1.一种显示装置，包括：
基板；
位于所述基板上的薄膜晶体管；以及
电连接至所述薄膜晶体管的发光二极管，
其中所述薄膜晶体管包括：
半导体层，在所述半导体层中限定了源区、漏区和沟道区；
栅电极，与所述半导体层绝缘并与所述半导体层重叠；
源电极，电连接至所述源区；以及
漏电极，电连接至所述漏区，
其中所述半导体层
包括包含过渡金属和硫属元素的结晶的金属硫属化物，并且
具有层状结构。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述过渡金属包括铋、锡、铌、钽、钼、钨、铪、钛和铼中的至少一种，并且所述硫属元素包括硫、硒和碲中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中所述半导体层包括Bi2S3。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述半导体层的所述层状结构具有其中第一子层和第二子层交替堆叠的结构。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中所述结晶的金属硫属化物的所述过渡金属被布置在所述第一子层中，并且所述结晶的金属硫属化物的所述硫属元素被布置在所述第二子层中。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在所述结晶的金属硫属化物中，通过X射线衍射光谱获得的主峰出现在其中衍射角度2θ为15°至16°的区，并且通过所述X射线衍射光谱获得的副峰出现在其中所述衍射角度2θ为25°至26°的区。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述半导体层具有10nm至50nm的厚度。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中包括所述半导体层的所述薄膜晶体管的电子
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迁移率具有10cm/Vs至14cm/Vs的值。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中包括所述半导体层的所述薄膜晶体管的导通
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截止电流比具有10至10的值。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述半导体层具有1.4eV至1.6eV的带隙能量。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述半导体层具有0.23nm至0.25nm的表面粗糙度。
12.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
在所述基板上形成所述薄膜晶体管；以及
形成电连接至所述薄膜晶体管的所述发光二极管，
其中所述薄膜晶体管的所述形成包括：
形成所述半导体层，在所述半导体层中限定了所述源区、所述漏区和所述沟道区；
形成与所述半导体层绝缘并与所述半导体层重叠的栅电极；
形成电连接至所述源区的所述源电极；以及
形成电连接至所述漏区的所述漏电极，
其中所述半导体层的所述形成包括：
沉积包括包含所述过渡金属和所述硫属元素的金属硫属化物的半导体前体；以及使所述半导体前体结晶以具有所述层状结构。
13.根据权利要求12所述的制造显示装置的方法，其中所述金属硫属化物为过渡金属和硫属元素的化合物，并且
其中所述过渡金属包括铋、锡、铌、钽、钼、钨、铪、钛和铼中的至少一种，并且所述硫属元素包括硫、硒和碲中的至少一种。
14.根据权利要求13所述的制造显示装置的方法，其中具有所述层状结构的所述半导体层包括Bi2S3。
15.根据权利要求12所述的制造显示装置的方法，其中通过热沉积工艺进行所述半导体前体的所述沉积。
16.根据权利要求15所述的制造显示装置的方法，其中所述热沉积工艺包括：
将热沉积源和所述基板提供到真空腔室中；
加热所述热沉积源；以及
以原子或分子状态蒸发包括在所述热沉积源中的材料，并将所述材料沉积在所述基板的表面上以给所述基板的所述表面涂覆上薄膜。
17.根据权利要求16所述的制造显示装置的方法，其中所述热沉积源包括Bi金属和Bi2S3粉末。
18.根据权利要求16所述的制造显示装置的方法，其中，在所述热沉积工艺中，所述真空腔室的内部被加热并且在150℃至450℃进行保持。
19.根据权利要求12所述的制造显示装置的方法，其中所述半导体层具有10nm至50nm的厚度。
20.根据权利要求12所述的制造显示装置的方法，其中通过热处理工艺进行所述半导体前体的所述结晶。
21.根据权利要求20所述的制造显示装置的方法，其中所述热处理工艺包括施加200℃至300℃的热30分钟至1小时。
22.根据权利要求12所述的制造显示装置的方法，其中通过所述半导体前体的所述结
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晶，所述薄膜晶体管的电子迁移率具有10cm/Vs至14cm/Vs的值。
23.根据权利要求12所述的制造显示装置的方法，其中通过所述半导体前体的所述结
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晶，所述薄膜晶体管的导通截止电流比具有10至10的值。