一种控制方法、装置及其电子设备

申请号 CN202410206380.8 申请日 2024-02-26 公开(公告)号 CN118017847A 公开(公告)日 2024-05-10
申请人 深圳慧能泰半导体科技有限公司; 发明人 刘翔; 谢仁践;
摘要 本 发明 实施方式公开了一种控制方法、装置及其 电子 设备。包括:根据励磁 电流 正向峰值、励磁电流负向峰值和预设的参考电流,计算得到第一延迟时间;判断 开关 周期是否大于预设的设定周期,开关周期为第一延迟时间和间隔时间之和;若是,则在延迟第一延迟时间,并控制主开关管直接导通;若否,则通过平均电流调制,以在带谷底检测不连续导通模式的运行周期中插入若干个第二模式周期,以使不对称半桥变换器在第二模式周期中运行在临界导通模式。本发明实施方式通过在开关周期大于设定周期时,直接导通主开关管,或在开关周期不大于设定周期时,通过调制的方式插入临界导通模式,能够减少输出电流稳态误差,平滑输出电流 波动 以及减小 输出 电压 波动。
权利要求

1.一种控制方法,应用于处于带谷底检测不连续导通模式的不对称半桥变换器,所述不对称半桥变换器包括主开关管,其特征在于,包括:
根据励磁电流正向峰值、励磁电流负向峰值和预设的参考电流,计算得到第一延迟时间;
判断开关周期是否大于预设的设定周期,所述开关周期为所述第一延迟时间和间隔时间之和;
若是,则在延迟所述第一延迟时间,并控制所述主开关管直接导通;
若否,则通过平均电流调制,以在所述带谷底检测不连续导通模式的运行周期中插入若干个第二模式周期,以使所述不对称半桥变换器在所述第二模式周期中运行在临界导通模式。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述带谷底检测不连续导通模式的运行周期中插入若干个第二模式周期后,还包括:
若所述不对称半桥变换器运行在所述临界导通模式,则在检测到第一个零电流检测信号时,延迟预设的第二延迟时间,并控制所述主开关管直接导通;
若所述不对称半桥变换器运行在所述带谷底检测不连续导通模式,则在延迟达到所述第一延迟时间后,检测到第一个零电流检测信号再延迟所述第二延迟时间时,控制所述主开关管谷底导通。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据励磁电流正向峰值、励磁电流负向峰值和预设的参考电流,计算得到第一延迟时间,包括:
检测以获取所述励磁电流正向峰值;
检测以获取所述励磁电流负向峰值;
检测以获取所述不对称半桥变换器的输出电流;
通过预设的第一算法,根据所述输出电流计算得到所述参考电流;
根据所述励磁电流正向峰值、所述励磁电流负向峰值和所述参考电流,计算得到所述第一延迟时间。
4.根据权利要求1所述的方法,所述不对称半桥变换器还包括开关器件,其特征在于,所述通过平均电流调制,以在所述带谷底检测不连续导通模式的运行周期中插入若干个第二模式周期,包括:
根据所述不对称半桥变换器的输出电流和所述参考电流,计算得到误差信号;
通过预设的第二算法,根据所述误差信号计算出第一控制信号
对所述第一控制信号进行调制得到第二控制信号;
输出所述第二控制信号控制所述开关器件,以在所述带谷底检测不连续导通模式的运行周期中插入若干个第二模式周期。
5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述第二延迟时间为所述不对称半桥变换器的1/4谐振周期。
6.根据权利要求1‑5任一项所述的方法,其特征在于,所述设定周期被预设为在检测到第一次零电流检测信号后,经历所述第一延迟时间过程中的零电流检测信号的发生次数。
7.一种控制装置,应用于处于带谷底检测不连续导通模式的不对称半桥变换器,所述不对称半桥变换器包括主开关管,其特征在于,包括:
延时计算模,用于根据励磁电流正向峰值、励磁电流负向峰值和预设的参考电流,计算得到第一延迟时间;
判断模块,用于判断开关周期是否大于预设的设定周期,所述开关周期为所述第一延迟时间和间隔时间之和;
第一控制模块,用于在所述开关周期大于所述设定周期时,延迟所述第一延迟时间,并控制所述主开关管直接导通;
调制模块,用于在所述开关周期不大于所述设定周期时,通过平均电流调制,以在所述带谷底检测不连续导通模式的运行周期中插入若干个第二模式周期,以使所述不对称半桥变换器在所述第二模式周期中运行在临界导通模式。
8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,还包括:
第二控制模块,用于当所述不对称半桥变换器运行在所述临界导通模式时,在检测到第一个零电流检测信号时,延迟预设的第二延迟时间,并控制所述主开关管直接导通;
第三控制模块,用于当所述不对称半桥变换器运行在所述带谷底检测不连续导通模式时,在延迟达到所述第一延迟时间后,检测到第一个零电流检测信号再延迟所述第二延迟时间时,控制所述主开关管谷底导通。
9.一种电子设备,其特征在于,包括:
至少一个处理器;
至少一个网络接口,所述网络接口与相应的处理器通信连接;以及,
与所述至少一个处理器通信连接的存储器;其中,
所述网络接口用于建立所述处理器与其他外界设备之间的通信连接;
所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令,所述指令被所述至少一个处理器执行,以使所述至少一个处理器能够执行如权利要求1‑6任一项所述的一种控制方法。
10.一种非易失性计算机存储介质,其特征在于,所述计算机存储介质存储有计算机可执行指令,该计算机可执行指令被一个或多个处理器执行,可使得所述一个或多个处理器执行如权利要求1‑6任一项所述的一种控制方法。

说明书全文

一种控制方法、装置及其电子设备

技术领域

[0001] 本发明实施方式涉及电子技术领域,特别是涉及一种控制方法、装置及其电子设备。

背景技术

[0002] 基于简单结构和稳健特性的原因,反激式变换器已成为小功率领域中最广泛使用的直流变换器拓扑之一。其多输出和成本效益设计使得反激式变换器在个人电脑、各类家用电器和办公设备等应用中备受青睐。然而,反激式变换器的主要缺点在于硬开关,通常情况下,功率开关的硬开关操作会导致较高的开关损耗电磁干扰噪声以及开关电压较大的问题。不对称半桥变换器(Asymmetrical Half Bridge converter,AHB)或称混合式反激变换器(Hybrid Flyback Converter),采用半桥结构和谐振电容器实现功率开关的零电压开关(Zero‑Voltage Switching,ZVS)以及宽范围电压输出,目前越来越受欢迎。
[0003] 在不对称半桥变换器的应用中,为了实现原边开关管零电压导通,在额定负载时一般设计工作在临界导通模式(BCM,Boundary Conduction Mode),在此模式下主开关管和从开关管都可以实现零电压开通,因此无开通损耗;但随着负载功率降低,为了维持BCM模式运行则开关频率必然随之升高,最终影响磁性元件设计以及电源的中低负载效率。为了降低中低负载时的开关频率,业界主要采用在负载功率降低时强制由BCM模式切换为不连续导通模式(DCM,Discontinues Conduction Mode),从而在维持相同的输出能量条件下降低等效开关频率。但是强制DCM模式运行将导致下一个开关周期主开关管导通时寄生电容上电压不为零,无法达成零电压导通增加了开通损耗,所以如何在DCM模式下尽可能减小主开关管开通损耗,并同时不引起输出电压波动是一个技术难题。

发明内容

[0004] 本发明实施方式主要解决的技术问题是提供一种控制方法、装置及其电子设备,能够在不增加不对称半桥变换器的主开关管的开通损耗的前提下,减少输出电流稳态误差,平滑输出电流波动以及减小输出电压波动。
[0005] 为解决上述技术问题,本发明实施方式采用的一个技术方案是:提供一种控制方法,应用于处于带谷底检测不连续导通模式的不对称半桥变换器,所述不对称半桥变换器包括主开关管,包括:根据励磁电流正向峰值、励磁电流负向峰值和预设的参考电流,计算得到第一延迟时间;判断开关周期是否大于预设的设定周期,所述开关周期为所述第一延迟时间和间隔时间之和;若是,则在延迟所述第一延迟时间,并控制所述主开关管直接导通;若否,则通过平均电流调制,以在所述带谷底检测不连续导通模式的运行周期中插入若干个第二模式周期,以使所述不对称半桥变换器在所述第二模式周期中运行在临界导通模式。
[0006] 在一些实施例中,在所述带谷底检测不连续导通模式的运行周期中插入若干个第二模式周期后,还包括:若所述不对称半桥变换器运行在所述临界导通模式,则在检测到第一个零电流检测信号时,延迟预设的第二延迟时间,并控制所述主开关管直接导通;若所述不对称半桥变换器运行在所述带谷底检测不连续导通模式,则在延迟达到所述第一延迟时间后,检测到第一个零电流检测信号再延迟所述第二延迟时间时,控制所述主开关管谷底导通。
[0007] 在一些实施例中,所述根据励磁电流正向峰值、励磁电流负向峰值和预设的参考电流,计算得到延迟时间,包括:检测以获取所述励磁电流正向峰值;检测以获取所述励磁电流负向峰值;检测以获取所述不对称半桥变换器的输出电流;通过预设的第一算法,根据所述输出电流计算得到所述参考电流;根据所述励磁电流正向峰值、所述励磁电流负向峰值和所述参考电流,计算得到所述延迟时间。
[0008] 在一些实施例中,所述不对称半桥变换器还包括开关器件,所述通过平均电流调制,以在所述带谷底检测不连续导通模式的运行周期中插入若干个第二模式周期,包括:根据所述不对称半桥变换器的输出电流和所述参考电流,计算得到误差信号;通过预设的第二算法,根据所述误差信号计算出第一控制信号;对所述第一控制信号进行调制得到第二控制信号;输出所述第二控制信号控制所述开关器件,以在所述带谷底检测不连续导通模式的运行周期中插入若干个第二模式周期。
[0009] 在一些实施例中,所述第二延迟时间为所述不对称半桥变换器的1/4谐振周期。
[0010] 在一些实施例中,所述设定周期被预设为在检测到第一次零电流检测信号后,经历所述第一延迟时间过程中的零电流检测信号的发生次数。
[0011] 为解决上述技术问题,本发明实施方式采用的另一个技术方案是:提供一种控制装置,应用于处于带谷底检测不连续导通模式的不对称半桥变换器,所述不对称半桥变换器包括主开关管,包括:延时计算模,用于根据励磁电流正向峰值、励磁电流负向峰值和预设的参考电流,计算得到第一延迟时间;判断模块,用于判断开关周期是否大于预设的设定周期,所述开关周期为所述第一延迟时间和间隔时间之和;第一控制模块,用于在所述开关周期大于所述设定周期时,延迟所述第一延迟时间,并控制所述主开关管直接导通;调制模块,用于在所述开关周期不大于所述设定周期时,通过平均电流调制,以在所述带谷底检测不连续导通模式的运行周期中插入若干个第二模式周期,以使所述不对称半桥变换器在所述第二模式周期中运行在临界导通模式。
[0012] 在一些实施例中,控制装置还包括:第二控制模块,用于当所述不对称半桥变换器运行在所述临界导通模式时,在检测到第一个零电流检测信号时,延迟预设的第二延迟时间,并控制所述主开关管直接导通;第三控制模块,用于当所述不对称半桥变换器运行在所述带谷底检测不连续导通模式时,在延迟达到所述第一延迟时间后,检测到第一个零电流检测信号再延迟所述第二延迟时间时,控制所述主开关管谷底导通。
[0013] 为解决上述技术问题,本发明实施方式采用的另一个技术方案是:提供一种电子设备,其特征在于,包括:至少一个处理器;至少一个网络接口,所述网络接口与相应的处理器通信连接;以及,与所述至少一个处理器通信连接的存储器;其中,所述网络接口用于建立所述处理器与其他外界设备之间的通信连接;所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令,所述指令被所述至少一个处理器执行,以使所述至少一个处理器能够执行如上所述的一种控制方法。
[0014] 为解决上述技术问题,本发明实施方式采用的另一个技术方案是:提供一种非易失性计算机存储介质,其特征在于,所述计算机存储介质存储有计算机可执行指令,该计算机可执行指令被一个或多个处理器执行,可使得所述一个或多个处理器执行如上所述的一种控制方法。
[0015] 本发明实施方式的有益效果是:区别于现有技术的情况,本发明实施方式通过在开关周期大于设定周期时,直接导通不对称半桥变换器的主开关管,或在开关周期不大于设定周期时,通过调制的方式在不对称半桥变换器的不连续导通模式中插入临界导通模式,能够减少输出电流稳态误差,平滑输出电流波动以及减小输出电压波动。附图说明
[0016] 图1是一种不对称半桥变换器的电路图;
[0017] 图2是另一种不对称半桥变换器的电路图;
[0018] 图3是不对称半桥变换器运行在临界导通模式下的波形图;
[0019] 图4是不对称半桥变换器运行在不连续导通模式下的波形图;
[0020] 图5是不对称半桥变换器运行在带谷底检测的不连续导通模式下的波形图;
[0021] 图6是本发明实施方式提供的一种控制方法的流程示意图;
[0022] 图7是本发明实施方式提供的图6所示步骤S100的流程示意图;
[0023] 图8是本发明实施方式提供的图6所示步骤S400的流程示意图;
[0024] 图9是不对称半桥变换器运行在插入临界导通模式的带谷底检测的不连续导通模式下的波形图;
[0025] 图10是本发明实施方式提供的一种控制装置的结构示意图;
[0026] 图11是本发明实施方式提供的一种电子设备的结构示意图。

具体实施方式

[0027] 为了便于理解本申请,下面结合附图和具体实施例,对本申请进行更详细的说明。需要说明的是,当元件被表述“固定于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上、或者其间可以存在一个或多个居中的元件。当一个元件被表述“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件、或者其间可以存在一个或多个居中的元件。本说明书所使用的术语“上”、“下”、“内”、“外”、“底部”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”“第三”等仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0028] 除非另有定义,本说明书所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本说明书中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是用于限制本申请。本说明书所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0029] 此外,下面所描述的本申请不同实施例中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
[0030] 以下将结合附图,对本申请中的技术方案进行描述。
[0031] 典型的不对称半桥变换器的电路图如图1和图2所示,图1和图2所示的不对称半桥变换器的拓扑完全等效。以图1为例,该不对称半桥变换器的原边由主开关管Q1及其寄生的体二极管D1和寄生电容C1、从开关管Q2及其寄生的体二极管D2和寄生电容C2、谐振电容Cr、变压器T1(其励磁电感LM,原副边数比n=Np:Ns)以及谐振电感Lr(一般也可以为变压器T1的漏感)组成,其副边由整流二极管D3(可由同步整流管代替)、输出电容CO以及负载RO组成。
[0032] 在一定负载下,该不对称半桥变换器运行在临界导通模式,其波形图如图3所示,当主开关管Q1导通,原边励磁电流IM达到励磁电流正向峰值IM_POS时主开关管Q1关断,其中tD为主开关管Q1导通时间;从开关管Q2在主开关管Q1关断后经过死区时间tDT1后导通,直至原边励磁电流IM达到预期的励磁电流负向峰值IM_NEG时关断,其导通时间为tDN;在从开关管Q2关断后系统将检测零电流检测(Zero Current Detection,ZCD)信号,当检测到零电流检测信号后等待一个预设的第二延迟时间tDT2后,主开关管Q1导通。在临界导通运行模式下,主开关管Q1的寄生电容C1上的电压在导通前可以得到完整的释放,因此实现零电压开通。同时,在临界导通模式下,输出二极管平均电流ID与原边励磁电流IM的关系为:
[0033]
[0034] 在负载降低时,维持励磁电流正向峰值IM_POS与励磁电流负向峰值IM_NEG不变,强制不对称半桥变换器运行在不连续导通模式下,其主要波形如图4所示。
[0035] 与临界导通模式相比,在从开关管Q2关断后,将等待一个第一延迟时间tDLY再打开主开关管Q1。那么等效输出电流为:
[0036]
[0037] tBCM是指功率器件切换时,为防止干扰和减小开关损耗而设置的一段时间,在这段时间内禁止功率器件进行新的切换动作,在本申请实施方式,称其为间隔时间。间隔时间tBCM的作用有以下几点:确保在功率器件切换过程中,避免因电或电流突变引起的干扰,保护控制器和其他元件的安全性;减小开关过程中的损耗,改善系统的效率和稳定性;通过合理设置tBCM,可以避免开关器件在非理想工作状态下导致的能量损失,提高系统性能。
[0038] 随后开关频率随之降低:
[0039]
[0040] 进一步为了降低主开关管导通损耗,使主开关管Q1的vDS1在谐振谷底导通。那么在不连续导通模式下经过同样第一延迟时间tDLY后,等待谷底检测时间tW检测到下一次的零电流检测信号,并再延迟第二延迟时间tDT2后可在谷底导通主开关管Q1,如图5所示。第二延迟时间tDT2一般设定为1/4谐振周期,取决于主、从开关管寄生电容C1/C2、谐振电容CR、谐振电感LR以及励磁电感LM,主开关管Q1的漏源极电压vDS1即可达到谐振谷底。
[0041] 此时,开关周期等效输出电流为:
[0042]
[0043] 其中,
[0044] tN=tDLY+tW
[0045] 当第一延迟时间tDLY处于第N‑1与N个谷底之间时,检测到第一个零电流检测信号到下一次主开关管导通的时间tN是固定的。那么在给定的负载条件下,该方式的输出二极管平均电流将在ID_eq(N)与ID_req之间容易存在稳态误差,在闭环反馈系统调节作用下最终将导致输出电压存在较大波动。
[0046] 基于上述情况,本发明实施方式提供了一种控制方法,在使不对称半桥变换器强制运行在不连续导通模式条件下时,达到平滑输出二极管平均电流的目的,其流程示意图如图6所示,具体包括如下步骤:
[0047] 步骤S100:根据励磁电流正向峰值、励磁电流负向峰值和预设的参考电流,计算得到第一延迟时间。
[0048] 在本申请的一些实施例中,步骤S100具体包括如下步骤,其流程示意图如图7所示:
[0049] 步骤S110:检测以获取励磁电流正向峰值。
[0050] 不对称半桥变换器的励磁电流正向峰值和励磁电流负向峰值通常由以下几个因素决定:
[0051] 变换器拓扑结构:首先,变换器的拓扑结构和工作原理将影响励磁电流的正向峰值和负向峰值。对于不对称半桥变换器而言,其结构会决定电流流动的路径和方式,从而影响励磁电流的大小。
[0052] 电源电压和负载情况:输入电源的电压大小、频率以及负载的要求都会对励磁电流产生影响。在不对称半桥变换器中,输入电源电压的变化会导致输出电流波形的变化,进而影响励磁电流的正向和负向峰值。
[0053] 开关器件的导通和关断控制:励磁电流的正向和负向峰值还取决于开关器件的导通和关断控制方式。不同的控制策略和技术会影响开关器件的通断时机,从而对励磁电流产生影响。
[0054] 电感和电容参数:电路中使用的电感和电容元件的参数(如电感值、电容值)也会对励磁电流的波形和峰值产生影响。这些元件的数值将直接影响电路的谐振特性和电流波形的形状。
[0055] 因此,在拓扑结构确定的情况下,励磁电流正向峰值和励磁电流负向峰值相应可计算出来;当然也可以通过预先设定励磁电流正向峰值和励磁电流负向峰值相应地设置不对称半桥变换器的拓扑结构。无论上述的哪一种情况,励磁电流正向峰值和励磁电流负向峰值均可检测获得。
[0056] 步骤S120:检测以获取励磁电流负向峰值。
[0057] 步骤S130:检测以获取不对称半桥变换器的输出电流。
[0058] 具体地,通过采样电路,采集获取不对称半桥变换器的输出电流。
[0059] 步骤S140:通过预设的第一算法,根据输出电流计算得到参考电流。
[0060] 需要说明的是,本发明实施方式的参考电流可以是与输出电流相关的任意信号,因此可通过预设第一算法,根据输出电流计算获得参考电流。
[0061] 步骤S150:根据励磁电流正向峰值、励磁电流负向峰值和参考电流,计算得到第一延迟时间。
[0062] 作为示例而非限定,在获得励磁电流正向峰值、励磁电流负向峰值和参考电流后,可选择以下比较条件以计算第一延迟时间:
[0063] 预先设置一个第一延迟时间,判断励磁电流正向峰值是否大于参考电流且励磁电流负向电流是否小于参考电流,若是,则增大第一延迟时间。
[0064] 判断励磁电流负向峰值是否小于参考电流且励磁电流正向峰值是否小于参考电流,若是,则减小第一延迟时间。
[0065] 判断励磁电流正向峰值和励磁电流负向电流是否均大于参考电流或均小于参考电流,则保持第一延迟时间不变。
[0066] 根据以上比较条件,调整第一延迟时间的大小,通常可以根据经验和实际测试来确定第一延迟时间的增减量,以满足系统的要求并提高系统的性能。
[0067] 步骤S200:判断开关周期是否大于预设的设定周期。
[0068] 开关周期为第一延迟时间和间隔时间之和,通过判断开关周期(间隔时间tBCM+第一延迟时间tDLY)是否大于预设的设定周期tSET。若是,则执行步骤S300;若否,则执行步骤S400。
[0069] 在本申请的一些实施例中,设定周期被预设为在检测到第一次零电流检测信号后,经历第一延迟时间过程中的零电流检测信号的发生次数。
[0070] 步骤S300:在延迟第一延迟时间,并控制主开关管直接导通。
[0071] 在延迟第一延迟时间tDLY后,控制主开关管直接导通,由于谷底震荡一定时间后趋于稳定,因此对于主开关管的开通损耗减小的影响较小。
[0072] 步骤S400:通过平均电流调制,以在带谷底检测不连续导通模式的运行周期中插入若干个第二模式周期。
[0073] 通过平均电流调制,以在带谷底检测不连续导通模式的运行周期中插入若干个第二模式周期,以使不对称半桥变换器在第二模式周期中运行在临界导通模式,平滑等效输出电流。
[0074] 在本申请的一些实施例中,步骤S400具体包括如下步骤,其流程示意图如图8所示。
[0075] 步骤S410:根据不对称半桥变换器的输出电流和参考电流,计算得到误差信号。
[0076] 步骤S420:通过预设的第二算法,根据所述误差信号计算出第一控制信号。
[0077] 通过预设的第二算法(如PI控制器),计算出第一控制信号。
[0078] 步骤S430:对第一控制信号进行调制得到第二控制信号。
[0079] 对第一控制信号进行调制(如脉冲宽度调制),得到第二控制信号。
[0080] 步骤S440:输出第二控制信号控制开关器件,以在带谷底检测不连续导通模式的运行周期中插入若干个第二模式周期。
[0081] 步骤S500:在检测到第一个零电流检测信号时,延迟预设的第二延迟时间,并控制主开关管直接导通。
[0082] 步骤S600:在延迟达到第一延迟时间后,检测到第一个零电流检测信号再延迟第二延迟时间时,控制主开关管谷底导通。
[0083] 不对称半桥变换器运行在插入临界导通模式的带谷底检测的不连续导通模式下的波形图如图10所示,
[0084] 可用于平滑输出二极管平均电流,与DCM模式的等效关系如下:
[0085]
[0086] 其中,tBCM_TIME指在一段时间tTOTAL内调制为临界导通模式的运行时间;tVDCM_TIME指在一段时间tTOTAL内调制为带谷底检测的不连续导通模式的运行时间,且
[0087] tTOTAL=tBCM_TIME+tVDCM_TIME
[0088] 区别于现有技术的情况,本发明实施方式通过在开关周期大于设定周期时,直接导通不对称半桥变换器的主开关管,或在开关周期不大于设定周期时,通过调制的方式在不对称半桥变换器的不连续导通模式中插入临界导通模式,能够减少输出电流稳态误差,平滑输出电流波动以及减小输出电压波动。
[0089] 基于上述实施方式所提供的控制方法,本发明实施方式还提供了一种控制装置,其结构示意图如图10所示,该控制装置10包括延时计算模块100、判断模块200、第一控制模块300、调制模块400、第二控制模块500和第三控制模块600。
[0090] 其中,延时计算模块100用于根据励磁电流正向峰值、励磁电流负向峰值和预设的参考电流,计算得到第一延迟时间;判断模块200用于判断开关周期是否大于预设的设定周期,开关周期为第一延迟时间和间隔时间之和;第一控制模块300用于在开关周期大于设定周期时,延迟第一延迟时间,并控制主开关管直接导通;调制模块400用于在开关周期不大于设定周期时,通过平均电流调制,以在带谷底检测不连续导通模式的运行周期中插入若干个第二模式周期,以使不对称半桥变换器在第二模式周期中运行在临界导通模式;第二控制模块500用于当不对称半桥变换器运行在临界导通模式时,在检测到第一个零电流检测信号时,延迟预设的第二延迟时间,并控制主开关管直接导通;第三控制模块600用于当不对称半桥变换器运行在带谷底检测不连续导通模式时,在延迟达到第一延迟时间后,检测到第一个零电流检测信号再延迟第二延迟时间时,控制主开关管谷底导通。
[0091] 本发明实施方式还基于上述的控制方法提供了一种电子设备,其结构示意图如图11所示,该电子设备700包括:
[0092] 一个或多个处理器701、网络接口702以及存储器703,图11中以一个处理器701、一个网络接口702以及一个存储器703为例。
[0093] 网络接口702和相应的处理器701通信连接,处理器701和存储器702可以通过总线或者其他方式连接,图11中以通过总线连接为例。
[0094] 网络接口702用于建立处理器701与其他外界设备之间的通信连接,包括如下类型:RJ‑45接口、SC光纤接口、AUI接口、FDDI接口和Console接口等接口类型。
[0095] 存储器703作为一种非易失性计算机可读存储介质,可用于存储非易失性软件程序、非易失性计算机可执行程序以及模块。处理器701通过运行存储在存储器703中的非易失性软件程序、指令以及单元,从而执行电子设备的各种功能应用以及数据处理,即实现上述方法实施例的控制方法。
[0096] 存储器103可以包括存储程序区和存储数据区,其中,存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需要的应用程序;存储数据区可存储根据电子设备使用所创建的数据等。此外,存储器703可以包括高速随机存取存储器,还可以包括非易失性存储器,例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非易失性固态存储器件。在一些实施例中,存储器703可选包括相对于处理器701远程设置的存储器,这些远程存储器可以通过网络连接至电子设备。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。
[0097] 所述一个或者多个单元存储在存储器703中,当被一个或者多个处理器701执行时,执行上述任意方法实施例中的控制方法,例如,执行以上描述的图6中的方法步骤S100至步骤S600。
[0098] 上述电子设备可执行本发明实施例所提供的控制方法,具备执行方法相应的程序模块和有益效果。未在电子设备实施例中详尽描述的技术细节,可参见本发明实施例所提供的控制方法。
[0099] 本发明实施例还提供了一种非易失性计算机可读存储介质,该非易失性计算机可读存储介质可以是上述实施例中描述的设备中所包含的;也可以是单独存在,而未装配入该设备中。上述非易失性计算机可读存储介质承载有一个或者多个程序,当上述一个或者多个程序被执行时,实现本公开实施例的控制方法。
[0100] 最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本申请的技术方案,而非对其限制;在本申请的思路下,以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合,步骤可以以任意顺序实现,并存在如上的本申请的不同方面的许多其它变化,为了简明,它们没有在细节中提供;尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。
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