专利类型 | 发明公开 | 法律事件 | 公开; |
专利有效性 | 公开 | 当前状态 | 公开 |
申请号 | CN202380070757.5 | 申请日 | 2023-09-28 |
公开(公告)号 | CN119908162A | 公开(公告)日 | 2025-04-29 |
申请人 | 应用材料公司; | 申请人类型 | 企业 |
发明人 | 文卡特斯瓦兰·苏巴拉曼; 拉贾·穆拉利·达莫哈兰; | 第一发明人 | 文卡特斯瓦兰·苏巴拉曼 |
权利人 | 应用材料公司 | 权利人类型 | 企业 |
当前权利人 | 应用材料公司 | 当前权利人类型 | 企业 |
省份 | 当前专利权人所在省份: | 城市 | 当前专利权人所在城市: |
具体地址 | 当前专利权人所在详细地址:美国加利福尼亚州 | 邮编 | 当前专利权人邮编: |
主IPC国际分类 | H05B3/00 | 所有IPC国际分类 | H05B3/00 ; C23C16/48 ; C23C16/458 ; H01L21/67 ; H01L21/02 |
专利引用数量 | 0 | 专利被引用数量 | 0 |
专利权利要求数量 | 20 | 专利文献类型 | A |
专利代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 专利代理人 | 徐金国; 吴启超; |
摘要 | 本案涉及用于处理腔室的热源(例如,灯)及窗,以及相关方法。在一或多个 实施例 中,适用于 半导体 制造的灯包括沿着弓形轮廓的至少一分段延伸的 灯泡 管。灯泡管界定弓形中央开口。灯包括位于弓形中央开口中的 灯丝 。灯丝沿着弓形轮廓的至少所述分段延伸。灯包括形成在灯泡管的外表面的第一部分上的反射涂层。 | ||
权利要求 | 1.一种适用于半导体制造的灯,包含: |
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说明书全文 | 用于基板处理腔室的灯和窗配置技术领域背景技术[0002] 半导体基板经处理用于各种应用,包括制造集成元件及微元件。 [0003] 然而,热处理可能在热效率、温度均匀性、产品寿命、良率及处理量、腔室成本及操作成本方面受到限制。例如,加热装置可能具有相对较短的使用寿命。又例如,基板上的温度可能在加热期间非均匀,如基板的外边缘比基板的中心冷。又例如,腔室中产生的相对小百分比(例如,10%)的热量可能实际被基板吸收。 [0004] 因此,需要促进增加良率及处理量、增加热效率、在处理期间更加均匀,并降低成本的改良的腔室及相关设备及方法。发明内容 [0005] 本案涉及用于处理腔室的热源(例如,灯)及窗,以及相关方法。 [0006] 在一或多个实施例中,适用于半导体制造的灯包括沿着弓形轮廓的至少一分段延伸的灯泡管。灯泡管界定弓形中央开口。灯包括位于弓形中央开口中的灯丝。灯丝沿着弓形轮廓的至少所述分段延伸。灯包括形成在灯泡管的外表面的第一部分上的反射涂层。 [0007] 在一或多个实施例中,适用于半导体制造的窗包括外部部分及安置在外部部分内部的内部部分。内部部分包括第一外表面、与第一外表面相对的第二外表面,及形成于第一外表面中的一或多个凹槽。 [0008] 在一或多个实施例中,适用于半导体制造的处理腔室包括内部空间,及安置在内部空间中的基板支撑件。基板支撑件包含支撑面。处理腔室包括窗,所述窗至少部分地界定内部空间的处理空间。所述窗包括外部部分及内部部分,所述内部部分安置在外部部分的内部并且具有径向中心和与外部部分接口连接的径向外边缘。内部部分包括背离支撑面的第一外表面,及与第一外表面相对的第二外表面。第二外表面面向支撑面。内部部分包括形成于第一外表面中的一或多个凹槽。处理腔室包括接收于窗的一或多个凹槽中的多个灯。多个灯由内部部分支撑,以使得灯与支撑面之间的距离具有在从径向中心至径向外缘的方向上朝向支撑面过渡的梯度。 附图说明 [0009] 以能够详细理解本案的上述特征的方式,可通过参考实施例获得简要概述于上文的本案的更特定描述,所述实施例的一些实施例图示于附图中。然而,应注意,附图仅图示示例性实施例并且因此不被视为限制本案的范畴,因为本案可允许其他同等有效的实施例。 [0010] 图1为根据一或多个实施例的,处理腔室的示意侧视横截面图。 [0011] 图2为根据一或多个实施例的,在图1中所示的多个灯及窗的示意侧视横截面图。 [0012] 图3为根据一或多个实施例的,在图2中所示的多个灯及窗的示意俯视图。 [0013] 图4为根据一或多个实施例的,在图2中所示的多个灯及窗的放大视图。 [0014] 图5为根据一或多个实施例的,在图1至图4中所示的窗及多个灯的示意透视图。 [0015] 图6为根据一或多个实施例的,在图5中所示的多个灯及窗的示意俯视图。 [0016] 图7为根据一或多个实施例的,窗及多个灯的示意透视图。 [0017] 图8为根据一或多个实施例的,在图7中所示的多个灯及窗的示意俯视图。 [0018] 图9为根据一或多个实施例的,在图1至图4中所示的多个灯及窗的示意侧视横截面图。 [0019] 图10为根据一或多个实施例的,在图9中所示的多个灯及窗的示意俯视图。 [0020] 图11为根据一或多个实施例的,在图9中所示的多个灯及窗的示意透视图。 [0021] 图12为根据一或多个实施例的,在图11中所示的多个灯及窗的示意横截面图。 [0022] 图13为根据一或多个实施例的,在图9至图12中所示的多个灯及窗的示意侧视横截面图。 [0023] 为了促进理解,在可能的情况下,已使用相同的组件符号来指示各图共有的相同组件。可以设想,一个实施例的组件及特征可有利地并入其他实施例,而无需进一步叙述。 具体实施方式[0024] 本案涉及用于处理腔室的热源(例如,灯)及窗,以及相关方法。 [0025] 本案设想,如“耦合(couples)”、“耦合(coupling) ”、“「耦合(couple) ”及“耦合(coupled) ”的术语可包括但不限于焊接、融合、融化在一起、过盈配合,及/或如通过使用螺栓、螺纹连接、销钉及/或螺钉的紧固。本案设想,如“耦合(couples)”、“耦合(coupling)”、“耦合(couple)”及“耦合(coupled) ”的术语可包括但不限于整合地形成。本案设想,如“耦合(couples) ”、“耦合(coupling) ”、“耦合(couple)”及“耦合(coupled) ”的术语可包括但不限于直接耦合及/或间接耦合,如通过如连杆的组件的间接耦合。 [0026] 图1为根据一或多个实施例的,处理腔室100的示意侧视横截面图。处理腔室100为沉积腔室。在可与其他实施例结合的一个实施例中,处理腔室100为外延沉积腔室。处理腔室100用于在基板102上生长外延薄膜。处理腔室100跨基板102的顶表面150产生前体的交叉流动。 [0027] 处理腔室100包括上部主体156;下部主体148,安置在上部主体156之下;流动模块112,安置在上部主体156与下部主体148之间。在一或多个实施例中,上部主体156包括上部夹紧圈,并且下部主体148包括下部夹紧圈。上部主体156、流动模块112,及下部主体148形成腔室主体。在腔室主体之内安置有基板支撑件106、上部窗250(如上部圆顶)、下部窗110(如下部圆顶)、多个上部灯210,及多个下部灯143。如图所示,控制器120与处理腔室100连通并且用于控制工艺及方法,如本文所述的方法的操作。基板支撑件106具有支撑基板102的支撑面109。 [0028] 基板支撑件106安置在上部窗250与下部窗110之间。基板支撑件106包括支撑基板102的支撑面123。多个上部灯210安置在上部窗与盖体154之间。多个上部灯210形成上部灯模块155的一部分。盖体154可包括安置在其中的多个传感器(未图示),用于测量处理腔室 100之内的温度。在一或多个实施例中,反射涂层形成于盖体154的一或多个内表面187、188上。反射涂层可与反射涂层219及/或下文所述的反射板280的反射涂层的一或多者类似或相同。多个下部灯143经安置在下部窗110与底板152之间。多个下部灯143形成下部灯模块 145的一部分。上部灯250为上部圆顶并且是由能量透射材料(如,石英)形成。下部灯110为下部圆顶并且是由能量透射材料(如,石英)形成。 [0030] 内部空间具有安置在其中的基板支撑件106。基板支撑件106包括其上安置基板102的顶表面。处理腔室包括第一支撑框架198,及至少部分地安置在第一支撑框架198周围的第二支撑框架199。第二支撑框架199包括耦接至基板支撑件106的臂,以使得升举和下降第二支撑框架199可升举和下降基板支撑件106。多个升举销132悬挂在基板支撑件106上。 基板支撑件106的下降启动升举销132与第一支撑框架198的臂的接触。基板支撑件106的持续下降启动升举销132与基板102的接触,以使得升举销132升高基板102。腔室侧面201a、 201b的底部区域205界定在腔室主体底部234与第一和第二基座254a、254b之间。每一支撑框架198、199的杆118(如轴)延伸穿过下部主体148的底部。 [0031] 基板支撑件106通过臂附接至第二支撑框架199的杆118。每一支撑框架198、199的杆118连接至运动组件121。运动组件121包括一或多个致动器及/或调节装置,所述致动器及/或调节装置提供支撑框架198、199在处理空间136内的移动及/或调整。基板支撑件106可包括安置于其中的升举销孔107。升举销孔107各自经调整尺寸以容纳升举销132中的各个升举销132,用于在执行沉积工艺之前或之后将基板102从基板支撑件106升举。当基板支撑件106从工艺位置下降至移送位置时,升举销132可搁置在升举销止件134上。在图1中所示的实施中,升举销止件134为第一支撑框架198的臂的一部分。 [0032] 流动模块112包括多个气体入口114、多个净化气体入口164和一或多个排气出口116。多个气体入口114和多个净化气体入口164安置在流动模块112的与一或多个排气出口 116相对的一侧上。一或多个导流件117a、117b安置在多个气体入口114和一或多个排气出口116下方。一或多个导流件117a、117b安置在净化气体入口164上方。一或多个衬垫163安置在流动模块112的内表面上,并且保护流动模块112免受沉积操作及/或清洗操作期间使用的反应气体的影响。气体入口114及净化气体入口164各自定位成使气体平行于安置在工艺空间136内的基板102的顶表面150流动。气体入口114流体连接至一或多个工艺气体源 151及一或多个清洗气体源153。净化气体入口164流体地连接至一或多个净化气体源162。 一或多个排气出口116流体地连接至排气泵157。使用一或多个工艺气体源151供应的一或多个工艺气体可包括一或多种反应性气体(如硅(Si)、磷(P)及/或锗(Ge)中的一或多者)及/或者一或多种载气(如氮气(N2)及/或氢气(H2)中的一或多者)。使用一或多个净化气体源162供应的一或多种净化气体可包括一或多种惰性气体(如氩气(Ar)、氦气(He)及/或氮气(N2)中的一或多者)。使用一或多个清洗气体源153供应的一或多种清洗气体可包括氢气(H)及/或氯气(Cl)中的一或多者。在可与其他实施例结合的一个实施例中,一或多种工艺气体包括磷化硅(SiP)及/或磷化氢(PH3),并且一或多种清洗气体包括盐酸(HCl)。 [0033] 一或多个排气出口116进一步连接至排气系统178或包括排气系统178。排气系统178将一或多个排气出口116流体连接至排气泵157。排气系统178可帮助在基板102上控制层的沉积。排气系统178相对于流动模块112安置在处理腔室100的相对侧上。 [0034] 控制器120包括中央处理单元(Central Processing Unit; CPU)、包含指令的存储器,及CPU的支持电路。控制器120直接或通过其他计算机及/或控制器来控制各种设备。在一或多个实施例中,控制器120通讯地耦接至专用控制器,并且控制器120用作中央控制器。 [0035] 控制器120为在工业环境中用于控制各种基板处理腔室和设备,及其上或其中的子处理器的任何形式的通用计算机处理器。存储器或非暂时性计算机可读媒体为一或多种易于获得的存储器,如随机存取存储器(random access memory; RAM)、动态随机存取存储器(dynamic random access memory; DRAM)、静态随机存取存储器(static RAM; SRAM)和同步动态RAM(synchronous dynamic RAM)(例如,DDR1、DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3、DDR4、LPDDR4等)、只读存储器(read only memory; ROM)、软盘、硬盘、闪存驱动器,或任何其他形式的本地或远程的数字储存器。控制器120的支持电路耦接至CPU以便支持CPU(处理器)。支持电路包括高速缓冲存储器、电源、时钟电路、输入/输出电路及子系统等等。操作参数(如施加至各个热源(例如,灯)的加热功率、工艺气体的压力、工艺气体流速及/或基板支撑件106的旋转位置)及操作是作为软件例程储存在存储器中,执行或调用所述软件例程以将控制器120转变为专用控制器,以控制本文所述的各种腔室/模块的操作。控制器120经配置以进行本文所述的操作中的任一者。储存于存储器上的指令在执行时导致本文所述的操作中的一或多者得以进行。 [0036] 本文所述的各种操作可使用控制器120自动地进行,或者可利用使用者进行的某些操作自动地或手动地进行。 [0037] 图2为根据一或多个实施例的,在图1中所示的多个灯210及窗250的示意侧视横截面图。 [0038] 图3为根据一或多个实施例的,在图2中所示的多个灯210及窗250的示意俯视图。 [0039] 图4为根据一或多个实施例的,在图2中所示的多个灯210及窗250的放大视图。 [0040] 每一灯210包括沿着弓形轮廓215的至少一分段延伸的灯泡管211。在一或多个实施例中,弓形轮廓215为圆形轮廓。在一或多个实施例中,灯泡管211为圆柱形。在一或多个实施例中,灯泡管211的横截面为弓形(例如,圆形)。本案设想,其他形状(例如矩形)可用于灯泡管211的横截面。 [0041] 每一灯泡管211界定了弓形的中央开口212。每一灯210包括位于弓形中央开口212中的灯丝213,并且灯丝213沿着弓形轮廓的所述分段延伸。每一灯210包括形成在灯泡管211的外表面的第一部分216上的反射涂层219。反射涂层219形成在第一部分216上,以使得外表面的第二部分217未涂覆。反射涂层219具有0.8或更高的反射率。在一或多个实施例中,反射涂层219包括金(Au)、银(Ag)、氧化铝(Al2O3)及/或一或多种其他陶瓷中的一或多者。其他材料亦可设想用于反射涂层219。对于各灯210,反射涂层219以围绕灯泡管211的涂层角度A1形成在第一部分216上。涂层角度A1为至少180度。对于灯210中的至少一者,涂层角度A1为至少210度,如240度或更高温度。对于径向最内侧的灯210A,涂层角度A1为约180度。对于径向最外侧的灯210B,涂层角度A1为约300度。灯210安置得进一步径向向外,涂层角度A1就愈大。 [0042] 反射涂层219促进将来自灯210的光引导朝向被处理的基板102,从而减少其他腔室组件的光损失,如此有助于加热效率和降低功耗。 [0043] 在图3所示的实施中,图示了七个径向位置(相对于窗250的中心),每一径向位置具有各自的弓形轮廓215。对于每个径向位置,多个灯泡管211(图3中的每一径向位置显示两个灯泡管)沿着各自的弓形轮廓安置,以使得在相邻灯泡管211的末端之间界定角度间隙221。图3中的每个径向位置处显示了两个角度间隙221。每一径向位置的角度间隙221各自具有小于15度的间隙角度GA1。在一或多个实施例中,间隙角度GA1为10度或更小。在一或多个实施例中,角度间隙221的间隙角度GA1可在灯210上彼此不同。本案设想了间隙角度GA1的其他值。 [0044] 窗250包括外部部分251及安置在外部部分251内部的内部部分252。内部部分252包括第一外表面253、与第一外表面253相对的第二外表面254,及形成于第一外表面253中的一或多个凹槽255。在图2至图4的实施中图示了多个凹槽255(七个),并且在七个径向位置的每一者处形成凹槽255。在图2至图4中所示的实施中,多个凹槽255相对于彼此以同心布置安置。灯210经接收在凹槽255中。多个灯210中的每一灯210安置在多个凹槽255中的相应凹槽255的弓形部分257中。在图2至图4中所示的实施中,多个灯210安置在每一凹槽255中(在图1至图4中的每一凹槽255中图示了两个灯210)。本案设想,可使用不同数目(如八个或更多,或六个或更少)的径向位置,一或多个凹槽255可安置在每个径向位置处,并且一或多个灯210可安置在每一凹槽255中。 [0045] 内部部分252具有径向中心261和与外部部分251接口连接的径向外边缘262。如图2及图4中所示,第一外表面253具有从径向中心261至径向外边缘262的方向D1上朝向第二外表面254过渡的梯度。在一或多个实施例中,内部部分252为透明的,而外部部分251为不透明的。内部部分252经配置以通过95%或更多的红外光,而外部部分251经配置以吸收红外光。 [0046] 灯的灯泡管211为透明的,且经配置以通过95%或更多的红外光。灯泡管211、内部部分252及/或外部部分251中的每一者可由石英(如透明石英或不透明石英)、碳化硅(SiC)及/或涂有SiC及/或不透明石英的石墨中的一或多者形成。在一或多个实施例中,内部部分252由透明材料(如透明石英)形成,且外部部分251由不透明材料(如不透明石英、SiC及/或涂有SiC及/或者不透明石英的石墨)形成。 [0047] 如上所述,窗250及灯210可安置在处理腔室中,如图1中所示的处理腔室100中。当安置在处理腔室100中时,窗250至少部分地界定处理空间136。第一外表面253背向支撑面109,而第二外表面254面向支撑面109。灯210安置在凹槽255中并且由内部部分252支撑,以使得灯210和支撑面109之间的距离DS1具有在从内部部分252的径向中心261至径向外边缘 262的方向D1上朝向支撑面109过渡的梯度。在一或多个实施例中,对于每一个灯210,距离DS1小于5.0英寸。距离DS1促进更均匀的加热、更少的功耗以及归因于腔室组件吸收光而导致的更少的加热损失。在一或多个实施例中,对于径向最内侧的灯210A,距离DS1在2.0英寸至3.0英寸的范围内,并且对于径向最外侧的灯210B,距离DS1约为2.0英寸。每一灯210离径向中心261越远,距离DS1越小,以促进中心至边缘的基板温度均匀性和沉积均匀性。 [0048] 在一或多个实施例中,除了与凹槽255对准的部分之外,内部部分252在径向中心261与径向外边缘262之间具有均匀的厚度。均匀的厚度促进减少或消除处理期间热应力的效应。 [0049] 反射板280可位于窗250上方。在一或多个实施例中,反射板280为盖体154的一部分,或者定位在盖体154与窗250之间。在一或多个实施例中,反射板280由铝(Al)形成,及/或涂覆有反射率为0.8或更高的反射涂层。在一或多个实施例中,反射涂层包括以下材料中的一或多者:金(Au)、银(Ag)、三氧化二铝(Al2O3)及/或一或多种其他陶瓷。可以设想用于反射板280的反射涂层的其他材料。本案设想可省略反射板280。 [0050] 在一或多个实施例中,第一功率经施加至一或多个灯210中位于最内侧径向位置(例如,最靠近径向中心261)的最内侧组,并且第二功率经施加至一或多个灯210中位于最外侧径向位置(如,最靠近径向外边缘262)的最外侧组。第二功率高于第一功率。在一或多个实施例中,第二功率为第一功率的比率,并且所述比率为至少1.5,如约2.0。在一或多个实施例中,第一功率小于1.3 kW,如约1.0 kW。在一或多个实施例中,第二功率在1.8 kW至2.2 kW的范围内,如约2.0 kW。 [0051] 图5为根据一或多个实施例的,在图1至图4中所示的窗250及多个灯510的示意透视图。 [0052] 图6为根据一或多个实施例的,在图5中所示的多个灯510及窗250的示意俯视图。 [0053] 灯510类似于图1至图4中所示的灯210,并且包括灯210的方面、特征、组件、操作及/或操作中的一或多者。 [0054] 每一灯510包括第一延伸管523,所述第一延伸管安置在灯泡管511的第一末端526附近并且延伸以与灯泡管511相交。每一灯510包括第二延伸管524,所述第二延伸管邻近灯泡管511的第二末端527安置并且延伸以与灯泡管511相交。每一灯510包括耦接至第一延伸管523的第一电连接器528,及耦接至第二延伸管524的第二电连接器529。第一电连接器528经配置以耦合至电源线531,且第二电连接器529经配置以耦接至接地线532。在一或多个实施例中,灯泡管511为圆柱形。在一或多个实施例中,灯泡管511的横截面为弓形(例如,圆形)。本案设想,其他形状(例如矩形)可用于灯泡管511的横截面。 [0055] 在图6中所示的实施中,灯泡管511沿着每个径向位置的弓形轮廓215的一分段的至少部分延伸,以在灯泡管511的第一末端526和第二末端527之间界定角度间隙521。每一径向位置的角度间隙521具有小于45度的间隙角度GA2。 [0056] 在图5和图6中所示的实施中,单个灯510安置在窗250的每一凹槽255中。 [0057] 图7为根据一或多个实施例的窗750及多个灯710的示意性透视图。 [0058] 图8为根据一或多个实施例的,在图7中所示的多个灯710及窗750的示意俯视图。 [0059] 灯710类似于图1至图6中所示的灯210、510,并且包括灯210、510的方面、特征、组件、操作及/或操作中的一或多者。窗750类似于图1至图6中所示的窗250,并且包括窗250的方面、特征、组件、操作及/或多个操作中的一或多者。 [0060] 窗750包括多个凹槽755。凹槽755及安置在其中的灯710相对于彼此以间隔开的布置安置。间隔布置为非同心的,以使得每个灯泡管711的内径和外径皆不在任何相邻灯泡管711的内径或外径之内或重迭任何相邻灯泡管711的内径或外径。间隔开的布置为非同心的,以使得每一凹槽755的内径和外径皆不在任何相邻凹槽755内径或外径之内或重迭任何相邻凹槽755内径或外径。在一或多个实施例中,灯泡管711为圆柱形。在一或多个实施例中,灯泡管711的横截面为弓形(例如,圆形)。本案设想,其他形状(例如矩形)可用于灯泡管 711的横截面。 [0061] 在图7和图8中所示的实施中,图示了三个径向位置。除了中央灯710a和中央凹槽755a之外,每一凹槽755及灯710的几何中心726与径向位置的一者的弓形轮廓215对准。 [0062] 图9为根据一或多个实施例的,在图1至图4中所示的多个灯210及窗950的示意侧视横截面图。窗950类似于图1至图6中所示的窗250,并且包括窗250的方面、特征、组件、操作及/或操作中的一或多者。 [0063] 图10为根据一或多个实施例的,在图9中所示的多个灯210及窗950的示意俯视图。 [0064] 图11为根据一或多个实施例的,在图9中所示的多个灯210及窗950的示意透视图。 [0065] 图12为根据一或多个实施例的,在图11中所示的多个灯210及窗950的示意横截面图。 [0066] 窗950包括多个凹槽955,并且每一凹槽955包括弓形部分257及弓形部分257与第一外表面253之间的矩形部分958,以使得弓形部分257以距第一外表面253a的一距离从第一外表面253a凹入。窗950包括第二外表面954,第二外表面954上形成有多个突起959(如脊)。转角956将第一外表面253过渡至每一矩形部分958。本案设想转角956可为锥形的(例如,倒角的)或圆形的。每一凹槽955形成在凹槽深度DE1处。每一灯210的灯泡管211具有外径OD1,并且凹槽深度DE1等于或大于外径OD1。在一或多个实例中,外径OD1为约13 mm,且凹槽深度DE1等于或大于13 mm。 [0067] 图13为根据一或多个实施例的,在图9至图12中所示的多个灯210及窗1350的示意侧视横截面图。窗1350类似于图1至图6中所示的窗250,并且包括窗250的方面、特征、组件、操作及/或操作中的一或多者。 [0068] 窗1350的内部部分1352相对于外部部分251的上表面271悬挂,以使得内部部分1352在外部部分251的上表面271和下表面272之间对准。在一或多个实施例中,内部部分 1352的最下端悬挂在外部部分251的上表面271下方约0.5英寸的距离D1。 [0069] 窗1350包括单个凹槽1355。单个凹槽1355是围绕内部部分252的径向中心261的槽。单个凹槽1355界定了凹入表面1356,所述凹入表面具有在从径向中心261至径向外边缘262的方向D1上朝向窗1350的第二外表面1354过渡的梯度。凹入表面1356为窗1350的第一外表面1353的一部分。 [0070] 多个灯210经接收在单个凹槽1355中,并且多个灯中的每一灯210搁置在凹入表面1356上。 [0071] 本案的益处包括以增加良率和处理量,并且以促进减少或减轻腔室组件(如密封件)的退化的方式提高热(例如,加热)效率和降低功耗(例如,用于加热的功率)。例如,使用本文所述的灯模块(例如,包括灯210的上部灯模块),认为可在比其他操作更低(例如,小于一半,如大约25%)的灯输入功率下达成更高的处理温度。例如,当使用较低的灯输入功率时,处理空间136中原本可处于600至800摄氏度的较大部分可处于1000摄氏度或更高(如大约1200摄氏度)的较高处理温度。另外,例如,基板102的部分(如基板102的外部)可加热至更高的温度(例如,在1000摄氏度或更高温度),如此促进沉积均匀性和高生长速率。又例如,基板支撑件106的在基板102的外部下方对准的部分可经加热至更高的温度(例如,1400摄氏度或更高温度)。 [0072] 益处亦包括增强的温度均匀性和沉积均匀性(如基板中心至边缘的均匀性)、增强的元件效能、产品寿命、更简单的组件及/或减少的组件数量、降低的组件成本、降低的腔室成本及降低的操作成本。例如,本文所述的灯促进增加灯的寿命。又例如,本文所述的窗和灯促进减少(例如,对腔室组件)的热损失,并且所产生的热量的增加百分比被正在处理的基板而非其他组件吸收。 [0073] 可以设想,可组合本文所述的方面。例如,可组合处理腔室100、窗250、灯210、灯510、窗750、灯710、窗950及/或窗1350的一或多个特征、方面、组件、操作及/或特性。进一步设想,任何组合皆可达成上述益处。 |