电子装置和驱动电子装置的方法

申请号 CN202311245475.2 申请日 2023-09-26 公开(公告)号 CN117953820A 公开(公告)日 2024-04-30
申请人 三星显示有限公司; 发明人 张大光;
摘要 公开了 电子 装置和驱动电子装置的方法。电子装置包括显示层、存储多个映射的 存储器 以及连接到存储器并且包括控制单元的驱动 控制器 ,显示层包括用于显示图像的活动区域、布置为与活动区域相邻的外围区域以及多个 像素 ,多个像素中的每一个包括驱动晶体管和发光元件。多个映射包括第一映射、第二映射和第三映射。控制单元包括基于第一映射输出与数据 电压 对应的第一 电流 值的第一电流输出单元、基于第二映射 输出电压 的电压输出单元、以及基于第三映射输出功率并且基于功率输出对于活动区域内的每个 位置 的发热特性的发热特性输出单元。
权利要求

1.一种电子装置,包括:
显示层,包括用于显示图像的活动区域、布置为与所述活动区域相邻的外围区域以及布置在所述活动区域中的多个像素,所述多个像素中的每一个包括驱动晶体管和电连接到所述驱动晶体管的发光元件;
存储器,配置为存储多个映射;以及
驱动控制器,连接到所述存储器,配置为驱动所述显示层,并且包括控制单元,其中,所述多个映射包括:
第一映射,在所述第一映射中存储有根据数据电压的对于所述驱动晶体管的在所述活动区域内的每个位置的第一电流值;
第二映射,在所述第二映射中存储有对于所述活动区域内的每个位置的施加到所述多个像素中的每一个的电压;以及
第三映射,在所述第三映射中存储有基于施加到所述多个像素中的每一个的电流和所述电压生成的功率,以及
其中,所述控制单元包括:
第一电流输出单元,配置为基于所述第一映射输出与所述数据电压对应的所述第一电流值;
电压输出单元,配置为基于所述第二映射输出所述电压;以及
发热特性输出单元,配置为基于所述第三映射输出所述功率并且基于所述功率输出对于所述活动区域内的每个位置的发热特性。
2.根据权利要求1所述的电子装置,其中,所述控制单元还包括:
数据电压输出单元,连接到所述第一电流输出单元并且配置为根据位置特定的输入灰度来输出所述数据电压。
3.根据权利要求2所述的电子装置,其中,所述位置特定的输入灰度通过补偿所述显示层的位置特定的亮度而获得。
4.根据权利要求1所述的电子装置,其中,所述多个映射还包括第四映射,在所述第四映射中存储有根据所述第一电流值的对于所述发光元件的每个位置的第二电流值,其中,所述控制单元还包括:
第二电流输出单元,配置为基于所述第四映射输出所述第二电流值,以及其中,所述电压输出单元接收所述第二电流值。
5.根据权利要求4所述的电子装置,其中,所述第二电流输出单元连接到所述第一电流输出单元,以及
其中,所述发热特性输出单元基于所述第三映射输出与所述第二电流值和所述电压对应的所述功率。
6.根据权利要求1所述的电子装置,还包括:
电压发生单元,配置为向所述显示层提供第一驱动电压和具有比所述第一驱动电压的电压电平低的电压电平的第二驱动电压,
其中,所述电压是通过从所述第一驱动电压减去所述第二驱动电压而获得的值。
7.根据权利要求6所述的电子装置,其中,所述多个映射还包括第五映射和第六映射,在所述第五映射中存储有对于所述活动区域内的每个位置的所述第一驱动电压,在所述第六映射中存储有对于所述活动区域内的每个位置的所述第二驱动电压,以及其中,所述控制单元还包括:
第一电压提供单元,配置为基于所述第五映射将所述第一驱动电压提供到所述电压输出单元;以及
第二电压提供单元,配置为基于所述第六映射将所述第二驱动电压提供到所述电压输出单元。
8.根据权利要求1所述的电子装置,其中,所述多个映射还包括第4‑1映射,在所述第4‑
1映射中存储有根据所述第一电流值的基于所述显示层的位置特定的亮度补偿的第2‑1电流值,以及
其中,所述控制单元还包括第2‑1电流输出单元,所述第2‑1电流输出单元连接在所述第一电流输出单元与所述发热特性输出单元之间并且配置为基于所述第4‑1映射输出所述第2‑1电流值。
9.根据权利要求1所述的电子装置,其中,所述多个映射还包括第4‑2映射,在所述第4‑
2映射中存储有根据所述第一电流值的基于对于所述活动区域内的每个位置的所述发光元件的电容补偿的第2‑2电流值,以及
其中,所述控制单元还包括第2‑2电流输出单元,所述第2‑2电流输出单元连接在所述第一电流输出单元与所述发热特性输出单元之间并且配置为基于所述第4‑2映射输出所述第2‑2电流值。
10.根据权利要求1所述的电子装置,还包括:
数据驱动电路,配置为驱动连接到所述多个像素的多个数据线;以及
扫描驱动电路,配置为驱动连接到所述多个像素的多个扫描线,
其中,所述控制单元控制所述数据驱动电路和所述扫描驱动电路。
11.根据权利要求1所述的电子装置,其中,所述驱动控制器接收图像信号,并且基于对于每个位置的所述发热特性来生成图像数据。
12.一种驱动电子装置的方法,所述方法包括:
输出提供到多个像素并且根据对于所述多个像素的每个位置的输入灰度而改变的数据电压,所述多个像素中的每一个包括驱动晶体管和电连接到所述驱动晶体管的发光元件;
根据所述数据电压输出对于所述驱动晶体管的每个位置的第一电流值;
将电压输出到所述多个像素中的每一个;以及
输出基于施加到所述多个像素中的每一个的所述电压和电流生成的功率以及基于所述功率输出对于所述多个像素的每个位置的发热特性。
13.根据权利要求12所述的方法,还包括:
根据所述第一电流值输出对于所述发光元件的每个位置的第二电流值。
14.根据权利要求13所述的方法,其中,输出所述第二电流值对于每个位置在输出所述第一电流值与输出所述电压之间执行。
15.根据权利要求13所述的方法,其中,输出对于每个位置的所述发热特性包括:
基于所述第二电流值和所述电压生成所述功率。
16.根据权利要求12所述的方法,其中,第一驱动电压和具有比所述第一驱动电压的电压电平低的电压电平的第二驱动电压提供到所述多个像素,以及
其中,输出所述电压包括:
输出对于所述多个像素的每个位置的所述第一驱动电压;以及
输出对于所述多个像素的每个位置的所述第二驱动电压。
17.根据权利要求16所述的方法,其中,所述电压是通过从所述第一驱动电压减去所述第二驱动电压而获得的值。
18.根据权利要求12所述的方法,还包括:
接收图像信号并且基于对于每个位置的所述发热特性生成图像数据。
19.根据权利要求12所述的方法,还包括:
根据所述第一电流值输出基于所述多个像素的位置特定的亮度补偿的第2‑1电流值,其中,输出所述第2‑1电流值对于每个位置在输出所述第一电流值与输出所述电压之间执行。
20.一种电子装置,包括:
数据驱动电路,电连接到多个数据线并且配置为将数据电压施加到所述多个数据线中的每一个;
存储器,配置为存储多个映射;
驱动控制器,连接到所述存储器并且包括控制单元;以及
显示面板,包括多个像素,
其中,所述多个映射包括:
第一映射,在所述第一映射中存储有根据所述数据电压的对于所述多个像素中的每一个的驱动晶体管的每个位置的第一电流值;
第二映射,在所述第二映射中存储有对于每个位置的施加到所述多个像素中的每一个的电压;以及
第三映射,在所述第三映射中存储有基于施加到所述多个像素中的每一个的电流和所述电压生成的功率,以及
其中,所述控制单元包括:
第一电流输出单元,配置为基于所述第一映射输出与所述数据电压对应的所述第一电流值;
电压输出单元,配置为基于所述第二映射输出所述电压;以及
发热特性输出单元,配置为基于所述第三映射输出所述功率并且基于所述功率输出对于所述多个像素的每个位置的发热特性。

说明书全文

电子装置和驱动电子装置的方法

[0001] 相关申请的交叉引用
[0002] 本申请要求于2022年10月27日提交到韩国知识产权局的第10‑2022‑0140075号韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的公开内容通过引用以其整体地并入本文。

技术领域

[0003] 本文中描述的本公开的实施方式涉及具有改善的显示质量的电子装置和用于驱动电子装置的方法。

背景技术

[0004] 正在开发在诸如电视、移动电话、平板计算机、导航系统游戏机的多媒体装置中使用的各种显示装置。
[0005] 显示装置在各种领域中使用,并且用于显示在显示装置上显示的图像的显示层是多样化的。
[0006] 如今,显示层包括发光显示层。发光显示层可包括有机发光显示层或量子点发光显示层。发明内容
[0007] 本公开的实施方式提供了具有改善的显示质量的电子装置和用于驱动电子装置的方法。
[0008] 根据实施方式,电子装置包括显示层、存储器以及驱动控制器,显示层包括用于显示图像的活动区域、布置为与活动区域相邻的外围区域以及布置在活动区域中的多个像素,多个像素中的每一个包括驱动晶体管和电连接到驱动晶体管的发光元件,存储器存储多个映射,驱动控制器连接到存储器,驱动显示层并且包括控制单元。多个映射包括其中存储有根据数据电压的对于驱动晶体管的在活动区域内的每个位置的第一电流值的第一映射、其中存储有对于活动区域内的每个位置的施加到多个像素中的每一个的电压的第二映射、以及其中存储有基于施加到多个像素中的每一个的电流和电压生成的功率的第三映射。控制单元包括基于第一映射输出与数据电压对应的第一电流值的第一电流输出单元、基于第二映射输出电压的电压输出单元、以及基于第三映射输出功率并且基于功率输出对于活动区域内的每个位置的发热特性的发热特性输出单元。
[0009] 控制单元还可包括连接到第一电流输出单元并且根据位置特定的(location‑specific)输入灰度来输出数据电压的数据电压输出单元。
[0010] 位置特定的输入灰度可通过补偿显示层的位置特定的亮度而获得。
[0011] 多个映射还可包括第四映射,在第四映射中存储有根据第一电流值的对于发光元件的每个位置的第二电流值。控制单元还可包括基于第四映射输出第二电流值的第二电流输出单元。电压输出单元可接收第二电流值。
[0012] 第二电流输出单元可连接到第一电流输出单元。发热特性输出单元基于第三映射输出与第二电流值和电压对应的功率。
[0013] 电子装置还可包括电压发生单元,电压发生单元向显示层提供第一驱动电压和具有比第一驱动电压的电压电平低的电压电平的第二驱动电压。电压可为通过从第一驱动电压减去第二驱动电压而获得的值。
[0014] 多个映射还可包括其中存储有对于活动区域内的每个位置的第一驱动电压的第五映射和其中存储有对于活动区域内的每个位置的第二驱动电压的第六映射。控制单元还可包括基于第五映射将第一驱动电压提供到电压输出单元的第一电压提供单元,以及基于第六映射将第二驱动电压提供到电压输出单元的第二电压提供单元。
[0015] 多个映射还可包括其中存储有根据第一电流值的基于显示层的位置特定的亮度补偿的第2‑1电流值的第4‑1映射。控制单元还可包括连接在第一电流输出单元与发热特性输出单元之间并且基于第4‑1映射输出第2‑1电流值的第2‑1电流输出单元。
[0016] 多个映射还可包括其中存储有根据第一电流值的基于对于活动区域内的每个位置的发光元件的电容补偿的第2‑2电流值的第4‑2映射。控制单元还可包括连接在第一电流输出单元与发热特性输出单元之间并且基于第4‑2映射输出第2‑2电流值的第2‑2电流输出单元。
[0017] 电子装置还可包括驱动连接到多个像素的多个数据线的数据驱动电路,以及驱动连接到多个像素的多个扫描线的扫描驱动电路。控制单元可控制数据驱动电路和扫描驱动电路。
[0018] 驱动控制器可接收图像信号,并且可基于对于每个位置的发热特性来生成图像数据。
[0019] 根据实施方式,驱动电子装置的方法包括输出提供到多个像素并且根据对于多个像素的每个位置的输入灰度而改变的数据电压,多个像素中的每一个包括驱动晶体管和电连接到驱动晶体管的发光元件,根据数据电压输出对于驱动晶体管的每个位置的第一电流值,将电压输出到多个像素中的每一个,并且输出基于施加到多个像素中的每一个的电压和电流生成的功率以及基于功率输出对于多个像素的每个位置的发热特性。
[0020] 方法还可包括根据第一电流值输出对于发光元件的每个位置的第二电流值。
[0021] 输出第二电流值可对于每个位置在输出第一电流值与输出电压之间执行。
[0022] 输出对于每个位置的发热特性可包括基于第二电流值和电压生成功率。
[0023] 第一驱动电压和具有比第一驱动电压的电压电平低的电压电平的第二驱动电压可提供到多个像素。输出电压可包括输出对于多个像素的每个位置的第一驱动电压,以及输出对于多个像素的每个位置的第二驱动电压。
[0024] 电压可为通过从第一驱动电压减去第二驱动电压而获得的值。
[0025] 方法还可包括接收图像信号并且基于对于每个位置的发热特性生成图像数据。
[0026] 方法还可包括根据第一电流值输出基于多个像素的位置特定的亮度补偿的第2‑1电流值。输出第2‑1电流值可对于每个位置在输出第一电流值与输出电压之间执行。
[0027] 根据实施方式,电子装置包括数据驱动电路、存储器、驱动控制器和显示面板,数据驱动电路电连接到多个数据线并且将数据电压施加到多个数据线中的每一个,存储器存储多个映射,驱动控制器连接到存储器并且包括控制单元,显示面板包括多个像素。多个映射包括其中存储有根据数据电压的对于多个像素中的每一个的驱动晶体管的每个位置的第一电流值的第一映射、其中存储有对于每个位置的施加到多个像素中的每一个的电压的第二映射、以及其中存储有基于施加到多个像素中的每一个的电流和电压生成的功率的第三映射。控制单元包括基于第一映射输出与数据电压对应的第一电流值的第一电流输出单元、基于第二映射输出电压的电压输出单元、以及基于第三映射输出功率并且基于功率输出对于多个像素的每个位置的发热特性的发热特性输出单元。附图说明
[0028] 通过参照附图详细描述本公开的实施方式,本公开的以上和其它目的和特征将变得明显。
[0029] 图1是根据本公开的实施方式的电子装置的透视图。
[0030] 图2A是根据本公开的实施方式的电子装置的剖视图。
[0031] 图2B是根据本公开的实施方式的电子装置的剖视图。
[0032] 图3是根据本公开的实施方式的沿图1的线I‑I'截取的电子装置的剖视图。
[0033] 图4是根据本公开的实施方式的电子装置的框图
[0034] 图5是根据本公开的实施方式的像素的等效电路图。
[0035] 图6示意性地图示根据本公开的实施方式的多个发光元件和电源线。
[0036] 图7是示出根据本公开的实施方式的驱动晶体管的特性曲线和发光元件的特性曲线的曲线图。
[0037] 图8是图示根据本公开的实施方式的控制单元的框图。
[0038] 图9是图示根据本公开的实施方式的驱动电子装置的方法的流程图
[0039] 图10是图示根据本公开的实施方式的控制单元的框图。
[0040] 图11是图示根据本公开的实施方式的控制单元的框图。
[0041] 图12是图示根据本公开的实施方式的控制单元的框图。

具体实施方式

[0042] 在说明书中,第一部件(或区、层、部、部分等)在第二部件“上”,与第二部件“连接”或“联接”的表述意味着第一部件直接在第二部件上,与第二部件连接或联接,或者意味着第三部件介于其间。
[0043] 相同的符号指代相同的元件。另外,在附图中,为了有效地描述技术内容,夸大了部件的厚度、比例和尺寸。表述“和/或”包括相关部件能够在其中进行限定的一个或多个组合。
[0044] 虽然术语“第一”、“第二”等可用于描述各种部件,但是这些部件不应被理解为受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个部件与另一部件区分开。例如,在不背离本公开的范围的情况下,第一部件可被称为第二部件,并且相似地,第二部件可被称为第一部件。冠词“一(a)”、“一(an)”和“该(the)”是单数,因为它们具有单个指示物,但在说明书中单数形式的使用不应排除存在一个以上的指示物。
[0045] 此外,术语“下面(under)”、“下方(below)”、“上(on)”和“上方(above)”等用于描述附图中图示的部件的相关性。基于附图中所示的方向来描述概念上为相对性的术语。
[0046] 应理解,术语“包括(include)”、“包含(comprise)”、“具有(have)”等指定说明书中描述的特征、数量、步骤、操作、元件或部件的存在,不排除一个或多个其它特征、数量、步骤、操作、元件或部件或其组合的存在或添加可能性。
[0047] 除非另有限定,否则本文中所使用的所有术语(包括技术术语和科技术语)具有与由本公开所属技术领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。此外,除非在本文中明确地限定,否则术语(诸如常用词典中限定的术语)应被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义一致的含义,并且不应在理想化或过于正式的含义上解释。
[0048] 在下文中,将参照附图对本公开的实施方式进行描述。
[0049] 图1是根据本公开的实施方式的电子装置的透视图。
[0050] 参照图1,电子装置1000可包括大型电子装置,诸如电视、监视器或外部广告牌。此外,电子装置1000可包括小型和中型电子装置,诸如个人计算机、笔记本计算机、个人数字终端、汽车导航系统、游戏机、智能电话、平板计算机或相机。然而,这仅为示例。例如,在不背离本公开的构思的情况下,电子装置1000可包括其它电子装置。图1图示了电子装置1000是蜂窝电话。
[0051] 在活动区域1000A中可限定有平行于由第一方向DR1和与第一方向DR1相交的第二方向DR2限定的平面的第一显示表面1000A1,以及从第一显示表面1000A1延伸的第二显示表面1000A2。
[0052] 电子装置1000可在第三方向DR3上在活动区域1000A中显示图像IM。第三方向DR3可被称为“厚度方向”。图像IM可包括静止图像以及运动图像。在图1中,时钟窗和图标被图示为图像IM的示例。显示有图像IM的活动区域1000A可对应于电子装置1000的前表面。
[0053] 在实施方式中,每个构件的前表面(或顶表面)和后表面(或底表面)相对于其上显示有图像IM的方向来限定。前表面和后表面可在第三方向DR3上彼此相对,并且前表面和后表面中的每一个的法线方向可平行于第三方向DR3。在说明书中,“当从平面上方观察时”可意味着“当在第三方向DR3上观察时”。
[0054] 可通过从第一显示表面1000A1的一侧弯曲来提供第二显示表面1000A2。此外,可提供有多个第二显示表面1000A2。在这种情况下,可通过从第一显示表面1000A1的至少两个轴弯曲来提供第二显示表面1000A2。一个第一显示表面1000A1和包括不少于一个表面且不多于四个表面的第二显示表面1000A2可限定在活动区域1000A中。然而,活动区域1000A的形状不限于此。例如,在活动区域1000A中可仅限定第一显示表面1000A1。
[0055] 图2A是根据本公开的实施方式的电子装置的剖视图。
[0056] 参照图2A,电子装置1000可包括显示层100和传感器层200。
[0057] 显示层100可为实质上生成图像IM(参见图1)的部件。显示层100可为发光显示层。例如,显示层100可为有机发光显示层、量子点显示层、微型LED显示层或纳米LED显示层。显示层100可包括基础层110、电路层120、发光元件层130和封装层140。
[0058] 基础层110可为提供其上布置有电路层120的基础表面的构件。基础层110可为玻璃衬底、金属衬底或聚合物衬底。然而,实施方式不限于此,并且基础层110可为无机层、有机层或复合材料层。
[0059] 基础层110可具有多层结构。例如,基础层110可包括第一合成树脂层、布置在第一合成树脂层上的(SiOx)层、布置在氧化硅层上的非晶硅(a‑Si)层以及布置在非晶硅层上的第二合成树脂层。氧化硅层和非晶硅层可被称为“基础阻挡层”。
[0060] 第一合成树脂层和第二合成树脂层中的每一个可包括聚酰亚胺基树脂。此外,第一合成树脂层和第二合成树脂层中的每一个可包括丙烯酸酯基树脂、甲基丙烯酸酯基树脂、聚异戊二烯基树脂、乙烯基树脂、环氧基树脂、甲酸酯基树脂、纤维素基树脂、硅氧烷基树脂、聚酰胺基树脂和苝基树脂中的至少一种。同时,本说明书中的“~~”基树脂意味着该树脂包括“~~”的官能团。
[0061] 电路层120可布置在基础层110上。电路层120可包括绝缘层、半导体图案、导电图案和信号线。绝缘层、半导体层和导电层可以诸如涂覆、蒸发或类似的方式形成在基础层110上。此后,可通过多次执行光刻工艺将绝缘层、半导体层和导电层图案化。此后,可形成包括在电路层120中的半导体图案、导电图案和信号线。
[0062] 发光元件层130可布置在电路层120上。发光元件层130可包括发光元件。例如,发光元件层130可包括有机发光材料、量子点、量子棒、微型LED或纳米LED。在本公开中,描述了发光元件层130包括有机发光材料。
[0063] 封装层140可布置在发光元件层130上。封装层140可保护发光元件层130免受诸如湿气、氧气和灰尘颗粒的异物的影响。
[0064] 传感器层200可布置在显示层100上。传感器层200可感测从外部施加的外部输入。
[0065] 传感器层200可通过连续工艺形成在显示层100上。在这种情况下,传感器层200可表示为直接布置在显示层100上。“直接布置”可意味着第三部件不介于传感器层200与显示层100之间。也就是说,单独的粘合剂可不介于传感器层200与显示层100之间。替代性地,传感器层200可通过粘合剂联接到显示层100。粘合剂可包括普通粘合剂或普通粘着剂。
[0066] 图2B是根据本公开的实施方式的电子装置的剖视图。
[0067] 参照图2B,电子装置1000‑1可包括显示层100‑1和传感器层200‑1。
[0068] 显示层100‑1可包括基础衬底110‑1、电路层120‑1、发光元件层130‑1、封装衬底140‑1和联接构件150‑1。
[0069] 基础衬底110‑1和封装衬底140‑1中的每一个可为玻璃衬底、金属衬底、聚合物衬底或类似物,但不特别限于此。
[0070] 联接构件150‑1可介于基础衬底110‑1与封装衬底140‑1之间。联接构件150‑1可将封装衬底140‑1联接到基础衬底110‑1或电路层120‑1。联接构件150‑1可包括无机材料或有机材料。例如,无机材料可包括玻璃料密封件,并且有机材料可包括光固化树脂或光塑性树脂。然而,构成联接构件150‑1的材料不限于该示例。
[0071] 传感器层200‑1可直接布置在封装衬底140‑1上。“直接布置”可意味着第三部件不介于传感器层200‑1与封装衬底140‑1之间。也就是说,单独的粘合剂可不介于传感器层200‑1与显示层100‑1之间。然而,实施方式不限于此,并且粘合层还可介于传感器层200‑1与封装衬底140‑1之间。
[0072] 图3是根据本公开的实施方式的沿图1的线I‑I'截取的电子装置的剖视图。在图3的描述中,相同的附图标记被分配给参照图2A描述的相同部件,并且因此省略其描述以避免冗余。
[0073] 参照图3,在基础层110的上表面上可形成有至少一个无机层。无机层可包括氧化、氧化、氧化硅、氧氮化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。无机层可由多层形成。多个无机层可构成阻挡层和/或缓冲层。在实施方式中,显示层100被图示为包括缓冲层BFL。
[0074] 缓冲层BFL可改善基础层110与半导体图案之间的结合(bonding force)。缓冲层BFL可包括氧化硅层和氮化硅层。氧化硅层和氮化硅层可交替地堆叠。
[0075] 半导体图案可布置在缓冲层BFL上。半导体图案可包括多晶硅。然而,实施方式不限于此,并且半导体图案可包括非晶硅、低温多晶硅或氧化物半导体。
[0076] 图3仅图示了半导体图案的一部分,并且半导体图案还可布置在另一区域中。半导体图案可以特定规则横跨多个像素排列。取决于半导体图案是否被掺杂,半导体图案可具有不同的电特性。半导体图案可包括具有高导电性的第一区域和具有低导电性的第二区域。第一区域可掺杂有N型掺杂剂或P型掺杂剂。P型晶体管可包括掺杂有P型掺杂剂的掺杂区域,并且N型晶体管可包括掺杂有N型掺杂剂的掺杂区域。第二区域可为未掺杂区域,或者可以比第一区域的掺杂浓度低的掺杂浓度进行掺杂。
[0077] 第一区域的电导率大于第二区域的电导率。第一区域可实质上用作电极或信号线。第二区域可实质上对应于晶体管的有源(或沟道)区。换句话说,半导体图案的一部分可为晶体管的有源区。其另一部分可为晶体管的源极或漏极。另一部分可为连接电极或连接信号线。
[0078] 多个像素中的每一个可具有包括三个晶体管、一个电容器和发光元件的等效电路,如图5中所示。像素的等效电路可修改为各种形状。例如,每个像素还可包括四个晶体管。稍后将描述像素。在图3中通过示例的方式图示了包括在像素中的一个晶体管100PC和一个发光元件OLED。
[0079] 晶体管100PC可包括源极SC1、有源区A1、漏极D1和栅极G1。源极SC1、有源区A1和漏极D1可由半导体图案形成。源极SC1和漏极D1可在剖视图上从有源区A1在彼此相反的方向上延伸。在图3中图示了由半导体图案形成的连接信号线SCL的一部分。尽管未单独图示,但是在平面视图中,连接信号线SCL可电连接到晶体管100PC的漏极D1。
[0080] 在缓冲层BFL上可布置有第一绝缘层10。第一绝缘层10可公共地与多个像素重叠,并且可覆盖半导体图案。第一绝缘层10可为无机层和/或有机层,并且可具有单层结构或多层结构。第一绝缘层10可包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。在实施方式中,第一绝缘层10可为单个氧化硅层。不仅第一绝缘层10,而且稍后将描述的电路层120的绝缘层也可为无机层和/或有机层,并且可具有单层结构或多层结构。无机层可包括上述材料中的至少一种,但不限于此。
[0081] 栅极G1布置在第一绝缘层10上。栅极G1可为金属图案的一部分。栅极G1与有源区A1重叠。在掺杂半导体图案的工艺中,栅极G1可用作自对准掩模。
[0082] 第二绝缘层20布置在第一绝缘层10上并且可覆盖栅极G1。第二绝缘层20可公共地与多个像素重叠。第二绝缘层20可为无机层和/或有机层,并且可具有单层结构或多层结构。第二绝缘层20可包括氧化硅、氮化硅和氧氮化硅中的至少一种。在实施方式中,第二绝缘层20可具有包括氧化硅层和氮化硅层的多层结构。
[0083] 在第二绝缘层20上可布置有第三绝缘层30。第三绝缘层30可具有单层结构或多层结构。例如,第三绝缘层30可具有包括氧化硅层和氮化硅层的多层结构。
[0084] 在第三绝缘层30上可布置有第一连接电极CNE1。第一连接电极CNE1可通过穿过第一绝缘层10、第二绝缘层20和第三绝缘层30形成的接触孔CNT‑1连接到连接信号线SCL。
[0085] 在第三绝缘层30上可布置有第四绝缘层40。第四绝缘层40可为单个氧化硅层。在第四绝缘层40上可布置有第五绝缘层50。第五绝缘层50可为有机层。
[0086] 在第五绝缘层50上可布置有第二连接电极CNE2。第二连接电极CNE2可通过穿过第四绝缘层40和第五绝缘层50形成的接触孔CNT‑2连接到第一连接电极CNE1。
[0087] 第六绝缘层60可布置在第五绝缘层50上并且可覆盖第二连接电极CNE2。第六绝缘层60可为有机层。
[0088] 发光元件层130可布置在电路层120上。发光元件层130可包括发光元件OLED。例如,发光元件层130可包括有机发光材料、量子点、量子棒、微型LED或纳米LED。在下文中,将在发光元件OLED是有机发光元件的情况下给出描述,但实施方式不特别限于此。
[0089] 发光元件OLED可包括第一电极AND、发光层EM和第二电极CE。第一电极AND可布置在第六绝缘层60上。第一电极AND可通过穿过第六绝缘层60形成的接触孔CNT‑3连接到第二连接电极CNE2。
[0090] 像素限定层70可布置在第六绝缘层60上,并且可覆盖第一电极AND的一部分。在像素限定层70中限定有开口70‑OP。像素限定层70的开口70‑OP暴露第一电极AND的至少一部分。
[0091] 活动区域1000A(参见图1)可包括发射区域PXA和布置为与发射区域PXA相邻的非发射区域NPXA。非发射区域NPXA可围绕发射区域PXA。在实施方式中,发射区域PXA限定为对应于第一电极AND的由开口70‑OP暴露的部分区域。
[0092] 发光层EM可布置在第一电极AND上。发光层EM可布置在与开口70‑OP对应的区域中。也就是说,发光层EM可分别形成在多个像素中的每一个上。当发光层EM单独地形成在多个像素中的每一个中时,多个发光层EM中的每一个可发射蓝色、红色和绿色中的至少一种的光。然而,实施方式不限于此。例如,多个像素中的发光层EM可连接以形成一个发光层。在这种情况下,发光层EM可提供蓝色光或白色光。
[0093] 第二电极CE可布置在发光层EM上。第二电极CE可公共地布置在多个像素中,同时具有一体的形状。第二电极CE可被称为公共电极CE。
[0094] 尽管未图示,但是空穴控制层可介于第一电极AND与发光层EM之间。空穴控制层可公共地布置在发射区域PXA和非发射区域NPXA中。空穴控制层可包括空穴传输层,并且还可包括空穴注入层。电子控制层可介于发光层EM与第二电极CE之间。电子控制层可包括电子传输层,并且还可包括电子注入层。空穴控制层和电子控制层可通过使用开口掩模公共地形成在多个像素中。
[0095] 封装层140可布置在发光元件层130上。封装层140可包括顺序地堆叠的无机层、有机层和无机层,并且构成封装层140的层不限于此。
[0096] 无机层可保护发光元件层130免受湿气和氧气的影响,并且有机层可保护发光元件层130免受诸如灰尘颗粒的异物的影响。无机层可包括氮化硅层、氧氮化硅层、氧化硅层、氧化钛层、氧化铝层或类似物。有机层可包括丙烯酸酯基有机层,但不限于此。
[0097] 传感器层200可通过连续工艺形成在显示层100上。在这种情况下,传感器层200可表示为直接布置在显示层100上。“直接布置”可意味着第三部件不介于传感器层200与显示层100之间。也就是说,单独的粘合剂可不介于传感器层200与显示层100之间。替代性地,传感器层200可通过粘合剂联接到显示层100。粘合剂可包括典型的粘合剂或粘着剂。
[0098] 传感器层200可包括基础绝缘层201、第一导电层202、检测绝缘层203、第二导电层204和覆盖绝缘层205。
[0099] 基础绝缘层201可为包括氮化硅、氧氮化硅和氧化硅中的至少一种的无机层。替代性地,基础绝缘层201可为包括环氧树脂、丙烯酸酯树脂或酰亚胺基树脂的有机层。基础绝缘层201可具有单层结构,或者可具有在第三方向DR3上堆叠的多层结构。
[0100] 第一导电层202和第二导电层204中的每一个可具有单层结构,或者可具有在第三方向DR3上堆叠的多层结构。
[0101] 单层结构的导电层可包括金属层或透明导电层。金属层可包括钼、、钛、、铝或其合金。透明导电层可包括透明导电氧化物,诸如氧化铟(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌锡(IZTO)或类似物。此外,透明导电层可包括导电聚合物,诸如PEDOT、金属纳米线石墨烯等。
[0102] 多层结构的导电层可包括金属层。例如,金属层可具有钛/铝/钛的三层结构。多层结构的导电层可包括至少一个金属层和至少一个透明导电层。
[0103] 检测绝缘层203和覆盖绝缘层205中的至少一个可包括无机膜。无机膜可包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。
[0104] 检测绝缘层203和覆盖绝缘层205中的至少一个可包括有机膜。有机膜可包括丙烯酸酯基树脂、甲基丙烯酸酯基树脂,聚异戊二烯基树脂,乙烯基树脂、环氧基树脂、氨基甲酸酯基树脂、纤维素基树脂、硅氧烷基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂和苝基树脂中的至少一种。
[0105] 图4是根据本公开的实施方式的电子装置的框图。
[0106] 参照图4,电子装置1000可包括显示层100、电压发生单元PIC、扫描驱动电路SDV、数据驱动电路DDV、驱动控制器100C和存储器MM。
[0107] 在显示层100中可限定有活动区域AA和布置为与活动区域AA相邻的外围区域NA。显示层100可包括多个像素PX、多个扫描线S1至Sm以及多个数据线DL1至DLn。“m”和“n”中的每一个是大于0的自然数。
[0108] 多个扫描线S1至Sm可连接到多个像素PX和扫描驱动电路SDV。多个扫描线S1至Sm中的每一个可在第一方向DR1上延伸。多个扫描线S1至Sm可在第二方向DR2上彼此间隔开。
[0109] 多个数据线DL1至DLn可连接到多个像素PX和数据驱动电路DDV。多个数据线DL1至DLn中的每一个可在第二方向DR2上延伸。多个数据线DL1至DLn可在第一方向DR1上彼此间隔开。
[0110] 电压发生单元PIC可生成并且控制提供到显示层100的功率和/或公共功率。电压发生单元PIC可生成并且控制第一驱动电压ELVDD、第二驱动电压ELVSS和初始化电压Vinit。
[0111] 第一驱动电压ELVDD、第二驱动电压ELVSS和初始化电压Vinit可施加到显示层100。第二驱动电压ELVSS的电压电平可低于第一驱动电压ELVDD的电压电平。第一驱动电压ELVDD、第二驱动电压ELVSS和初始化电压Vinit可施加到多个像素PX。
[0112] 驱动控制器100C可从外部(例如,系统板)接收图像信号RGB和控制信号CS。驱动控制器100C可通过将图像信号RGB的数据格式转换成适合于数据驱动电路DDV和接口规范来生成图像数据DATA。驱动控制器100C可向数据驱动电路DDV提供其数据格式被转换的图像数据DATA。
[0113] 驱动控制器100C可响应于从外部提供的控制信号CS生成并且输出第一控制信号CS1和第二控制信号CS2。第一控制信号CS1可限定为扫描控制信号,并且第二控制信号CS2可限定为数据控制信号。第一控制信号CS1可提供到扫描驱动电路SDV。第二控制信号CS2可提供到数据驱动电路DDV。
[0114] 驱动控制器100C可包括控制单元CC。控制单元CC可生成显示层100的发热特性。这将稍后进行描述。
[0115] 扫描驱动电路SDV可响应于第一控制信号CS1生成多个扫描信号。多个扫描信号可通过多个扫描线S1至Sm施加到多个像素PX。扫描驱动电路SDV可布置在外围区域NA中。
[0116] 根据本公开的实施方式的显示层100还可包括发光驱动电路(未示出)。发光驱动电路可响应于来自驱动控制器100C的发光驱动控制信号将发射控制信号输出到显示层100。
[0117] 数据驱动电路DDV可响应于第二控制信号CS2生成与图像数据DATA对应的多个数据电压。多个数据电压可通过数据线DL1至DLn施加到多个像素PX。数据驱动电路DDV可同步地向数据线DL1至DLn提供以多个像素PX中的像素行为单位生成的数据电压。
[0118] 多个像素PX可排列在活动区域AA中。多个像素PX可响应于多个扫描信号接收多个数据电压。多个像素PX通过发射与多个数据电压对应的亮度的光来显示图像。多个像素PX可同步地发光以显示图像。
[0119] 存储器MM可连接到驱动控制器100C的控制单元CC。在存储器MM中可存储有多个映射MAP。存储器MM可将多个映射MAP提供到控制单元CC。稍后将对多个映射MAP进行描述。
[0120] 图5是根据本公开的实施方式的像素的等效电路图。图5示出了图4的多个像素PX中的一个的等效电路图。
[0121] 参照图4和图5,像素PX可包括像素驱动电路PDC和发光元件OLED。
[0122] 像素驱动电路PDC可包括驱动晶体管T1、开关晶体管T2、感测晶体管T3、电容器Cst、数据线DL和基准电压线VL。数据线DL可为多个数据线DL1至DLn中的一个。
[0123] 发光元件OLED可在导通状态或关断状态下操作。发光元件OLED可包括第一电极AND、发光层EM和第二电极。第一电极AND可被称为“阳极AND”。第二电极可被称为“阴极”。第一电极AND和第二电极可作为一种电容器Col进行操作。电容器Col可具有预定电容。该电容可被称为“发光元件OLED的电容”。
[0124] 第一电极AND可电连接到驱动晶体管T1的源极节点或漏极节点。第二电极可电连接到第二电源线PL2。第二驱动电压ELVSS可提供到第二电源线PL2。
[0125] 驱动晶体管T1可将驱动电流Id供给到发光元件OLED以驱动发光元件OLED。发光元件OLED的电容器Col由驱动电流Id充电,并且发光元件OLED可发光。驱动晶体管T1也可被称为“第一晶体管T1”。
[0126] 驱动晶体管T1可具有对应于驱动晶体管T1的源极节点或漏极节点的第一节点N1、对应于驱动晶体管T1的栅极节点的第二节点N2以及对应于驱动晶体管T1的漏极节点或源极节点的第三节点N3。图5图示了其中第一节点N1是源极节点,第二节点N2是栅极节点并且第三节点N3是漏极节点的驱动晶体管T1。
[0127] 第一节点N1可电连接到发光元件OLED的第一电极AND。第一电源线PL1可电连接到第三节点N3。第一驱动电压ELVDD可提供到第一电源线PL1。
[0128] 通过多个扫描线S1至Sm施加到多个像素PX的多个信号可包括扫描信号SC和感测信号SS。
[0129] 开关晶体管T2可为用于将数据电压Vdata传送到第二节点N2的晶体管。开关晶体管T2可由提供到开关晶体管T2的栅极节点的扫描信号SC控制,并且可电连接在第二节点N2与数据线DL之间。开关晶体管T2可被称为“第二晶体管T2”。
[0130] 电容器Cst可电连接在驱动晶体管T1的第一节点N1与第二节点N2之间。电容器Cst可被称为“存储电容器Cst”。电容器Cst可在一个时间期间保持恒定的电压。
[0131] 感测晶体管T3可由提供到感测晶体管T3的栅极节点的感测信号SS控制,并且可电连接在基准电压线VL与第一节点N1之间。感测晶体管T3也可被称为“第三晶体管T3”。
[0132] 感测晶体管T3可导通以将通过基准电压线VL供给的初始化电压Vinit提供到驱动晶体管T1的第一节点N1。
[0133] 第一晶体管T1至第三晶体管T3中的每一个可为具有低温多晶硅(LTPS)半导体层的P型晶体管。然而,这为示例,并且根据本公开的实施方式的第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3中的全部可为N型晶体管。在实施方式中,第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3中的至少一个可为P型晶体管,而其中的其它晶体管可为N型晶体管。
[0134] 例如,根据本公开的实施方式的像素驱动电路PDC可包括三个晶体管和一个电容器。以这种方式,包括三个晶体管和一个电容器的像素PX可被称为“具有3T1C结构”。然而,这为示例,并且根据本公开的实施方式的像素驱动电路PDC的晶体管的数量和电容器的数量不限于此。例如,电连接到第二节点N2的开关晶体管T2和电容器Cst可被称为“驱动晶体管T1的控制单元”。此外,像素驱动电路PDC还可包括电连接到第一节点N1或第三节点N3的至少一个晶体管。此时,电连接到第一节点N1或第三节点N3的至少一个晶体管可被称为“发射控制单元”。
[0135] 图6示意性地图示根据本公开的实施方式的多个发光元件和电源线。
[0136] 参照图4至图6,电压发生单元PIC可生成第一驱动电压ELVDD和第二驱动电压ELVSS。电压发生单元PIC可将第一驱动电压ELVDD提供到第一电源线PL1,并且可将第二驱动电压ELVSS提供到第二电源线PL2。
[0137] 多个发光元件OLED可并联地连接在第一电源线PL1与第二电源线PL2之间。
[0138] 通过第一电源线PL1和第二电源线PL2中的每一个的电阻器R,对于多个发光元件OLED的每个位置可发生第一驱动电压ELVDD和第二驱动电压ELVSS中的每一个的偏移。
[0139] 存储在存储器MM中的多个映射MAP可包括其中存储有对于活动区域AA内的每个位置的第一驱动电压ELVDD和/或第二驱动电压ELVSS的第五映射M3‑1和第六映射M3‑2(参见图8)。
[0140] 控制单元CC可从存储器MM接收第五映射M3‑1和第六映射M3‑2(参见图8),并且可通过使用第五映射M3‑1和第六映射M3‑2生成反映偏差的发热特性。这将稍后进行描述。
[0141] 图7是示出根据本公开的实施方式的驱动晶体管的特性曲线和发光元件的特性曲线的曲线图。
[0142] 图7示出了当对应于高灰度的第一数据电压供给到布置在不同位置处的两个像素PX时的驱动晶体管T1(参见图5)的第一特性曲线(例如,第五曲线图G11和第六曲线图G21)、当对应于低灰度的第二数据电压供给到布置在不同位置处的两个像素PX时的驱动晶体管T1(参见图5)的第二特性曲线(例如,第三曲线图G12和第四曲线图G22)、以及在不同位置处的发光元件OLED(参见图5)的特性曲线(例如,第一曲线图G13和第二曲线图G23)。
[0143] 参照图4、图5和图7,曲线图的横轴指示施加到驱动晶体管T1和发光元件OLED的电压Vd,并且曲线图的纵轴指示流过驱动晶体管T1和发光元件OLED的驱动电流Id。例如,电压Vd可为施加在第一节点N1与第三节点N3之间的电压。
[0144] 定位在活动区域AA(参见图4)内的不同位置处的像素PX可被称为“第一像素”和“第二像素”。
[0145] 第一曲线图G13可指示第一像素的发光元件OLED的特性曲线。第二曲线图G23可指示第二像素的发光元件OLED的特性曲线。
[0146] 由于工艺偏差,对于多个像素PX的每个位置可发生发光元件OLED的特性曲线中的偏差。例如,参照第一曲线图G13和第二曲线图G23,第一像素的发光元件OLED和第二像素的发光元件OLED中的特性偏差可发生多达第一差DF1。施加到发光元件OLED以达到第一驱动电流Id1的电压根据活动区域AA中的像素的位置而不同多达第一差DF1。
[0147] 存储在存储器MM中的多个映射MAP可包括其中存储有对于活动区域AA内的每个位置的通过校正发光元件OLED的偏差而获得的电流值的第二映射M2(参见图8)。
[0148] 第三曲线图G12可指示处于第一像素的低灰度的驱动晶体管T1的第二特性曲线。第四曲线图G22可指示处于第二像素的低灰度的驱动晶体管T1的第二特性曲线。
[0149] 第五曲线图G11可指示处于第一像素的高灰度的驱动晶体管T1的第一特性曲线。第六曲线图G21可指示处于第二像素的高灰度的驱动晶体管T1的第一特性曲线。
[0150] 由于工艺偏差,对于多个像素PX的每个位置可发生驱动晶体管T1的特性曲线中的偏差。例如,参照第五曲线图G11和第六曲线图G21,当相同的电压Vd施加到第一像素和第二像素时,第一像素的驱动晶体管T1和第二像素的驱动晶体管T1中的特性偏差可发生多达第二差DF2。
[0151] 存储在存储器MM中的多个映射MAP可包括其中存储有对于活动区域AA内的每个位置的通过校正驱动晶体管T1的偏差而获得的电流值的第一映射M1(参见图8)。
[0152] 当对应于高灰度的第一数据信号提供到第一像素时,流入在其处具有驱动晶体管T1的第一特性曲线的第五曲线图G11与具有发光元件OLED的特性曲线的第一曲线图G13相交的点的电流可被称为“第一驱动电流Id1”。
[0153] 当第一数据信号提供到第二像素时,流入在其处具有驱动晶体管T1的第一特性曲线的第六曲线图G21与具有发光元件OLED的特性曲线的第二曲线图G23相交的点的电流可被称为“第二驱动电流Id2”。
[0154] 可通过第一像素的驱动晶体管T1和第二像素的驱动晶体管T1之间的特性分布以及第一像素的发光元件OLED和第二像素的发光元件OLED之间的特性分布来生成多达第三差DF3的电流偏差。由于电流偏差,在显示层100的活动区域AA中,位置特定的发热特性可彼此不同,并且可出现发热分布。
[0155] 控制单元CC可从存储器MM接收第一映射M1和第二映射M2(参见图8),并且可通过使用第五映射M3‑1和第六映射M3‑2生成反映偏差的发热特性。这将稍后进行描述。
[0156] 图8是图示根据本公开的实施方式的控制单元的框图。图9是图示根据本公开的实施方式的驱动电子装置的方法的流程图。
[0157] 参照图4、图5、图8和图9,存储器MM可存储多个映射MAP。多个映射MAP可包括第一映射M1、第二映射M2、第三映射M3、第四映射M4、第五映射M3‑1和第六映射M3‑2。
[0158] 在第一映射M1中可存储有根据数据电压Vdata的对于驱动晶体管T1的在活动区域AA内的每个位置的第一电流值I1。
[0159] 在第二映射M2中可存储有根据第一电流值I1的对于发光元件OLED的每个位置的第二电流值I2。
[0160] 在第三映射M3中可存储有施加到多个像素PX中的每一个的对于活动区域AA内的每个位置的电压V1。
[0161] 在第四映射M4中可存储有基于施加到多个像素PX中的每一个的电流和电压V1生成的功率。
[0162] 在第五映射M3‑1中可存储有对于活动区域AA内的每个位置的第一驱动电压ELVDD。
[0163] 在第六映射M3‑2中可存储有对于活动区域AA内的每个位置的第二驱动电压ELVSS。
[0164] 然而,这为示例。例如,根据本公开的实施方式的多个映射MAP中的至少一个可具有:具有一维阵列结构的查找表格式,而不是具有二维阵列结构的映射格式,或者具有“a”或“b”的值的寄存器格式。例如,当第一驱动电压ELVDD的位置特定的工艺偏差不大时,可通过存储对于每行或每列的第一驱动电压ELVDD来以查找表格式存储第五映射M3‑1的格式。在这种情况下,可减少存储在存储器MM中的容量。
[0165] 控制单元CC可包括数据电压输出单元C1、第一电流输出单元C2、第二电流输出单元C3、电压输出单元C4、第一电压提供单元C4‑1、第二电压提供单元C4‑2以及发热特性输出单元C5。
[0166] 数据电压输出单元C1可接收输入灰度IG。图像信号RGB可包括输入灰度IG。数据电压输出单元C1可根据位置特定的输入灰度IG输出与位置对应的数据电压Vdata(S100)。
[0167] 第一电流输出单元C2可定位在数据电压输出单元C1与第二电流输出单元C3之间。第一电流输出单元C2可从数据电压输出单元C1接收数据电压Vdata。第一电流输出单元C2可基于第一映射M1输出与数据电压Vdata对应的第一电流值I1(S200)。
[0168] 根据本公开的实施方式,由驱动晶体管T1的位置特定的工艺偏差引起的第二差DF2(参见图7)的影响可通过第一电流输出单元C2来改善。
[0169] 第二电流输出单元C3可连接到第一电流输出单元C2、电压输出单元C4和发热特性输出单元C5。第二电流输出单元C3可从第一电流输出单元C2接收第一电流值I1。第二电流输出单元C3可基于第二映射M2输出与第一电流值I1对应的第二电流值I2(S300)。
[0170] 根据本公开的实施方式,由发光元件OLED的位置特定的工艺偏差引起的第一差DF1(参见图7)的影响可通过第二电流输出单元C3来改善。
[0171] 第一电压提供单元C4‑1可基于第五映射M3‑1将位置特定的第一驱动电压ELVDD提供到电压输出单元C4。
[0172] 第二电压提供单元C4‑2可基于第六映射M3‑2将位置特定的第二驱动电压ELVSS提供到电压输出单元C4。
[0173] 电压输出单元C4可连接到第二电流输出单元C3、发热特性输出单元C5、第一电压提供单元C4‑1和第二电压提供单元C4‑2。电压输出单元C4可从第二电流输出单元C3接收第二电流值I2。电压输出单元C4可从第一电压提供单元C4‑1接收第一驱动电压ELVDD。电压输出单元C4可从第二电压提供单元C4‑2接收第二驱动电压ELVSS。
[0174] 电压输出单元C4可基于第三映射M3输出多个像素PX的位置特定的电压V1(S400)。电压V1可为通过从第一驱动电压ELVDD减去第二驱动电压ELVSS而获得的值。
[0175] 根据本公开的实施方式,通过第一电源线PL1和第二电源线PL2中的每一个的电阻R而引起的对于多个发光元件OLED的每个位置生成的第一驱动电压ELVDD和第二驱动电压ELVSS的每个偏差的影响可通过电压输出单元C4来改善。
[0176] 发热特性输出单元C5可连接到第二电流输出单元C3和电压输出单元C4。发热特性输出单元C5可从第二电流输出单元C3接收第二电流值I2。发热特性输出单元C5可从电压输出单元C4接收电压V1。
[0177] 发热特性输出单元C5可基于第四映射M4输出与第二电流值I2和电压V1对应的功率(S500)。
[0178] 发热特性输出单元C5可基于功率输出对于多个像素PX的每个位置的发热特性HC(S600)。发热特性HC可与功率成比例。
[0179] 根据本公开的实施方式,由多个像素PX的位置特定的工艺偏差而引起的第三差DF3(参见图7)的影响可通过发热特性输出单元C5来改善。
[0180] 与本公开的实施方式不同,流过多个像素PX中的每一个的驱动电流Id可对温度敏感,并且因此可受到在驱动显示层100期间生成的热分布的影响。根据对于活动区域AA内的每个位置的多个像素PX中的每一个的工艺偏差,发热特性可彼此不同。然而,根据本公开的实施方式,控制单元CC可通过存储在存储器MM中的第一映射M1、第二映射M2、第三映射M3、第四映射M4、第五映射M3‑1和第六映射M3‑2来生成对于活动区域AA内的每个位置的发热特性HC。驱动控制器100C可接收图像信号RGB,并且可考虑发热特性HC来生成图像数据DATA。可均匀地校正多个像素PX的位置特定的亮度。因此,可提供具有改善的显示质量的电子装置1000以及用于驱动电子装置1000的方法。
[0181] 此外,根据本公开的实施方式,能够通过存储显示层100上的用于确定驱动电流Id的元件的映射来生成对于每个位置的功率,并且可基于功率生成发热特性HC。可改善对于每个位置生成的发热特性HC的精度。以这种方式,可改善对电子装置1000的温度的补偿的精度。因此,能够提供具有改善的可靠性的电子装置1000以及用于驱动电子装置1000的方法。
[0182] 图10是图示根据本公开的实施方式的控制单元的框图。在图10的描述中,相同的附图标记被分配给参照图8描述的相同部件,并且因此省略其描述以避免冗余。
[0183] 参照图4、图5和图10,多个映射MAP还可包括第2‑1映射M2‑1。在这种情况下,可省略第二映射M2。
[0184] 第2‑1映射M2‑1可存储第2‑1电流值I2‑1,根据第一电流值I1基于对于显示层100的每个位置的发光元件OLED的亮度对第2‑1电流值I2‑1施加有第一光学补偿。
[0185] 第一光学补偿可意味着整个显示层100发射具有预定亮度的光,并且然后基于整个显示层100的捕获的图像的预定亮度来施加补偿,使得相对低的驱动电流施加到发射具有比预定亮度高的亮度的光的像素PX,并且相对高的驱动电流施加到发射具有比预定亮度低的亮度的光的像素PX。
[0186] 控制单元CC‑1可包括数据电压输出单元C1、第一电流输出单元C2、第2‑1电流输出单元C3‑1、电压输出单元C4、第一电压提供单元C4‑1、第二电压提供单元C4‑2以及发热特性输出单元C5。
[0187] 第2‑1电流输出单元C3‑1可连接到第一电流输出单元C2、电压输出单元C4和发热特性输出单元C5。第2‑1电流输出单元C3‑1可从第一电流输出单元C2接收第一电流值I1。第2‑1电流输出单元C3‑1可基于第2‑1映射M2‑1输出与第一电流值I1对应的第2‑1电流值I2‑
1。
[0188] 根据本公开的实施方式,由发光元件OLED的位置特定的工艺偏差引起的第一差DF1(参见图7)的影响可通过第2‑1电流输出单元C3‑1来改善。
[0189] 此外,根据本公开的实施方式,能够通过存储显示层100上的用于确定驱动电流Id的元件的映射来生成对于每个位置的功率,并且可基于功率生成发热特性HC。可改善对于每个位置生成的发热特性HC的精度。以这种方式,可改善对电子装置1000的温度的补偿的精度。因此,可提供具有改善的可靠性的电子装置1000以及用于驱动电子装置1000的方法。
[0190] 图11是图示根据本公开的实施方式的控制单元的框图。在图11的描述中,相同的附图标记被分配给参照图8描述的相同部件,并且因此省略其描述以避免冗余。
[0191] 参照图4、图5和图11,可从控制单元中省略第二映射M2和第二电流输出单元。
[0192] 控制单元CC‑2可包括数据电压输出单元C1‑2、第一电流输出单元C2、电压输出单元C4、第一电压提供单元C4‑1、第二电压提供单元C4‑2以及发热特性输出单元C5。
[0193] 数据电压输出单元C1‑2可接收输入灰度IG‑2。图像信号RGB可包括输入灰度IG‑2。输入灰度IG‑2可为被施加有第二光学补偿的值。也就是说,输入灰度IG‑2可为来自对于显示层100的每个位置的发光元件OLED的亮度进行补偿的值。数据电压输出单元C1‑2可根据位置特定的输入灰度IG‑2来输出与其对应的数据电压Vdata。第一电流输出单元C2可基于第一映射M1输出与数据电压Vdata对应的第1‑2电流值I1‑2。电压输出单元C4和发热特性输出单元C5可从第一电流输出单元C2接收第1‑2电流值I1‑2。
[0194] 第二光学补偿可意味着整个显示层100发射具有预定亮度的光,并且然后基于整个显示层100的捕获的图像的预定亮度来补偿施加到像素PX的输入灰度IG‑2。
[0195] 根据本公开的实施方式,由发光元件OLED的位置特定的工艺偏差引起的第一差DF1(参见图7)的影响可通过数据电压输出单元C1‑2来改善。
[0196] 此外,根据本公开的实施方式,能够通过存储显示层100上的用于确定驱动电流Id的元件的映射来生成对于每个位置的功率,并且可基于功率生成发热特性HC。可改善对于每个位置生成的发热特性HC的精度。以这种方式,可改善对电子装置1000的温度的补偿的精度。因此,可提供具有改善的可靠性的电子装置1000以及用于驱动电子装置1000的方法。
[0197] 图12是图示根据本公开的实施方式的控制单元的框图。在图12的描述中,相同的附图标记被分配给参照图8描述的相同部件,并且因此省略其描述以避免冗余。
[0198] 参照图4、图5和图12,多个映射MAP还可包括第2‑3映射M2‑3。在这种情况下,可省略第二映射M2。
[0199] 第2‑3映射M2‑3可存储根据第一电流值I1的基于对于显示层100的每个位置的发光元件OLED的电容器Col的电容补偿的第2‑3电流值I2‑3。
[0200] 控制单元CC‑3可包括数据电压输出单元C1、第一电流输出单元C2、第2‑3电流输出单元C3‑3、电压输出单元C4、第一电压提供单元C4‑1、第二电压提供单元C4‑2以及发热特性输出单元C5。
[0201] 第2‑3电流输出单元C3‑3可连接到第一电流输出单元C2、电压输出单元C4和发热特性输出单元C5。第2‑3电流输出单元C3‑3可从第一电流输出单元C2接收第一电流值I1。第2‑3电流输出单元C3‑3可基于第2‑3映射M2‑3输出与第一电流值I1对应的第2‑3电流值I2‑
3。
[0202] 根据本公开的实施方式,由发光元件OLED的位置特定的工艺偏差引起的第一差DF1(参见图7)的影响可通过第2‑3电流输出单元C3‑3来改善。
[0203] 此外,根据本公开的实施方式,能够通过存储显示层100上的用于确定驱动电流Id的元件的映射来生成对于每个位置的功率,并且可基于功率生成发热特性HC。可改善对于每个位置生成的发热特性HC的精度。以这种方式,可改善对电子装置1000的温度的补偿的精度。因此,可提供具有改善的可靠性的电子装置1000以及用于驱动电子装置1000的方法。
[0204] 尽管为了说明的目的已描述了本公开的实施方式,但是本领域技术人员将理解,在不背离如所附权利要求中公开的本公开的范围和精神的情况下,各种修改和替换是可能的。因此,本公开的技术范围不限于本说明书的详细描述,而应由权利要求限定。
[0205] 如上所述,控制单元可通过存储在存储器中的多个映射来生成对于活动区域内的每个位置的发热特性。驱动控制器可接收图像信号,并且然后可考虑发热特性来生成图像数据。可均匀地校正多个像素的位置特定的亮度。因此,可提供具有改善的显示质量的电子装置以及用于驱动电子装置的方法。
[0206] 此外,如上所述,能够通过存储显示层上的用于确定驱动电流的元件的映射来生成对于每个位置的功率,并且可基于功率生成发热特性。可改善对于每个位置生成的发热特性的精度。以这种方式,可改善对电子装置的温度的补偿的精度。因此,可提供具有改善的可靠性的电子装置以及用于驱动电子装置的方法。
[0207] 虽然已参照本公开的实施方式描述了本公开,但是对于本领域的普通技术人员来说明显的是,在不背离如所附权利要求中所阐述的本公开的精神和范围的情况下,可对本公开进行各种改变和修改。
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