1.一种定点修饰二维材料纳米孔的方法，其特征在于，所述方法包括：
获取具有纳米孔的二维材料；
采用第一电性物质对所述纳米孔进行预锚定；
采用第二电性物质借助于所述第一电性物质到达二维材料对应于所述纳米孔的区域，并且
以与对应于所述纳米孔的区域的二维材料进行化学反应的方式对预锚定的所述纳米孔进行化学修饰。
2.根据权利要求1所述的定点修饰二维材料纳米孔的方法，其特征在于，所述的采用第一电性物质对所述纳米孔进行预锚定包括：
采用四甲基铵基笼形聚倍半硅氧烷对所述纳米孔进行预锚定。
3.根据权利要求2所述的定点修饰二维材料纳米孔的方法，其特征在于，所述的采用四甲基铵基笼形聚倍半硅氧烷对所述纳米孔进行预锚定包括：
将二维材料浸泡在配置的四甲基铵基笼形聚倍半硅氧烷溶液中1‑12h；
其中，四甲基铵基笼形聚倍半硅氧烷溶液的浓度为8.7‑35mM。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的定点修饰二维材料纳米孔的方法，其特征在于，在“采用第二电性物质借助于所述第一电性物质到达二维材料对应于所述纳米孔的区域，并且以与对应于所述纳米孔的区域的二维材料进行化学反应的方式对预锚定的所述纳米孔进行化学修饰”的步骤中，所述第二电性物质为带负电荷官能团的四氟硼酸重氮盐。
5.根据权利要求4所述的定点修饰二维材料纳米孔的方法，其特征在于，所述带负电荷官能团的四氟硼酸重氮盐为4‑羧基苯重氮四氟硼酸盐。
6.根据权利要求5所述的定点修饰二维材料纳米孔的方法，其特征在于，所述的“采用第二电性物质借助于所述第一电性物质到达二维材料对应于所述纳米孔的区域，并且以与对应于所述纳米孔的区域的二维材料进行化学反应的方式对预锚定的所述纳米孔进行化学修饰”包括：
将二维材料浸泡在配置的十二烷基磺酸钠与4‑羧基苯重氮四氟硼酸盐的混合水溶液中，在40‑45℃的温度条件下反应1‑8h；
其中，所述混合水溶液中，十二烷基磺酸钠的浓度为7‑14mM，4‑羧基苯重氮四氟硼酸盐的浓度为1‑10mM。
7.根据权利要求1所述的定点修饰二维材料纳米孔的方法，其特征在于，在获取具有纳米孔的二维材料的步骤中，所述纳米孔的形成方式为：
使等离子体对所述二维材料进行造孔；
采用电化学反应刻蚀的方式对二维材料对应于造孔的位置进行扩孔，从而形成所述纳米孔。
8.根据权利要求7所述的定点修饰二维材料纳米孔的方法，其特征在于，所述的“使等离子体对所述二维材料进行造孔”包括：
所述等离子体的功率为20‑40W、气压为150‑160pa，对二维材料进行造孔。
9.根据权利要求7所述的定点修饰二维材料纳米孔的方法，其特征在于，所述的“采用电化学反应刻蚀的方式对二维材料对应于造孔的位置进行扩孔，从而形成所述纳米孔”包括：
将所述二维材料置于浓度为0.001‑1M的KCl溶液中，在1.5‑7V的电压条件下对二维材料对应于造孔的位置进行电化学反应刻蚀，从而在所述二维材料上形成所述纳米孔。
10.根据权利要求1所述的定点修饰二维材料纳米孔的方法，其特征在于，在获取具有纳米孔的二维材料的步骤中，所述二维材料纳米孔为包含目标基底的二维材料，其中，所述包含目标基底的二维材料的制备方式包括：
在二维材料表面旋涂聚合物，形成支撑层；
第一次刻蚀：使用氧气等离子体刻蚀所述生长基底未涂覆聚合物的背面的二维材料；
第二次刻蚀：将第一次刻蚀之后的、生长了二维材料的生长基底放入过硫酸钠溶液中刻蚀，以除掉所述生长基底背面剩余的二维材料；
第三次刻蚀：清洗第二次刻蚀之后的产物并进行干燥，干燥后进一步进行刻蚀，直至所述生长基底消失；
润洗第三次刻蚀的产物之后，使用目标基底将包含支撑层的二维材料从润洗液中捞出，在空气中放置干燥；
将附着于所述第二基底上的、包含支撑层的二维材料从放置在热板上加热，以使二维材料与所述第二基底贴合；
除去所述二维材料表面的支撑层，在所述第二基底上得到二维材料。