一种贴片式整流桥 |
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| 申请号 | CN202410156241.9 | 申请日 | 2024-02-04 | 公开(公告)号 | CN117954415A | 公开(公告)日 | 2024-04-30 |
| 申请人 | 山东晶导微电子股份有限公司; | 发明人 | 孔凡伟; 段花山; 张皓劼; | ||||
| 摘要 | 本 发明 涉及一种贴片式 整流桥 ，属于整流桥领域，包括整流桥塑封体、封装于整流桥塑封体内的两颗双胞胎 二极管 芯片及用于安放双胞胎二极管芯片的金属 框架 ，所述双胞胎二极管芯片包括一P型衬底双胞胎二极管芯片和一N型衬底双胞胎二极管芯片，所述P型衬底双胞胎二极管芯片和N型衬底双胞胎二极管芯片呈倒装式结构连接在金属框架上形成整流桥 电路 ，金属框架延伸至整流桥塑封体外部形成交流输入端和两直流输出端；本发明通过P型衬底双胞胎二极管芯片与N型衬底双胞胎二极管芯片共用，并结合二者的倒装结构连接于整流桥塑封体内，能够实现塑封体内较少的打线结构即完成整流桥的封装，降低注塑时的冲丝 风 险，同时封装的结构更加简单，有利于提高生产效率、降低生产成本。 | ||||||
| 权利要求 | 1.一种贴片式整流桥，其特征在于，包括整流桥塑封体、封装于整流桥塑封体内的两颗双胞胎二极管芯片及用于安放双胞胎二极管芯片的金属框架，所述双胞胎二极管芯片包括一P型衬底双胞胎二极管芯片和一N型衬底双胞胎二极管芯片，两颗双胞胎二极管芯片分别通过其两独立顶面与两金属框架相连接形成整流桥电路，金属框架延伸至整流桥塑封体外部形成交流输入端和两直流输出端。 |
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| 说明书全文 | 一种贴片式整流桥技术领域[0001] 本发明涉及整流桥技术领域，具体涉及一种贴片式整流桥。 背景技术[0003] 市面上常见的贴片整流桥，多为直脚或海鸥脚贴片整流桥，其制作工艺多为两片式框架工艺、Clip工艺和打线工艺，为满足产品小型化的要求，打线工艺产品占比逐步提高，而目前市面上常见的打线整流桥产品多为4条打线，如专利号ZL202320658043.3所公开的一种双基岛整流桥结构。 [0004] 诸如此类现有技术，打线整流桥在生产注塑时会出现冲丝现象，而打线数量越多，冲丝后线材搭桥或者距离较近的风险就越大。另外，随着市场竞争越来越激烈，如何快速高效的提高生产效率，降低产品成本，都是亟需解决的问题。 发明内容[0005] 本发明所要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供一种能够减少塑封体内打线的贴片式整流桥。 [0006] 本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种贴片式整流桥，其特征在于，包括整流桥塑封体、封装于整流桥塑封体内的两颗双胞胎二极管芯片及用于安放双胞胎二极管芯片的金属框架，所述双胞胎二极管芯片包括一P型衬底双胞胎二极管芯片和一N型衬底双胞胎二极管芯片，所述P型衬底双胞胎二极管芯片和N型衬底双胞胎二极管芯片呈倒装式结构连接在金属框架上形成整流桥电路，金属框架延伸至整流桥塑封体外部形成交流输入端和两直流输出端。 [0007] 进一步的，所述双胞胎二极管芯片解释为两颗二极管芯片共用同一衬底面但二者顶面相互独立，形成一颗双胞胎二极管芯片，其具有一衬底面和两独立顶面；所述P型衬底双胞胎二极管芯片即为该双胞胎二极管芯片的衬底面为P极，两独立顶面为N极；所述N型衬底双胞胎二极管芯片即为该双胞胎二极管芯片的衬底面为N极，两独立顶面为P极。 [0008] 进一步的，所述P型衬底双胞胎二极管芯片和N型衬底双胞胎二极管芯片分别倒装于金属框架上；具体为，所述P型衬底双胞胎二极管芯片通过其两独立顶面(即N极)分别连接在两个金属框架上，所述N型衬底双胞胎二极管芯片通过其两独立顶面(即P极)分别连接在该两个金属框架上，即两颗双胞胎二极管芯片呈倒装式结构连接，所述两个金属框架延伸至整流桥塑封体外部形成交流输入端。 [0009] 进一步的，所述P型衬底双胞胎二极管芯片的衬底面连接至直流输出端。 [0010] 更进一步的，所述P型衬底双胞胎二极管芯片的衬底面直接连接或通过金属焊线/金属片连接至直流输出端。 [0011] 进一步的，所述N型衬底双胞胎二极管芯片的衬底面连接至直流输出端。 [0012] 更进一步的，所述N型衬底双胞胎二极管芯片的衬底面直接连接或通过金属焊线/金属片连接至直流输出端。 [0013] 本发明的有益效果是：本发明通过P型衬底双胞胎二极管芯片与N型衬底双胞胎二极管芯片共用，并结合二者的倒装结构连接于整流桥塑封体内，能够实现塑封体内较少的打线结构即完成整流桥的封装，降低注塑时的冲丝风险，同时封装的结构更加简单，有利于提高生产效率、降低生产成本。附图说明 [0014] 图1是本发明实施例1的结构示意图； [0015] 图2是本发明实施例2的结构示意图； [0016] 图3是本发明实施例3的结构示意图； [0017] 图4是本发明实施例3中不同金属框架的结构示意图； [0018] 图5是本发明双胞胎二极管芯片的结构示意图； [0019] 图中：1.整流桥塑封体，2.P型衬底双胞胎二极管芯片，3.N型衬底双胞胎二极管芯片，4.金属框架A，5.金属框架B，6.金属框架C，7.金属框架D，8.交流输入端，9.正极输出端，10.负极输出端，11.金属线，12.金属片,13.芯片焊接位。 具体实施方式[0020] 下面结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实施例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。 [0021] 实施例1 [0022] 如图1所示，本实施例提供一种贴片式整流桥，包括整流桥塑封体1、封装于整流桥塑封体1内的两颗双胞胎二极管芯片及用于安放双胞胎二极管芯片的金属框架，所述双胞胎二极管芯片包括一P型衬底双胞胎二极管芯片2和一N型衬底双胞胎二极管芯片3，所述P型衬底双胞胎二极管芯片2和N型衬底双胞胎二极管芯片3呈倒装式结构连接在金属框架上形成整流桥电路，金属框架延伸至整流桥塑封体外部形成交流输入端和两直流输出端。 [0023] 本实施例所述的双胞胎二极管芯片为两颗二极管芯片共用同一衬底面但二者顶面相互独立，形成一颗双胞胎二极管芯片，如图5所示，其具有一衬底面和两独立顶面；所述P型衬底双胞胎二极管芯片即为该双胞胎二极管芯片的衬底面为P极，两独立顶面为N极；所述N型衬底双胞胎二极管芯片即为该双胞胎二极管芯片的衬底面为N极，两独立顶面为P极。 [0024] 具体的，本实施例包括铜材质的金属框架A4、金属框架B5、金属框架C6、金属框架D7，均为铜材质框架，P型衬底双胞胎二极管芯片2通过其两独立顶面(即N极)横跨两金属框架连接在金属框架C6和金属框架D7上，N型衬底双胞胎二极管芯片3通过其两独立顶面(即P极)横跨两金属框架连接在金属框架C6和金属框架D7上，金属框架C6和金属框架D7上分别具有两个芯片焊接位13，且金属框架C6和金属框架D7分别延伸至整流桥塑封体1外部形成两交流输入端8。P型衬底双胞胎二极管芯片2的衬底面(即P极)则通过金属线11连接至负极输出端10，N型衬底双胞胎二极管芯片3的衬底面(即N极)通过金属线11连接至正极输出端9。本实施例中的金属线11可采用铜线材质，如此整流桥塑封体1内仅通过两处打线(金属线结构)即可完成整流桥的电路连接。 [0025] 实施例2 [0026] 与实施例1不同的是，本实施例中通过金属片结构(具体可采用铜材质的跳片结构)替代上述实施例中的金属线结构，即P型衬底双胞胎二极管芯片2的衬底面(即P极)则通过金属片12连接至负极输出端10，N型衬底双胞胎二极管芯片3的衬底面(即N极)通过金属片12连接至正极输出端9；其余结构与实施例1基本相同。 [0027] 实施例3 [0028] 上述实施例1、2均为Clip封装结构的整流桥。与上述实施例不同的是，本实施例为两片式封装结构的整流桥。具体为，本实施例包括金属框架A4、金属框架B5、金属框架C6、金属框架D7，金属框架C6和金属框架D7上分别具有两个芯片焊接位13，P型衬底双胞胎二极管芯片2通过其两独立顶面(即N极)横跨两金属框架连接在金属框架C6和金属框架D7上，N型衬底双胞胎二极管芯片3通过其两独立顶面(即P极)横跨两金属框架连接在金属框架C6和金属框架D7上，且金属框架C6和金属框架D7分别延伸至整流桥塑封体1外部形成两交流输入端8。P型衬底双胞胎二极管芯片2的衬底面(即P极)则与金属框架B5直接相连并由金属框架B5引出至塑封体外部形成负极输出端10，N型衬底双胞胎二极管芯片3的衬底面(即N极)与金属框架A4直接相连并由金属框架A4引出至塑封体外部形成正极输出端9。 |
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