电容结构和芯片组件
| 专利类型 | 发明公开 | 法律事件 | 公开; 实质审查; |
| 专利有效性 | 实质审查 | 当前状态 | 实质审查 |
| 申请号 | CN202510071729.6 | 申请日 | 2025-01-16 |
| 公开(公告)号 | CN119907247A | 公开(公告)日 | 2025-04-29 |
| 申请人 | 上海清华国际创新中心; | 申请人类型 | 其他 |
| 发明人 | 王旭; 周晟娟; 任春雄; | 第一发明人 | 王旭 |
| 权利人 | 上海清华国际创新中心 | 权利人类型 | 其他 |
| 当前权利人 | 上海清华国际创新中心 | 当前权利人类型 | 其他 |
| 省份 | 当前专利权人所在省份：上海市 | 城市 | 当前专利权人所在城市：上海市普陀区 |
| 具体地址 | 当前专利权人所在详细地址：上海市普陀区同普路602号2号楼1楼 | 邮编 | 当前专利权人邮编：200062 |
| 主IPC国际分类 | H10D1/68 | 所有IPC国际分类 | H10D1/68 ; H01L23/64 |
| 专利引用数量 | 0 | 专利被引用数量 | 0 |
| 专利权利要求数量 | 11 | 专利文献类型 | A |
| 专利代理机构 | 北京励诚知识产权代理有限公司 | 专利代理人 | 张晓玲; |
| 摘要 | 本 发明 公开了一种电容结构和 芯片组 件，电容结构用于安装于第一元件和第二元件之间，且包括：结构主体，结构主体具有相互背离的第一表面和第二表面；电容体，电容体设于结构主体内，电容体连接有正极导电部和负极导电部，正极导电部和负极导电部均伸至第一表面且适于分别与第一元件电连接；电连接体，电连接体穿设于结构主体，电连接体的一端用于与第一元件电连接，电连接体的另一端用于与第二元件电连接。本发明 实施例 的电容结构，通过将电容结构设于第一元件与第二元件之间，且将与电容体相连的正极导电部和负极导电部同时与第一元件相连，使电容结构可起到滤波作用，并可减小电容结构与第一元件之间的距离，提升电容结构的滤波性能。 | ||
| 权利要求 | 1.一种电容结构，其特征在于，所述电容结构用于安装于第一元件和第二元件之间，且包括： |
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| 说明书全文 | 电容结构和芯片组件技术领域[0001] 本发明涉及芯片技术领域，尤其涉及一种电容结构和包括该电容结构的芯片组件。 背景技术[0002] 2.5D封装作为高算力芯片封装的一种解决方案，常常是把一颗主芯片和多颗存储器芯片通过凸块连接到转接板上，芯片的电源需要外接电容以过滤高频噪声，芯片电源和 外接电容之间的路径，引入了额外的电阻和电感，影响电容的滤波性能，因此为尽可能减小 引入的电阻和电感，最直接的方法就是缩短电容和芯片电源的路径。目前对于2.5D封装来 说，可以通过在转接板中加入深槽电容，但是在芯片堆叠之后，堆叠的较高的芯片和电容之 间的距离仍然较大，因此影响电容的滤波性能，存在改进的空间。 发明内容[0004] 根据本发明实施例的电容结构，所述电容结构用于安装于第一元件和第二元件之间，且包括：结构主体，所述结构主体具有相互背离的第一表面和第二表面；电容体，所述电 容体设于所述结构主体内，所述电容体连接有正极导电部和负极导电部，所述正极导电部 和所述负极导电部均伸至所述第一表面且适于分别与所述第一元件电连接；电连接体，所 述电连接体穿设于所述结构主体，所述电连接体的一端延伸至所述第一表面以用于与所述 第一元件电连接，所述电连接体的另一端延伸至所述第二表面以用于与所述第二元件电连 接。 [0005] 根据本发明实施例的电容结构，通过将电容结构设于第一元件与第二元件之间，且将与电容体相连的正极导电部和负极导电部同时与第一元件相连，使电容结构可起到滤 波作用，并可减小电容结构与第一元件之间的距离，提升电容结构的滤波性能，以及，通过 电连接体可将第一元件上被电容结构遮挡的部分与第二元件相连，可提升二者之间的连接 可靠性。 [0006] 根据本发明一些实施例的电容结构，所述结构主体包括第一绝缘层、衬底层和第二绝缘层，所述衬底层设于所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间，所述第一绝缘层与所 述第二绝缘层背离彼此的表面分别构造为所述第一表面和所述第二表面，所述第一绝缘层 和所述衬底层共同形成有容纳空间，所述电容体位于所述容纳空间内。 [0007] 根据本发明一些实施例的电容结构，所述衬底层形成有朝向所述第一绝缘层敞开的第一容纳沉槽，所述第一绝缘层形成有与所述第一容纳沉槽连通的第二容纳沉槽，所述 电容体的一部分位于所述第一容纳沉槽内，且所述电容体的另一部分位于所述第二容纳沉 槽内以与所述正极导电部和所述负极导电部相连。 [0008] 根据本发明一些实施例的电容结构，所述第一容纳沉槽为至少两个，至少两个间隔开且分别与所述第二容纳沉槽连通，所述电容体包括至少两个电容段，至少两个所述电 容段一一对应地容纳于至少两个所述第一容纳沉槽内。 [0009] 根据本发明一些实施例的电容结构，所述电容体与所述第一容纳沉槽的内壁之间填充有绝缘层，和/或所述电容体与所述第二容纳沉槽的内壁之间填充有绝缘层。 [0010] 根据本发明一些实施例的电容结构，所述电容体包括正极层、中间绝缘层和负极层，所述正极层和所述负极层叠置分布，所述中间绝缘层设于所述正极层和所述负极层之 间；其中，所述正极导电部为两个且分别与所述正极层的两端相连，所述负极导电部为两个 且分别与所述负极层的两端相连。 [0011] 根据本发明一些实施例的电容结构，所述电连接体包括依次相连的第一连接段、中间穿设段和第二连接段，所述中间穿设段穿设于所述衬底层，所述第一连接段位于所述 第一绝缘层且用于与所述第一元件电连接，所述第二连接段位于所述第二绝缘层且用于与 所述第二元件电连接。 [0012] 根据本发明一些实施例的电容结构，所述电连接体为至少两个，且至少两个所述电连接体位于所述电容体的两侧。 [0013] 本发明还提出了一种芯片组件。 [0014] 根据本发明实施例的芯片组件，包括上述中任一种实施例所述的电容结构。 [0015] 根据本发明一些实施例的芯片组件，还包括芯片和转接板，所述电容结构设于所述芯片和所述转接板之间，所述芯片构造为所述第一元件，所述转接板构造为所述第二元 件。 [0016] 根据本发明一些实施例的芯片组件，所述芯片为多个，多个所述芯片层叠分布于所述转接板的同一侧；其中，相邻两个所述芯片之间设有所述电容结构，相邻两个所述芯片 中远离所述转接板的一个构造为所述第一元件，且靠近所述转接板的一个构造所述第二元 件。 [0017] 所述芯片组件和上述的电容结构相对于现有技术所具有的优势相同，在此不作赘述。 [0019] 本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中： [0020] 图1是根据本发明实施例的电容结构的结构示意图； [0021] 图2是根据本发明实施例的芯片组件的局部示意图一； [0022] 图3是根据本发明实施例的芯片组件的局部示意图二。 [0023] 附图标记： [0024] 电容结构100，芯片组件200， [0025] 结构主体1，第一表面11，第二表面12，第一绝缘层13，第二容纳沉槽131，衬底层14，第一容纳沉槽141，第二绝缘层15，容纳空间16， [0026] 电容体2，正极导电部21，负极导电部22，电容段23，绝缘层24，正极层25，中间绝缘层26，负极层27， [0027] 电连接体3，第一连接段31，中间穿设段32，第二连接段33， [0028] 芯片201，转接板202，凸块203。 具体实施方式[0029] 下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附 图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。 [0030] 在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，限 定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的 描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。 [0031] 在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可 以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是 两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本 发明中的具体含义。 [0032] 下面参考图1‑图3描述根据本发明实施例的电容结构100，通过将电容结构100设于第一元件与第二元件之间，且将与电容体2相连的正极导电部21和负极导电部22同时与 第一元件相连，使电容结构100可起到滤波作用，并可减小电容结构100与第一元件之间的 距离，提升电容结构100的滤波性能，以及，通过电连接体3可将第一元件上被电容结构100 遮挡的部分与第二元件相连，可提升二者之间的连接可靠性。 [0033] 如图1所示，根据本发明一个实施例的电容结构100，电容结构100用于安装于第一元件和第二元件之间，且包括：结构主体1、电容体2和电连接体3。 [0034] 结构主体1具有相互背离的第一表面11和第二表面12；电容体2设于结构主体1内，电容体2连接有正极导电部21和负极导电部22，正极导电部21和负极导电部22均伸至第一 表面11且适于分别与第一元件电连接；电连接体3穿设于结构主体1，电连接体3的一端延伸 至第一表面11以用于与第一元件电连接，电连接体3的另一端延伸至第二表面12以用于与 第二元件电连接。 [0035] 具体地，电容结构100可以起到滤波的作用，将电容结构100安装于第一元件与第二元件之间，且第一元件与第二元件堆叠设置，即可使电容结构100向第一元件靠近，以减 小电容结构100与第一元件之间的距离，即可减小电容结构100与第一元件之间的连接路 径，进而可减小电容结构100与第一元件之间的等效电阻和等效电感，提升电容结构100的 滤波性能。 [0036] 且电容结构100包括结构主体1、电容体2和电连接体3，其中，结构主体1作为电容结构100的主体结构，可为电容体2和电连接体3提供安装空间，并可为电容体2和电连接体3 提供稳定的物理支撑，以确保电容体2和电连接体3能够可靠工作，电容体2可提供一定的电 容值，以实现电容结构100的滤波作用，将电容体2设于结构主体1内，即可通过结构主体1对 电容体2进行安装与保护，电连接体3用于与第一元件和第二元件相连，以实现第一元件上 被电容结构100遮挡的部分与第二元件之间的连接，将电连接体3穿设于结构主体1，即可将 电连接体3安装于结构主体1，以实现对电连接体3的安装与固定。 [0037] 并且，结构主体1具有相互背离的第一表面11和第二表面12，可将结构主体1构造为长方体状，使其中一组相对的表面分别为第一表面11和第二表面12，即第一表面11和第 二表面12间隔开且相互背离，电容体2连接有正极导电部21和负极导电部22，正极导电部21 和负极导电部22均可用于实现电容体2与其它电子元件之间的连接，将正极导电部21和负 极导电部22均伸至第一表面11且分别与第一元件电连接，即可将正极导电部21和负极导电 部22同时与第一元件相连，以实现电容体2与第一元件的连接，即可实现电容结构100与第 一元件的连接，使电容结构100可起到滤波作用，且可将第一元件设于第一表面11所在的一 侧，以减小电容结构100与第一元件之间的距离，减小电容结构100与第一元件之间的等效 电阻和等效电感，提升电容结构100的滤波性能。 [0038] 同时，将电连接体3的一端延伸至第一表面11以与第一元件电连接，将电连接体3的另一端延伸至第二表面12以与第二元件电连接，即可将电连接体3的两端从结构主体1的 内部分别延伸至第一表面11和第二表面12以与第一元件和第二元件相连，进而可通过电连 接体3将第一元件上被电容结构100遮挡的部分与第二元件相连，可避免因将电容结构100 设于第一元件与第二元件之间使电容结构100对第一元件和第二元件造成遮挡导致第一元 件与第二元件之间的连接可靠性降低，即可提升第一元件与第二元件之间的连接可靠性， 且可将第一元件设于第一表面11所在的一侧，将第二元件设于第二表面12所在的一侧，以 便于将电连接体3的两端分别与第一元件和第二元件相连。 [0039] 在如图1所示的实施例中，可将结构主体1的上表面构造为第一表面11，下表面构造为第二表面12，且可将第一元件设于结构主体1的上方，将第二元件设于结构主体1的下 方，以便于将电连接体3同时与第一元件和第二元件相连，且可减小第一元件与电容结构 100之间的距离，提升电容结构100的滤波性能。 [0041] 根据本发明实施例的电容结构100，通过将电容结构100设于第一元件与第二元件之间，且将与电容体2相连的正极导电部21和负极导电部22同时与第一元件相连，使电容结 构100可起到滤波作用，并可减小电容结构100与第一元件之间的距离，提升电容结构100的 滤波性能，以及，通过电连接体3可将第一元件上被电容结构100遮挡的部分与第二元件相 连，可提升二者之间的连接可靠性。 [0042] 在一些实施例中，结构主体1包括第一绝缘层13、衬底层14和第二绝缘层15，衬底层14设于第一绝缘层13与第二绝缘层15之间，第一绝缘层13与第二绝缘层15背离彼此的表 面分别构造为第一表面11和第二表面12，第一绝缘层13和衬底层14共同形成有容纳空间 16，电容体2位于容纳空间16内。 [0043] 具体地，结构主体1包括三部分且分别为第一绝缘层13、衬底层14和第二绝缘层15，将衬底层14设于第一绝缘层13和第二绝缘层15之间，即可将第一绝缘层13、衬底层14和 第二绝缘层15依次设置，使电容结构100可形成三明治结构，且将第一绝缘层13和第二绝缘 层15背离彼此的表面分别构造为第一表面11和第二表面12，即可将第一绝缘层13背离第二 绝缘层15的表面朝上设置以形成第一表面11，将第二绝缘层15背离第一绝缘层13的表面朝 下设置以形成第二表面12，进而可将第一绝缘层13、衬底层14和第二绝缘层15从上到下依 次设置。 [0044] 其中，衬底层14可为硅、石英等材料，用于为电容体2和电连接体3提供物理支撑，确保电容结构100在制造和使用过程中的稳定性和形状，第一绝缘层13和第二绝缘层15可 为二氧化硅、氮化硅等绝缘材料，以起到隔离作用，将第一绝缘层13和第二绝缘层15背离彼 此的表面分别构造为第一表面11和第二表面12，即可将第一绝缘层13和第二绝缘层15分别 朝向电容结构100的两侧设置，以使第一绝缘层13和第二绝缘层15可将电容结构100两端的 电气连接点间隔开来，以避免它们直接接触导致短路，且第一绝缘层13还可将伸至第一表 面11的正极导电部21和负极导电部22间隔开来，以避免正极导电部21和负极导电部22直接 接触导致短路，进而导致电容结构100的失效。 [0045] 并且，第一绝缘层13和衬底层14共同形成容纳空间16，容纳空间16具有一定容积，可用于容纳电容体2，即可将电容体2设于容纳空间16内，以实现电容体2在电容结构100内 的安装，且可便于与电容体2相连的正极导电部21和负极导电部22从电容体2伸至第一表面 11，在第一表面11处与第一元件相连，以实现电容结构100的滤波作用。 [0046] 在一些实施例中，衬底层14形成有朝向第一绝缘层13敞开的第一容纳沉槽141，第一绝缘层13形成有与第一容纳沉槽141连通的第二容纳沉槽131，电容体2的一部分位于第 一容纳沉槽141内，且电容体2的另一部分位于第二容纳沉槽131内以与正极导电部21和负 极导电部22相连。 [0047] 具体地，第一容纳沉槽141和第二容纳沉槽131均可用于容纳电容体2，将第一容纳沉槽141与第二容纳沉槽131连通，使电容体2的一部分可位于第一容纳沉槽141内，另一部 分可位于第二容纳沉槽131内，即可使电容体2从第一容纳沉槽141延伸至第二容纳沉槽 131，以增加电容体2的设置长度和设置面积，进而可增大电容体2的电容量以提升电容结构 100的滤波效果，并且，将第一容纳沉槽141设于衬底层14且朝向第一绝缘层13敞开，将第二 容纳沉槽131设于第一绝缘层13，可便于将第一容纳沉槽141与第二容纳沉槽131连通，进而 可便于电容体2从第一容纳沉槽141向第二容纳沉槽131延伸。 [0048] 其中，需要说明的是，第一绝缘层13和衬底层14共同形成有容纳空间16，容纳空间16用于设置电容体2，且第一绝缘层13形成有第二容纳沉槽131，衬底层14形成有第一容纳 沉槽141，第一容纳沉槽141和第二容纳沉槽131均用于设置电容体2，即容纳空间16包括第 一容纳沉槽141和第二容纳沉槽131，而且，可通过刻蚀工艺在衬底层14开设第一容纳沉槽 141，在第一绝缘层13开设第二容纳沉槽131。 [0049] 以及，位于第二容纳沉槽131内的部分电容体2可与正极导电部21和负极导电部22相连，且第二容纳沉槽131设于第一绝缘层13，即位于第一绝缘层13内的部分电容体2可与 正极导电部21和负极导电部22相连，以实现电容体2与正极导电部21和负极导电部22之间 的连接，且正极导电部21和负极导电部22均伸至第一表面11，进而可便于通过正极导电部 21和负极导电部22将电容体2与第一元件相连，即可实现电容结构100与第一元件之间的连 接，以实现电容结构100的滤波作用。 [0050] 在一些实施例中，第一容纳沉槽141为至少两个，至少两个间隔开且分别与第二容纳沉槽131连通，电容体2包括至少两个电容段23，至少两个电容段23一一对应地容纳于至 少两个第一容纳沉槽141内。 [0051] 具体地，第一容纳沉槽141用于容纳电容体2，将第一容纳沉槽141设置为至少两个，即第一容纳沉槽141的设置数量可为两个、三个或更多个，以同时通过至少两个第一容 纳沉槽141对电容体2进行容纳，可有效增大电容体2的设置长度和设置面积，进而可增大电 容体2的电容量以提升电容结构100的滤波效果，同时，将至少两个第一容纳沉槽141间隔开 且分别与第二容纳沉槽131连通，即可避免至少两个第一容纳沉槽141之间发生干涉，导致 电容体2的设置长度和设置面积减小，且可便于电容体2依次经过至少两个第一容纳沉槽 141后，电容体2的两端可分别从第一个第一容纳沉槽141和最后一个第一容纳沉槽141处延 伸至第二容纳沉槽131以与正极导电部21和负极导电部22相连。 [0052] 以及，电容体2包括至少两个电容段23，即电容段23的设置数量可为两个、三个或更多个，以通过至少两个电容段23增大电容体2的电容量，且将至少两个电容段23一一对应 地容纳于至少两个第一容纳沉槽141内，即对于每一个电容段23，均可设置一个第一容纳沉 槽141以用于对其进行容纳，可提升对电容段23进行容纳的可靠性，即可提升对电容体2进 行设置的可靠性和电容体2工作的可靠性。 [0053] 示例性地，如图1所示，第一容纳沉槽141和电容段23的设置数量均为两个，即可通过两个电容段23增大电容体2的设置长度和设置面积，且两个第一容纳沉槽141与两个电容 段23一一对应地设置，以提升对电容体2进行设置的可靠性和电容体2工作的可靠性，且第 一容纳沉槽141与电容段23的设置数量均不局限于本实施例中所述，可根据具体需求和空 间大小进行灵活设置。 [0054] 在一些实施例中，电容体2与第一容纳沉槽141的内壁之间填充有绝缘层24，和/或电容体2与第二容纳沉槽131的内壁之间填充有绝缘层24。 [0055] 具体地，电容体2与第一容纳沉槽141的内壁之间填充有绝缘层24，即可在电容体2与第一容纳沉槽141之间设置绝缘层24，绝缘层24可起到将电容体2与衬底层14隔离的作 用，且绝缘层24可为氮化硅或者二氧化硅等绝缘材料形成的薄膜，以在起到隔离作用的前 提下可尽可能减小对电容体2的影响，且电容体2与第二容纳沉槽131的内壁之间填充有绝 缘层24，即可在电容体2与第二容纳沉槽131之间设置绝缘层24，绝缘层24可为二氧化硅等 绝缘材料，以用于填满第一容纳沉槽141和第二容纳沉槽131，形成明面。 [0056] 在一些实施例中，电容体2包括正极层25、中间绝缘层26和负极层27，正极层25和负极层27叠置分布，中间绝缘层26设于正极层25和负极层27之间；其中，正极导电部21为两 个且分别与正极层25的两端相连，负极导电部22为两个且分别与负极层27的两端相连。 [0057] 具体地，正极层25和负极层27可为多晶硅或金属等，以用于储存电荷，将正极层25和负极层27叠置分布，且将中间绝缘层26设于正极层25和负极层27之间，中间绝缘层26可 为高介电常数的绝缘材料，如二氧化铪等，可用于将正极层25和负极层27隔离开来，以确保 正极层25和负极层27均能够可靠工作，同时，也可将正极层25、中间绝缘层26和负极层27沿 上下方向依次设置，以减小电容体2在水平方向上的空间占用，进而可利于减小电容结构 100的体积和对电容结构100的设置。 [0058] 其中，正极导电部21为两个且分别与正极层25的两端相连，即可将两个正极导电部21均与第一元件相连，以提升二者之间的连接可靠性，且可将两个正极导电部21间隔开 设置，以避免两个正极导电部21之间产生干涉，导致电容体2无法与第一元件相连或与第一 元件之间的连接可靠性降低，同时，负极导电部22为两个且分别与负极层27的两端相连，即 可将两个负极导电部22均与第一元件相连，以提升二者之间的连接可靠性，且可将两个负 极导电部22间隔开设置，以避免两个负极导电部22之间产生干涉，导致电容体2无法与第一 元件相连或与第一元件之间的连接可靠性降低。 [0059] 以及，需要说明的是，正极层25、中间绝缘层26和负极层27可继续向上堆叠，以形成容值密度更高的电容结构100，如可形成负极层27、中间绝缘层26、正极层25、中间绝缘层 26、负极层27、中间绝缘层26、正极层25的结构。 [0060] 在一些实施例中，电连接体3包括依次相连的第一连接段31、中间穿设段32和第二连接段33，中间穿设段32穿设于衬底层14，第一连接段31位于第一绝缘层13且用于与第一 元件电连接，第二连接段33位于第二绝缘层15且用于与第二元件电连接。 [0061] 具体地，电连接体3用于同时与第一元件和第二元件相连，以实现第一元件上被电容结构100遮挡的部分与第二元件之间的连接，电连接体3包括依次相连的第一连接段31、 中间穿设段32和第二连接段33，即可将第一连接段31、中间穿设段32和第二连接段33依次 设置并相连，以在将第一元件和第二元件同时与电连接体3相连时，可实现第一元件与第二 元件之间的连通，且将第一连接段31设于第一绝缘层13，以便于将第一连接段31与第一元 件相连，以实现电连接体3与第一元件之间的连接，将第二连接段33设于第二绝缘层15，以 便于将第二连接段33与第二元件相连，以实现电连接体3与第二元件之间的连接，将中间穿 设段32穿设于衬底层14，以使衬底层14可为电连接体3提供稳定的物理支撑，确保电连接体 3能够可靠工作。 [0062] 在一些实施例中，电连接体3为至少两个，且至少两个电连接体3位于电容体2的两侧。 [0063] 具体地，电连接体3用于将第一元件与第二元件相连，将电连接体3设置为至少两个，即电连接体3的设置数量可为两个、三个或更多个，以通过至少两个电连接体3同时将第 一元件与第二元件相连，可提升二者之间的连接可靠性，且将至少两个电连接体3设置于电 容体2的两侧，即可将至少两个电连接体3间隔开设置，以避免至少两个电连接体3之间发生 干涉，导致第一元件第二元件无法连接或连接的可靠性降低。 [0064] 在如图1所示的实施例中，电连接体3为四个，且四个电连接体3均匀分布于电容体2的两侧，且位于电容体2每一侧的两个电连接体3也间隔开分布，从而可同时在四个位置处 通过电连接体3将第一元件与第二元件相连，可提升第一元件与第二元件之间的连接可靠 性，且电连接体3的设置数量不局限于本实施例中所述，可根据具体需求和空间大小进行灵 活设置。 [0065] 本发明还提出了一种芯片组件200。 [0066] 根据本发明实施例的芯片组件200，包括上述中任一种实施例的电容结构100。通过将电容结构100设于第一元件与第二元件之间，且将与电容体2相连的正极导电部21和负 极导电部22同时与第一元件相连，使电容结构100可起到滤波作用，并可减小电容结构100 与第一元件之间的距离，提升电容结构100的滤波性能，以及，通过电连接体3可将第一元件 上被电容结构100遮挡的部分与第二元件相连，可提升二者之间的连接可靠性。 [0067] 在一些实施例中，芯片组件200还包括芯片201和转接板202，电容结构100设于芯片201和转接板202之间，芯片201构造为第一元件，转接板202构造为第二元件。 [0068] 具体地，芯片201作为芯片组件200内的核心部件，用于实现数据处理功能或控制功能等，转接板202用于实现芯片201与其它电子元件之间的连接，将电容结构100设置于芯 片201与转接板202之间，即可通过电容结构100将芯片201与转接板202相连，以通过转接板 202将芯片201与其它电子元件相连，以及，可将芯片201构造为第一元件，将转接板202构造 为第二元件，即可将芯片201、电容结构100和转接板202从上到下依次设置，进而可将正极 导电部21和负极导电部22与芯片201相连，使电容结构100可起到滤波作用，且可较大程度 的减小电容结构100与芯片201之间的距离，有效减小二者之间的等效电阻和等效电感，提 升电容结构100的滤波性能。 [0069] 其中，如图2所示，在将电容结构100设于芯片201与转接板202之间时，可通过凸块203将芯片201与电容结构100上的正极导电部21和负极导电部22相连，以实现电容结构100 的滤波作用，且可通过凸块203将电容结构100上的电连接体3同时与芯片201和转接板202 相连，以实现芯片201上被电容结构100遮挡的部分与转接板202之间的连接，同时，也可通 过凸块203将芯片201上未被遮挡的部分直接与转接板202相连，提升芯片201与转接板202 之间的连接可靠性，以及，凸块203可构造为Cu/Sn/Cu结构，或构造为Cu/Cu结构。 [0070] 在一些实施例中，芯片201为多个，多个芯片201层叠分布于转接板202的同一侧；其中，相邻两个芯片201之间设有电容结构100，相邻两个芯片201中远离转接板202的一个 构造为第一元件，且靠近转接板202的一个构造第二元件。 [0071] 具体地，芯片201可设置为多个，即芯片201的设置数量可为两个、三个或更多个，以提高芯片组件200的集成度和性能，将多个芯片201层叠分布于转接板202的同一侧，即可 将多个芯片201从上到下依次设置，以减小芯片组件200在水平方向上的占用空间，利于芯 片组件200的设置，其中，在相邻两个芯片201之间设有电容结构100，即可通过电容结构100 实现相邻两个芯片201之间的连接，且将相邻两个芯片201中远离转接板202的一个构造为 第一元件，将靠近转接板202的一个构造为第二元件，以将正极导电部21和负极导电部22均 与第一元件相连，使电容结构100可起到滤波作用，且可较大程度的减小电容结构100与第 一元件之间的距离，提升电容结构100的滤波性能。 [0072] 其中，如图3所示，在将电容结构100设于相邻的两个芯片201之间时，可通过凸块203将第一元件与电容结构100上的正极导电部21和负极导电部22相连，以实现电容结构 100的滤波作用，且可通过凸块203将电容结构100上的电连接体3同时与第一元件和第二元 件相连，以实现第一元件上被电容结构100遮挡的部分与第二元件之间的连接，同时，也可 通过凸块203将第一元件上未被遮挡的部分直接与第二元件相连，提升芯片201与转接板 202之间的连接可靠性，以及，在多个芯片201叠置的结构中，可通过设置多个电容结构100， 并将多个电容结构100分别设置于多个芯片201之间，使每个电容结构100均可尽可能的靠 近对应的芯片201，以有效提升电容结构100的滤波性能。 [0073] 在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结 构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的 示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特 点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。 |
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