻R6输出端连接至偏置电压Vbias3，为晶体管M5提供偏置，晶体管M5的漏极一部分通过传输线TL14和传输线TL16连接到电源Vdd，同时通过传输线TL14、传输线TL15、电容C14连接到射频输出端RF_OUT。