[0001] 本发明涉及引发核聚变反应和对核聚变能的利用。

[0002] 引发核聚变反应、高压振荡电路，大规模集成电路。

[0003] 一片大规模集成射线装置芯片中把射线装置分组，每组射线装置射线分别射向不同的点，这些不同的点应当指向用于核聚变反应的材料上，用于降低引发核聚变反应的条件或增加参与核聚变反应物质的比例。

[0004] 在制造一个核聚变反应装置需要在核聚变反应材料上多个点同时引发核聚变反应时，一块芯片集成的射线装置分成不同的组，每组射线装置射线分别射向不同的点，仅需要一个芯片就可以，不同于一个芯片上集成的所有的射线装置的射线都射向同一个点，需要多个芯片。

[0005] 在用于核聚变反应物质上的多个点同时点燃核聚变反应，对于只在核聚变材料上1个点引发核聚变反应来说，可以有效减少被吹散的核聚变反应材料的数量使得更多的核聚变物质参与核聚变反应，也可以让核聚变材料受到更大的压力。

[0006] 因为不同物质点燃核聚变的条件并不一定相同，可以通过大规模集成射线装置先点燃核聚变反应需要条件较低的物质，然后通过被点燃的核聚变反应去点燃需要更高条件才能点燃核聚变反应的物质。

[0007] 通过大规模集成射线装置在多个位置上先点燃核聚变反应需要条件较低的物质，然后通过这些在多个位置上被点燃的核聚变反应去点燃需要更高条件才能点燃核聚变反应的物质。

[0008] 在一片大规模集成射线装置芯片中，对集成的射线装置进行分组，分组内的射线装置射出的射线都是射向同一个点，但是各个分组射向的点不相同。

[0009] 本公开所说的装置也可以称为部件，因为这些集成到一起的射线装置可以认为是组成了一个新装置。

[0010] 本公开所说的“射线装置”是指能发出射线的各种装置。

[0011] 本公开所说的“射线”，包括各种频率的光线，或者各种放射性核素，或者原子、电子、中子等粒子在能量交换过程中发射出的、具有特定能量的粒子束或光子束流。附图说明

[0012] 图1：具体实施方式用图。

[0013] A：集成有10亿个高压振荡电路的芯片。

[0014] A1：集成有10亿个高压振荡电路的芯片的高压振荡电路射出的X光线，这些射出的X光线都指向同一个点。

[0015] B：集成有10亿个高压振荡电路的芯片。

[0016] B1：集成有10亿个高压振荡电路的芯片的高压振荡电路射出的X光线，这些射出的X光线都指向同一个点。

[0017] C：集成有10亿个高压振荡电路的芯片。

[0018] C1：集成有10亿个高压振荡电路的芯片的高压振荡电路射出的X光线，这些射出的X光线都指向同一个点。

[0019] D：聚变产能最低条件1.6亿℃、8.3atm.s的氘氚混合物。

[0020] E：聚变产能最低条件1.6亿℃、8.3atm.s的氘氚混合物。

[0021] F：聚变产能最低条件1.6亿℃、8.3atm.s的氘氚混合物。

[0022] G：聚变产能最低条件7.5亿℃、110atm.s的氘氘混合物。

[0023] H：使用3个集成有10亿个高压振荡电路的芯片点燃核聚变反应的装置。

[0024] 图2：具体实施方式用图。

[0025] A：集成有30亿个激光部件的芯片。

[0026] A1：集成有30亿个激光部件的芯片，其中第1组10亿个激光部件射出的激光，这10亿个激光部件射出的激光都射向同一个点。

[0027] A2：集成有30亿个激光部件的芯片，其中第2组10亿个激光部件射出的激光，这10亿个激光部件射出的激光都射向同一个点。

[0028] A3：集成有30亿个激光部件的芯片，其中第3组10亿个激光部件射出的激光，这10亿个激光部件射出的激光都射向同一个点。

[0029] D：聚变产能最低条件1.6亿℃、8.3atm.s的氘氚混合物。

[0030] E：聚变产能最低条件1.6亿℃、8.3atm.s的氘氚混合物。

[0031] F：聚变产能最低条件1.6亿℃、8.3atm.s的氘氚混合物。

[0032] G：聚变产能最低条件7.5亿℃、110atm.s的氘氘混合物。

[0033] H：使用一片集成有30亿个激光部件的芯片点燃核聚变反应的装置。

[0034] 图3：具体实施方式用图。

[0035] A：集成有30亿个激光部件的芯片。

[0036] A1：集成有30亿个激光部件的芯片，其中一组10亿个激光部件射出的激光，这10亿个激光部件射出的激光都射向同一个点。

[0037] A2：集成有30亿个激光部件的芯片，其中另一组10亿个激光部件射出的激光，这10亿个激光部件射出的激光都射向同一个点。

[0038] A3：集成有30亿个激光部件的芯片，其中另一组10亿个激光部件射出的激光，这10亿个激光部件射出的激光都射向同一个点。

[0039] G：用于被点燃核聚变反应的物质。

[0040] H：使用一片集成有30亿个激光部件的芯片点燃核聚变反应的装置。

[0041] 下面仅是部分实施方式，不是全部实施方式。

[0042] 具体实施方式1：如图1所述，集成有10亿个高压振荡电路的芯片（A）射出的X射线（A1）都射向氘氚混合物（E）上的一个点，集成有10亿个高压振荡电路的芯片（B）射出的X射线（B1）都射向氘氚混合物（D）上的一个点，集成有10亿个高压振荡电路的芯片（C）射出的X射线（C1）都射向氘氚混合物（F）上的一个点；A、B、C芯片同时射出X射线，使得D、E、F同时发生核聚变反应，然后再点燃氘氘混合物（G）的核聚变反应；最后核聚变反应会摧毁装置（H），将能量输出到装置外加以利用。

[0043] 具体实施方式2：如图2所述，集成有30亿个激光部件的芯片（A）其中第1组10亿个激光部件射出的激光（A1）都射向氘氚混合物（E）上的一个点，集成有30亿个激光部件的芯片（A），其中第2组10亿个激光部件射出的激光（A2）都射向氘氚混合物（D）上的一个点，集成有30亿个激光部件的芯片（A）其中第3组10亿个激光部件射出的激光（A3）都射向氘氚混合物（F）上的一个点；芯片中的第1组（A1）、第2组（A2）第3组（A3）同时射出X射线，使得D、E、F同时发生核聚变反应，然后再点燃氘氘混合物（G）的核聚变反应；最后核聚变反应会摧毁装置（H），将能量输出到装置外加以利用。

[0044] 具体实施方式3：如图3所述，集成有30亿个激光部件的芯片（A），其中第1组10亿个激光部件射出的激光（A1）都射向核聚变反应物质（G）左边上的一个点，其中第1组10亿个激光部件射出的激光（A1）都射向核聚变反应物质（G）中间上的一个点，其中第1组10亿个激光部件射出的激光（A1）都射向核聚变反应物质（G）右边上的一个点；使得在核聚变反应物质（G）左边、中间、右边同时点燃核聚变反应。