显示面板以及显示装置专利检索-使用静态方法显示可变信息的指示装置专利检索查询-专利查询网

显示面板以及显示装置
申请号	CN202211338968.6	申请日	2022-10-28	公开(公告)号	CN117995864A	公开(公告)日	2024-05-07
申请人	京东方晶芯科技有限公司; 京东方科技集团股份有限公司;			发明人	赵加伟; 马俊杰; 杨山伟; 卢元达; 熊志军; 李雪峤; 孙元浩;
摘要	本发明实施例提供了一种显示面板以及显示装置。该显示面板包括基板以及设置于基板的LED芯片、第一电极、第二电极、驱动电路和分流电阻；LED芯片包括P型电极和N型电极，P型电极与第一电极连接，N型电极与第二电极连接；驱动电路包括第一和第二电流端，第一电流端与第一电极连接，第二电流端与第二电极连接；分流电阻与LED芯片并联在第一电流端和第二电流端之间，分流电阻配置为在0灰阶下，使得流过LED芯片的电流小于LED芯片的起亮电流。通过在LED芯片两端并联一个分流电阻，减小流过LED芯片的电流，从而改善显示面板在0灰阶下出现弱亮的问题。
权利要求	1.一种显示面板，其特征在于，包括：基板；设置于所述基板的LED芯片、第一电极、第二电极、驱动电路和分流电阻；所述LED芯片包括P型电极和N型电极，所述P型电极与所述第一电极连接，所述N型电极与所述第二电极连接；所述驱动电路包括第一电流端和第二电流端，所述第一电流端与所述第一电极连接，所述第二电流端与所述第二电极连接，所述驱动电路用以驱动所述LED芯片发光；所述分流电阻与所述LED芯片并联在所述第一电流端和所述第二电流端之间，所述分流电阻配置为在0灰阶下，使得流过所述LED芯片的电流小于所述LED芯片的起亮电流。 2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述LED芯片具有等效电阻，所述分流电阻的阻值与在0灰阶下，所述驱动电路的第一电流端输出的电流流过所述LED芯片时所述LED芯片的等效电阻的阻值相等。 3.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，所述基板上设有连接单元，所述连接单元包括第一连接部、第二连接部、第三连接部和第四连接部；一个所述LED芯片对应一个所述连接单元，所述第一连接部用以连接所述第一电极和所述LED芯片的P型电极；所述第二连接部用以连接所述第二电极和所述LED芯片的N型电极；所述第三连接部用以连接所述第一电流端和所述分流电阻的一端；所述第四连接部用以连接所述第二电流端和所述分流电阻的另一端。 4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述基板包括基底，以及沿远离所述基底的方向依次设置的第一缓冲层、金属走线层、第一层组和第二层组；所述金属走线层包括间隔设置的第一金属走线和第二金属走线，所述第一金属走线为第一电流端，所述第二金属走线为第二电流端；所述第一电极和所述第二电极均位于所述第一层组和所述第二层组之间，所述第一电极与所述第二电极间隔分布；所述LED芯片位于所述第二层组远离所述基底的一侧；所述第一层组上间隔开设有贯穿所述第一层组的第一过孔和第二过孔，所述第一电极通过所述第一过孔与所述第一金属走线连接，所述第二电极通过所述第二过孔与所述第二金属走线连接；所述第二层组上间隔开设有贯穿所述第二层组的第三过孔和第四过孔，所述第一连接部设置在所述第三过孔内，所述第一连接部连接所述第一电极和所述LED芯片的P型电极，所述第二连接部设置在所述第四过孔内，所述第二连接部连接所述第二电极和所述LED芯片的N型电极。 5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述分流电阻位于所述第二层组远离所述基底的一侧；所述第一层组和第二层组上开设有贯穿所述第一层组和第二层组的第五过孔和第六过孔，第三连接部设置在所述第五过孔内，所述第三连接部连接所述第一金属走线和所述分流电阻的一端，所述第四连接部设置在所述第六过孔内，所述第四连接部连接所述第二金属走线和所述分流电阻的另一端。 6.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述分流电阻位于所述第一缓冲层和所述第一钝化层之间；所述第一层组上间隔开设有贯穿所述第一层组的第七过孔和第八过孔，所述第一钝化层上间隔开设有贯穿所述第一钝化层的第九过孔和第十过孔，所述第三连接部的至少部分设置在所述第九过孔内并与所述分流电阻的一端连接，所述第四连接部的至少部分设置在所述第十过孔内并与所述分流电阻的另一端连接，所述第一电极通过所述第七过孔与所述第三连接部连接，所述第二电极通过所述第八过孔与所述第四连接部连接。 7.根据权利要求5或6所述的显示面板，其特征在于，所述驱动电路包括IC驱动、第一供电走线、第二供电走线、接地走线和数据线，所述第一金属走线与所述第一供电走线连接，所述IC驱动与所述第二金属走线、所述第二供电走线、所述接地走线以及所述数据线电连接。 8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，一个所述IC驱动对应一个所述LED芯片；所述第一层组和第二层组上开设有贯穿所述第一层组和第二层组的第十一过孔，所述第十一过孔内均设置有第五连接部，所述第五连接部连接所述第二金属走线和所述IC驱动。 9.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第二电流端包括多个第二子电流端，一个所述IC驱动对应多个所述LED芯片，所述LED芯片的数量与所述第二子电流端的数量相同；所述第一层组和第二层组上开设有贯穿所述第一层组和所述第二层组的多个第十一过孔，每一个所述第十一过孔内均设置有第六连接部，一个所述第六连接部为一个所述第二子电流端，每一个所述第六连接部与所述第二金属走线连接，所有所述第六连接部与所述IC驱动连接。 10.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述基板包括基底，以及沿远离所述基底的方向依次设置的第一缓冲层、第三层组、第一层组和第二层组；所述第一电极和第二电极均位于所述第一层组和所述第二层组之间，所述第一电极与所述第二电极间隔分布，所述第一电极作为所述第一电流端，所述第二电极作为所述第二电流端；所述LED芯片位于所述第二层组远离所述基底的一侧；所述第二层组上开设有贯穿所述第二层组的第十二过孔和第十三过孔；所述第一连接部设置在第十二过孔内，所述第一连接部连接所述第一电极和所述LED芯片的P型电极；所述第二连接部设置在所述第十三过孔内，所述第二连接部连接所述第二电极和所述LED芯片的N型电极。 11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述分流电阻位于所述第二层组远离所述基底的一侧；所述第二层组上开设有贯穿所述第二层组的第十四过孔和第十五过孔；所述第三连接部设置在所述第十四过孔内，所述第三连接部连接第一电极和所述分流电阻的一端；所述第四连接部设置在所述第十五过孔内，所述第四连接部连接第二电极和所述分流电阻的另一端。 12.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述分流电阻位于所述第一缓冲层和所述第三层组之间；所述第一层组上间隔开设有贯穿所述第一层组的第十六过孔和第十七过孔，所述第三层组上间隔开设有贯穿所述第三层组的第十八过孔和第十九过孔；所述第三连接部设置在所述第十八过孔内，所述第四连接部设置在所述第十九过孔内；所述第一电极通过所述第十六过孔与所述第三连接部连接，所述第二电极通过所述第十七过孔与所述第四连接部连接；所述第三连接部还与所述分流电阻的一端连接，所述第四连接部还与所述分流电阻的另一端。 13.根据权利要求11或12所述的显示面板，其特征在于，所述驱动电路包括像素电路、VDD走线和VSS走线，一个所述LED芯片对应一个所述像素电路，所述像素电路包括输入端和输出端，所述VDD走线与所述像素电路的输入端连接，所述第一电极与所述像素电路的输出端连接，所述第二电极与所述VSS走线连接。 14.根据权利要求5或6所述的显示面板，其特征在于，所述分流电阻为N型掺杂半导体，N型掺杂半导体包括氮族元素和氧族元素中的任意一种及a‑Si。 15.根据权利要求11或12所述的显示面板，其特征在于，所述分流电阻为N型掺杂半导体，N型掺杂半导体包括氮族元素和氧族元素中的任意一种及P‑Si；或者，所述分流电阻为P型掺杂半导体，P型掺杂半导体包括碱土元素和磞族元素中的任意一种及P‑Si。 16.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述分流电阻为正温度系数热敏电阻。 17.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括突跳式温控开关，所述突跳式温控开关的一端与所述分流电阻的一端连接，所述突跳式温控开关的另一端与所述第三连接部和所述第四连接部中的一者连接，所述分流电阻的另一端与所述第三连接部和所述第四连接部中的另一者连接，所述突跳式温控开关配置为在预设温度下断开。 18.根据权利要求17所述的显示面板，其特征在于，所述预设温度在0灰阶时所述显示面板的温度与5灰阶时所述显示面板的温度之间。 19.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括光控开关，所述光控开关的一端与所述分流电阻的一端连接，所述光控开关的另一端与所述第三连接部和所述第四连接部中的一者连接，所述分流电阻的另一端与所述第三连接部和所述第四连接部中的另一者连接，所述光控开关配置为在预设光照强度下断开。 20.根据权利要求19所述的显示面板，其特征在于，所述预设光照强度为0.5nit。 21.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述LED芯片还包括：衬底；第一半导体层，所述第一半导体层位于所述衬底上；发光层，所述发光层位于所述第一半导体层的远离所述衬底的一侧；第二半导体层，所述第二半导体层位于所述发光层的远离所述衬底的一侧； DBR层，所述DBR层位于所述第二半导体层上，所述DBR层外延至所述衬底，且所述DBR层覆盖所述第一半导体层和所述发光层，所述DBR层包括层叠设置的二氧化硅层和二氧化钛层，所述DBR层的最远离所述衬底的一层为二氧化钛层，所述P型电极和N型电极间隔设置在所述DBR层的背离所述衬底的一侧，所述P型电极通过第二十过孔与所述第二半导体层连接，所述N型电极通过第二十一过孔与所述第一半导体层连接，所述第二十过孔和第二十一过孔间隔开设在所述DBR层；所述P型电极和N型电极的沿平行于所述衬底的方向上且相互靠近的两个面之间形成电测间隔，所述电测间隔的数值范围为所述LED芯片的长度的33％～66％。 22.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1‑21任一项所述的显示面板。
说明书全文	显示面板以及显示装置技术领域 [0001] 本发明涉及显示装置技术领域，特别是涉及一种显示面板以及显示装置。背景技术 [0002] 当前微型发光二极管(MLED，Micro Light Emitting Diode)技术已经成为未来显示市场发展的一大热点。无论是MLED直显还是背光产品，AM(Active Matrix，有源矩阵)驱动方式无疑是以后的发展方向，一般AM驱动方式有IC(Integrated Circuit，集成电路)驱动和TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)驱动等驱动方式。然而，无论是IC驱动，还是TFT驱动，都存在一定程度的漏电，即在关闭电路的时候仍然有电流流出，通常漏电电流流过外延发光层，LED就会发光，进而导致显示面板在0灰阶下出现弱亮。发明内容 [0003] 本发明实施例的目的在于提供一种显示面板以及显示装置，以改善因漏电导致的显示面板在0灰阶下出现弱亮的问题，进而提高显示面板的品质。具体技术方案如下： [0004] 本申请第一方面的实施例提出了一种显示面板，所述显示面板包括基板以及设置于所述基板的LED芯片、第一电极、第二电极、驱动电路和分流电阻；所述LED芯片包括P型电极和N型电极，所述P型电极与所述第一电极连接，所述N型电极与所述第二电极连接；所述驱动电路包括第一电流端和第二电流端，所述第一电流端与所述第一电极连接，所述第二电流端与所述第二电极连接，所述驱动电路用以驱动所述LED芯片发光；所述分流电阻与所述LED芯片并联在所述第一电流端和所述第二电流端之间，所述分流电阻配置为在0灰阶下，使得流过所述LED芯片的电流小于所述LED芯片的起亮电流。 [0005] 根据本申请的显示面板，其包括基板以及设置于所述基板的LED芯片、第一电极、第二电极、驱动电路和分流电阻。驱动电路驱动LED芯片发光，LED芯片包括P型电极和N型电极，P型电极与第一电极连接，N型电极与第二电极连接，驱动电路包括第一电流端和第二电流端，第一电流端与第一电极连接，第二电流端与第二电极连接，分流电阻与LED芯片并联在第一电流端和第二电流端之间，分流电阻配置为在0灰阶下，使得流过LED芯片的电流小于LED芯片的起亮电流。在LED芯片的两端并联一个分流电阻，在0灰阶下，若驱动电路发生漏电产生漏电电流，原本应全部流过LED芯片的漏电电流被分流电阻分流，部分漏电电流流过分流电阻，剩余漏电电流流过LED芯片，从而减小了流过LED芯片的电流，通过合理设置分流电阻的阻值，可以实现在0灰阶下，流过所述LED芯片的电流小于所述LED芯片的起亮电流，此时LED芯片不起亮，从而改善因漏电导致的显示面板在0灰阶下出现弱亮的问题，进而提高显示面板的品质。 [0006] 另外，根据本申请实施例的显示面板，还可具有如下技术特征： [0007] 在本申请的一些实施例中，所述LED芯片具有等效电阻，所述分流电阻的阻值与在0灰阶下，所述驱动电路的第一电流端输出的电流流过所述LED芯片时所述LED芯片的等效电阻的电阻值相等。 [0008] 在本申请的一些实施例中，所述基板上设有连接单元，所述连接单元包括第一连接部、第二连接部、第三连接部和第四连接部； [0009] 一个所述LED芯片对应一个所述连接单元，所述第一连接部用以连接所述第一电极和所述LED芯片的P型电极；所述第二连接部用以连接所述第二电极和所述LED芯片的N型电极；所述第三连接部用以连接所述第一电流端和所述分流电阻的一端；所述第四连接部用以连接所述第二电流端和所述分流电阻的另一端。 [0010] 在本申请的一些实施例中，所述基板包括基底，以及沿远离所述基底的方向依次设置的第一缓冲层、金属走线层、第一层组和第二层组； [0011] 所述金属走线层包括间隔设置的第一金属走线和第二金属走线，所述第一金属走线为第一电流端，所述第二金属走线为第二电流端； [0012] 所述第一电极和所述第二电极均位于所述第一层组和所述第二层组之间，所述第一电极与所述第二电极间隔分布； [0013] 所述LED芯片位于所述第二层组远离所述基底的一侧； [0014] 所述第一层组上间隔开设有贯穿所述第一层组的第一过孔和第二过孔，所述第一电极通过所述第一过孔与所述第一金属走线连接，所述第二电极通过所述第二过孔与所述第二金属走线连接； [0015] 所述第二层组上间隔开设有贯穿所述第二层组的第三过孔和第四过孔，所述第一连接部设置在所述第三过孔内，所述第一连接部连接所述第一电极和所述LED芯片的P型电极，所述第二连接部设置在所述第四过孔内，所述第二连接部连接所述第二电极和所述LED芯片的N型电极。 [0016] 在本申请的一些实施例中，所述分流电阻位于所述第二层组远离所述基底的一侧； [0017] 所述第一层组和第二层组上开设有贯穿所述第一层组和第二层组的第五过孔和第六过孔，第三连接部设置在所述第五过孔内，所述第三连接部连接所述第一金属走线和所述分流电阻的一端，所述第四连接部设置在所述第六过孔内，所述第四连接部连接所述第二金属走线和所述分流电阻的另一端。 [0018] 在本申请的一些实施例中，所述分流电阻位于所述第一缓冲层和所述第一钝化层之间； [0019] 所述第一层组上间隔开设有贯穿所述第一层组的第七过孔和第八过孔，所述第一钝化层上间隔开设有贯穿所述第一钝化层的第九过孔和第十过孔，所述第三连接部的至少部分设置在所述第九过孔内并与所述分流电阻的一端连接，所述第四连接部的至少部分设置在所述第十过孔内并与所述分流电阻的另一端连接，所述第一电极通过所述第七过孔与所述第三连接部连接，所述第二电极通过所述第八过孔与所述第四连接部连接。 [0020] 在本申请的一些实施例中，所述驱动电路包括IC驱动、第一供电走线、第二供电走线、接地走线和数据线，所述第一金属走线与所述第一供电走线连接，所述IC驱动与所述第二金属走线、所述第二供电走线、所述接地走线以及所述数据线电连接。 [0021] 在本申请的一些实施例中，一个所述IC驱动对应一个所述LED芯片； [0022] 所述第一层组和第二层组上开设有贯穿所述第一层组和第二层组的第十一过孔，所述第十一过孔内均设置有第五连接部，所述第五连接部连接所述第二金属走线和所述IC驱动。 [0023] 在本申请的一些实施例中，所述第二电流端包括多个第二子电流端，一个所述IC驱动对应多个所述LED芯片，所述LED芯片的数量与所述第二子电流端的数量相同； [0024] 所述第一层组和第二层组上开设有贯穿所述第一层组和所述第二层组的多个第十一过孔，每一个所述第十一过孔内均设置有第六连接部，一个所述第六连接部为一个所述第二子电流端，每一个所述第六连接部与所述第二金属走线连接，所有所述第六连接部与所述IC驱动连接。 [0025] 在本申请的一些实施例中，所述基板包括基底，以及沿远离所述基底的方向依次设置的第一缓冲层、第三层组、第一层组和第二层组； [0026] 所述第一电极和第二电极均位于所述第一层组和所述第二层组之间，所述第一电极与所述第二电极间隔分布，所述第一电极作为所述第一电流端，所述第二电极作为所述第二电流端； [0027] 所述LED芯片位于所述第二层组远离所述基底的一侧； [0028] 所述第二层组上开设有贯穿所述第二层组的第十二过孔和第十三过孔； [0029] 所述第一连接部设置在第十二过孔内，所述第一连接部连接所述第一电极和所述LED芯片的P型电极； [0030] 所述第二连接部设置在所述第十三过孔内，所述第二连接部连接所述第二电极和所述LED芯片的N型电极。 [0031] 在本申请的一些实施例中，所述分流电阻位于所述第二层组远离所述基底的一侧； [0032] 所述第二层组上开设有贯穿所述第二层组的第十四过孔和第十五过孔； [0033] 所述第三连接部设置在所述第十四过孔内，所述第三连接部连接第一电极和所述分流电阻的一端； [0034] 所述第四连接部设置在所述第十五过孔内，所述第四连接部连接第二电极和所述分流电阻的另一端。 [0035] 在本申请的一些实施例中，所述分流电阻位于所述第一缓冲层和所述第三层组之间； [0036] 所述第一层组上间隔开设有贯穿所述第一层组的第十六过孔和第十七过孔，所述第三层组上间隔开设有贯穿所述第三层组的第十八过孔和第十九过孔； [0037] 所述第三连接部设置在所述第十八过孔内，所述第四连接部设置在所述第十九过孔内； [0038] 所述第一电极通过所述第十六过孔与所述第三连接部连接，所述第二电极通过所述第十七过孔与所述第四连接部连接； [0039] 所述第三连接部还与所述分流电阻的一端连接，所述第四连接部还与所述分流电阻的另一端。 [0040] 在本申请的一些实施例中，所述驱动电路包括像素电路、VDD走线和VSS走线，一个所述LED芯片对应一个所述像素电路，所述像素电路包括输入端和输出端，所述VDD走线与所述像素电路的输入端连接，所述第一电极与所述像素电路的输出端连接，所述第二电极与所述VSS走线连接。 [0041] 在本申请的一些实施例中，所述分流电阻为N型掺杂半导体，N型掺杂半导体包括氮族元素和氧族元素中的任意一种及a‑Si。 [0042] 在本申请的一些实施例中，所述分流电阻为N型掺杂半导体，N型掺杂半导体包括氮族元素和氧族元素中的任意一种及P‑Si； [0043] 或者，所述分流电阻为P型掺杂半导体，P型掺杂半导体包括碱土元素和磞族元素中的任意一种及P‑Si。 [0044] 在本申请的一些实施例中，所述分流电阻为正温度系数热敏电阻。 [0045] 在本申请的一些实施例中，所述显示面板还包括突跳式温控开关，所述突跳式温控开关的一端与所述分流电阻的一端连接，所述突跳式温控开关的另一端与所述第三连接部和所述第四连接部中的一者连接，所述分流电阻的另一端与所述第三连接部和所述第四连接部中的另一者连接，所述突跳式温控开关配置为在预设温度下断开。 [0046] 在本申请的一些实施例中，所述预设温度在0灰阶时所述显示面板的温度与5灰阶时所述显示面板的温度之间。 [0047] 在本申请的一些实施例中，所述显示面板还包括光控开关，所述光控开关的一端与所述分流电阻的一端连接，所述光控开关的另一端与所述第三连接部和所述第四连接部中的一者连接，所述分流电阻的另一端与所述第三连接部和所述第四连接部中的另一者连接，所述光控开关配置为在预设光照强度下断开。 [0048] 在本申请的一些实施例中，所述预设光照强度为0.5nit。 [0049] 在本申请的一些实施例中，所述LED芯片还包括： [0050] 衬底； [0051] 第一半导体层，所述第一半导体层位于所述衬底上； [0052] 发光层，所述发光层位于所述第一半导体层的远离所述衬底的一侧； [0053] 第二半导体层，所述第二半导体层位于所述发光层的远离所述衬底的一侧； [0054] DBR层，所述DBR层位于所述第二半导体层上，所述DBR层外延至所述衬底，且所述DBR层覆盖所述第一半导体层和所述发光层，所述DBR层包括层叠设置的二氧化硅层和二氧化钛层，所述DBR层的最远离所述衬底的一层为二氧化钛层， [0055] 所述P型电极和N型电极间隔设置在所述DBR层的背离所述衬底的一侧，所述P型电极通过第二十过孔与所述第二半导体层连接，所述N型电极通过第二十一过孔与所述第一半导体层连接，所述第二十过孔和第二十一过孔间隔开设在所述DBR层； [0056] 所述P型电极和N型电极的沿平行于所述衬底的方向上且相互靠近的两个面之间形成电测间隔，所述电测间隔的数值范围为所述LED芯片长度的33％～66％。 [0057] 本申请第二方面的实施例提出了一种显示装置，包括第一方面实施例中的显示面板。 [0058] 根据本申请实施例的显示装置，其包括显示面板，显示面板包括基板以及设置于所述基板的LED芯片、第一电极、第二电极、驱动电路和分流电阻。通过在LED芯片的两端并联一个分流电阻，原本应全部流过LED芯片的漏电电流被分流电阻分流，部分漏电电流流过分流电阻，剩余漏电电流流过LED芯片，从而减小了流过LED芯片的电流，通过合理设置分流电阻的阻值，可以实现在0灰阶下，流过所述LED芯片的电流小于所述LED芯片的起亮电流，从而改善因漏电导致的显示面板在0灰阶下出现弱亮的问题，提高显示面板的品质，进而提高显示装置的品质。 [0059] 当然，实施本发明的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。附图说明 [0060] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的实施例。 [0061] 图1为本申请实施例的LED芯片与并联电阻的电路图； [0062] 图2为本申请实施例的驱动电路和连接单元的结构示意图(一个IC驱动对应一个LED芯片)； [0063] 图3为本申请实施例的驱动电路和连接单元的结构示意图(一个TFT驱动对应一个LED芯片)； [0064] 图4为本申请实施例的驱动电路和连接单元的结构示意图(一个IC驱动对应多个LED芯片)； [0065] 图5为本申请实施例的基板的第一截面的剖面图(IC驱动，外置电阻式)； [0066] 图6为本申请实施例的基板的第二截面的剖面图(IC驱动，外置电阻式)； [0067] 图7为本申请实施例的基板的剖面图(IC驱动，内置电阻式)； [0068] 图8为本申请实施例的基板的第一截面的剖面图(像素电路，外置电阻式)； [0069] 图9为本申请实施例的基板的第二截面的剖面图(像素电路，外置电阻式)； [0070] 图10为本申请实施例的基板的剖面图(像素电路，内置电阻式)； [0071] 图11为本申请实施例的LED芯片、突跳式温控开关与并联电阻的电路图； [0072] 图12为本申请实施例的LED芯片、光控开关与并联电阻的电路图； [0073] 图13为本申请实施例的驱动电路、连接单元和光控开关/温控开关的连接示意图； [0074] 图14为本申请实施例的现有的LED芯片的结构示意图； [0075] 图15为本申请实施例的第一种改进方式对应的LED芯片的结构示意图； [0076] 图16为本申请实施例的第二种改进方式对应的LED芯片的结构示意图； [0077] 图17为本申请实施例的第三种改进方式对应的LED芯片的结构示意图； [0078] 图18为本申请实施例的LED芯片的等效电阻值与电流的曲线图； [0079] 图19为本申请实施例的分流电阻造成的电流损耗与电流的曲线图。 [0080] 附图标记说明： [0081] 基板100；基底110；第一缓冲层120；金属走线层130；第一金属走线131；第二金属走线132；第一层组140；第二缓冲层141；第二绝缘层142；第二钝化层143；第二层组150；第三缓冲层151；第三绝缘层152；第三钝化层153；第一钝化层160；第三层组170；第一过孔181；第二过孔182；第三过孔183；第四过孔184；第五过孔185；第六过孔186；第七过孔187；第八过孔188；第九过孔189；第十过孔190；第十一过孔191；第十二过孔192；第十三过孔 193；第十四过孔194；第十五过孔195；第十六过孔196；第十七过孔197；第十八过孔198；第十九过孔199； [0082] LED芯片200；P型电极201；N型电极202；第一半导体层203；发光层204；第二半导体层205；DBR层206；第一电流扩展层207；第二电流扩展层208；ITO层209；衬底210；第二十过孔211；第二十一过孔212； [0083] 第一电极300；第二电极400； [0084] 驱动电路500；IC驱动510；第一供电走线520；第二供电走线530；接地走线540；数据线550；像素电路560；VDD走线570；VSS走线580； [0085] 分流电阻600； [0086] 连接单元700；第一连接部710；第二连接部720；第三连接部730；第四连接部740；第五连接部800；第六连接部900； [0087] 突跳式温控开关1000；光控开关1100。具体实施方式 [0088] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员基于本申请所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。 [0089] 为改善因漏电导致的显示面板在0灰阶下出现弱亮的问题，本申请实施例提供了一种显示面板以及显示装置，下面将结合附图对本申请实施例提供的显示面板以及显示装置进行说明。其中，显示面板包括但不限于LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)显示面板、TFT‑LCD(Thin Film Transistor‑Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)显示面板、mini LED(mini Light‑Emitting Diode，小型发光二极管)显示面板及micro LED(micro Light‑Emitting Diode，微型发光二极管)显示面板等。 [0090] 如图1至图17所示，本申请第一方面的实施例提出了一种显示面板，显示面板包括基板100以及设置于所述基板100的LED芯片200、第一电极300、第二电极400、驱动电路500和分流电阻600。具体地，LED芯片200包括P型电极201和N型电极202，P型电极201与第一电极300连接，N型电极202与第二电极400连接；驱动电路500包括第一电流端和第二电流端，第一电流端与第一电极300连接，第二电流端与第二电极400连接，驱动电路500用以驱动LED芯片200发光；分流电阻600与LED芯片200并联在第一电流端和第二电流端之间，分流电阻600配置为在0灰阶下，使得流过LED芯片200的电流小于LED芯片200的起亮电流。 [0091] 需要说明的是，LED芯片200可以是MiniLED，也可以是MicroLED，MiniLED的尺寸在3mil×5mil～6mil×20mil，MicroLED的尺寸在50um以下，本申请不做特殊限制。 [0092] LED芯片200可分红色LED芯片、蓝色LED芯片、绿色LED芯片，红色LED芯片发红光，蓝色LED芯片发蓝光，绿色LED芯片发绿光。 [0093] 起亮电流是指流过LED芯片200并使LED芯片200开始发光的电流。蓝色LED芯片和绿色LED芯片的起亮电流相近，一般在1nA～10nA，红色LED芯片的起亮电流在10nA～50nA。 [0094] 第一电极300可为正极，第二电极400可为负极。 [0095] 灰阶是将最亮与最暗之间的亮度变化区分为若干份，以便于进行信号输入相对应的屏幕亮度管控。每张数字影像都是由许多点所组合而成的,这些点又称为像素(pixels)，通常每一个像素可以呈现出许多不同的颜色，它是由红、绿、蓝(RGB)三个子像素组成的。每一个子像素，其背后的光源都可以显现出不同的亮度级别。而灰阶代表了由最暗到最亮之间不同亮度的层次级别。 [0096] 根据本申请的显示面板，其包括基板100以及设置于所述基板100的LED芯片200、第一电极300、第二电极400、驱动电路500和分流电阻600。驱动电路500驱动LED芯片200发光，LED芯片200包括P型电极201和N型电极202，P型电极201与第一电极300连接，N型电极202与第二电极400连接，驱动电路500包括第一电流端和第二电流端，第一电流端与第一电极300连接，第二电流端与第二电极400连接，分流电阻600与LED芯片200并联在第一电流端和第二电流端之间，分流电阻600配置为在0灰阶下，使得流过LED芯片200的电流小于LED芯片200的起亮电流。在LED芯片200的两端并联一个分流电阻600，在0灰阶下，若驱动电路500发生漏电产生漏电电流，原本应全部流过LED芯片200的漏电电流被分流电阻600分流，部分漏电电流流过分流电阻600，剩余漏电电流流过LED芯片200，从而减小了流过LED芯片200的电流，通过合理设置分流电阻600的阻值，可以实现在0灰阶下，流过所述LED芯片200的电流小于所述LED芯片200的起亮电流，此时LED芯片200不起亮，从而改善因漏电导致的显示面板在0灰阶下出现弱亮的问题，进而提高显示面板的品质。 [0097] 在本申请的一些实施例中，LED芯片200具有等效电阻R′，分流电阻600的阻值R与在0灰阶下，驱动电路500的第一电流端输出的电流流过LED芯片200时LED芯片200的等效电阻R′的阻值基本相等。对并联的分流电阻600造成的电流损耗Loss，进行如下公式推导： [0098] 其中，令驱动电路500的第一电流端输出的总电流为I，流过LED芯片200的电流为I1，流过分流电阻600的电流为I2， [0099] I＝I1+I2 (1) [0100] 流过LED芯片200的电流与总电流的比值为： [0101] [0102] 由此，分流电阻600造成的电流损耗为： [0103] [0104] 由上述式(3)可以得出，当R和R′相等时，分流电阻600造成的电流损耗Loss为50％，即驱动电路500在0灰阶下产生漏电电流，也就是0灰阶下第一电流端输出电流时，流过LED芯片200的电流为漏电电流的百分之五十，而发明人通过大量实验检测发现：显示面板内的漏电电流一般与LED芯片200的起亮电流大致相同，因此，经过分流电阻600分流后，流过LED芯片200的电流小于LED芯片200的起亮电流，LED芯片200不亮，从而改善因漏电导致的显示面板在0灰阶下出现弱亮的问题。具体地，例如，对于宽为3mil，长为6mil的绿色LED芯片，绿色LED芯片的起亮电流为9nA，漏电电流为10nA，分流电阻600造成的电流损耗Loss为50％，流过该绿色LED芯片的电流为5nA，小于起亮电流，此时绿色LED芯片不亮，从而改善因漏电导致的显示面板在0灰阶下出现弱亮的问题。 [0105] 另外，根据图18所示的LED芯片200的等效电阻值与电流的曲线图可知，LED芯片200的等效电阻R′随着流过LED芯片200的电流增大而减小，尤其是流过LED芯片200的电流在0.01mA以内时，LED芯片200的等效电阻R′会随着流过LED芯片200的电流的增大发生断崖式的下降。因此，LED芯片200在0灰阶的漏电状态下的等效电阻R′与正常发光状态(1灰阶以上)下的等效电阻R′数值相差较大，一般不在同一数量级上，也就是说，正常发光状态下，分流电阻600的阻值与LED芯片200的等效电阻阻值相差较大，结合式(3)可以得出，在正常发光状态下，分流电阻600造成的电流损耗较小，而且随着灰阶数的增加，分流电阻600造成的电流损耗越小，也就是图19所示的第一电流端输出的电流与分流电阻600造成的电流损耗Loss的曲线图。 [0106] 具体地，以宽为3mil，长为6mil的绿色LED芯片为例，0灰阶下，流过绿色LED芯片电流为10nA时，绿色LED芯片的等效电阻为200万Ω，1灰阶的电流约为0.02‑0.03mA，取最小电流0.02mA，此时绿色LED芯片的等效电阻约为20万Ω，与绿色LED芯片并联的分流电阻600的阻值为200万Ω，根据式(3)可以得到，在1灰阶下，分流电阻600造成的电流损耗为9％，而且随着灰阶数的增加，第一电流端输出的电流增加，LED芯片200的等效阻值越小，分流电阻600造成的电流损耗越小，根据图19可知，当电流约在0.11mA以上时，电流损耗下降到1％以下。因此，分流电阻600对于正常发光状态下的电流影响较小，不影响LED芯片200的正常发光。 [0107] 综上可得出，使分流电阻600的电阻值与0灰阶下漏电状态LED芯片200的等效电阻的电阻值基本相等，不仅可改善因漏电导致的显示面板在0灰阶下弱亮的问题，而且，不影响LED芯片200的正常发光。 [0108] 在本申请的一些实施例中，如图2和图3所示，基板100上设有连接单元700，连接单元700包括第一连接部710、第二连接部720、第三连接部730和第四连接部740，一个LED芯片200对应一个连接单元700，第一连接部710用以连接第一电极300和LED芯片200的P型电极 201，第二连接部720用以连接第二电极400和LED芯片200的N型电极202，第三连接部730用以连接第一电流端和分流电阻600的一端，第四连接部740用以连接第二电流端和分流电阻 600的另一端。第一电流端与第一电极300连接，第二电流端与第二电极400连接，由此可知，LED芯片200的P型电极201通过第一连接部710与第一电流端连接，LED芯片200的N型电极 202通过第二连接部720与第二电流端连接，分流电阻600的一端与通过第三连接部730与第一电流端连接，分流电阻600的另一端通过第四连接部740与第二电流端连接，从而实现了LED芯片200与分流电阻600的并联。此时的显示面板可以为Mini‑LED显示面板、Micro‑LED显示面板或液晶显示面板。 [0109] 在本申请的一些实施例中，如图4所示，第二电流端包括多个第二子电流端，第二电极400与所有第二子电流端连接，基板100上设有连接单元700，连接单元700包括第一连接部710、第二连接部720、第三连接部730和第四连接部740，一个LED芯片200对应一个连接单元700，一个连接单元700对应一个第二子电流端，第一连接部710用以连接第一电极300和LED芯片200的P型电极201，第二连接部720用以连接第二电极400和LED芯片200的N型电极202，第三连接部730用以连接第一电流端和分流电阻600的一端，第四连接部740用以连接第二子电流端和分流电阻600的另一端。第一电流端与第一电极300连接，第二电流端与第二电极400连接，由此可知，LED芯片200的P型电极201通过第一连接部710与第一电流端连接，LED芯片200的N型电极202通过第二连接部720与第二子电流端连接，分流电阻600的一端与通过第三连接部730与第一电流端连接，分流电阻600的另一端通过第四连接部740与第二子电流端连接，从而实现了LED芯片200与分流电阻600的并联。 [0110] 具体地，分流电阻600的设置方式可以为两种，一种是外置电阻式，分流电阻600设置在基板100的外部，另一种是内置电阻式，分流电阻600设置在基板100的内部，第一至第四连接部710至740可全部为焊盘，也可全部为金属件，也可部分为焊盘，部分为金属件，可根据情况进行设计，本申请不做特殊限定。另外，第一至第四连接部710至740的大小以及第一至第四连接部710至740之间的距离根据实际情况设计。 [0111] 当采用外置电阻式时，可以采用下述两种方式加工分流电阻600，一是在固晶完成后将所有LED芯片200对应的分流电阻600全部焊接上，此时每个LED芯片200对应一个分流电阻600；二是在产品电学测试(ET，Electrical Test)过程中，如发现有LED芯片200在0灰阶下弱亮，在二次加工工序中，对弱亮的LED芯片200进行分流电阻600的焊接，其他无问题位置不做处理，如此可以简化焊接分流电阻600带来的工艺成本。 [0112] 在本申请的一些实施例中，如图2、图5和图6所示，驱动电路500包括IC驱动510，一个IC驱动510对应一个LED芯片200；基板100包括基底110，以及沿远离基底110的方向依次设置的第一缓冲层120、金属走线层130、第一层组140和第二层组150；金属走线层130包括间隔设置的第一金属走线131和第二金属走线132，第一金属走线131为第一电流端，第二金属走线132为第二电流端；第一电极300和第二电极400均位于第一层组140和第二层组150之间，第一电极300与第二电极400间隔分布；LED芯片200和分流电阻600均位于第二层组150远离基底110的一侧；第一层组140上间隔开设有贯穿第一层组140的第一过孔181和第二过孔182，第一电极300通过第一过孔181与第一金属走线131连接，第二电极400通过第二过孔182与第二金属走线132连接；第二层组150上间隔开设有贯穿第二层组150的第三过孔 183和第四过孔184，第一连接部710设置在第三过孔183内，第一连接部710连接第一电极 300和LED芯片200的P型电极201，第二连接部720设置在第四过孔184内，第二连接部720连接第二电极400和LED芯片200的N型电极202；第一层组140和第二层组150上开设有贯穿第一层组140和第二层组150的第五过孔185和第六过孔186，第三连接部730设置在第五过孔 185内，第三连接部730连接第一金属走线131和分流电阻600的一端，第四连接部740设置在第六过孔186内，第四连接部740连接第二金属走线132和分流电阻600的另一端；第一层组 140和第二层组150上开设有贯穿第一层组140和第二层组150的第十一过孔191，第十一过孔191内均设置有第五连接部800，第五连接部800连接第二金属走线132和IC驱动510。 [0113] LED芯片200和分流电阻600均设置在基板110外侧，且LED芯片200和分流电阻600位于第二层组150远离基底110的一侧，由此可知，上述实施例采用的是外置电阻式。P型电极201通过设置在第三过孔183内的第一连接部710与第一电极300连接，第一电极300通过第一过孔181与第一金属走线131连接，N型电极202通过设置在第四过孔184内的第二连接部720与第二电极400连接，第二电极400通过第二过孔182与第二金属走线132连接；分流电阻600的一端通过设置在第五过孔185内的第三连接部730与第一金属走线131连接，分流电阻600的另一端通过设置在第六过孔186内的第四连接部740与第二金属走线132连接；第一金属走线131为第一电流端，第二金属走线132为第二电流端，从而实现LED芯片200和分流电阻600的并联于第一电流端和第二电流端。 [0114] 在本申请的一些实施例中，如图7所示，驱动电路500包括IC驱动510，一个IC驱动510对应一个LED芯片200；基板100包括基底110，以及沿远离基底110的方向依次设置的第一缓冲层120、第一钝化层160、金属走线层130、第一层组140和第二层组150；金属走线层 130包括间隔设置的第一金属走线131和第二金属走线132，第一金属走线131为第一电流端，第二金属走线132为第二电流端；第一电极300和第二电极400均位于第一层组140和第二层组150之间，第一电极300与第二电极400间隔分布；LED芯片200设置在第二层组150远离基底110的一侧，分流电阻600位于第一缓冲层120和第一钝化层160之间；第一层组140上间隔开设有贯穿第一层组140的第一过孔181和第二过孔182，第一电极300通过第一过孔 181与第一金属走线131连接，第二电极400通过第二过孔182与第二金属走线132连接；第二层组150上间隔开设有贯穿第二层组150的第三过孔183和第四过孔184，第一连接部710设置在第三过孔183内，第一连接部710连接第一电极300和LED芯片200的P型电极201，第二连接部720设置在第四过孔184内，第二连接部720连接第二电极400和LED芯片200的N型电极 202；第一层组140上间隔开设有贯穿第一层组140的第七过孔187和第八过孔188，第一钝化层160上间隔开设有贯穿第一钝化层160的第九过孔189和第十过孔190，第三连接部730的至少部分设置在第九过孔189内并与分流电阻600的一端连接，第四连接部740的至少部分设置在第十过孔190内并与分流电阻600的另一端连接，第一电极300通过第七过孔187与第三连接部730连接，第二电极400通过第八过孔188与第四连接部740连接；在第一层组140和第二层组150上开设贯穿第一层组140和第二层组150的第十一过孔191，第十一过孔191内设置有第五连接部800，第五连接部800连接第二金属走线132和IC驱动510。 [0115] LED芯片200设置在第二层组150远离基底110的一侧，分流电阻600位于第一缓冲层120和第一钝化层160之间，由此可知，上述实施例采用的是内置电阻式。P型电极201通过设置在第三过孔183内的第一连接部710与第一电极300连接，第一电极300通过第一过孔181与第一金属走线131连接，N型电极202通过设置在第四过孔184内的第二连接部720与第二电极400连接，第二电极400通过第二过孔182与第二金属走线132连接；分流电阻600的一端通过至少部分设置在第九过孔189内的第三连接部730与第一电极300连接，分流电阻600的另一端通过至少部分设置在第十过孔190内的第四连接部740与第二电极400连接。第一金属走线131为第一电流端，第二金属走线132为第二电流端，从而实现LED芯片200和分流电阻600的并联于第一电流端和第二电流端。 [0116] 在本申请的一些实施例中，如图4、图5和图6所示，驱动电路500包括IC驱动510，一个IC驱动510对应多个LED芯片200，LED芯片200的数量与第二子电流端的数量相同；基板100包括基底110，以及沿远离基底110的方向依次设置的第一缓冲层120、金属走线层130、第一层组140和第二层组150；金属走线层130包括间隔设置的第一金属走线131和第二金属走线132，第一金属走线131为第一电流端，第二金属走线132为第二电流端；第一电极300和第二电极400均位于第一层组140和第二层组150之间，第一电极300与第二电极400间隔分布；LED芯片200和分流电阻600均位于第二层组150远离基底110的一侧；第一层组140上间隔开设有贯穿第一层组140的第一过孔181和第二过孔182，第一电极300通过第一过孔181与第一金属走线131连接，第二电极400通过第二过孔182与第二金属走线132连接；第二层组150上间隔开设有贯穿第二层组150的第三过孔183和第四过孔184，第一连接部710设置在第三过孔183内，第一连接部710连接第一电极300和LED芯片200的P型电极201，第二连接部720设置在第四过孔184内第二连接部720连接第二电极400和LED芯片200的N型电极202；第一层组140和第二层组150上开设有贯穿第一层组140和第二层组150的第五过孔185和第六过孔186，第三连接部730设置在第五过孔185内，第三连接部730连接第一金属走线131和分流电阻600的一端，第四连接部740设置在第六过孔186内，第四连接部740连接第二金属走线132和分流电阻600的另一端；第一层组140和第二层组150上开设有贯穿第一层组140和第二层组150的多个第十一过孔191，每一个第十一过孔191内均设置有第六连接部900，一个第六连接部900为一个第二子电流端，每一个第六连接部900与第二金属走线132连接，所有第六连接部900与IC驱动510连接。 [0117] LED芯片200和分流电阻600均设置在基板110外侧，且LED芯片200和分流电阻600位于第二层组150远离基底110的一侧，由此可知，上述实施例采用的是外置电阻式。P型电极201通过设置在第三过孔183内的第一连接部710与第一电极300连接，第一电极300通过第一过孔181与第一金属走线131连接，N型电极202通过设置在第四过孔184内的第二连接部720与第二电极400连接，第二电极400通过第二过孔182与第二金属走线132连接；分流电阻600的一端通过设置在第五过孔185内的第三连接部730与第一金属走线131连接，分流电阻600的另一端通过设置在第六过孔186内的第四连接部740与第二金属走线132连接；第一金属走线131为第一电流端，第二金属走线132为第二电流端，从而实现LED芯片200和分流电阻600的并联于第一电流端和第二电流端。 [0118] 在本申请的一些实施例中，如图7所示，驱动电路500包括IC驱动510，一个IC驱动510对应多个LED芯片200，LED芯片200的数量与第二子电流端的数量相同；基板100包括基底110，以及沿远离基底110的方向依次设置的第一缓冲层120、第一钝化层160、金属走线层 130、第一层组140和第二层组150；金属走线层130包括间隔设置的第一金属走线131和第二金属走线132，第一金属走线131为第一电流端，第二金属走线132为第二电流端；第一电极 300和第二电极400均位于第一层组140和第二层组150之间，第一电极300与第二电极400间隔分布；LED芯片200设置在第二层组150远离基底110的一侧，分流电阻600位于第一缓冲层 120和第一钝化层160之间；第一层组140上间隔开设有贯穿第一层组140的第一过孔181和第二过孔182，第一电极300通过第一过孔181与第一金属走线131连接，第二电极400通过第二过孔182与第二金属走线132连接；第二层组150上间隔开设有贯穿第二层组150的第三过孔183和第四过孔184，第一连接部710设置在第三过孔183内第一连接部710连接第一电极 300和LED芯片200的P型电极201，第二连接部720设置在第四过孔184内，第二连接部720连接第二电极400和LED芯片200的N型电极202；第一层组140上间隔开设有贯穿第一层组140的第七过孔187和第八过孔188，第一钝化层160上间隔开设有贯穿第一钝化层160的第九过孔189和第十过孔190，第三连接部730至少部分设置在第九过孔189内并与分流电阻600的一端连接，第四连接部740至少部分设置在第十过孔190内并与分流电阻600的另一端连接，第一电极300通过第七过孔187与第三连接部730连接，第二电极400通过第八过孔188与第四连接部740连接；第一层组140和第二层组150上开设有贯穿第一层组140和第二层组150的多个第十一过孔191，每一个第十一过孔191内均设置有第六连接部900，一个第六连接部 900作为一个第二子电流端，每一个第六连接部900与第二金属走线132连接，所有第六连接部900与IC驱动510连接。 [0119] LED芯片200设置在第二层组150远离基底110的一侧，分流电阻600位于第一缓冲层120和第一钝化层160之间，由此可知，上述实施例采用的是内置电阻式。P型电极201通过设置在第三过孔183内的第一连接部710与第一电极300连接，第一电极300通过第一过孔181与第一金属走线131连接，N型电极202通过设置在第四过孔184内的第二连接部720与第二电极400连接，第二电极400通过第二过孔182与第二金属走线132连接；分流电阻600的一端通过至少部分设置在第九过孔189内的第三连接部730与第一电极300连接，分流电阻600的另一端通过至少部分设置在第十过孔190内的第四连接部740与第二电极400连接；第一金属走线131为第一电流端，第二金属走线132为第二电流端，从而实现LED芯片200和分流电阻600的并联于第一电流端和第二电流端。 [0120] 在本申请的一些实施例中，如图2和图4所示，驱动电路500还包括第一供电走线520、第二供电走线530、接地走线540和数据线550，第一金属走线131与第一供电走线520连接，IC驱动510还与第二供电走线530、接地走线540以及数据线550电连接。 [0121] 具体地，第一供电走线520为VB走线，第二供电走线530为VCC走线。 [0122] 在本申请的一些实施例中，如图3和图8和图9所示，驱动电路500包括像素电路560，像素电路560包括输入端和输出端，一个LED芯片200对应一个像素电路560；基板100包括基底110，以及沿远离基底110的方向依次设置的第一缓冲层120、第三层组170、第一层组 140和第二层组150；第一电极300和第二电极400均位于第一层组140和第二层组150之间，第一电极300与第二电极400间隔分布，第一电极300作为第一电流端，第二电极400作为第二电流端；第二层组150上开设有贯穿第二层组150的第十二至第十五过孔192至195，第一至第四连接部710至740对应设置在第十二至第十五过孔195内；LED芯片200和分流电阻600均位于第二层组150远离基底110的一侧；其中，第一电极300与像素电路560的输出端连接，第一电极300还和第一连接部710、第三连接部730连接，第一连接部710还和LED芯片200的P型电极201连接，第二连接部720连接第二电极400和LED芯片200的N型电极202，第三连接部 730还和分流电阻600的一端，第四连接部740连接第二电极400与分流电阻600的另一端。 [0123] LED芯片200和分流电阻600均设置在基板110外侧，且LED芯片200和分流电阻600位于第二层组150远离基底110的一侧，由此可知，上述实施例采用的是外置电阻式。P型电极201通过设置在第十二过孔192内的第一连接部710与第一电极300连接，N型电极202通过设置在第十三过孔193内的第二连接部720与第二电极400连接；分流电阻600的一端通过设置在第十四过孔194内的第三连接部730与第一电极300连接，分流电阻600的另一端通过设置在第十五过孔195内的第四连接部740与第二电极400连接；第一电极300作为第一电流端，第二电极400作为第二电流端，从而实现LED芯片200和分流电阻600的并联于第一电流端和第二电流端。 [0124] 在本申请的一些实施例中，如图3和图10所示，驱动电路500包括像素电路560，一个LED芯片200对应一个像素电路560；基板100包括基底110，以及沿远离基底110的方向依次设置的第一缓冲层120、第三层组170、第一层组140和第二层组150；第一电极300和第二电极400均位于第一层组140和第二层组150之间，第一电极300与第二电极400间隔分布，第一电极300作为第一电流端，第二电极400作为第二电流端；LED芯片200设置在第二层组150远离基底110的一侧，分流电阻600位于第一缓冲层120和第三层组170之间；第二层组150上间隔开设有贯穿第二层组150的第十二过孔192和十三过孔，第一连接部710设置在第十二过孔192内并与第一电极300连接，第二连接部720设置在第十三过孔193内并与第二电极400连接；第一层组140上间隔开设有贯穿第一层组140的第十六过孔196和第十七过孔197，第三层组170上间隔开设有贯穿第三层组170的第十八过孔198和第十九过孔199；第三连接部730设置在第十八过孔198内，第四连接部740设置在第十九过孔199内，第一电极300通过第十六过孔196与第三连接部730连接，第二电极400通过第十七过孔197与第四连接部740连接；其中，第一电极300与像素电路560的输出端连接，第一电极300还和第一连接部710、第三连接部730连接，第一连接部710还和LED芯片200的P型电极201连接，第二连接部720连接第二电极400和LED芯片200的N型电极202，第三连接部730还与分流电阻600的一端连接，第四连接部740连接第二电极400与分流电阻600的另一端。 [0125] LED芯片200设置在第二层组150远离基底110的一侧，分流电阻600位于第一缓冲层120和第三层组170之间，由此可知，上述实施例采用的是内置电阻式。P型电极201通过设置在第十二过孔192内的第一连接部710与第一电极300连接，N型电极202通过设置在第十三过孔193内的第二连接部720与第二电极400连接；分流电阻600的一端通过至少部分设置在第十八过孔198内的第三连接部730与第一电极300连接，分流电阻600的另一端通过设置在第十九过孔199内的第四连接部740与第二电极400连接；第一电极300作为第一电流端，第二电极400作为第二电流端，从而实现LED芯片200和分流电阻600的并联于第一电流端和第二电流端。 [0126] 具体地，如图5至图8所示，第一层组140包括第二缓冲层141、第二绝缘层142和第二钝化层143；第二层组150包括第三缓冲层151、第三绝缘层152和第三钝化层153；第三层组170包括GI(Gate Insulator，栅绝缘)层和ILD(Inter layer Dielectric，层间绝缘)层。 [0127] 在本申请的一些实施例中，如图3所示，驱动电路500还包括VDD走线570和VSS走线580，VDD走线570与像素电路560的输入端连接，第二电极400与VSS走线580连接。 [0128] 在本申请的一些实施例中，分流电阻600为N型掺杂半导体，N型掺杂半导体包括氮族元素和氧族元素中的任意一种及a‑Si(无定形硅)。 [0129] 在本申请的一些实施例中，分流电阻600为N型掺杂半导体，N型掺杂半导体包括氮族元素和氧族元素中的任意一种及P‑Si；或者，分流电阻600为P型掺杂半导体，P型掺杂半导体包括碱土元素和磞族元素中的任意一种及P‑Si。 [0130] 生产时，根据实际电阻值需求，确定掺杂元素及掺杂量。 [0131] 在本申请的一些实施例中，分流电阻600为正温度系数热敏电阻。正温度系数热敏电阻的电阻值随温度的升高而增大，即T∝R，T为温度。 [0132] 显示面板在正常工作过程中，即非0灰阶时，由于线路、驱动以及LED芯片200等发热，造成显示面板的整体温度升高，尤其随着灰阶升高，使用电流增大，发热现象越严重，温度越高，即L∝T，L为灰阶。而在0灰阶下，多个器件不处于工作状态，温度相对于非0灰阶时较低。 [0133] 如图18所示，可知，R′与流过LED芯片200的电流呈负相关。 [0134] 由电流损耗公式可知，当R为定值时，电流损耗随着R′的减小而减小，即Loss∝R′，由此可知，随着流过LED芯片200的电流的增大，电流损失越来越小，电流损耗与流过LED芯片200的电流的曲线图对应如图19所示。 [0135] 根据电流损耗公式 R′∝I可知，则即灰阶越大，电流损耗越小，并联电阻带来的影响越小。 [0136] 具体地，正温度系数热敏电阻可以为高分子PTC(Positive Temperature Coefficient，正的温度系数)热敏电阻，高分子PTC热敏电阻相较于陶瓷PTC热敏电阻，其阻值突变速度更快，可以更加快速的降低分流电阻600对LED芯片200正常发光的影响。 [0137] 在本申请的一些实施例中，如图11和图13所示，显示面板还包括突跳式温控开关1000，突跳式温控开关1000的一端与分流电阻600的一端连接，突跳式温控开关1000的另一端与第三连接部730和第四连接部740中的一者连接，分流电阻600的另一端与第三连接部 730和第四连接部740中的另一者连接，突跳式温控开关1000配置为在预设温度下断开。 [0138] 当温度低于与预设温度，突跳式温控开关1000处于闭合状态，分流电阻600和突跳式温控开关1000并联在LED芯片200的两端，0灰阶下产生漏电电流时，分流电阻600可以对漏电电流进行分流；灰阶越高，温度越高，当温度达到预设温度，突跳式温控开关1000处于断开状态，此时分流电阻600不起作用，即分流电阻600只在0灰阶下或低灰阶下可以起到分流作用，而在较高灰阶下对电路无影响。 [0139] 在本申请的一些实施例中，预设温度在0灰阶时显示面板的温度与5灰阶时显示面板的温度之间。进一步地，预设温度在40℃～70℃。 [0140] 在本申请的一些实施例中，如图12和图13所示，显示面板还包括光控开关1100，光控开关1100的一端与分流电阻600的一端连接，光控开关1100的另一端与第三连接部730和第四连接部740中的一者连接，分流电阻600的另一端与第三连接部730和第四连接部740中的另一者连接，光控开关1100配置为在预设光照强度下断开。 [0141] 在本申请的一些实施例中，预设光照强度为0.5nit。 [0142] 当光照强度低于与预设光照强度，光控开关1100处于闭合状态，分流电阻600和光控开关1100并联在LED芯片200的两端，0灰阶下产生漏电电流时，分流电阻600可以对漏电电流进行分流；灰阶越高，亮度越大，当光照强度达到预设光照强度，光控开关1100处于断开状态，此时分流电阻600不起作用，即分流电阻600只在0灰阶下或低灰阶下可以起到分流作用，而在较高灰阶下对电路无影响。 [0143] 在本申请的一些实施例中，如图14至图17所示，LED芯片200还包括衬底210、第一半导体层203、发光层204、第二半导体层205、和DBR(Distributed Bragg Reflection，分布式布拉格反射镜)层。第一半导体层203位于衬底210上；发光层204位于第一半导体层203的远离衬底210的一侧；第二半导体层205位于发光层204的远离衬底210的一侧；DBR层206位于第二半导体层205上，DBR层206外延至衬底210，且DBR层206覆盖第一半导体层203和发光层204，DBR层206包括层叠设置的SiO2(二氧化硅)层和TiO2(二氧化钛)层，DBR层206的最远离衬底210的一层为二氧化钛层，P型电极201和N型电极202间隔设置在DBR层206的背离衬底210的一侧，P型电极201通过第二十过孔211与第二半导体层205连接，N型电极202通过第二十一过孔212与第一半导体层203连接，第二十过孔211和第二十一过孔212间隔开设在DBR层206；P型电极201和N型电极202的沿平行于衬底210的方向上且相互靠近的两个面之间形成电测间隔，电测间隔的数值范围为LED芯片200长度的33％～66％。可以理解的是，LED芯片200一般为矩形，衬底210也为矩形，LED芯片200的长度即为衬底210的长度。 [0144] DBR层206的最远离衬底210的一层为二氧化钛层，该二氧化钛层位于电测间隔内的部分为漏电层，漏电层的电阻R1满足以下公式： [0145] R1＝ρL/S [0146] 其中，ρ为漏电层的密度，L为电测间隔的距离值，S为漏电层的截面积； [0147] 由此可知，R1∝L，不同的电测间隔表现出不同的漏电水平，相同电压下，电测间隔越大，漏电流越小，现有LED芯片200的电测间隔为LED芯片200长度的26％～33％，如图14所示，而本申请中，LED芯片200的电测间隔的数值范围为LED芯片200长度的33％～66％，相较于现有技术中的LED芯片200具有较大的电测间隔，从而可减小漏电电流，有效控制漏电水平，改善显示面板在0灰阶下出现弱亮的问题。 [0148] 表1 [0149]序号电极材质 DBR最外层材质电测间隔漏电电流(反向电压为12V) 1 Sn(锡) TiO2 75μm 0.2860nA 2 Sn(锡) TiO2 35μm 0.4610nA [0150] 表1中的漏电电流为相同电测间隔下做出多组试验求得的平均值，由实验数据可知，相同电压下，电测间隔越大，漏电电流越小。 [0151] 在生产LED芯片200的过程中，可以通过以下三种方式增大电测间隔，从而减小漏电电流： [0152] 一是P型电极201和N型电极202对应的第二十过孔211和第二十一过孔212的位置不变，改变P型电极201和N型电极202与第二十过孔211和第二十一过孔212的相对位置(如图15)； [0153] 二是改变P型电极201和N型电极202对应的第二十过孔211和第二十一过孔212的位置(如图16)； [0154] 三是缩小P型电极201和N型电极202尺寸(如图17)。 [0155] 进一步地，发光层204可以为MQW(Multiple Quantum Well，多量子阱)，可以提高载流子的复合效率，进而提高LED芯片200的发光效率；第一半导体层203为N型半导体，第二半导体层205为P型半导体，第一半导体层203和第二半导体层205的材质为GaN(氮化镓)；衬底210可以为蓝宝石衬底210、硅衬底210、碳化硅(SiC)衬底210、玻璃衬底210等，本申请对此不做限定。 [0156] 在本申请的一些实施例中，LED芯片200还包括第一电流扩展层207、第二电流扩展层208和ITO(氧化铟锡)层209，第一电流扩展层207设置在N型电极202和第一半导体层203之间，第二电流扩展层208设置P型电极201和第二半导体层205之间，ITO层209设置在第二半导体层205和第二电流扩展层208之间。ITO层209可以增加光透过率。 [0157] 本申请第二方面的实施例提出了一种显示装置，显示装置包括第一方面实施例中的显示面板。 [0158] 根据本申请实施例的显示装置，其包括显示面板，显示面板包括基板100以及设置于所述基板100的LED芯片200、第一电极300、第二电极400、驱动电路500和分流电阻600。通过在LED芯片200的两端并联一个分流电阻600，原本应全部流过LED芯片200的漏电电流被分流电阻600分流，部分漏电电流流过分流电阻600，剩余漏电电流流过LED芯片200，从而减小了流过LED芯片200的电流，通过合理设置分流电阻600的阻值，可以实现在0灰阶下，流过所述LED芯片200的电流小于所述LED芯片200的起亮电流，从而改善因漏电导致的显示面板在0灰阶下出现弱亮的问题，提高显示面板的品质，进而提高显示装置的品质。 [0159] 需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。 [0160] 本说明书中的各个实施例均采用相关的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于系统实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。 [0161] 以上所述仅为本发明的较佳实施例，并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均包含在本发明的保护范围内。

意见反馈