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显示母板及其制备方法、显示面板及显示装置

专利类型 发明公开 法律事件 公开; 实质审查;
专利有效性 实质审查 当前状态 实质审查
申请号 CN202411659031.8 申请日 2024-11-19
公开(公告)号 CN119907304A 公开(公告)日 2025-04-29
申请人 合肥维信诺电子有限公司; 维信诺科技股份有限公司; 申请人类型 企业
发明人 何停霞; 董正逵; 吴思宗; 许洋; 第一发明人 何停霞
权利人 合肥维信诺电子有限公司,维信诺科技股份有限公司 权利人类型 企业
当前权利人 合肥维信诺电子有限公司,维信诺科技股份有限公司 当前权利人类型 企业
省份 当前专利权人所在省份:安徽省 城市 当前专利权人所在城市:安徽省合肥市
具体地址 当前专利权人所在详细地址:安徽省合肥市新站区双凤路999号 邮编 当前专利权人邮编:231135
主IPC国际分类 H10D86/01 所有IPC国际分类 H10D86/01H10D86/60H01L23/544H10K59/12
专利引用数量 0 专利被引用数量 0
专利权利要求数量 20 专利文献类型 A
专利代理机构 北京合智同创知识产权代理有限公司 专利代理人 李杰;
摘要 本 申请 实施例 提供了显示母板及其制备方法、 显示面板 及显示装置。显示母板包括至少一个显示面板区,以及位于显示面板区至少一侧的膜厚检测区,显示面板区包括显示区以及非显示区,制备方法包括:提供驱动 基板 ,驱动基板包括:衬底基板,以及沿远离衬底基板的方向依次层叠设置在衬底基板一侧的金属层和保护层,金属层包括位于膜厚检测区的金属部,保护层包括位于膜厚检测区的保护部;在衬底基板上的正投影中,保护部 覆盖 所述金属部的至少一部分;去除保护部;在金属层背离衬底基板的一侧形成第一无机膜层,第一无机膜层包括位于膜厚检测区的膜厚检测部,膜厚检测部位于金属部背离衬底基板一侧的表面上。
权利要求

1.一种显示母板的制备方法,其特征在于,所述显示母板包括至少一个显示面板区,以及位于所述显示面板区至少一侧的膜厚检测区,所述显示面板区包括显示区以及非显示区,所述制备方法包括:
提供驱动基板,所述驱动基板包括:衬底基板,以及沿远离所述衬底基板的方向依次层叠设置在所述衬底基板一侧的金属层和保护层,所述金属层包括位于所述膜厚检测区的金属部,所述保护层包括位于所述膜厚检测区的保护部;在所述衬底基板上的正投影中,所述保护部覆盖所述金属部的至少一部分;
去除所述保护部;
在所述金属层背离所述衬底基板的一侧形成第一无机膜层,所述第一无机膜层包括位于所述膜厚检测区的膜厚检测部,所述膜厚检测部位于所述金属部背离所述衬底基板一侧的表面上。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述膜厚检测部的厚度最大处与最小处之差大于或等于0,且小于或等于所述膜厚检测部的平均厚度的6%;所述驱动基板还包括像素定义层,所述像素定义层设置在所述金属层远离所述衬底基板的一侧;
在所述去除所述保护部之前,形成所述像素定义层;在所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧和所述保护层远离所述衬底基板的一侧形成功能材料层,并去除位于所述保护部上的功能材料层,得到功能膜层;其中,在所述衬底基板上的正投影中,所述功能材料层覆盖至少部分所述保护部,所述功能膜层与所述保护部无交叠。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,形成所述保护层时,同步形成所述像素定义层。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述像素定义层还包括位于所述显示区的限定部,所述限定部用于围合形成像素开口;所述像素开口包括第一子像素开口,所述功能材料层包括第一子像素功能材料层,所述功能膜层包括第一子像素功能层,所述第一子像素功能材料层在所述衬底基板上的正投影还覆盖所述显示区;
所述在所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧和所述保护层远离所述衬底基板的一侧形成功能材料层,并去除所述保护部上的功能材料层,得到功能膜层的步骤,包括:
在所述驱动基板靠近所述像素定义层和保护层的一侧形成所述第一子像素功能材料层,并去除所述保护部上的第一子像素功能材料层以及位于所述显示区的部分第一子像素功能材料层,得到所述第一子像素功能层,所述第一子像素功能层用于形成多个第一子发光器件,不同的第一子发光器件位于不同的第一子像素开口。
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述像素开口还包括第二子像素开口,所述功能材料层还包括第二子像素功能材料层,所述功能膜层还包括第二子像素功能层,所述第二子像素功能材料层在所述衬底基板上的正投影还覆盖所述显示区;
所述在所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧和所述保护层远离所述衬底基板的一侧形成功能材料层,并去除所述保护部上的功能材料层,得到功能膜层的步骤,还包括:
在所述第一子像素功能层背离所述衬底基板的一侧形成所述第二子像素功能材料层,并去除所述保护部上的第二子像素功能材料层以及位于所述显示区的部分第二子像素功能材料层,得到所述第二子像素功能层,所述第二子像素功能层用于形成多个第二子发光器件,不同的第二子发光器件位于不同的第二子像素开口。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述功能材料层还包括第三子像素功能材料层,所述功能膜层还包括第三子像素功能层,所述第三子像素功能材料层在所述衬底基板上的正投影还覆盖所述显示区;
所述在所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧和所述保护层远离所述衬底基板的一侧形成功能材料层,并去除所述保护部上的功能材料层,得到功能膜层的步骤,还包括:
采用第一掩膜板,对所述限定部进行曝光,并在所述限定部上刻蚀形成第三子像素开口;
在所述第二子像素功能层背离所述衬底基板的一侧形成所述第三子像素功能材料层,并去除所述保护部上的第三子像素功能材料层以及位于所述显示区的部分第三子像素功能材料层,得到所述第三子像素功能层,所述第三子像素功能层用于形成多个第三子发光器件,不同的第三子发光器件位于不同的第三子像素开口;
所述去除所述保护部的步骤,包括:
采用第二掩膜板,对所述保护部进行曝光,并刻蚀去除所述保护部。
7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述驱动基板还包括位于所述限定部背离所述衬底基板一侧的隔离结构,所述隔离结构围合形成第一子隔离开口和第二子隔离开口,所述第一子隔离开口与所述第一子像素开口在所述衬底基板上的正投影一一对应交叠,所述第二子隔离开口与所述第二子像素开口在所述衬底基板上的正投影一一对应交叠;
在所述采用第一掩膜板,对所述限定部进行曝光的步骤之前,还包括:
在所述隔离结构上刻蚀形成第三子隔离开口,所述第三子隔离开口与所述第三子像素开口在所述衬底基板上的正投影一一对应交叠。
8.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述去除所述保护部的步骤,包括:
采用同一掩膜板,对所述限定部和所述保护部进行曝光;
在所述限定部上刻蚀形成第三子像素开口,并刻蚀去除所述保护部。
9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,在所述限定部上刻蚀形成第三子像素开口的步骤之后,以及在所述金属层背离所述衬底基板的一侧形成第一无机膜层的步骤之前,还包括:
在所述功能膜层背离所述衬底基板的一侧形成第三子像素功能层,所述第三子像素功能层用于形成多个第三子发光器件,不同的第三子发光器件位于不同的第三子像素开口,所述第三子像素功能层与所述金属部在所述衬底基板上的正投影无交叠;
所述在所述金属层背离所述衬底基板的一侧形成第一无机膜层的步骤,包括:
在所述第三子像素功能层背离所述衬底基板的一侧形成第一无机膜层。
10.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,所述驱动基板还包括位于所述限定部背离所述衬底基板一侧的隔离结构,所述隔离结构围合形成隔离开口,所述隔离开口与所述像素开口在所述衬底基板上的正投影一一对应交叠;
在所述采用同一掩膜板,对所述限定部和所述保护部进行曝光的步骤之前,还包括:
在所述隔离结构上刻蚀形成第三子隔离开口,所述第三子隔离开口与所述第三子像素开口在所述衬底基板上的正投影一一对应交叠。
11.根据权利要求3至10任一项所述的制备方法,其特征在于,所述去除所述保护部上的功能材料层,得到功能膜层的步骤,包括:
采用湿刻和/或干刻工艺,去除所述保护部上的功能材料层,得到功能膜层。
12.根据权利要求3至10任一项所述的制备方法,其特征在于,所述第一无机膜层还包括位于所述显示区的触控缓冲部,在所述在所述金属层背离所述衬底基板的一侧形成第一无机膜层的步骤之后,还包括:
在所述触控缓冲部背离所述衬底基板的一侧形成触控电极层,所述触控电极层包括位于显示区的多个触控电极,所述触控电极层与所述膜厚检测部在所述衬底基板上的正投影无交叠。
13.根据权利要求3至10任一项所述的制备方法,其特征在于,所述第一无机膜层还包括位于所述显示区的触控绝缘部,在所述金属层背离所述衬底基板的一侧形成第一无机膜层的步骤之前,还包括:
在所述功能膜层背离所述衬底基板的一侧形成第一触控电极层,所述第一触控电极层包括位于显示区的多个第一触控电极,所述第一触控电极层与所述膜厚检测部在所述衬底基板上的正投影无交叠;
在所述金属层背离所述衬底基板的一侧形成第一无机膜层的步骤,包括:
在所述第一触控电极层背离所述衬底基板的一侧形成所述第一无机膜层;
在所述第一触控电极层背离所述衬底基板的一侧形成所述第一无机膜层的步骤之后,还包括:
在所述触控绝缘部背离所述衬底基板的一侧形成第二触控电极层,所述第二触控电极层包括位于显示区的多个第二触控电极,所述第二触控电极层与所述膜厚检测部在所述衬底基板上的正投影无交叠。
14.根据权利要求12或13所述的制备方法,其特征在于,在形成功能膜层之后,形成第一无机膜层之前,在所述功能膜层远离所述衬底基板一侧形成第二封装层,所述第二封装层在衬底基板上的正投影覆盖所述显示区;
优选地,在形成所述第二封装层之后,在所述第二封装层远离所述衬底基板一侧形成第三封装层,所述第三封装层在衬底基板上的正投影覆盖所述显示区。
15.根据权利要求3至10任一项所述的制备方法,其特征在于,所述非显示区还包括绑定区,所述金属层还包括位于所述显示面板区内的导电部,所述导电部包括以下至少之一:
位于所述显示区的电源线;
位于所述显示区的数据线;以及
连接在所述显示区和所述绑定区之间的连接线
16.根据权利要求3至10任一项所述的制备方法,其特征在于,所述提供驱动基板的步骤,包括:
提供衬底基板;
在所述衬底基板的一侧形成第二无机膜层,所述第二无机膜层包括位于所述膜厚检测区的基底部,所述金属部位于所述基底部背离所述衬底基板一侧的表面上。
17.一种显示母板,其特征在于,包括至少一个显示面板区,以及位于所述显示面板区至少一侧的膜厚检测区,所述显示面板区包括显示区以及非显示区,所述显示母板包括:
衬底基板;
金属层,设置在所述衬底基板的一侧,包括位于所述膜厚检测区的金属部;
以及
第一无机膜层,设置在所述金属层背离所述衬底基板的一侧,所述第一无机膜层包括位于所述膜厚检测区的膜厚检测部,所述膜厚检测部位于所述金属部背离所述衬底基板一侧的表面上;
其中,所述膜厚检测部的厚度最大处与最小处之差大于或等于0,且小于或等于所述膜厚检测部的平均厚度的6%。
18.一种显示面板,其特征在于,包括显示区以及非显示区,所述显示面板包括第一无机膜层,所述第一无机膜层的厚度最大处与最小处之差大于或等于0,且小于或等于所述第一无机膜层的平均厚度的6%。
19.根据权利要求18所述的显示面板,其特征在于,还包括:
衬底基板;
隔离结构,位于所述衬底基板的一侧,所述隔离结构围合形成隔离开口;
触控结构,包括所述第一无机膜层;
优选地,还包括像素定义层,位于所述隔离结构和所述衬底基板之间,所述像素定义层包括位于所述显示区的限定部,所述限定部用于围合形成像素开口;
优选地,所述隔离开口与所述像素开口在所述衬底基板上的正投影一一对应交叠。
20.一种显示装置,其特征在于,包括:
如权利要求18或19所述的显示面板;以及
驱动组件,与所述显示面板连接,用于驱动所述显示面板显示画面。

说明书全文

显示母板及其制备方法、显示面板及显示装置

技术领域

[0001] 本申请实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示母板及其制备方法、显示面板及显示装置。

背景技术

[0002] 有机发光二极管(Organ ic L ight Emitt ing D i sp l ay,OLED)以及基于发光二极管(Light Emitt ing Diode,LED)等技术的平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点,而被广泛的应用于手机、电视、笔记本电脑、台式电脑等各种消费性电子产品,成为显示装置中的主流。
[0003] 但目前的OLED显示产品的工艺性能有待提升。发明内容
[0004] 有鉴于此,本申请实施例提供一种显示母板及其制备方法、显示面板及显示装置,以至少部分解决上述问题。
[0005] 根据本申请实施例的第一方面,提供了一种显示母板的制备方法,显示母板包括至少一个显示面板区,以及位于显示面板区至少一侧的膜厚检测区,显示面板区包括显示
区以及非显示区,制备方法包括:
[0006] 提供驱动基板,驱动基板包括:衬底基板,以及沿远离衬底基板的方向依次层叠设置在衬底基板一侧的金属层和保护层,金属层包括位于膜厚检测区的金属部,保护层包括位于膜厚检测区的保护部;在衬底基板上的正投影中,保护部覆盖金属部的至少一部分;
[0007] 去除保护部;
[0008] 在金属层背离所述衬底基板的一侧形成第一无机膜层,第一无机膜层包括位于膜厚检测区的膜厚检测部,膜厚检测部位于金属部背离衬底基板一侧的表面上。
[0009] 可选地,所述膜厚检测部的厚度最大处与最小处之差大于或等于0,且小于或等于所述膜厚检测部的平均厚度的6%;驱动基板还包括像素定义层,像素定义层设置在金属层远离衬底基板的一侧;
[0010] 在去除保护部之前,形成像素定义层;在像素定义层远离衬底基板的一侧和保护层远离衬底基板的一侧形成功能材料层,并去除位于保护部上的功能材料层,得到功能膜
层;其中,在衬底基板上的正投影中,功能材料层覆盖至少保护部,所述功能膜层与保护部无交叠。
[0011] 可选地,形成保护层时,同步形成像素定义层。
[0012] 可选地,像素定义层还包括位于显示区的限定部,限定部用于围合形成像素开口;像素开口包括第一子像素开口,功能材料层包括第一子像素功能材料层,功能膜层包括第
一子像素功能层,第一子像素功能材料层在衬底基板上的正投影还覆盖显示区;
[0013] 在像素定义层远离衬底基板的一侧和保护层远离衬底基板的一侧形成功能材料层,并去除保护部上的功能材料层,得到功能膜层的步骤,包括:
[0014] 在驱动基板靠近像素定义层和保护层的一侧形成第一子像素功能材料层,并去除所述保护部上的第一子像素功能材料层以及位于显示区的部分第一子像素功能材料层,得
到第一子像素功能层,第一子像素功能层用于形成多个第一子发光器件,不同的第一子发
光器件位于不同的第一子像素开口。
[0015] 可选地,像素开口还包括第二子像素开口,功能材料层还包括第二子像素功能材料层,功能膜层还包括第二子像素功能层,第二子像素功能材料层在衬底基板上的正投影
还覆盖显示区;
[0016] 在像素定义层远离衬底基板的一侧和保护层远离衬底基板的一侧形成功能材料层,并去除保护部上的功能材料层,得到功能膜层的步骤,还包括:
[0017] 在第一子像素功能层背离衬底基板的一侧形成第二子像素功能材料层,并去除保护部上的第二子像素功能材料层以及位于显示区的部分第二子像素功能材料层,得到第二
子像素功能层,第二子像素功能层用于形成多个第二子发光器件,不同的第二子发光器件
位于不同的第二子像素开口。
[0018] 可选地,功能材料层还包括第三子像素功能材料层,功能膜层还包括第三子像素功能层,第三子像素功能材料层在衬底基板上的正投影还覆盖显示区;
[0019] 在像素定义层远离衬底基板的一侧和保护层远离衬底基板的一侧形成功能材料层,并去除保护部上的功能材料层,得到功能膜层的步骤,还包括:
[0020] 采用第一掩膜板,对限定部进行曝光,并在限定部上刻蚀形成第三子像素开口;
[0021] 在第二子像素功能层背离衬底基板的一侧形成第三子像素功能材料层,并去除保护部上的第三子像素功能材料层以及位于显示区的部分第三子像素功能材料层,得到第三
子像素功能层,第三子像素功能层用于形成多个第三子发光器件,不同的第三子发光器件
位于不同的第三子像素开口;
[0022] 去除保护部的步骤,包括:
[0023] 采用第二掩膜板,对保护部进行曝光,并刻蚀去除保护部。
[0024] 可选地,驱动基板还包括位于限定部背离所述衬底基板一侧的隔离结构,隔离结构围合形成第一子隔离开口和第二子隔离开口,第一子隔离开口与第一子像素开口在衬底
基板上的正投影一一对应交叠,第二子隔离开口与第二子像素开口在衬底基板上的正投影
一一对应交叠;
[0025] 在采用第一掩膜板,对限定部进行曝光的步骤之前,还包括:
[0026] 在隔离结构上刻蚀形成第三子隔离开口,第三子隔离开口与第三子像素开口在衬底基板上的正投影一一对应交叠。
[0027] 可选地,去除保护部的步骤,包括:
[0028] 采用同一掩膜板,对限定部和保护部进行曝光;
[0029] 在限定部上刻蚀形成第三子像素开口,并刻蚀去除保护部。
[0030] 可选地,在限定部上刻蚀形成第三子像素开口的步骤之后,以及在金属层背离衬底基板的一侧形成第一无机膜层的步骤之前,还包括:
[0031] 在功能膜层背离衬底基板的一侧形成第三子像素功能层,第三子像素功能层用于形成多个第三子发光器件,不同的第三子发光器件位于不同的第三子像素开口,第三子像
素功能层与金属部在衬底基板上的正投影无交叠;
[0032] 在金属层背离衬底基板的一侧形成第一无机膜层的步骤,包括:
[0033] 在第三子像素功能层背离衬底基板的一侧形成第一无机膜层。
[0034] 可选地,驱动基板还包括位于限定部背离衬底基板一侧的隔离结构,隔离结构围合形成隔离开口,隔离开口与像素开口在衬底基板上的正投影一一对应交叠;
[0035] 在采用同一掩膜板,对限定部和保护部进行曝光的步骤之前,还包括:
[0036] 在隔离结构上刻蚀形成第三子隔离开口,第三子隔离开口与第三子像素开口在衬底基板上的正投影一一对应交叠。
[0037] 可选地,去除保护部上的功能材料层,得到功能膜层的步骤,包括:
[0038] 采用湿刻和/或干刻工艺,去除保护部上的功能材料层,得到功能膜层。
[0039] 可选地,第一无机膜层还包括位于显示区的触控缓冲部,在金属层背离衬底基板的一侧形成第一无机膜层的步骤之后,还包括:
[0040] 在触控缓冲部背离衬底基板的一侧形成触控电极层,触控电极层包括位于显示区的多个触控电极,触控电极层与膜厚检测部在衬底基板上的正投影无交叠。
[0041] 可选地,第一无机膜层还包括位于显示区的触控绝缘部,在金属层背离衬底基板的一侧形成第一无机膜层的步骤之前,还包括:
[0042] 在功能膜层背离所述衬底基板的一侧形成第一触控电极层,第一触控电极层包括位于显示区的多个第一触控电极,第一触控电极层与膜厚检测部在衬底基板上的正投影无
交叠;
[0043] 在金属层背离衬底基板的一侧形成第一无机膜层的步骤,包括:
[0044] 在第一触控电极层背离衬底基板的一侧形成第一无机膜层;
[0045] 在第一触控电极层背离衬底基板的一侧形成第一无机膜层的步骤之后,还包括:
[0046] 在触控绝缘部背离衬底基板的一侧形成第二触控电极层,第二触控电极层包括位于显示区的多个第二触控电极,第二触控电极层与膜厚检测部在衬底基板上的正投影无交
叠。
[0047] 可选地,在形成功能膜层之后,形成第一无机膜层之前,在功能膜层远离衬底基板一侧形成第二封装层,第二封装层在衬底基板上的正投影覆盖显示区;
[0048] 优选地,在形成第二封装层之后,在第二封装层远离衬底基板一侧形成第三封装层,第三封装层在衬底基板上的正投影覆盖显示区。
[0049] 可选地,非显示区还包括绑定区,金属层还包括位于显示面板区内的导电部,导电部包括以下至少之一:
[0050] 位于显示区的电源线;
[0051] 位于显示区的数据线;以及
[0052] 连接在显示区和绑定区之间的连接线
[0053] 可选地,提供驱动基板的步骤,包括:
[0054] 提供衬底基板;
[0055] 在衬底基板的一侧形成第二无机膜层,第二无机膜层包括位于膜厚检测区的基底部,金属部位于所述基底部背离所述衬底基板一侧的表面上。
[0056] 根据本申请实施例的第二方面,提供了一种显示母板。显示母板包括至少一个显示面板区,以及位于显示面板区至少一侧的膜厚检测区,显示面板区包括显示区以及非显
示区,显示母板包括:
[0057] 衬底基板;
[0058] 金属层,设置在衬底基板的一侧,包括位于膜厚检测区的金属部;
[0059] 保护层,设置在金属层远离衬底基板的一侧;以及
[0060] 第一无机膜层,设置在金属层背离衬底基板的一侧,第一无机膜层包括位于膜厚检测区的膜厚检测部,膜厚检测部位于金属部背离衬底基板一侧的表面上;
[0061] 其中,膜厚检测部的厚度最大处与最小处之差大于或等于0,且小于或等于膜厚检测部的平均厚度的6%。
[0062] 根据本申请实施例的第三方面,提供了一种显示面板。包括显示区以及非显示区,显示面板包括第一无机膜层,第一无机膜层的厚度最大处与最小处之差大于或等于0,且小于或等于第一无机膜层的平均厚度的6%。
[0063] 可选地,显示面板还包括:
[0064] 衬底基板;
[0065] 隔离结构,位于衬底基板的一侧,隔离结构围合形成隔离开口;
[0066] 触控结构,包括第一无机膜层;
[0067] 优选地,显示面板还包括像素定义层,位于隔离结构和衬底基板之间,像素定义层包括位于显示区的限定部,限定部用于围合形成像素开口;
[0068] 优选地,隔离开口与像素开口在衬底基板上的正投影一一对应交叠。
[0069] 根据本申请实施例的第四方面,提供了一种显示装置,包括:
[0070] 如上述的显示面板;以及
[0071] 驱动组件,与显示面板连接,用于驱动显示面板显示画面。
[0072] 根据本申请实施例提供的方案,位于膜厚检测区的金属部上的保护部先形成再去除,保护部可以对金属部进行保护,避免在制备过程中对金属部造成损伤,可以提高金属部背离衬底基板一侧表面的形貌完整性。另外,由于膜厚检测部设置在金属部背离衬底基板
一侧的表面上,因此本方案可以提高膜厚检测部的成膜平整性,进而提高对膜厚检测部进
行膜厚检测的数据准确性。
附图说明
[0073] 为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本
申请实施例中记载的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,还可以根据这些附图获
得其他的附图。
[0074] 图1为相关技术中一种显示模板的剖面性结构示意图;
[0075] 图2为根据本申请实施例的一种显示母板的平面结构示意图;
[0076] 图3为根据本申请实施例的一种显示母板的制备方法的步骤流程图
[0077] 图4为根据本申请实施例的又一种显示母板的制备方法的步骤流程图;
[0078] 图5为根据本申请实施例的一种驱动基板的剖面结构示意图;
[0079] 图6为根据本申请实施例的一种显示母板的部分制备流程示意图;
[0080] 图7为根据本申请实施例的一种显示母板的制备方法示例流程图;
[0081] 图8为根据本申请实施例的一种显示母板的部分制备流程示意图;
[0082] 图9为根据本申请实施例的一种显示母板的制备方法示例流程图;
[0083] 图10为根据本申请实施例的一种显示母板的部分制备流程示意图;
[0084] 图11为根据本申请实施例的一种显示母板的剖面结构示意图;
[0085] 图12为根据本申请实施例的一种显示母板示例的剖面结构示意图;
[0086] 图13为根据本申请实施例的另一种显示母板示例的剖面结构示意图;
[0087] 图14为根据本申请实施例的一种显示面板的平面结构示意图;
[0088] 图15为根据本申请实施例的一种显示装置的结构示意图。

具体实施方式

[0089] 为了使本领域的人员更好地理解本申请实施例中的技术方案,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本申请实施例一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请实施例中的实施
例,本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例,都应当属于本申请实施例保护的范围。
[0090] 在本申请实施例使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的,而非旨在限制本申请。在本申请实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式,除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解,本申请实施例中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
[0091] 应当理解,在本申请实施例的描述中,术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请实施例的方案和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能
理解为对本申请实施例的限制。
[0092] 此外,当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一个元件或层时,该元件或层可以直接在其它元件或层上、直接连接到或直接结合到另一元件或层或者可以存在中间元件或层。然而,当元件或层被称作“直接在”另一个元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一个元件或层时,不存在中间元件或层。
[0093] 术语第一、第二等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分,但这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语被用于将一个元件、组件、区域、层和/或部分与另一个元件、组件、区域、层和/或部分区分开。
[0094] 除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0095] 相关技术中,显示母板中的膜厚检测区包括衬底基板10,以及沿远离衬底基板10的方向依次层叠设置在衬底基板10一侧的基底部11、金属部12以及膜厚检测部13。发明人
在对膜厚检测部13进行膜厚检测时发现,检测得到的膜厚数据不准确。
[0096] 为了解决上述问题,本申请提供了一种显示母板的制备方法,参照图2,该显示母板2包括至少一个显示面板区PNL,以及位于显示面板区PNL至少一侧的膜厚检测区TEG。示
例性地,如图2所示,该显示母板可以包括多个显示面板区PNL,膜厚检测区TEG例如位于多个显示面板区PNL的外围区域。
[0097] 在一些实施例中,如图2所示,显示面板区PNL包括显示区AA以及非显示区NA。显示区AA可以包括多个子像素。
[0098] 示例性地,如图2和图11所示,各子像素包括子像素开口P以及设置在子像素开口P处的子发光器件LD,子发光器件LD例如包括依次层叠设置的第一电极E1、发光部EM、第二电极E2以及第一封装部LDF,不同的子发光器件LD位于不同的子像素开口P处。其中,第一电极E1例如为阳极,第二电极E2例如为阴极。不同子发光器件LD的第一封装部LDF可以相互分隔开设置,以实现各个子发光器件LD的独立封装。
[0099] 在一些实施例中,位于显示区AA的多个子像素包括发光颜色互不相同的第一子像素、第二子像素和第三子像素。如图11所示,第一子像素包括第一子像素开口P1以及设置在第一子像素开口P1处的第一子发光器件LD1。第二子像素包括第二子像素开口P2以及设置
在第二子像素开口P2处的第二子发光器件LD2。第三子像素包括第三子像素开口P3以及设
置在第三子像素开口P3处的第三子发光器件LD3。第一子发光器件LD1、第二子发光器件LD2以及第三子发光器件LD3中的发光部EM材料互不相同。
[0100] 例如,第一子像素为蓝色子像素,第二子像素为绿色子像素,第三子像素为红色子像素。需要说明的是,第一子像素还可以为绿色子像素或红色子像素,第二子像素还可以为红色子像素或蓝色子像素,第三子像素还可以为蓝色子像素或绿色子像素。第一子像素、第二子像素以及第三子像素的发光颜色可以根据实际情况设置,在此不做具体限定。
[0101] 参照图3,本申请提供的显示母板的制备方法包括:
[0102] 提供驱动基板。如图5所示,驱动基板10包括:衬底基板10,以及沿远离衬底基板10的方向依次层叠设置在衬底基板一侧的金属层M和保护层B。金属层M包括位于膜厚检测区TEG的金属部12,保护层B包括位于膜厚检测区TEG的保护部PDL2。在衬底基板10上的正投影中,保护部PDL2覆盖金属部12的至少一部分。
[0103] 如图5所示,保护部PDL2位于金属部12背离衬底基板10的一侧,保护部PDL2在衬底基板10上的正投影可以完全覆盖金属部12在衬底基板10上的正投影。
[0104] 提供驱动基板后,去除保护部PDL2。
[0105] 示例性地,可以采用刻蚀工艺去除保护部PDL2,例如采用干法刻蚀工艺去除保护部PDL2。
[0106] 去除保护部PDL2后,在金属层M背离衬底基板10的一侧形成第一无机膜层WJ1,如图11所示,第一无机膜层WJ1包括位于膜厚检测区TEG的膜厚检测部13,膜厚检测部13位于
金属部12背离衬底基板10一侧的表面上。
[0107] 如图11所示,膜厚检测部13与金属部12在衬底基板10上的正投影相交叠。
[0108] 示例性地,可以采用化学气相沉积等蒸工艺形成第一无机膜层WJ1,也可以采用其它成膜工艺形成,在此不做具体限定。第一无机膜层WJ1的材料例如为氮化化硅或氮氧化硅等无机材料。
[0109] 本申请提供的显示母板的制备方法,位于膜厚检测区TEG的金属部12上的保护部PDL2先形成再去除,保护部PDL2可以对金属部12进行保护,避免在制备显示母板的过程中
对金属部12造成损伤,可以提高金属部12背离衬底基板10一侧表面的形貌完整性。另外,由于膜厚检测部13设置在金属部12背离衬底基板10一侧的表面上,因此本方案可以提高膜厚
检测部13的成膜平整性,进而提高对膜厚检测部13进行膜厚检测的数据准确性。在一些示
例中,膜厚检测部13的厚度最大处与最小处之差大于或等于0,且小于或等于膜厚检测部13的平均厚度的6%。
[0110] 在一些实施例中,如图5所示,驱动基板DP还包括像素定义层PDL,像素定义层PDL设置在金属层M远离衬底基板10的一侧。像素定义层PDL包括位于显示区AA的限定部PDL1,
限定部PDL1用于围合形成像素开口PX。其中,像素开口PX包括至少一种子像素开口P,例如包括第一子像素开口P1、第二子像素开口P2以及第三子像素开口P3中的至少一种。例如在
图5中,像素开口PX包括第一子像素开口P1和第二子像素开口P2。
[0111] 显示母板的制备方法中,在去除保护部PDL2之前,形成像素定义层PDL。在像素定义层PDL远离所述衬底基板10的一侧和保护层PDL2远离所述衬底基板10的一侧形成功能材
料层40(如图6中的a所示),并去除位于保护部PDL2上的功能材料层40,得到功能膜层41(如图6中的b所示)。其中,在衬底基板10上的正投影中,功能材料层40覆盖至少部分保护部
PDL2,功能膜层41与保护部PDL2无交叠。
[0112] 示例性地,如图6所示,功能材料层40在衬底基板10上的正投影完全覆盖保护部PDL2在衬底基板10上的正投影,进一步地,功能材料层40在衬底基板10上正投影可以整面
覆盖衬底基板10,功能材料层40的具体结构可以根据实际情况设置,在此不做具体限定。
[0113] 示例性地,可以采用化学气相沉积等蒸镀工艺形成功能材料层40,也可以采用其它成膜工艺形成,在此不做具体限定。
[0114] 示例性地,可以采用刻蚀工艺去除保护部PDL2上的功能材料层40。例如,可以采用湿刻工艺去除保护部PDL2上的功能材料层40,还可以采用干刻工艺去除保护部PDL2上的功能材料层40,还可以采用湿刻和干刻混合的工艺去除保护部PDL2上的功能材料层40。在刻
蚀工艺中,保护部PDL2的设置可以保护金属部12,避免金属部12被过刻损伤。
[0115] 本申请提供的显示母板的制备方法,由于金属部12上的保护部PDL2是在制备得到功能膜层41之后再进行去除,因此,在制备功能膜层41的过程中保护部PDL2能够对金属部
12进行保护,避免在功能材料层40的去除过程中对金属部12造成损伤,可以提高金属部12
背离衬底基板10一侧表面的形貌完整性。
[0116] 在一些实施例中,形成保护层PDL2时,同步形成像素定义层PDL。
[0117] 示例性地,如图5所示,保护层PDL2和像素定义层PDL同步形成,保护层PDL2的材料与像素定义层PDL的材料可以相同,这样一来,不需要先形成保护层PDL2,再形成像素定义层PDL,或者,先形成像素定义层PDL,再形成保护层PDL2,可以减少显示母板的制备步骤,提高生产效率。
[0118] 也就是说,参照图4,本申请提供的显示母板的制备方法包括:
[0119] 步骤S301:提供驱动基板。如图5所示,驱动基板DP包括:衬底基板10,以及设置在衬底基板10一侧的金属层M、保护层B和像素定义层PDL,金属层M包括位于膜厚检测区TEG的金属部12,像素定义层PDL包括位于显示区AA的限定部PDL1,保护层B包括位于膜厚检测区TEG的保护部PDL2,在衬底基板10上的正投影中,保护部PDL2覆盖金属部12的至少一部分。
沿远离衬底10的方向,金属层M和保护层B依次层叠设置。
[0120] 步骤S302:在像素定义层PDL远离所述衬底基板10的一侧和保护层PDL2远离所述衬底基板10的一侧形成功能材料层40(如图6中的a所示),并去除位于保护部PDL2上的功能
材料层40,得到功能膜层41(如图6中的b所示)。
[0121] 步骤S303:去除保护部PDL2。
[0122] 步骤S304:在功能膜层41背离衬底基板10的一侧形成第一无机膜层WJ1,如图10所示,第一无机膜层WJ1包括位于膜厚检测区TEG的膜厚检测部13,膜厚检测部13位于金属部
12背离衬底基板10一侧的表面上。
[0123] 示例性地,如图5所示,驱动基板DP还可以包括:位于金属层M与像素定义层PDL之间的第一电极层E1 L,第一电极层E1 L包括位于不同子发光器件LD的多个第一电极E1。
[0124] 在一些实施例中,如图8所示,功能膜层41可以包括子像素功能层411/412/413,子像素功能层411/412/413例如包括沿远离衬底基板10的方向依次层叠设置的发光层EML、第二电极层E2L和第一封装层FZ1,发光层EML包括位于不同子发光器件LD的发光部EM,第二电极层E2L包括位于不同子发光器件LD的多个第二电极E2,第一封装层FZ1包括位于不同子发
光器件LD的第一封装部LDF。
[0125] 在一些实施例中,发光层EML可以为单层结构,例如只包括有机发光材料层,当然,本发明并不仅限于此,在另一些实施例中,发光层EML可以包括多层结构,例如可以包括层叠设置在第一电极E1和第二电极E2之间的空穴注入层、空穴传输层、有机发光材料层、电子传输层和电子注入层等膜层,发光层EML的具体结构可以根据实际情况选择设置,在此不做具体限定。
[0126] 第一封装层FZ1的材料例如为无机封装材料。
[0127] 在一些实施例中,如图6所示,像素开口PX包括第一子像素开口P1,功能材料层40包括第一子像素功能材料层401,功能膜层41包括第一子像素功能层411,第一子像素功能
材料层401在衬底基板10上的正投影还覆盖显示区AA。相应地,参照图7,步骤S302可以包
括:
[0128] 步骤S3021:在驱动基板DP靠近像素定义层PDL和保护层B的一侧形成第一子像素功能材料层401(如图6中的a所示),并去除保护部PDL2上的第一子像素功能材料层401以及
位于显示区AA的部分第一子像素功能材料层401,得到第一子像素功能层411,如图6中的b
所示,第一子像素功能层411用于形成多个第一子发光器件LD1,不同的第一子发光器件LD1位于不同的第一子像素开口P1。
[0129] 本实施例中,在制备第一子像素功能层411的过程中保护部PDL2能够对金属部12进行保护,避免在第一子像素功能材料层401的去除过程中对金属部12造成损伤。
[0130] 示例性地,可以在驱动基板DP靠近像素定义层PDL和保护层B的一侧依次形成第一发光材料层EMM、第二电极材料层E2M以及第一封装材料层FZM,即形成第一子像素功能材料层401,之后可以采用刻蚀工艺(如干刻)去除位于第一子像素开口P1位置以外的第一封装
材料层FZM,得到第一子像素功能层411的第一封装层FZ1;之后可以采用刻蚀工艺(如湿刻)依次去除位于第一子像素开口P1位置以外的第二电极材料层E2M以及位于第一子像素开口
P1位置以外的第一发光材料层EMM,得到第一子像素功能层411的第二电极层E2L和发光层
EML。其中,第一子像素功能层411的发光层EML包括位于不同第一子像素开口P1的多个发光部EM,第一子像素功能层411的第二电极层E2L包括位于不同第一子像素开口P1的多个第二
电极E2,第一子像素功能层411的第一封装层FZ1包括位于不同第一子像素开口P1的多个第
一封装部LDF。
[0131] 在一些实施例中,如图6所示,像素开口PX还包括第二子像素开口P2,功能材料层40还包括第二子像素功能材料层,功能膜层41还包括第二子像素功能层412,第二子像素功能材料层在衬底基板10上的正投影还覆盖显示区AA。相应地,参照图7,步骤S302还可以包括:
[0132] 步骤S3022:在第一子像素功能层411背离衬底基板10的一侧形成第二子像素功能材料层,并去除保护部PDL2上的第二子像素功能材料层以及位于显示区AA的部分第二子像
素功能材料层,得到第二子像素功能层412,如图6中的c所示,第二子像素功能层412用于形成多个第二子发光器件LD2,不同的第二子发光器件LD2位于不同的第二子像素开口P2。
[0133] 本实施例中,在制备第二子像素功能层412的过程中保护部PDL2能够对金属部12进行保护,避免在第二子像素功能材料层的去除过程中对金属部12造成损伤。
[0134] 示例性地,第二子像素功能层412与第一子像素功能层411的制备过程类似,可以在第一子像素功能层411背离衬底基板10的一侧依次形成第二发光材料层、第二电极材料
层以及第一封装材料层,即形成第二子像素功能材料层,之后可以采用刻蚀工艺(如干刻)
去除位于第二子像素开口P2位置以外的第一封装材料层,得到第二子像素功能层412的第
一封装层FZ1;之后可以采用刻蚀工艺(如湿刻)依次去除位于第二子像素开口P2位置以外
的第二电极材料层以及位于第二子像素开口P2位置以外的第二发光材料层,得到第二子像
素功能层412的第二电极层E2L和发光层EML。其中,第二子像素功能层412的发光层EML包括位于不同第二子像素开口P2的多个发光部EM,第二子像素功能层412的第二电极层E2L包括
位于不同第二子像素开口P2的多个第二电极E2,第二子像素功能层412的第一封装层FZ1包
括位于不同第二子像素开口P2的多个第一封装部LDF。
[0135] 在一些实施例中,功能材料层40还包括第三子像素功能材料层,功能膜层41还包括第三子像素功能层,第三子像素功能材料层在衬底基板10上的正投影还覆盖显示区AA。
相应地,参照图7,步骤S302还可以包括:
[0136] 步骤S3023:采用第一掩膜板,对限定部PDL1进行曝光,并在限定部PDL1上刻蚀形成第三子像素开口P3,得到的显示母板如图8中的a所示。
[0137] 步骤S3024:在第二子像素功能层412背离衬底基板10的一侧形成第三子像素功能材料层,并去除保护部PDL2上的第三子像素功能材料层以及位于显示区AA的部分第三子像
素功能材料层,得到第三子像素功能层413,如图8中的b所示,第三子像素功能层413用于形成多个第三子发光器件LD3,不同的第三子发光器件LD3位于不同的第三子像素开口P3。
[0138] 本实施例中,在制备第三子像素功能层413的过程中保护部PDL2能够对金属部12进行保护,避免在第三子像素功能材料层的去除过程中对金属部12造成损伤。
[0139] 示例性地,第三子像素功能层413与第一子像素功能层411的制备过程类似,可以在第二子像素功能层412背离衬底基板10的一侧依次形成第三发光材料层、第二电极材料
层以及第一封装材料层,即形成第三子像素功能材料层,之后可以采用刻蚀工艺(如干刻)
去除位于第三子像素开口P3位置以外的第一封装材料层,得到第三子像素功能层413的第
一封装层FZ1;之后可以采用刻蚀工艺(如湿刻)依次去除位于第三子像素开口P3位置以外
的第二电极材料层以及位于第三子像素开口P3位置以外的第三发光材料层,得到第三子像
素功能层413的第二电极层E2L和发光层EML。其中,第三子像素功能层413的发光层EML包括位于不同第三子像素开口P3的多个发光部EM,第三子像素功能层413的第二电极层E2L包括
位于不同第三子像素开口P3的多个第二电极E2,第三子像素功能层413的第一封装层FZ1包
括位于不同第三子像素开口P3的多个第一封装部LDF。
[0140] 在一些实施例中,在完成步骤S3024之后,再执行步骤S303。
[0141] 由于第一子像素功能层411、第二子像素功能层412以及第三子像素功能层413的制备均涉及湿刻制程,在完成第一子像素功能层411、第二子像素功能层412以及第三子像
素功能层413的制备之后再进行保护部PDL2的去除,这样保护部PDL2可以保护金属部12,避免刻蚀药液进入金属部12并对其造成腐蚀,减少对金属部12造成大面积损伤。
[0142] 相应地,参照图7,步骤S303可以包括:
[0143] 步骤S3030:采用第二掩膜板,对保护部PDL2进行曝光,并刻蚀去除保护部PDL2,得到的显示母板如图8中的c所示。之后再在第三子像素功能层413背离衬底基板10的一侧形成第一无机膜层WJ1,可以得到如图11所示的显示母板。
[0144] 通过新增一道掩膜板即第二掩膜板,在完成第一子像素功能层411、第二子像素功能层412以及第三子像素功能层413的制备之后再进行保护部PDL2的曝光和刻蚀,可以在更
大程度上减少对金属部12的损伤。
[0145] 在一些示例中,如图5所示,驱动基板DP还可以包括:位于限定部PDL1背离衬底基板10一侧的隔离结构GL,隔离结构GL围合形成隔离开口H1,隔离开口H1与像素开口PX在衬
底基板10上的正投影一一对应交叠。
[0146] 在蒸镀形成发光层EML和第二电极层E2L时,发光层EML和第二电极层E2L可以在隔离结构GL的边缘处自然断开,从而使得隔离结构GL可以替代精细金属掩膜板(F i ne Meta l Mask,FMM),实现发光层EML和第二电极层E2L的图案化
[0147] 在一些实施例中,如图5所示,隔离开口H1包括第一子隔离开口H11和第二子隔离开口H12,第一子隔离开口H11与第一子像素开口P1在衬底基板10上的正投影一一对应交
叠,第二子隔离开口H12与第二子像素开口P2在衬底基板10上的正投影一一对应交叠。
[0148] 相应地,在步骤S3023之前,步骤S302还可以包括:
[0149] 步骤S3025:在隔离结构GL上刻蚀形成第三子隔离开口H2,如图8所示,第三子隔离开口H2与第三子像素开口P3在衬底基板10上的正投影一一对应交叠。步骤S3025例如可以在步骤S3022之后以及步骤S3023之前完成。
[0150] 在另一些实施例中,参照图9,步骤S303可以包括:
[0151] 步骤S3031:采用同一掩膜板,对限定部PDL1和保护部PDL2进行曝光。
[0152] 步骤S3032:在限定部PDL1上刻蚀形成第三子像素开口P3,并刻蚀去除保护部PDL2,得到的显示母板如图10中的a所示。
[0153] 本实施例中,在限定部PDL1上形成第三子像素开口P3和保护部PDL2的去除共用同一掩膜板,这样可以简化工艺步骤,无需新增掩膜板对保护部PDL2进行去除,降低成本。
[0154] 步骤S3032进一步可以包括:采用同一刻蚀工艺,在限定部PDL1上刻蚀形成第三子像素开口P3,并刻蚀去除保护部PDL2。这样可以进一步简化工艺步骤,降低成本。
[0155] 示例性地,如图9所示,步骤S3031和步骤S3032可以在步骤S3021以及步骤S3022之后依次执行。这样,在步骤S3021中制备第一子像素功能层411以及在步骤S3022制备第二子像素功能层412的过程中保护部PDL2可以保护金属部12,减少对金属部12的损伤。
[0156] 在一些实施例中,在步骤S3031之前,还可以包括:
[0157] 步骤S3033:在隔离结构GL上刻蚀形成第三子隔离开口H2,如图10所示,第三子隔离开口H2与第三子像素开口P3在衬底基板10上的正投影一一对应交叠。步骤S3033例如可
以在步骤S3022之后以及步骤S3031之前执行。
[0158] 相应地,参照图9,在步骤S3032中形成第三子像素开口P3之后,以及在步骤S304之前,还可以包括:
[0159] 步骤S305:在功能膜层41背离衬底基板10的一侧形成第三子像素功能层413,如图10中的b所示,第三子像素功能层413用于形成多个第三子发光器件LD3,不同的第三子发光器件LD3位于不同的第三子像素开口P3,第三子像素功能层413与金属部12在衬底基板10上
的正投影无交叠。
[0160] 相应地,步骤S304具体可以包括:在第三子像素功能层413背离衬底基板10的一侧形成第一无机膜层WJ1,可以得到如图11所示的显示母板。
[0161] 在一些实施例中,如图12所示,第一无机膜层WJ1还包括位于显示区AA的触控缓冲部BF,在步骤S304之后,还可以包括:
[0162] 步骤S306:在触控缓冲部BF背离衬底基板10的一侧形成触控电极TE层,如图12所示,触控电极TE层包括位于显示区AA的多个触控电极TE,触控电极TE层与膜厚检测部13在
衬底基板10上的正投影无交叠。其中,触控电极TE用于在显示区AA实现触控功能。
[0163] 在一些实施例中,如图13所示,第一无机膜层WJ1还包括位于显示区AA的触控绝缘部JY,在步骤S304之前,还可以包括:
[0164] 步骤S307:在功能膜层41背离衬底基板10的一侧形成第一触控电极TE1层,如图13所示,第一触控电极TE1层包括位于显示区AA的多个第一触控电极TE1,第一触控电极TE1层与膜厚检测部13在衬底基板10上的正投影无交叠。
[0165] 相应地,步骤S304具体可以包括:在第一触控电极TE1层背离衬底基板10的一侧形成第一无机膜层WJ1。
[0166] 在步骤S304之后,还可以包括:
[0167] 步骤S308:在触控绝缘部JY背离衬底基板10的一侧形成第二触控电极TE2层,如图13所示,第二触控电极TE2层包括位于显示区AA的多个第二触控电极TE2,第二触控电极TE2层与膜厚检测部13在衬底基板10上的正投影无交叠。
[0168] 其中,第一触控电极TE1和第二触控电极TE2用于在显示区AA实现触控功能。
[0169] 示例性地,可以在完成第三子像素功能层413的制备之后再执行步骤S307,相应地,步骤S307具体包括:在第三子像素功能层413背离衬底基板10的一侧形成第一触控电极TE1层。
[0170] 示例性地,非显示区NA还包括绑定区。
[0171] 在一些实施例中,如图11所示,金属层M还包括位于显示面板区PNL内的导电部DD,导电部DD包括以下至少之一:位于显示区AA的电源线、位于显示区AA的数据线以及连接在显示区AA和绑定区之间的连接线。其中,电源线用于传输电源信号,数据线用于传输显示信号,连接线例如位于可弯折区,可弯折区位于显示区AA与绑定区之间。
[0172] 在一些实施例中,步骤S301可以包括:
[0173] 步骤S3011:提供衬底基板10。
[0174] 步骤S3012:在衬底基板10的一侧形成第二无机膜层WJ2,如图11所示,第二无机膜层WJ2包括位于膜厚检测区TEG的基底部11,金属部12位于基底部11背离衬底基板10一侧的表面上。
[0175] 其中,第二无机膜层WJ2包括依次层叠设置的栅极绝缘层G I、内质绝缘层CI以及层间介质层I LD。
[0176] 通过设置基底部11可以提高金属部12的粘附。另外,通过在基底部11与膜厚检测部13之间设置金属部12,可以将基底部11与膜厚检测部13隔离开,避免基底部11与膜厚
检测部13的材料在界面处发生混合,金属部12的设置有利于提高膜厚检测的准确度。
[0177] 示例性地,金属层M包括层叠设置的第一子金属层、第二子金属层和第三子金属层,其中,第一子金属层相比第三子金属层更靠近基底部11。此时,金属部12包括第一子金属层、第二子金属层和第三子金属层,沿远离基底部11的方向,基底部11、第一子金属层、第二子金属层、第三子金属层和膜厚检测部13依次层叠设置。第一子金属层的材料与第三子
金属层的材料可以相同,第一子金属层的材料与第二子金属层的材料不同,第二子金属层
的材料与第三子金属层的材料不同,示例性地,第一子金属层为层,第二子金属层为
层,第三子金属层为钛层。
[0178] 本申请实施例还提供了一种显示母板,如图2所示,该显示母板包括至少一个显示面板区PNL,以及位于显示面板区PNL至少一侧的膜厚检测区TEG,显示面板区PNL包括显示
区AA以及非显示区NA。
[0179] 如图11所示,该显示母板包括:衬底基板10;金属层M,设置在衬底基板10的一侧,包括位于膜厚检测区TEG的金属部12以及设置在金属层M背离衬底基板10的一侧第一无机膜层WJ1,包括位于膜厚检测区TEG的膜厚检测部13。膜厚检测部13位于金属部12背离衬底
基板10一侧的表面上。其中,膜厚检测部13的厚度最大处与最小处之差大于或等于0,且小于或等于膜厚检测部13的平均厚度的6%。
[0180] 可选地,本实施例提供的显示母板可以由前任一实施例所述的制备方法制备得到。
[0181] 示例性地,膜厚检测部13的厚度最大处与最小处等于0。膜厚检测部13的厚度处处相等。
[0182] 示例性地,膜厚检测部13的厚度最大处与最小处之差大于0,且小于或等于膜厚检测部13的平均厚度的6%。
[0183] 在一些实施例中,显示母板还包括像素定义层PDL,设置在金属层M背离衬底基板10的一侧,包括位于显示区AA的限定部PDL1,限定部PDL1用于围合形成子像素开口P,限定部PDL1与金属部12在衬底基板10上的正投影无交叠;功能膜层41,设置在像素定义层PDL背离衬底基板10的一侧,功能膜层41与金属部12在衬底基板10上的正投影无交叠。
[0184] 示例性地,如图11所示,子像素开口P包括第一子像素开口P1、第二子像素开口P2以及第三子像素开口P3。第一子像素开口P1用于设置第一子发光器件LD1,第二子像素开口P2用于设置第二子发光器件LD2,第三子像素开口P3用于设置第三子发光器件LD3。
[0185] 示例性地,如图11所示,功能膜层41可以包括子像素功能层411/412/413,子像素功能层411/412/413例如包括沿远离衬底基板10的方向依次层叠设置的发光层EML、第二电
极层E2L和第一封装层FZ1,发光层EML包括位于不同子发光器件LD的发光部EM,第二电极层E2L包括位于不同子发光器件LD的多个第二电极E2,第一封装层FZ1包括位于不同子发光器
件LD的第一封装部LDF。
[0186] 例如,如图11所示,功能膜层41可以包括第一子像素功能层411,还可以包括第二子像素功能层412,还可以包括第三子像素功能层413。
[0187] 在一些实施例中,显示母板还包括位于显示面板区PNL内的导电部DD。示例性地,导电部DD包括以下至少之一:位于显示区AA的电源线、位于显示区AA的数据线以及连接在
显示区AA和绑定区之间的连接线。其中,电源线用于传输电源信号,数据线用于传输显示信号,连接线例如位于可弯折区,可弯折区位于显示区AA与绑定区之间。
[0188] 在一些实施例中,如图11所示,显示母板还可以包括:位于功能膜层41(如第三子像素功能层413)背离衬底基板10一侧的至少一个第二封装层FZ2,第二封装层FZ2在衬底基
板10上的正投影完全覆盖显示区AA。其中,第二封装层FZ2的材料例如为有机封装材料或无机封装材料。第二封装层FZ2可以防止水汽进入驱动基板DP内,起到保护作用。
[0189] 在一些实施例中,在形成第二封装层FZ2之后,在第二封装层FZ2远离衬底基板10一侧形成第三封装层,第三封装层在衬底基板10上的正投影覆盖显示区AA。第三封装层的
材料例如为有机封装材料或无机封装材料。第三封装层可以进一步避免水汽进入驱动基板
DP内。
[0190] 在一些实施例中,如图12所示,显示母板还可以包括:位于第二封装材料层背离衬底基板10一侧的触控层,触控层例如包括依次层叠设置的触控缓冲层111以及触控电极TE层,触控电极TE层位于触控缓冲层111背离衬底基板10的一侧。其中,触控电极TE层包括位于显示区AA的多个触控电极TE,触控电极TE层与膜厚检测部13在衬底基板10上的正投影无
交叠。其中,触控电极TE用于在显示区AA实现触控功能。
[0191] 示例性地,如图12所示,第一无机膜层WJ1为触控缓冲层111,触控缓冲层111包括位于显示区AA的触控缓冲部BF以及位于膜厚检测区TEG的膜厚检测部13,触控电极TE层设
置在触控缓冲部BF背离衬底基板10的表面上。
[0192] 在另一些实施例中,如图13所示,触控电极TE层包括依次层叠设置的第一触控电极TE1层、触控绝缘层121以及第二触控电极TE2层,第一触控电极TE1层靠近触控缓冲层111设置。其中,第一触控电极TE1层包括位于显示区AA的多个第一触控电极TE1,第一触控电极TE1层与膜厚检测部13在衬底基板10上的正投影无交叠。第二触控电极TE2层包括位于显示
区AA的多个第二触控电极TE2,第二触控电极TE2层与膜厚检测部13在衬底基板10上的正投
影无交叠。第一触控电极TE1和第二触控电极TE2用于在显示区AA实现触控功能。
[0193] 示例性地,如图13所示,第一无机膜层WJ1为触控绝缘层121,触控绝缘层121包括位于显示区AA的触控绝缘部JY以及位于膜厚检测区TEG的膜厚检测部13,第一触控电极TE1
层和第二触控电极TE2层层叠设置在触控绝缘部JY的两侧。
[0194] 本申请实施例还提供了一种显示面板PNL,如图14所示,可选地,该显示面板PNL由显示母板切割得到。其中,显示母板为如前任一实施例所述的显示母板,或者显示面板PNL是由前任一实施例所述的显示母板的制备方法制备得到。
[0195] 在一些实施例中,显示面板PNL包括显示区以及非显示区,显示面板包括第一无机膜层。第一无机膜层的厚度最大处与最小处之差大于或等于0,且小于或等于所述第一无机膜层的平均厚度的6%。
[0196] 在一些实施例中,显示面板PNL还包括衬底基板;位于衬底基板一侧的隔离结构,隔离结构围合形成隔离开口;触控结构,包括所述第一无机膜层。
[0197] 在一些实施例中,显示面板PNL还包括像素定义层,位于隔离结构和衬底基板之间,像素定义层包括位于显示区的限定部,限定部用于围合形成像素开口;
[0198] 在一些实施例中,隔离开口与像素开口在衬底基板上的正投影一一对应交叠。
[0199] 本申请实施例还提供了一种显示装置,如图15所示,该显示装置包括显示面板PNL,以及驱动组件141,驱动组件141与显示面板PNL连接,用于驱动显示面板PNL显示画面。
其中,显示面板PNL为如前任一实施例所述的显示面板PNL。
[0200] 示例性地,驱动组件141与显示面板PNL的绑定区连接,驱动组件141用于驱动显示面板PNL显示静态画面或者动态画面。
[0201] 示例性地,上述显示装置可以实现为诸如显示模组、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、车载显示设备、智能手表、健身腕带、个人数字助理等任何具有显示功能的产品或部件。
[0202] 以上实施方式仅用于说明本申请实施例,而并非对本申请实施例的限制,有关技术领域的普通技术人员,在不脱离本申请实施例的精神和范围的情况下,还可以做出各种
变化和变型,因此所有等同的技术方案也属于本申请实施例的范畴,本申请实施例的专利
保护范围应由权利要求限定。
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