显示装置 |
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| 申请号 | CN202311290541.8 | 申请日 | 2023-10-08 | 公开(公告)号 | CN117915706A | 公开(公告)日 | 2024-04-19 |
| 申请人 | 三星显示有限公司; | 发明人 | 宋姬林; 田武经; 李哲坤; | ||||
| 摘要 | 一种显示装置，包括： 基础 层； 电路 层，设置在基础层上；以及元件层，设置在电路层上，元件层包括发光元件和光接收元件，其中，电路层包括： 像素 驱动电路，连接至发光元件； 传感器 驱动电路，连接至光接收元件；数据布线，连接至像素驱动电路；读出布线，连接至传感器驱动电路；以及屏蔽 电极 布线，在平面上与读出布线重叠。 | ||||||
| 权利要求 | 1.一种显示装置，包括： |
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| 说明书全文 | 显示装置技术领域[0001] 本文中描述的本公开的实施方式涉及显示装置，并且更具体地，涉及可以识别生物特征信息的显示装置。 背景技术[0002] 显示装置提供了诸如通过图像显示信息或检测用户输入的便于用户交互的各种功能。最近，一些显示装置还集成了生物特征感测能力。 [0004] 本公开的实施方式提供了一种增强用于生物特征信息识别的传感器的感测性能的显示装置。 [0005] 根据本公开的实施方式，提供了一种显示装置，该显示装置包括：基础层；电路层，设置在基础层上；以及元件层，设置在电路层上，元件层包括发光元件和光接收元件，其中，电路层包括：像素驱动电路，连接至发光元件；传感器驱动电路，连接至光接收元件；数据布线，连接至像素驱动电路；读出布线，连接至传感器驱动电路；以及屏蔽电极布线，在平面上与读出布线重叠。 [0006] 根据本公开的实施方式，提供了一种显示装置，该显示装置包括：基础层；电路层，设置在基础层上；以及元件层，设置在电路层上，元件层包括发光元件和光接收元件，其中，电路层包括：像素驱动电路，连接至发光元件；传感器驱动电路，连接至光接收元件；以及屏蔽电极图案，在平面上与传感器驱动电路重叠。附图说明 [0007] 通过参考附图详细描述本公开的实施方式，本公开的上述和其他特征将变得显而易见。 [0008] 图1是根据本公开的实施方式的显示装置的立体图。 [0009] 图2是根据本公开的实施方式的显示装置的剖视图。 [0010] 图3是根据本公开的实施方式的显示装置的框图。 [0011] 图4A和图4B是根据本公开的实施方式的显示面板的部分区域的放大平面图。 [0012] 图5A是示出根据本公开的实施方式的像素和传感器的电路图。 [0013] 图5B是用于描述图5A中所示的像素和传感器的操作的波形图。 [0014] 图6是根据本公开的实施方式的显示面板的剖视图。 [0015] 图7A、图7B、图7C、图7D、图7E、图7F、图7G、图7H和图7I是示出根据本公开的实施方式的包括在电路层中的导电图案的布置顺序的平面图。 [0016] 图8A和图8B是示出根据本公开的实施方式的屏蔽电极布线的平面图。 [0017] 图9A、图9B和图9C是示出根据本公开的实施方式的形成屏蔽电极布线的工艺的平面图。 [0018] 图10A和图10B是示出根据本公开的实施方式的屏蔽电极布线的平面图。 [0020] 图12是示出根据本公开的实施方式的第二复位电压布线和屏蔽电极布线之间的布置关系的平面图。 [0021] 图13A和图13B是示出根据本公开的实施方式的屏蔽电极图案的位置的平面图。 [0022] 图14A和图14B是示出根据本公开的实施方式的显示面板的发光元件和光接收元件的剖视图。 具体实施方式[0023] 在本说明书中，当部件(或区域、层、部等)被称为在另一部件“上”、“连接至”或“联接至”另一部件时，这可以意指该部件直接在另一部件上、直接连接至或直接联接至另一部件、或者在它们之间存在第三部件。 [0024] 相同的附图标记可以指代相同的部件。此外，在附图中，为了有效描述可以夸大部件的厚度、比例和尺寸。如本文中所用，术语“和/或”包括由相关部件限定的一种或多种组合的全部。 [0025] 诸如第一、第二等的术语可以用于描述各种部件，但这些部件不应受这些术语的限制。这些术语可以用于将一个部件与其他部件区分开。例如，第一部件可以被称为第二部件，并且类似地，第二部件可以被称为第一部件。除非另有指示，否则单数形式的术语可以包括复数形式。 [0026] 此外，诸如“下方”、“下面”、“上方”和“之上”的术语用于描述附图中所示的部件的关系。这些术语是相对概念，并且基于具体附图中所示的方向来描述。 [0027] 应当理解，诸如“包含”、“包括”和“具有”的术语当在本文中使用时表示所述特征、数字、步骤、操作、部件、部或其组合的存在，但不排除一个或多个其他特征、数字、步骤、操作、部件、部或其组合的存在或添加。 [0028] 除非另有限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语或科学术语)具有与本公开所属领域中的技术人员通常理解的含义相同的含义。术语，诸如在常用词典中限定的术语应被理解为具有与它们在相关领域的上下文中的含义等同的含义，并且除非在本申请中清楚地限定为具有这种含义，否则不应被理解为具有理想化或过于正式化的含义。 [0029] 在下文中，将参考附图描述本公开的实施方式。 [0030] 图1是根据本公开的实施方式的显示装置的立体图。图2是根据本公开的实施方式的显示装置的剖视图。 [0031] 参考图1和图2，根据本公开的实施方式的显示装置DD可以具有长边与第一方向DR1平行并且短边与和第一方向DR1交叉的第二方向DR2平行的矩形形状。然而，不限于此，显示装置DD可以具有诸如圆形形状、多边形形状等的各种形状。 [0033] 在下文中，大体上与由第一方向DR1和第二方向DR2形成的平面垂直的法线方向被称为第三方向DR3。本文中所用的表述“当在平面上观察时”可以意指在第三方向DR3上观察。 [0034] 显示装置DD的上表面可以是显示表面IS，并且可以与由第一方向DR1和第二方向DR2形成的平面平行。由显示装置DD产生的图像IM可以通过显示表面IS来提供给用户。 [0035] 显示表面IS可以被分成透射区域TA和边框区域BZA。透射区域TA可以是其上显示图像IM的区域。例如，用户通过透射区域TA视觉识别图像IM。在该实施方式中，透射区域TA以圆角矩形形状示出。然而，这是说明性的，并且透射区域TA可以具有各种形状，并且不限于任何一种形状。 [0036] 边框区域BZA与透射区域TA相邻。边框区域BZA可以具有预定颜色。边框区域BZA可以围绕透射区域TA。因此，透射区域TA的形状可以大体上由边框区域BZA形成。然而，这是说明性的，并且边框区域BZA可以仅与透射区域TA的一侧相邻设置，或者可以省略。 [0037] 显示装置DD可以感测从外部施加的外部输入。外部输入可以包括从显示装置DD外部提供的各种形式的输入。例如，外部输入不仅可以包括通过诸如用户的手US_F的身体部分的接触或者通过单独的装置(例如，有源笔或数字化仪)的接触，而且也可以包括接近显示装置DD或者以预定距离与显示装置DD相邻的外部输入(例如，悬停)。此外，外部输入可以具有诸如力、压力、温度、光等的各种形式。 [0038] 显示装置DD可以感测从外部施加的用户的生物特征信息。可以感测用户的生物特征信息的生物特征信息感测区域可以设置在显示装置DD的显示表面IS上。生物特征信息感测区域可以设置在透射区域TA的整个区域中，或者可以设置在透射区域TA的部分区域中。换言之，整个透射区域TA可以用于感测用户的生物特征信息，或者透射区域TA的仅一部分可以用于感测用户的生物特征信息。图1示出了将整个透射区域TA用作生物特征信息感测区域的一个示例。 [0039] 显示装置DD可以包括窗WM、显示模块DM和壳体EDC。在实施方式中，将窗WM和壳体EDC联接以形成显示装置DD的外部。 [0040] 窗WM的前表面形成显示装置DD的显示表面IS。窗WM可以包括光学透明绝缘材料。例如，窗WM可以包括玻璃或塑料。窗WM可以具有多层结构或单层结构。例如，窗WM可以包括通过粘合剂联接的多个塑料膜，或者可以包括通过粘合剂联接的玻璃基板和塑料膜。 [0041] 显示模块DM可以包括显示面板DP和输入感测层ISL。显示面板DP可以响应于电信号来显示图像，并且输入感测层ISL可以感测从外部施加的外部输入。外部输入可以以各种形式提供。 [0042] 根据本公开的实施方式的显示面板DP可以是发射显示面板，但没有特别限制。例如，显示面板DP可以是有机发光显示面板、无机发光显示面板或量子点发光显示面板。有机发光显示面板的发射层可以包括有机发光材料，并且无机发光显示面板的发射层可以包括无机发光材料。量子点发光显示面板的发射层可以包括量子点和量子棒。在下文中，将显示面板DP描述为有机发光显示面板。 [0043] 参考图2，显示面板DP包括基础层BL、电路层DP_CL、元件层DP_ED和封装层TFE。根据本公开的显示面板DP可以是柔性显示面板。然而，本公开不限于此。例如，显示面板DP可以是绕着折叠轴折叠的可折叠显示面板或者刚性显示面板。 [0045] 电路层DP_CL可以设置在基础层BL上。电路层DP_CL设置在基础层BL和元件层DP_ED之间。电路层DP_CL包括至少一个绝缘层和电路元件。在下文中，包括在电路层DP_CL中的绝缘层被称为中间绝缘层。中间绝缘层包括至少一个中间无机膜和至少一个中间有机膜。电路元件可以包括像素驱动电路和传感器驱动电路，其中，像素驱动电路包括在用于显示图像的多个像素中的每一个中，传感器驱动电路包括在用于识别外部信息的多个传感器中的每一个中。外部信息可以是生物特征信息。在本公开的实施方式中，传感器可以是指纹识别传感器、接近传感器、虹膜识别传感器、血压测量传感器、照度传感器等。此外，传感器可以是用于光学识别生物特征信息的光学传感器。电路层DP_CL还可以包括连接至像素驱动电路和/或传感器驱动电路的信号线。 [0046] 元件层DP_ED可以包括发光元件和光接收元件，其中，发光元件包括在像素中的每一个中，光接收元件包括在传感器中的每一个中。在本公开的实施方式中，光接收元件可以是光电二极管。光接收元件可以是感测由用户的指纹反射的光或者对其作出反应的传感器。电路层DP_CL和元件层DP_ED将在下面参考图6以及图7A至图7I来详细描述。 [0047] 封装层TFE密封元件层DP_ED。封装层TFE可以包括至少一个有机膜和至少一个无机膜。无机膜可以包括无机材料并且可以保护元件层DP_ED免受湿气/氧气的影响。无机膜可以包括但不特别限于硅氮化物层、硅氧氮化物层、硅氧化物层、钛氧化物层或铝氧化物层。有机膜可以包括有机材料，并且可以保护元件层DP_ED免受诸如尘埃颗粒的异物的影响。 [0048] 输入感测层ISL可以形成在显示面板DP上。输入感测层ISL可以直接设置在封装层TFE上。根据本公开的实施方式，输入感测层ISL可以通过连续工艺形成在显示面板DP上。换言之，当输入感测层ISL直接设置在显示面板DP上时，在输入感测层ISL和封装层TFE之间不设置粘合膜。或者，可以在输入感测层ISL和显示面板DP之间设置粘合膜。在这种情况下，输入感测层ISL可以不通过连续工艺与显示面板DP一起制造，并且可以与显示面板DP分开制造，并且然后通过粘合膜而固定到显示面板DP的上表面。 [0049] 输入感测层ISL可以感测外部输入(例如，用户的触摸)，可以将感测到的外部输入改变为预定输入信号，并且可以向显示面板DP提供输入信号。换言之，输入感测层ISL可以检测诸如用户触摸的外部输入，将检测到的输入转换为预定输入信号，并且将输入信号发送到显示面板DP。输入感测层ISL可以包括用于感测外部输入的多个感测电极。感测电极可以以电容方式感测外部输入。显示面板DP可以从输入感测层ISL接收输入信号，并且可以产生与输入信号相对应的图像。 [0050] 显示模块DM还可以包括滤色器层CFL。在本公开的实施方式中，滤色器层CFL可以设置在输入感测层ISL上。例如，滤色器层CFL可以与输入感测层ISL直接接触。然而，本公开不限于此。滤色器层CFL可以设置在显示面板DP和输入感测层ISL之间。滤色器层CFL可以包括多个滤色器和黑色矩阵。 [0051] 输入感测层ISL和滤色器层CFL的结构将在下面详细描述。 [0052] 根据本公开的实施方式的显示装置DD还可以包括粘合层AL。窗WM可以通过粘合层AL附接到输入感测层ISL。粘合层AL可以包括光学透明粘合剂、光学透明粘合树脂或压敏粘合剂(PSA)。 [0053] 壳体EDC与窗WM联接。壳体EDC与窗WM联接以提供预定内部空间。显示模块DM可以容纳在内部空间中。壳体EDC可以包括具有相对高刚度的材料。例如，壳体EDC可以包括玻璃、塑料或金属，或者可以包括由它们的组合形成的多个框架和/或板。壳体EDC可以稳定地保护显示装置DD的容纳在内部空间中的部件免受外部冲击。用于提供操作显示装置DD所需的电力的电池模块也可以设置在显示模块DM和壳体EDC之间。 [0054] 图3是根据本公开的实施方式的显示装置的框图。 [0055] 参考图3，显示装置DD包括显示面板DP、面板驱动器和驱动控制器100。在本公开的实施方式中，面板驱动器包括数据驱动器200、扫描驱动器300、发射驱动器350、电压发生器400和读出电路500。 [0056] 驱动控制器100接收图像信号RGB和控制信号CTRL。驱动控制器100通过根据与数据驱动器200的接口的规范转换图像信号RGB的数据格式来产生图像数据信号DATA。驱动控制器100输出第一控制信号SCS、第二控制信号ECS、第三控制信号DCS和第四控制信号RCS。 [0057] 数据驱动器200从驱动控制器100接收第三控制信号DCS和图像数据信号DATA。数据驱动器200将图像数据信号DATA转换为数据信号，并且向将在下面描述的多条数据线DL1至DLm输出数据信号。数据信号是与图像数据信号DATA的灰阶值相对应的模拟电压。换言之，数据信号由与图像数据信号DATA的灰阶值相对应的模拟电压表示。 [0058] 扫描驱动器300从驱动控制器100接收第一控制信号SCS。扫描驱动器300可以响应于第一控制信号SCS向扫描线输出扫描信号。 [0059] 电压发生器400产生操作显示面板DP所需的电压。在该实施方式中，电压发生器400产生第一驱动电压ELVDD、第二驱动电压ELVSS、第一初始化电压VINT1、第二初始化电压VINT2和复位电压Vrst。 [0060] 显示面板DP可以包括与透射区域TA(图1中所示)相对应的显示区域DA和与边框区域BZA(图1中所示)相对应的非显示区域NDA。 [0061] 显示面板DP可以包括设置在显示区域DA中的多个像素PX和设置在显示区域DA中的多个传感器FX。在本公开的实施方式中，多个传感器FX中的每一个可以设置在彼此相邻的两个像素PX之间。多个像素PX和多个传感器FX可以交替设置在第一方向DR1和第二方向DR2上。然而，本公开不限于此。换言之，两个或更多个像素PX可以设置在多个传感器FX之中在第一方向DR1上彼此相邻的两个传感器FX之间，或者两个或更多个像素PX可以设置在多个传感器FX之中在第二方向DR2上彼此相邻的两个传感器FX之间。 [0062] 显示面板DP还包括初始化扫描线SIL1至SILn、补偿扫描线SCL1至SCLn、写入扫描线SWL1至SWLn、黑色扫描线SBL1至SBLn、发射控制线EML1至EMLn、数据线DL1至DLm以及读出线RL1至RLh。初始化扫描线SIL1至SILn、补偿扫描线SCL1至SCLn、写入扫描线SWL1至SWLn、黑色扫描线SBL1至SBLn以及发射控制线EML1至EMLn在第二方向DR2上延伸。初始化扫描线SIL1至SILn、补偿扫描线SCL1至SCLn、写入扫描线SWL1至SWLn、黑色扫描线SBL1至SBLn以及发射控制线EML1至EMLn可以在第一方向DR1上彼此间隔开。数据线DL1至DLm以及读出线RL1至RLh在第一方向DR1上延伸并且布置在第二方向DR2上以彼此间隔开。 [0063] 多个像素PX分别电连接至初始化扫描线SIL1至SILn、补偿扫描线SCL1至SCLn、写入扫描线SWL1至SWLn、黑色扫描线SBL1至SBLn、发射控制线EML1至EMLn以及数据线DL1至DLm。例如，多个像素PX中的每一个可以电连接至四条扫描线。然而，不限于此，连接至每个像素PX的扫描线的数量可以改变。 [0064] 多个传感器FX分别电连接至写入扫描线SWL1至SWLn以及读出线RL1至RLh。多个传感器FX中的每一个可以电连接至一条扫描线。然而，本公开不限于此。连接至每个传感器FX的扫描线的数量可以变化。在本公开的实施方式中，读出线RL1至RLh的数量可以小于或等于数据线DL1至DLm的数量。例如，读出线RL1至RLh的数量可以与数据线DL1至DLm的数量的1/2、1/4或1/8相对应。 [0065] 扫描驱动器300可以设置在显示面板DP的非显示区域NDA中。扫描驱动器300从驱动控制器100接收第一控制信号SCS。响应于第一控制信号SCS，扫描驱动器300向初始化扫描线SIL1至SILn输出初始化扫描信号，并且向补偿扫描线SCL1至SCLn输出补偿扫描信号。此外，响应于第一控制信号SCS，扫描驱动器300可以向写入扫描线SWL1至SWLn输出写入扫描信号，并且可以向黑色扫描线SBL1至SBLn输出黑色扫描信号。或者，扫描驱动器300可以包括第一扫描驱动器和第二扫描驱动器。第一扫描驱动器可以输出初始化扫描信号和补偿扫描信号，并且第二扫描驱动器可以输出写入扫描信号和黑色扫描信号。 [0066] 发射驱动器350可以设置在显示面板DP的非显示区域NDA中。发射驱动器350从驱动控制器100接收第二控制信号ECS。发射驱动器350可以响应于第二控制信号ECS向发射控制线EML1至EMLn输出发射控制信号。或者，扫描驱动器300可以连接至发射控制线EML1至EMLn。在这种情况下，可以省略发射驱动器350，并且扫描驱动器300可以向发射控制线EML1至EMLn输出发射控制信号。 [0067] 读出电路500从驱动控制器100接收第四控制信号RCS。响应于第四控制信号RCS，读出电路500可以从读出线RL1至RLh接收感测信号。读出电路500可以通过处理从读出线RL1至RLh接收的读出信号来产生感测信号S_FS，并且可以向驱动控制器100提供所产生的感测信号S_FS。驱动控制器100可以基于感测信号S_FS识别生物特征信息。 [0068] 图4A和图4B是根据本公开的实施方式的显示面板的部分区域的放大平面图。 [0069] 参考图4A，显示面板DP包括多个像素PXR、PXG1、PXG2和PXB以及多个传感器FX。 [0070] 多个像素PXR、PXG1、PXG2和PXB可以被分组为多个参考像素单元RPU。在本公开的实施方式中，参考像素单元RPU中的每一个可以包括四个像素，换言之，包括两个第一像素PXG1和PXG2(在下文中被称为第一绿色像素和第二绿色像素)、第三像素PXR(在下文中被称为红色像素)和第四像素PXB(在下文中被称为蓝色像素)。然而，包括在每个参考像素单元RPU中的像素的数量不限于此。或者，每个参考像素单元RPU可以包括三个像素，换言之，包括第一绿色像素PXG1(或第二绿色像素PXG2)、红色像素PXR和蓝色像素PXB。 [0071] 第一绿色像素PXG1和第二绿色像素PXG2包括第一发光元件ED_G1和第二发光元件ED_G2(在下文中被称为第一绿色发光元件和第二绿色发光元件)，红色像素PXR包括第三发光元件ED_R(在下文中被称为红色发光元件)，并且蓝色像素PXB包括第四发光元件ED_B(在下文中被称为蓝色发光元件)。在本公开的实施方式中，第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2中的每一个输出第一颜色光(例如，绿光)，红色发光元件ED_R输出与第一颜色光不同的第二颜色光(例如，红光)，并且蓝色发光元件ED_B输出与第一颜色光和第二颜色光不同的第三颜色光(例如，蓝光)。从第一绿色发光元件ED_G1输出的绿光可以具有与从第二绿色发光元件ED_G2输出的绿光相同的波段。 [0072] 红色发光元件ED_R和蓝色发光元件ED_B可以交替且重复地设置在第一方向DR1和第二方向DR2上。第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2交替且重复地设置在第一方向DR1上，并且交替且重复地设置在第二方向DR2上。第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2可以在第一方向DR1和第二方向DR2上设置在与红色发光元件ED_R和蓝色发光元件ED_B的行和列不同的行和列中。 [0073] 在本公开的实施方式中，红色发光元件ED_R可以具有比第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2中的每一个大的尺寸。此外，蓝色发光元件ED_B可以具有比红色发光元件ED_R的尺寸大或与红色发光元件ED_R的尺寸相等的尺寸。发光元件ED_R、ED_G1、ED_G2和ED_B的尺寸不限于此，并且可以进行不同的修改。例如，在本公开的实施方式中，发光元件ED_R、ED_G1、ED_G2和ED_B可以具有相同的尺寸。 [0074] 第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2可以具有与红色发光元件ED_R和蓝色发光元件ED_B的形状不同的形状。在本公开的实施方式中，红色发光元件ED_R和蓝色发光元件ED_B中的每一个可以具有在第一方向DR1上比在第二方向DR2上长的八边形形状。红色发光元件ED_R和蓝色发光元件ED_B可以具有相同的尺寸或不同的尺寸，但是具有相同的形状。红色发光元件ED_R和蓝色发光元件ED_B的形状不限于此。例如，红色发光元件ED_R和蓝色发光元件ED_B可以具有在第一方向DR1和第二方向DR2上具有相同长度的八边形形状，或者可以具有正方形形状和矩形形状中的一种。 [0075] 第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2中的每一个可以具有在第二方向DR2上比在第一方向DR1上长的八边形形状。在本公开的实施方式中，第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2具有相同的尺寸和形状。然而，第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2的形状不限于此。第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2可以具有在第一方向DR1和第二方向DR2上具有相同长度的八边形形状，或者可以具有正方形形状和矩形形状中的一种。 [0076] 第一绿色发光元件ED_G1电连接至第一绿色像素驱动电路G1_PD。具体地，第一绿色发光元件ED_G1包括第一绿色阳极电极G1_AE和第一绿色发光层G1_EL，并且第一绿色阳极电极G1_AE通过接触孔与第一绿色像素驱动电路G1_PD连接。第二绿色发光元件ED_G2电连接至第二绿色像素驱动电路G2_PD。具体地，第二绿色发光元件ED_G2包括第二绿色阳极电极G2_AE和第二绿色发光层G2_EL，并且第二绿色阳极电极G2_AE通过接触孔与第二绿色像素驱动电路G2_PD连接。 [0077] 第一绿色发光层G1_EL和第二绿色发光层G2_EL可以具有相同的尺寸。第一绿色发光层G1_EL和第二绿色发光层G2_EL可以具有相同的形状或不同的形状。在本公开的实施方式中，第一绿色发光层G1_EL和第二绿色发光层G2_EL可以在相同的平面上具有不同的形状。第一绿色阳极电极G1_AE和第二绿色阳极电极G2_AE可以具有不同的尺寸和形状。 [0078] 红色发光元件ED_R电连接至红色像素驱动电路R_PD。具体地，红色发光元件ED_R包括红色阳极电极R_AE和红色发光层R_EL，并且红色阳极电极R_AE通过接触孔与红色像素驱动电路R_PD连接。蓝色发光元件ED_B电连接至蓝色像素驱动电路B_PD。具体地，蓝色发光元件ED_B包括蓝色阳极电极B_AE和蓝色发光层B_EL，并且蓝色阳极电极B_AE通过接触孔与蓝色像素驱动电路B_PD连接。 [0079] 传感器FX中的每一个包括光感测单元LSU和传感器驱动电路O_SD。光感测单元LSU可以包括至少一个光接收元件。在本公开的实施方式中，光感测单元LSU包括k个光接收元件，并且k个光接收元件中的一个连接至传感器驱动电路O_SD。这里，k可以是1或更大的自然数。图4A示出了k是2的一个示例。当k是2时，光感测单元LSU包括两个光接收元件(在下文中被称为第一光接收元件OPD1和第二光接收元件OPD2)。在本公开的实施方式中，两个光接收元件(例如，第一光接收元件OPD1和第二光接收元件OPD2)可以设置成与一个参考像素单元RPU相对应。然而，设置成与每个参考像素单元RPU相对应的光接收元件的数量不限于此。例如，一个光接收元件可以设置成与每个参考像素单元RPU相对应。 [0080] 第一光接收元件OPD1和第二光接收元件OPD2中的每一个在第二方向DR2上设置在红色发光元件ED_R和蓝色发光元件ED_B之间。第一光接收元件OPD1和第二光接收元件OPD2中的每一个可以在第一方向DR1上与第一绿色发光元件ED_G1或第二绿色发光元件ED_G2相邻设置。在第一参考像素单元行中，第一光接收元件OPD1和第一绿色发光元件ED_G1在第一方向DR1上彼此相邻，并且第二光接收元件OPD2和第二绿色发光元件ED_G2在第一方向DR1上彼此相邻。在第二参考像素单元行中，第一光接收元件OPD1和第二绿色发光元件ED_G2在第一方向DR1上彼此相邻，并且第二光接收元件OPD2和第一绿色发光元件ED_G1在第一方向DR1上彼此相邻。在本公开的实施方式中，第一光接收元件OPD1和第二光接收元件OPD2中的每一个在第一方向DR1上设置在彼此相邻的第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2之间。 [0081] 第一光接收元件OPD1和第二光接收元件OPD2可以具有相同的尺寸和形状。第一光接收元件OPD1和第二光接收元件OPD2可以具有比红色发光元件ED_R和蓝色发光元件ED_B小的尺寸。在本公开的实施方式中，第一光接收元件OPD1和第二光接收元件OPD2可以具有与第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2的尺寸相同或比第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2的尺寸小的尺寸。然而，第一光接收元件OPD1和第二光接收元件OPD2的尺寸没有特别限制，并且可以进行不同的修改。第一光接收元件OPD1和第二光接收元件OPD2可以具有与红色发光元件ED_R和蓝色发光元件ED_B的形状不同的形状。在本公开的实施方式中，第一光接收元件OPD1和第二光接收元件OPD2可以具有正方形形状。第一光接收元件OPD1和第二光接收元件OPD2的形状不限于此。或者，第一光接收元件OPD1和第二光接收元件OPD2可以具有在第一方向DR1上比在第二方向DR2上长的矩形形状。 [0082] 传感器驱动电路O_SD连接至第一光接收元件OPD1和第二光接收元件OPD2中的一个(例如，第一光接收元件OPD1)。传感器驱动电路O_SD可以在第一方向DR1上具有与红色像素驱动电路R_PD和蓝色像素驱动电路B_PD相同的长度。传感器驱动电路O_SD可以在平面上与第一光接收元件OPD1和第二光接收元件OPD2中的一个(例如，第一光接收元件OPD1)重叠。传感器驱动电路O_SD可以在平面上与第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2中的一个(例如，第一绿色发光元件ED_G1)重叠。 [0083] 第一光接收元件OPD1包括第一感测阳极电极O_AE1和第一光电转换层O_RL1，并且第二光接收元件OPD2包括第二感测阳极电极O_AE2和第二光电转换层O_RL2。第一感测阳极电极O_AE1直接通过接触孔与传感器驱动电路O_SD连接。 [0084] 传感器FX中的每一个还可以包括将第一光接收元件OPD1和第二光接收元件OPD2电连接的路由布线RW。路由布线RW电连接至第一光接收元件OPD1的第一感测阳极电极O_AE1和第二光接收元件OPD2的第二感测阳极电极O_AE2。在本公开的实施方式中，路由布线RW可以与第一感测阳极电极O_AE1和第二感测阳极电极O_AE2一体形成。 [0085] 路由布线RW、第一感测阳极电极O_AE1和第二感测阳极电极O_AE2可以设置在与阳极电极R_AE、G1_AE、G2_AE和B_AE相同的层上。在这种情况下，路由布线RW、第一感测阳极电极O_AE1和第二感测阳极电极O_AE2可以包括与阳极电极R_AE、G1_AE、G2_AE和B_AE相同的材料，并且可以通过相同的工艺形成。 [0086] 第一光接收元件OPD1和第二光接收元件OPD2可以通过路由布线RW并联连接至传感器驱动电路O_SD。因此，通过传感器驱动电路O_SD，第一光接收元件OPD1和第二光接收元件OPD2可以同时导通或可以同时截止。连接至传感器驱动电路O_SD的第一光接收元件OPD1可以被称为主光接收元件，并且通过路由布线RW与第一光接收元件OPD1电连接的第二光接收元件OPD2可以被称为虚设光接收元件。 [0087] 如图4B中所示，当k是4时，光感测单元LSUa可以包括四个光接收元件(在下文中被称为第一光接收元件OPD1、第二光接收元件OPD2、第三光接收元件OPD3和第四光接收元件OPD4)。第一光接收元件OPD1、第二光接收元件OPD2、第三光接收元件OPD3和第四光接收元件OPD4中的一个(例如，第三光接收元件OPD3)连接至传感器驱动电路O_SDa。 [0088] 传感器FX中的每一个还可以包括将第一光接收元件OPD1、第二光接收元件OPD2、第三光接收元件OPD3和第四光接收元件OPD4电连接的三个路由布线(在下文中被称为第一路由布线RW1、第二路由布线RW2和第三路由布线RW3)。第一路由布线RW1将四个光接收元件OPD1、OPD2、OPD3和OPD4之中在第一方向DR1上彼此相邻的两个光接收元件(换言之，第一光接收元件OPD1和第三光接收元件OPD3)电连接。第二路由布线RW2将四个光接收元件OPD1、OPD2、OPD3和OPD4之中在第二方向DR2上彼此相邻的两个光接收元件(换言之，第一光接收元件OPD1和第二光接收元件OPD2)电连接。第一路由布线RW1和第二路由布线RW2可以一体形成。第三路由布线RW3将四个光接收元件OPD1、OPD2、OPD3和OPD4之中在第二方向DR2上彼此相邻的两个光接收元件(换言之，第三光接收元件OPD3和第四光接收元件OPD4)电连接。直接连接至传感器驱动电路O_SDa的第三光接收元件OPD3可以被称为主光接收元件，并且其余的第一光接收元件OPD1、第二光接收元件OPD2和第四光接收元件OPD4可以被称为虚设光接收元件。 [0089] 第一光接收元件OPD1包括第一感测阳极电极O_AE1和第一光电转换层O_RL1，并且第二光接收元件OPD2包括第二感测阳极电极O_AE2和第二光电转换层O_RL2。第三光接收元件OPD3包括第三感测阳极电极O_AE3和第三光电转换层O_RL3，并且第四光接收元件OPD4包括第四感测阳极电极O_AE4和第四光电转换层O_RL4。第三感测阳极电极O_AE3直接通过接触孔与传感器驱动电路O_SDa连接。在第一方向DR1上，传感器驱动电路O_SDa可以比红色像素驱动电路R_PD和蓝色像素驱动电路B_PD长。因此，传感器驱动电路O_SDa可以与第一光接收元件OPD1至第四光接收元件OPD4之中的两个光接收元件(例如，第一光接收元件OPD1和第三光接收元件OPD3)重叠。传感器驱动电路O_SDa可以在平面上与两个绿色发光元件(例如，第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2)重叠。传感器驱动电路O_SDa也可以与第一路由布线RW1和第三路由布线RW3的部分重叠。 [0090] 第一路由布线RW1电连接至第一感测阳极电极O_AE1和第三感测阳极电极O_AE3，并且第二路由布线RW2电连接至第一感测阳极电极O_AE1和第二感测阳极电极O_AE2。第三路由布线RW3电连接至第三感测阳极电极O_AE3和第四感测阳极电极O_AE4。在本公开的实施方式中，第一路由布线RW1至第三路由布线RW3可以与第一感测阳极电极O_AE1至第四感测阳极电极O_AE4一体形成。 [0091] 第一路由布线RW1、第二路由布线RW2和第三路由布线RW3以及第一感测阳极电极O_AE1至第四感测阳极电极O_AE4可以设置在与阳极电极R_AE、G1_AE、G2_AE和B_AE相同的层上。在这种情况下，第一路由布线RW1、第二路由布线RW2和第三路由布线RW3以及第一感测阳极电极O_AE1至第四感测阳极电极O_AE4可以包括与阳极电极R_AE、G1_AE、G2_AE和B_AE相同的材料，并且可以通过相同的工艺形成。 [0092] 第一光接收元件OPD1、第二光接收元件OPD2、第三光接收元件OPD3和第四光接收元件OPD4可以通过第一路由布线RW1、第二路由布线RW2和第三路由布线RW3并联连接至传感器驱动电路O_SDa。因此，通过传感器驱动电路O_SDa，第一光接收元件OPD1、第二光接收元件OPD2、第三光接收元件OPD3和第四光接收元件OPD4可以同时导通或可以同时截止。 [0093] 传感器驱动电路O_SD和O_SDa可以包括多个晶体管。在本公开的实施方式中，传感器驱动电路O_SD和O_SDa以及像素驱动电路R_PD、G1_PD、G2_PD和B_PD可以通过相同的工艺同时形成。此外，扫描驱动器300(参考图3)可以包括通过与传感器驱动电路O_SD和O_SDa以及像素驱动电路R_PD、G1_PD、G2_PD和B_PD相同的工艺形成的晶体管。 [0094] 图5A是示出根据本公开的实施方式的像素和传感器的电路图。图5B是用于描述图5A中所示的像素和传感器的操作的波形图。 [0095] 图5A示出了图3中所示的多个像素PX之中的一个像素(例如，红色像素PXR)的等效电路图。多个像素PX具有相同的电路结构。因此，对红色像素PXR的电路结构的描述可以应用于其余像素，并且将省略对其余像素的详细描述。此外，图5A示出了图3中所示的多个传感器FX之中的一个传感器FX的等效电路图。多个传感器FX具有相同的电路结构。因此，对传感器FX的电路结构的描述可以应用于其余传感器，并且将省略对其余传感器的详细描述。 [0096] 参考图5A，红色像素PXR连接至数据线DL1至DLm之中的第i数据线DLi、初始化扫描线SIL1至SILn之中的第j初始化扫描线SILj、补偿扫描线SCL1至SCLn之中的第j补偿扫描线SCLj、写入扫描线SWL1至SWLn之中的第j写入扫描线SWLj、黑色扫描线SBL1至SBLn之中的第j黑色扫描线SBLj以及发射控制线EML1至EMLn之中的第j发射控制线EMLj。 [0098] 红色像素驱动电路R_PD包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第五晶体管T5、第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2、以及一个电容器Cst。第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第五晶体管T5以及第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2中的至少一个可以是具有低温多晶硅(LTPS)半导体层的晶体管。第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第五晶体管T5以及第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2中的一些可以是P型晶体管，并且第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第五晶体管T5以及第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2中的其他晶体管可以是N型晶体管。例如，第一晶体管T1、第二晶体管T2和第五晶体管T5以及第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2可以是PMOS晶体管，并且第三晶体管T3和第四晶体管T4可以是NMOS晶体管。第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第五晶体管T5以及第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2中的至少一个可以是具有氧化物半导体层的晶体管。例如，第三晶体管T3和第四晶体管T4可以是氧化物半导体晶体管，并且第一晶体管T1、第二晶体管T2和第五晶体管T5以及第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2可以是LTPS晶体管。 [0099] 根据本公开的红色像素驱动电路R_PD的配置不限于图5A中所示的实施方式。图5A中所示的红色像素驱动电路R_PD仅仅是示例，并且可以对红色像素驱动电路R_PD的配置进行各种改变和修改。例如，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第五晶体管T5以及第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2可以全都是P型晶体管或N型晶体管。 [0100] 第j初始化扫描线SILj、第j补偿扫描线SCLj、第j写入扫描线SWLj、第j黑色扫描线SBLj和第j发射控制线EMLj可以分别向红色像素PXR传输第j初始化扫描信号SIj、第j补偿扫描信号SCj、第j写入扫描信号SWj、第j黑色扫描信号SBj和第j发射控制信号EMj。第i数据线DLi向红色像素PXR传输第i数据信号Di。第i数据信号Di可以具有与输入到显示装置DD(参考图3)的图像信号RGB(参考图3)相对应的电压电平。 [0101] 第一驱动电压线VL1和第二驱动电压线VL2可以分别向红色像素PXR传输第一驱动电压ELVDD和第二驱动电压ELVSS。此外，第一初始化电压线VL3和第二初始化电压线VL4可以分别向红色像素PXR传输第一初始化电压VINT1和第二初始化电压VINT2。 [0102] 第一晶体管T1连接在红色发光元件ED_R和接收第一驱动电压ELVDD的第一驱动电压线VL1之间。第一晶体管T1包括经由第一发射控制晶体管ET1与第一驱动电压线VL1连接的第一电极、经由第二发射控制晶体管ET2与红色发光元件ED_R的红色阳极电极R_AE(参考图4A)连接的第二电极、以及与电容器Cst的一端(例如，第一节点N1)连接的第三电极(例如，栅电极)。第一晶体管T1可以接收第i数据线DLi根据第二晶体管T2的开关操作传输的第i数据信号Di，并且可以向红色发光元件ED_R提供驱动电流Id。 [0103] 第二晶体管T2连接在第i数据线DLi和第一晶体管T1的第一电极之间。第二晶体管T2包括与第i数据线DLi连接的第一电极、与第一晶体管T1的第一电极连接的第二电极以及与第j写入扫描线SWLj连接的第三电极(例如，栅电极)。第二晶体管T2可以响应于通过第j写入扫描线SWLj传输的第j写入扫描信号SWj而导通，并且可以向第一晶体管T1的第一电极传输从第i数据线DLi传输的第i数据信号Di。 [0104] 第三晶体管T3连接在第一节点N1和第一晶体管T1的第二电极之间。例如，第三晶体管T3可以直接连接至第一晶体管T1的第一电极和第二电极。第三晶体管T3包括与第一晶体管T1的第三电极连接的第一电极、与第一晶体管T1的第二电极连接的第二电极以及与第j补偿扫描线SCLj连接的第三电极(例如，栅电极)。第三晶体管T3可以响应于通过第j补偿扫描线SCLj传输的第j补偿扫描信号SCj而导通，并且可以通过将第一晶体管T1的第三电极和第二电极连接来二极管连接第一晶体管T1。 [0105] 第四晶体管T4连接在第一初始化电压线VL3和第一节点N1之间，第一初始化电压VINT1通过第一初始化电压线VL3施加。第四晶体管T4包括与通过其传输第一初始化电压VINT1的第一初始化电压线VL3连接的第一电极、与第一节点N1连接的第二电极、以及与第j初始化扫描线SILj连接的第三电极(例如，栅电极)。第四晶体管T4响应于通过第j初始化扫描线SILj传输的第j初始化扫描信号SIj而导通。导通的第四晶体管T4通过向第一节点N1传输第一初始化电压VINT1来初始化第一晶体管T1的第三电极的电位(换言之，第一节点N1的电位)。 [0106] 第一发射控制晶体管ET1包括与第一驱动电压线VL1连接的第一电极、与第一晶体管T1的第一电极连接的第二电极以及连接至第j发射控制线EMLj的第三电极(例如，栅电极)。 [0107] 第二发射控制晶体管ET2包括与第一晶体管T1的第二电极连接的第一电极、连接至红色发光元件ED_R的红色阳极电极R_AE的第二电极以及连接至第j发射控制线EMLj的第三电极(例如，栅电极)。第二发射控制晶体管ET2的第一电极也连接至第三晶体管T3的第二电极。 [0108] 第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2响应于通过第j发射控制线EMLj传输的第j发射控制信号EMj而同时导通。通过导通的第一发射控制晶体管ET1施加的第一驱动电压ELVDD可以通过二极管连接的第一晶体管T1来补偿，并且可以传输到红色发光元件ED_R。 [0109] 第五晶体管T5包括连接至通过其传输第二初始化电压VINT2的第二初始化电压线VL4的第一电极、与第二发射控制晶体管ET2的第二电极和红色发光元件ED_R的红色阳极电极R_AE连接的第二电极以及与第j黑色扫描线SBLj连接的第三电极(例如，栅电极)。第二初始化电压VINT2可以具有低于或等于第一初始化电压VINT1的电压电平的电压电平。 [0110] 电容器Cst的第一端与如上所述的第一晶体管T1的第三电极连接，并且电容器Cst的第二端与第一驱动电压线VL1连接。红色发光元件ED_R的阴极电极可以与传输第二驱动电压ELVSS的第二驱动电压线VL2连接。第二驱动电压ELVSS可以具有比第一驱动电压ELVDD低的电压电平。在本公开的实施方式中，第二驱动电压ELVSS可以具有比第一初始化电压VINT1和第二初始化电压VINT2低的电压电平。 [0111] 参考图5A和图5B，第j发射控制信号EMj在非发光周期NEP期间具有高电平，并且当不在非发光周期NEP中时具有低电平。在非发光周期NEP内，第j初始化扫描信号SIj被激活。当在第j初始化扫描信号SIj的激活周期AP1(在下文中被称为第一激活周期)期间通过第j初始化扫描线SILj提供具有高电平的第j初始化扫描信号SIj时，第四晶体管T4响应于具有高电平的第j初始化扫描信号SIj而导通。第一初始化电压VINT1通过导通的第四晶体管T4传输到第一晶体管T1的第三电极，并且第一节点N1被初始化为第一初始化电压VINT1。因此，第一激活周期AP1可以是红色像素PXR的初始化周期。 [0112] 接着，第j补偿扫描信号SCj被激活，并且当在第j补偿扫描信号SCj的激活周期AP2期间(在下文中被称为第二激活周期)通过第j补偿扫描线SCLj提供具有高电平的第j补偿扫描信号SCj时，第三晶体管T3导通。第一晶体管T1由导通的第三晶体管T3二极管连接并且被正向偏置。第一激活周期AP1可以不与第二激活周期AP2重叠。换言之，具有高电平的第j补偿扫描信号SCj不与具有高电平的第j初始化扫描信号SIj重叠。 [0113] 在第二激活周期AP2内，第j写入扫描信号SWj被激活。第j写入扫描信号SWj在激活周期AP4期间(在下文中被称为第四激活周期)具有低电平。在第四激活周期AP4期间，第二晶体管T2由具有低电平的第j写入扫描信号SWj导通。然后，通过从由第i数据线DLi提供的第i数据信号Di中减去第一晶体管T1的阈值电压(Vth)而获得的补偿电压“Di‑Vth”被施加到第一晶体管T1的第三电极。换言之，第一晶体管T1的第三电极的电位可以是补偿电压“Di‑Vth”。第四激活周期AP4可以与第二激活周期AP2重叠。第二激活周期AP2的持续时间可以大于第四激活周期AP4的持续时间。 [0114] 第一驱动电压ELVDD和补偿电压“Di‑Vth”可以施加到电容器Cst的相对两端(例如，第一端和第二端)，并且与电容器Cst的相对两端处的电压之间的差相对应的电荷可以存储在电容器Cst中。这里，第j补偿扫描信号SCj具有高电平的周期可以被称为红色像素PXR的补偿周期。 [0115] 第j黑色扫描信号SBj也可以在第j补偿扫描信号SCj的第二激活周期AP2内被激活。第j黑色扫描信号SBj在激活周期AP3(在下文中被称为第三激活周期)期间具有低电平。在第三激活周期AP3期间，第五晶体管T5通过经由第j黑色扫描线SBLj接收具有低电平的第j黑色扫描信号SBj而导通。驱动电流Id的一部分可以作为旁路电流Ibp通过第五晶体管T5逸出。第三激活周期AP3可以与第二激活周期AP2重叠。第二激活周期AP2的持续时间可以大于第三激活周期AP3的持续时间。第三激活周期AP3可以在第四激活周期AP4之前并且可以不与第四激活周期AP4重叠。 [0116] 当红色像素PXR显示黑色图像时，如果红色发光元件ED_R发射光，则即使第一晶体管T1的最小驱动电流作为驱动电流Id流动，红色像素PXR也不能正常显示黑色图像。因此，根据本公开的实施方式的红色像素PXR中的第五晶体管T5可以将第一晶体管T1的最小驱动电流的一部分作为旁路电流Ibp分配到除了向着红色发光元件ED_R的电流路径之外的电流路径。这里，第一晶体管T1的最小驱动电流是在第一晶体管T1的栅极‑源极电压Vgs低于阈值电压(Vth)使得第一晶体管T1截止的条件下流到第一晶体管T1的电流。在第一晶体管T1截止的条件下流到第一晶体管T1的最小驱动电流(例如，10μA或更小的电流)传输到红色发光元件ED_R，并且显示黑色灰度图像。当红色像素PXR显示黑色图像时，旁路电流Ibp对最小驱动电流的影响相对大，然而当红色像素PXR显示诸如正常图像或白色图像的图像时，旁路电流Ibp对驱动电流Id具有小的影响。因此，当红色像素PXR显示黑色图像时，通过从驱动电流Id减去通过第五晶体管T5逸出的旁路电流Ibp而获得的电流(换言之，发射电流Ied)可以被提供至红色发光元件ED_R，从而可以清楚地表示黑色图像。因此，红色像素PXR可以使用第五晶体管T5来实现精确的黑色灰度图像。结果，可以改善对比度。 [0117] 此后，从第j发射控制线EMLj提供的第j发射控制信号EMj从高电平改变为低电平。第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2由具有低电平的第j发射控制信号EMj导通。然后，根据第一晶体管T1的第三电极的电压和第一驱动电压ELVDD之间的差产生驱动电流Id，驱动电流Id通过第二发射控制晶体管ET2被提供至红色发光元件ED_R，并且发射电流Ied流过红色发光元件ED_R。 [0118] 再次参考图5A，传感器FX连接至读出线RL1至RLh之中的第d读出线RLd、第j写入扫描线SWLj和复位控制线RCL。 [0119] 传感器FX包括光感测单元LSU和传感器驱动电路O_SD。光感测单元LSU可以包括并联连接的k个光接收元件。当k是2时，第一光接收元件OPD1和第二光接收元件OPD2可以彼此并联连接。当k是4时，第一光接收元件OPD1至第四光接收元件OPD4(参考图4B)可以并联连接。第一光接收元件OPD1和第二光接收元件OPD2中的每一个可以是光电二极管。在本公开的实施方式中，第一光接收元件OPD1和第二光接收元件OPD2中的每一个可以是包括有机材料作为光电转换层的有机光电二极管。 [0120] 第一光接收元件OPD1的第一感测阳极电极O_AE1(参考图4A)和第二光接收元件OPD2的第二感测阳极电极O_AE2(参考图4A)可以连接至第一感测节点SN1，并且第一光接收元件OPD1的第一感测阴极电极和第二光接收元件OPD2的第二感测阴极电极可以与传输第二驱动电压ELVSS的第二驱动电压线VL2连接。第一感测阴极电极和第二感测阴极电极可以与发光元件ED_R、ED_G1、ED_G2和ED_B(参考图4A)的阴极电极电连接。在本公开的实施方式中，第一感测阴极电极和第二感测阴极电极可以与发光元件ED_R、ED_G1、ED_G2和ED_B的阴极电极一体形成，以形成公共阴极电极C_CE(参考图6)。 [0121] 传感器驱动电路O_SD包括三个晶体管ST1、ST2和ST3。三个晶体管ST1、ST2和ST3可以是复位晶体管ST1、放大晶体管ST2和输出晶体管ST3。复位晶体管ST1、放大晶体管ST2和输出晶体管ST3中的至少一个可以是氧化物半导体晶体管。在本公开的实施方式中，复位晶体管ST1可以是氧化物半导体晶体管，并且放大晶体管ST2和输出晶体管ST3可以是LTPS晶体管。然而，不限于此，至少复位晶体管ST1和输出晶体管ST3可以是氧化物半导体晶体管，并且放大晶体管ST2可以是LTPS晶体管。 [0122] 此外，复位晶体管ST1、放大晶体管ST2和输出晶体管ST3中的一些可以是P型晶体管，并且复位晶体管ST1、放大晶体管ST2和输出晶体管ST3中的其余晶体管可以是N型晶体管。在本公开的实施方式中，放大晶体管ST2和输出晶体管ST3可以是PMOS晶体管，并且复位晶体管ST1可以是NMOS晶体管。然而，不限于此，复位晶体管ST1、放大晶体管ST2和输出晶体管ST3可以全都是N型晶体管或P型晶体管。 [0123] 复位晶体管ST1、放大晶体管ST2和输出晶体管ST3中的一些(例如，复位晶体管ST1)可以是与红色像素PXR的第三晶体管T3和第四晶体管T4相同类型的晶体管。放大晶体管ST2和输出晶体管ST3可以是与红色像素PXR的第一晶体管T1、第二晶体管T2和第五晶体管T5以及第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2相同类型的晶体管。 [0124] 根据本公开的传感器驱动电路O_SD的电路配置不限于图5A中所示的电路配置。图5A中所示的传感器驱动电路O_SD仅仅是说明性的，并且可以对传感器驱动电路O_SD的配置进行各种改变和修改。 [0125] 复位晶体管ST1包括连接至接收复位电压Vrst的复位电压线VL5的第一电极、与第一感测节点SN1连接的第二电极以及接收复位控制信号RST的第三电极。复位晶体管ST1的第三电极可以是栅电极。响应于复位控制信号RST，复位晶体管ST1可以将第一感测节点SN1的电位复位到复位电压Vrst。复位控制信号RST可以是通过复位控制线RCL提供的信号。然而，本公开不限于此。或者，复位控制信号RST可以是通过第j补偿扫描线SCLj提供的第j补偿扫描信号SCj。换言之，复位晶体管ST1可以接收从第j补偿扫描线SCLj提供的第j补偿扫描信号SCj作为复位控制信号RST。在本公开的实施方式中，至少在复位控制信号RST的激活周期期间，复位电压Vrst可以具有比第二驱动电压ELVSS低的电压电平。复位电压Vrst可以是保持在比第二驱动电压ELVSS低的电压电平下的DC电压。 [0126] 复位晶体管ST1可以包括串联连接的多个子复位晶体管。例如，复位晶体管ST1可以包括两个子复位晶体管(在下文中被称为第一子复位晶体管和第二子复位晶体管)。在这种情况下，第一子复位晶体管的第三电极和第二子复位晶体管的第三电极连接至复位控制线RCL。此外，第一子复位晶体管的第二电极和第二子复位晶体管的第一电极可以彼此电连接。此外，复位电压Vrst可以施加到第一子复位晶体管的第一电极，并且第二子复位晶体管的第二电极可以与第一感测节点SN1电连接。然而，子复位晶体管的数量不限于此，并且可以进行不同的修改。 [0127] 放大晶体管ST2包括接收感测驱动电压SLVD的第一电极、与第二感测节点SN2连接的第二电极以及与第一感测节点SN1连接的第三电极。放大晶体管ST2的第三电极可以是栅电极。放大晶体管ST2可以根据第一感测节点SN1的电位而导通，并且可以向第二感测节点SN2施加感测驱动电压SLVD。在本公开的实施方式中，感测驱动电压SLVD可以是第一驱动电压ELVDD以及第一初始化电压VINT1和第二初始化电压VINT2中的一个。当感测驱动电压SLVD是第一驱动电压ELVDD时，放大晶体管ST2的第一电极可以电连接至第一驱动电压线VL1。当感测驱动电压SLVD是第一初始化电压VINT1时，放大晶体管ST2的第一电极可以电连接至第一初始化电压线VL3，并且当感测驱动电压SLVD是第二初始化电压VINT2时，放大晶体管ST2的第一电极可以电连接至第二初始化电压线VL4。 [0128] 输出晶体管ST3包括与第二感测节点SN2连接的第一电极、与第d读出线RLd连接的第二电极以及接收输出控制信号的第三电极。输出晶体管ST3的第三电极可以是栅电极。输出晶体管ST3可以响应于输出控制信号向第d读出线RLd传输第d读出信号FSd。输出控制信号可以是通过第j写入扫描线SWLj提供的第j写入扫描信号SWj。换言之，输出晶体管ST3可以接收从第j写入扫描线SWLj提供的第j写入扫描信号SWj作为输出控制信号。 [0129] 传感器FX的光感测单元LSU可以在发光元件ED_R、ED_G1、ED_G2和ED_B的发光周期期间暴露于光。光可以是从发光元件ED_R、ED_G1、ED_G2和ED_B中的一个输出的光。 [0130] 如果用户的手US_F(参考图1)接触显示表面，则第一光接收元件OPD1和第二光接收元件OPD2可以产生与由指纹的脊或脊之间的谷反射的光相对应的光电荷。流过光接收元件OPD1和OPD2的电流量根据所产生的光电荷而变化。当光接收元件OPD1和OPD2接收由指纹的脊反射的光时，流过光接收元件OPD1和OPD2的电流可以被称为第一电流，并且当光接收元件OPD1和OPD2接收由指纹的谷反射的光时，流过光接收元件OPD1和OPD2的电流可以被称为第二电流。由指纹的脊反射的光量和由指纹的谷反射的光量彼此不同，并且光量之间的差表现为第一电流和第二电流之间的差。当第一电流流过光接收元件OPD1和OPD2时，第一感测节点SN1的电位可以被称为第一电位，并且当第二电流流过光接收元件OPD1和OPD2时，第一感测节点SN1的电位可以被称为第二电位。在实施方式中，第一电流可以大于第二电流。在这种情况下，第一电位可以低于第二电位。 [0131] 放大晶体管ST2可以是产生与第一感测节点SN1的输入到放大晶体管ST2的第三电极的电位成比例的源极‑漏极电流的源极跟随放大器。 [0132] 在第四激活周期AP4期间，具有低电平的第j写入扫描信号SWj通过第j写入扫描线SWLj提供至输出晶体管ST3。当输出晶体管ST3响应于具有低电平的第j写入扫描信号SWj而导通时，与流过放大晶体管ST2的电流相对应的第d读出信号FSd可以输出到第d读出线RLd。 [0133] 当在复位周期期间通过复位控制线RCL提供具有高电平的复位控制信号RST时，复位晶体管ST1导通。复位周期可以被称为复位控制线RCL的激活周期(例如，高电平周期)。或者，当用PMOS晶体管实现复位晶体管ST1时，在复位周期期间可以将具有低电平的复位控制信号RST提供至复位控制线RCL。在复位周期期间，第一感测节点SN1可以复位到与复位电压Vrst相对应的电位。在本公开的实施方式中，复位电压Vrst可以具有比第二驱动电压ELVSS低的电压电平。 [0134] 当复位周期结束时，光感测单元LSU可以产生与接收到的光相对应的光电荷，并且所产生的光电荷可以累积在第一感测节点SN1中。 [0135] 图6是示出根据本公开的实施方式的显示面板的像素和传感器的剖视图。 [0136] 参考图6，显示面板DP可以包括基础层BL、电路层DP‑CL和元件层DP_ED。 [0137] 基础层BL可以包括合成树脂层。合成树脂层可以包括热固性树脂。特别地，合成树脂层可以是聚酰亚胺基树脂层，并且其材料没有特别限制。合成树脂层可以包括丙烯酸酯基树脂、甲基丙烯酸酯基树脂、聚异戊二烯基树脂、乙烯基树脂、环氧基树脂、氨基甲酸酯基树脂、纤维素基树脂、硅氧烷基树脂、聚酰胺基树脂和二萘嵌苯基树脂中的至少一种。此外，基础层BL可以包括玻璃衬底、金属衬底或有机/无机复合衬底。 [0138] 至少一个无机层形成在基础层BL的上表面上。无机层可以包括铝氧化物、钛氧化物、硅氧化物、硅氧氮化物、锆氧化物和铪氧化物中的至少一种。无机层可以形成为多层。多个无机层可以构成下面将描述的阻挡层BRL和/或缓冲层BFL。可以选择性地设置阻挡层BRL和缓冲层BFL。阻挡层BRL可以设置在缓冲层BFL和基础层BL之间。 [0139] 电路层DP_CL可以包括阻挡层BRL和/或缓冲层BFL。阻挡层BRL防止异物从外部渗入。阻挡层BRL可以包括硅氧化物层和硅氮化物层。可以提供多个硅氧化物层和多个硅氮化物层。硅氧化物层和硅氮化物层可以彼此交替堆叠。 [0140] 缓冲层BFL可以设置在阻挡层BRL上。缓冲层BFL改善基础层BL与半导体图案和/或导电图案之间的联接力。缓冲层BFL可以包括硅氧化物层和硅氮化物层。硅氧化物层和硅氮化物层可以彼此交替堆叠。 [0141] 半导体图案设置在缓冲层BFL上。在下文中，直接设置在缓冲层BFL上的半导体图案被称为第一半导体图案。第一半导体图案可以包括硅半导体。第一半导体图案可以包括多晶硅。然而，不限于此，第一半导体图案可以包括非晶硅。 [0142] 图6仅示出了第一半导体图案的一部分，并且第一半导体图案可以另外设置在红色像素PXR(参考图5A)的另一区域中。第一半导体图案根据其是否掺杂而具有不同的电特性。第一半导体图案可以包括掺杂区域和未掺杂区域。掺杂区域可以掺杂有N型掺杂剂或P型掺杂剂。P型晶体管可以包括掺杂有P型掺杂剂的掺杂区域，并且N型晶体管可以包括掺杂有N型掺杂剂的掺杂区域。 [0143] 掺杂区域具有比未掺杂区域更高的电导率，并且可以用作电极或信号线。未掺杂区域可以与晶体管的有源区域(或沟道)相对应。换言之，第一半导体图案的第一部分可以是晶体管的有源区域，第一半导体图案的第二部分可以是晶体管的源极或漏极，并且第一半导体图案的第三部分可以是连接信号线(或连接电极)。 [0144] 如图6中所示，第一晶体管T1的第一电极S1、沟道部A1和第二电极D1由第一半导体图案形成。第一晶体管T1的第一电极S1和第二电极D1在相对的方向上从沟道部A1延伸。 [0145] 在图6中，示出了连接信号线CSL的由半导体图案形成的一部分。连接信号线CSL可以在平面上连接至第二发射控制晶体管ET2(参考图5A)的第二电极。 [0146] 第一绝缘层10设置在缓冲层BFL上。第一绝缘层10与多个像素PX(参考图3)共同重叠并且覆盖第一半导体图案。第一绝缘层10可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层结构或多层结构。第一绝缘层10可以包括铝氧化物、钛氧化物、硅氧化物、硅氧氮化物、锆氧化物和铪氧化物中的至少一种。在实施方式中，第一绝缘层10可以是单个硅氧化物层。不仅第一绝缘层10而且下面要描述的电路层DP_CL的绝缘层可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层结构或多层结构。无机层可以包括前面提到的材料中的至少一种。 [0147] 第一晶体管T1的第三电极G1设置在第一绝缘层10上。第三电极G1可以是金属图案的一部分。第一晶体管T1的第三电极G1与第一晶体管T1的沟道部A1重叠。可以使用第一晶体管T1的第三电极G1作为掩模来掺杂第一半导体图案。 [0148] 覆盖第三电极G1的第二绝缘层20设置在第一绝缘层10上。第二绝缘层20与多个像素PX共同重叠。第二绝缘层20可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层结构或多层结构。在该实施方式中，第二绝缘层20可以是单个硅氧化物层。 [0149] 上电极UE可以设置在第二绝缘层20上。上电极UE可以与第三电极G1重叠。上电极UE可以是金属图案的一部分，或者可以是掺杂半导体图案的一部分。第三电极G1的一部分和与第三电极G1的该部分重叠的上电极UE可以形成电容器Cst(参考图5A)。在本公开的实施方式中，可以省略上电极UE。 [0150] 在本公开的实施方式中，第二绝缘层20可以用绝缘图案代替。上电极UE设置在绝缘图案上。上电极UE可以用作掩模以从第二绝缘层20产生绝缘图案。 [0151] 覆盖上电极UE的第三绝缘层30设置在第二绝缘层20上。在该实施方式中，第三绝缘层30可以是单个硅氧化物层。半导体图案设置在第三绝缘层30上。在下文中，直接设置在第三绝缘层30上的半导体图案被称为第二半导体图案。第二半导体图案可以包括氧化物半导体。氧化物半导体可以包括晶体氧化物半导体或非晶氧化物半导体。例如，氧化物半导体可以包括锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)或钛(Ti)的金属氧化物，或者可以包括诸如锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)或钛(Ti)的金属及其氧化物的混合物。氧化物半导体可以包括铟锡氧化物(ITO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、锌氧化物(ZnO)、铟锌氧化物(IZO)、锌铟氧化物(ZIO)、铟氧化物(InO)、钛氧化物(TiO)、铟锌锡氧化物(IZTO)或锌锡氧化物(ZTO)。 [0152] 图6仅示出了第二半导体图案的一部分，并且第二半导体图案可以另外设置在红色像素PXR的另一区域中。第二半导体图案可以包括根据金属氧化物是否被还原而区分的多个区域。金属氧化物被还原的区域(在下文中被称为还原区域)具有比金属氧化物未被还原的区域(在下文中被称为非还原区域)高的电导率。还原区域可以用作电极或信号线。非还原区域可以与晶体管的沟道部相对应。换言之，第二半导体图案的第一部分可以是晶体管的沟道部，并且第二半导体图案的第二部分可以是晶体管的第一电极或第二电极。 [0153] 电路层DP_CL还可以包括传感器驱动电路O_SD(参考图5A)的半导体图案的一部分。为了便于描述，示出了传感器驱动电路O_SD的半导体图案的复位晶体管ST1。复位晶体管ST1的第一电极STS1、沟道部STA1和第二电极STD1由第二半导体图案形成。在本公开的实施方式中，第二半导体图案可以包括金属氧化物半导体。第一电极STS1和第二电极STD1包括从金属氧化物半导体还原的金属。第一电极STS1和第二电极STD1可以包括金属层，金属层从第二半导体图案的上表面起具有预定厚度并且包括还原的金属。 [0154] 第四绝缘层40设置成覆盖复位晶体管ST1的第一电极STS1、沟道部STA1和第二电极STD1。复位晶体管ST1的第三电极STG1设置在第四绝缘层40上。在该实施方式中，第三电极STG1可以是金属图案的一部分。复位晶体管ST1的第三电极STG1与复位晶体管ST1的沟道部STA1重叠。尽管为了便于描述而在本实施方式中示出了一个第三电极STG1，但是复位晶体管ST1可以包括两个第三电极。第三晶体管T3可以包括形成在第三绝缘层30上的第一电极S3、第二电极D3和沟道部A3以及形成在第四绝缘层40上的第三电极G3。 [0155] 覆盖第三电极STG1的第五绝缘层50设置在第四绝缘层40上。在该实施方式中，第五绝缘层50可以包括硅氧化物层和硅氮化物层。第五绝缘层50可以包括彼此交替堆叠的多个硅氧化物层和多个硅氮化物层。 [0156] 至少一个绝缘层另外设置在第五绝缘层50上。同样在该实施方式中，第六绝缘层60和第七绝缘层70可以设置在第五绝缘层50上。第六绝缘层60和第七绝缘层70可以是有机层，并且可以具有单层结构或多层结构。第六绝缘层60和第七绝缘层70中的每一个可以是单个聚酰亚胺基树脂层。不限于此，第六绝缘层60和第七绝缘层70可以包括丙烯酸酯基树脂、甲基丙烯酸酯基树脂、聚异戊二烯基树脂、乙烯基树脂、环氧基树脂、氨基甲酸酯基树脂、纤维素基树脂、硅氧烷基树脂、聚酰胺基树脂和二萘嵌苯基树脂中的至少一种。 [0157] 第一连接电极CNE10可以设置在第五绝缘层50上。第一连接电极CNE10可以通过穿透第一绝缘层10至第五绝缘层50的第一接触孔CH1连接至连接信号线CSL，并且第二连接电极CNE20可以通过穿透第六绝缘层60的第二接触孔CH2连接至第一连接电极CNE10。在本公开的实施方式中，可以省略第五绝缘层50至第七绝缘层70中的至少一个，并且可以省略第一连接电极CNE10和第二连接电极CNE20中的一个。 [0158] 第三连接电极CNE11可以另外设置在第五绝缘层50上。第三连接电极CNE11可以通过穿透第四绝缘层40和第五绝缘层50的第三接触孔CH3与复位晶体管ST1的第二电极STD1连接，并且第四连接电极CNE21可以通过穿透第六绝缘层60的第四接触孔CH4连接至第三连接电极CNE11。 [0159] 第i数据线DLi(参考图5A)和第d读出线RLd可以设置在与第二连接电极CNE20和第四连接电极CNE21相同的层上(换言之，设置在第六绝缘层60上)。然而，本公开不限于此。或者，第i数据线DLi(参考图5A)和第d读出线RLd可以设置在与第一连接电极CNE10和第三连接电极CNE11相同的层上(换言之，设置在第五绝缘层50上)。第二连接电极CNE20和第四连接电极CNE21、第i数据线DLi以及第d读出线RLd由第七绝缘层70覆盖。 [0160] 屏蔽电极SSE可以设置在第七绝缘层70上。屏蔽电极SSE可以在平面上与第d读出线RLd重叠。第一虚设连接电极CNE30和第二虚设连接电极CNE31可以另外设置在第七绝缘层70上。屏蔽电极SSE可以设置在与第一虚设连接电极CNE30和第二虚设连接电极CNE31相同的层上，但是可以与第一虚设连接电极CNE30和第二虚设连接电极CNE31电绝缘。第一虚设连接电极CNE30可以通过穿透第七绝缘层70的第五接触孔CH5连接至第二连接电极CNE20。第二虚设连接电极CNE31可以通过穿透第七绝缘层70的第六接触孔CH6连接至第四连接电极CNE21。屏蔽电极SSE将在下面参考图7H‑图12来详细描述。 [0161] 元件层DP_ED设置在电路层DP_CL上。元件层DP_ED可以包括红色发光元件ED_R(参考图4A)的红色阳极电极R_AE和第一光接收元件OPD1(参考图4A)的感测阳极电极O_AE1。如图6中所示，红色阳极电极R_AE可以通过穿透第八绝缘层80的第七接触孔CH7连接至第一虚设连接电极CNE30。感测阳极电极O_AE1可以通过穿透第八绝缘层80的第八接触孔CH8连接至第二虚设连接电极CNE31。 [0162] 尽管图6中示出了电路层DP_CL包括第一虚设连接电极CNE30和第二虚设连接电极CNE31的结构，但本公开不限于此。或者，可以从电路层DP_CL省略第一虚设连接电极CNE30和第二虚设连接电极CNE31。在这种情况下，红色阳极电极R_AE可以直接与第二连接电极CNE20连接，并且第一感测阳极电极O_AE1可以直接与第四连接电极CNE21连接。 [0163] 元件层DP_ED还包括设置在电路层DP_CL上的像素限定层PDL。像素限定层PDL可以包括形成为与红色发光元件ED_R相对应的发光开口OP1和形成为与第一光接收元件OPD1相对应的光接收开口OP2。发光开口OP1暴露红色发光元件ED_R的红色阳极电极R_AE的至少一部分。像素限定层PDL的发光开口OP1可以限定发射区域PXA。例如，多个像素PX(参考图3)可以根据预定规则设置在显示面板DP(参考图3)的平面上。设置多个像素PX的区域可以被称为像素区域，并且一个像素区域可以包括发射区域PXA和与发射区域PXA相邻的非发射区域NPXA。非发射区域NPXA可以围绕发射区域PXA。 [0164] 光接收开口OP2暴露第一光接收元件OPD1的第一感测阳极电极O_AE1。像素限定层PDL的光接收开口OP2可以限定光接收区域SA。例如，多个传感器FX(参考图3)可以根据预定规则设置在显示面板DP中。设置多个传感器FX的区域可以被称为感测区域，并且一个感测区域可以包括光接收区域SA和与光接收区域SA相邻的非光接收区域NSA。非光接收区域NSA可以围绕光接收区域SA。 [0165] 红色发光层R_EL设置成与形成在像素限定层PDL中的发光开口OP1相对应，并且第一光电转换层O_RL1设置成与形成在像素限定层PDL中的光接收开口OP2相对应。尽管在该实施方式中示出了图案化的红色发光层R_EL，但本公开不限于此。可以为多个像素PX共同设置公共发光层。在这种情况下，公共发光层可以产生白光或蓝光。公共阴极电极C_CE共同连接至红色发光元件ED_R和第一光接收元件OPD1。公共阴极电极C_CE可以面对第一感测阳极电极O_AE1和红色阳极电极R_AE。公共阴极电极C_CE设置在红色发光层R_EL和第一光电转换层O_RL1上。为多个像素PX和多个传感器FX共同设置公共阴极电极C_CE。 [0166] 图7A至图7I是示出根据本公开的实施方式的包括在电路层中的导电图案的布置顺序的平面图。 [0167] 参考图7A至图7I，导电图案和半导体图案可以根据预定规则在平面上重复布置。图7A至图7I示出了像素驱动电路的部分和传感器驱动电路的一部分的平面图。 [0168] 第一电路部分PDC1和第二电路部分PDC2可以具有彼此对称的结构。第一电路部分PDC1可以是图4A中所示的第一绿色像素驱动电路G1_PD的一部分，并且第二电路部分PDC2可以是图4A中所示的蓝色像素驱动电路B_PD的一部分。第三电路部分SDC可以是图4A中所示的传感器驱动电路O_SD的一部分。 [0169] 尽管图7A至图7I示出了具有彼此对称的结构的第一电路部分PDC1和第二电路部分PDC2，但是可以连续地重复与第一电路部分PDC1相同的结构，或者可以连续地重复与第二电路部分PDC2相同的结构。此外，图7A至图7I中所示的第一电路部分PDC1、第三电路部分SDC和第二电路部分PDC2可以布置在第二方向DR2上。然而，本公开不特别限于此。 [0170] 参考图6和图7A，示出了第一半导体层1100。第一半导体层1100可以设置在缓冲层BFL和第一绝缘层10之间。第一半导体层1100可以包括硅半导体。例如，硅半导体可以包括非晶硅或多晶硅。例如，第一半导体层1100可以包括低温多晶硅(LTPS)。 [0171] 第一半导体层1100包括包含在第一电路部分PDC1和第二电路部分PDC2中的第一半导体图案1110和包含在第三电路部分SDC中的第二半导体图案1120。 [0172] 参考图6、图7A和图7B，第一导电层1200可以设置在第一绝缘层10上。第一导电层1200可以包括金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料。例如，第一导电层1200可以包括银(Ag)、含银的合金、钼(Mo)、含钼的合金、铝(Al)、含铝的合金、铝氮化物(AlN)、钨(W)、钨氮化物(WN)、铜(Cu)、铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)，但不特别限于此。 [0173] 第一导电层1200可以包括第一栅极布线1210、第一栅电极1220、第二栅极布线1230和第二栅电极1240。 [0174] 第一栅极布线1210可以在第二方向DR2上延伸。第一栅极布线1210与图5A的第j写入扫描线SWLj相对应。例如，第j写入扫描信号SWj(参考图5A)可以被提供至第一栅极布线1210。 [0175] 第一栅极布线1210可以与第一半导体图案1110一起构成图5A的第二晶体管T2。此外，第一栅极布线1210可以与第一半导体图案1110一起构成图5A的第五晶体管T5。第一栅极布线1210可以与第二半导体图案1120一起构成图5A的输出晶体管ST3。 [0176] 第一栅电极1220可以具有岛状形状。第一栅电极1220可以与第一半导体图案1110一起构成图5A的第一晶体管T1。第一栅电极1220可以与图6中所示的第一晶体管T1的第三电极G1相对应。 [0177] 第二栅极布线1230可以在第二方向DR2上延伸。第二栅极布线1230可以与图5A的第j发射控制线EMLj相对应。例如，第j发射控制信号EMj(参考图5A)可以被提供至第二栅极布线1230。第二栅极布线1230可以与第一半导体图案1110一起构成图5A的第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2。 [0178] 第二栅电极1240可以具有岛状形状。第二栅电极1240可以与第二半导体图案1120一起构成图5A的放大晶体管ST2。 [0179] 参考图6、图7B和图7C，第二绝缘层20可以覆盖第一导电层1200，并且可以设置在第一绝缘层10上。第二导电层1300可以设置在第二绝缘层20上。第二导电层1300可以包括金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料。 [0180] 第二导电层1300可以包括第三栅极布线1310、第四栅极布线1320、电容器电极1330、第一初始化电压布线1340和第一复位控制布线1350。 [0181] 第三栅极布线1310可以在第二方向DR2上延伸。第三栅极布线1310可以与第j补偿扫描线SCLj(参考图5A)相对应。第四栅极布线1320可以在第二方向DR2上延伸。第四栅极布线1320可以与第j初始化扫描线SILj(参考图5A)相对应。电容器电极1330可以与第一栅电极1220重叠，并且可以具有岛状形状。例如，电容器电极1330可以与第一栅电极1220一起构成电容器Cst(参考图5A)。电容器电极1330可以与上电极UE相对应。第一驱动电压ELVDD(参考图5A)可以被提供至电容器电极1330。此外，穿透电容器电极1330的开口1330_OP可以形成在电容器电极1330中，并且可以通过开口1330_OP部分地暴露第一栅电极1220。如图7C中所示，开口1330_OP可以具有正方形形状，但不限于此。 [0182] 第一初始化电压布线1340可以在第二方向DR2上延伸。第一初始化电压布线1340可以与图5A的第一初始化电压线VL3相对应。第一初始化电压VINT1(参考图5A)可以通过第一初始化电压布线1340提供。第一复位控制布线1350可以在第二方向DR2上延伸。第一复位控制布线1350可以与图5A的复位控制线RCL相对应。复位控制信号RST(参考图5A)可以通过第一复位控制布线1350提供。 [0183] 参考图6、图7C和图7D，第三绝缘层30可以覆盖第二导电层1300，并且可以设置在第二绝缘层20上。第二半导体层1400可以设置在第三绝缘层30上。第二半导体层1400可以包括氧化物半导体。第二半导体层1400可以设置在与第一半导体层1100不同的层中，并且可以不与第一半导体层1100重叠。 [0184] 第二半导体层1400包括包含在第一电路部分PDC1和第二电路部分PDC2中的第三半导体图案1410以及包含在第三电路部分SDC中的第四半导体图案1420。 [0185] 参考图6以及图7C至图7E，第四绝缘层40可以覆盖第二半导体层1400，并且可以设置在第三绝缘层30上。第三导电层1500可以设置在第四绝缘层40上。第三导电层1500可以包括金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料。 [0186] 第三导电层1500可以包括第五栅极布线1510、第六栅极布线1520和第二复位控制布线1530。 [0187] 第五栅极布线1510可以在第二方向DR2上延伸。第五栅极布线1510可以与第三栅极布线1310和第三半导体图案1410重叠。在一些实施方式中，第五栅极布线1510可以通过接触部分与第三栅极布线1310接触。因此，施加到第三栅极布线1310的第j补偿扫描信号SCj可以被提供至第五栅极布线1510。第三栅极布线1310、第三半导体图案1410和第五栅极布线1510可以构成图5A的第三晶体管T3。第三晶体管T3可以在第一方向DR1上设置在第一晶体管T1和第五晶体管T5之间。 [0188] 第六栅极布线1520可以在第二方向DR2上延伸。第六栅极布线1520可以与第四栅极布线1320和第三半导体图案1410重叠。第六栅极布线1520可以与第四栅极布线1320电连接。第j初始化扫描信号SIj可以被提供至第六栅极布线1520。第四栅极布线1320、第六栅极布线1520和第三半导体图案1410可以构成图5A的第四晶体管T4。第四晶体管T4可以与第五晶体管T5相邻设置。 [0189] 第二复位控制布线1530可以在第二方向DR2上延伸。第二复位控制布线1530可以与第五栅极布线1510电绝缘。第二复位控制布线1530可以在第一方向DR1上与第五栅极布线1510间隔开。第二复位控制布线1530可以与第六栅极布线1520电绝缘。第二复位控制布线1530可以在第一方向DR1上与第六栅极布线1520间隔开。第二复位控制布线1530可以与图5A的复位控制线RCL相对应。复位控制信号RST(参考图5A)可以通过第二复位控制布线1530提供。第二复位控制布线1530可以与第四半导体图案1420重叠。第二复位控制布线 1530可以与第四半导体图案1420一起构成图5A的复位晶体管ST1。第二复位控制布线1530可以与图7C中所示的第一复位控制布线1350电连接。 [0190] 参考图6以及图7A至图7F，第五绝缘层50可以覆盖第三导电层1500的至少一部分，并且可以设置在第四绝缘层40上。第四导电层1600可以设置在第五绝缘层50上。第四导电层1600可以包括例如金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料。在下文中，为了便于描述，在图7F中仅示出了包括在第四导电层1600中的部件中的一些。 [0191] 第四导电层1600可以包括第一连接图案1610、第二连接图案1620、第三连接图案1630、第四连接图案1640、第五连接图案1650、第六连接图案1660、第一复位电压布线1670、第二初始化电压布线1680以及第七连接图案1691和第八连接图案1692。 [0192] 第一连接图案1610可以接触第一半导体图案1110。数据信号(例如，第i数据信号Di(参考图5A))可以通过第一连接图案1610传输到第一半导体图案1110。 [0193] 第二连接图案1620可以通过形成在第二连接图案1620的相对侧上的接触部分接触第一半导体图案1110和电容器电极1330。第一驱动电压ELVDD(参考图5A)可以通过第二连接图案1620传输到第一半导体图案1110。 [0194] 第三连接图案1630可以通过接触部分接触第三半导体图案1410和第一初始化电压布线1340。因此，第一初始化电压VINT1可以通过第三连接图案1630传输到第四晶体管T4。 [0195] 第四连接图案1640可以通过接触部分接触第一半导体图案1110。第四连接图案1640可以从第一半导体图案1110向相应的发光元件(例如，红色发光元件ED_R(参考图5A))传输驱动电流Id(参考图5A)。 [0196] 第五连接图案1650可以通过接触部分接触第一半导体图案1110和第三半导体图案1410。第五连接图案1650可以将第一晶体管T1和第三晶体管T3电连接。 [0197] 第六连接图案1660可以通过接触部分接触第一半导体图案1110和第三半导体图案1410。第六连接图案1660可以将第二发射控制晶体管ET2和第三晶体管T3电连接。 [0198] 第一复位电压布线1670可以在第二方向DR2上延伸。第一复位电压布线1670可以与图5A的复位电压线VL5相对应。复位电压Vrst(参考图5A)可以被提供至第一复位电压布线1670。第一复位电压布线1670可以通过接触部分与复位晶体管ST1连接。复位晶体管ST1可以通过第一复位电压布线1670接收复位电压Vrst。然而，与图7F中不同，第一复位电压布线1670可以通过接触部分与第四栅极布线1320连接。在这种情况下，复位晶体管ST1可以通过第一复位电压布线1670接收第j初始化扫描信号SIj作为复位电压Vrst。 [0199] 第二初始化电压布线1680可以在第二方向DR2上延伸。第二初始化电压布线1680可以与图5A的第二初始化电压线VL4相对应。第二初始化电压VINT2(参考图5A)可以通过第二初始化电压布线1680提供。 [0200] 第七连接图案1691的一侧可以通过接触部分接触第二半导体图案1120。第七连接图案1691的相对侧可以通过接触部分接触第六栅极布线1520。输出晶体管ST3可以通过第七连接图案1691接收第j写入扫描信号SWj。 [0201] 第八连接图案1692的一侧可以通过接触部分接触第四半导体图案1420。第八连接图案1692的相对侧可以通过接触部分接触第二栅电极1240。第八连接图案1692可以将复位晶体管ST1电连接至放大晶体管ST2。 [0202] 参考图6以及图7A至图7G，第六绝缘层60可以覆盖第四导电层1600的至少一部分，并且可以设置在第五绝缘层50上。第五导电层1700可以设置在第六绝缘层60上。第五导电层1700可以包括例如金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料。 [0203] 第五导电层1700可以包括第一数据布线1711、第二数据布线1712、驱动电压布线1720、第九连接图案1730、第十连接图案1740、第十一连接图案1750和读出布线1760。 [0204] 第一数据布线1711和第二数据布线1712可以在第一方向DR1上延伸。第一数据布线1711和第二数据布线1712可以在第二方向DR2上彼此间隔开。第一数据布线1711和第二数据布线1712中的一个可以与图5A的第i数据线DLi相对应。例如，第i数据信号Di可以被提供至第一数据布线1711和第二数据布线1712中的一个。第一数据布线1711和第二数据布线1712中的每一个可以通过接触部分接触第一连接图案1610。 [0205] 驱动电压布线1720可以在第一方向DR1上延伸，并且可以与第一电路部分PDC1和第二电路部分PDC2重叠。驱动电压布线1720可以与图5A的第一驱动电压线VL1相对应。例如，第一驱动电压ELVDD可以被提供至驱动电压布线1720。驱动电压布线1720可以通过接触部分接触第二连接图案1620。 [0206] 第九连接图案1730可以具有岛状形状。第九连接图案1730可以通过形成在第九连接图案1730的一侧上的接触部分接触第四半导体图案1420。第九连接图案1730可以通过形成在第九连接图案1730的相对侧上的接触部分与图4A的第一光接收元件OPD1的第一感测阳极电极O_AE1电连接。 [0207] 第十连接图案1740可以具有岛状形状。第十连接图案1740可以通过形成在第十连接图案1740的一侧上的接触部分接触第一半导体图案1110。第十连接图案1740可以通过形成在第十连接图案1740的相对侧上的接触部分与相应的发光元件(例如，红色发光元件ED_R)的阳极电极(例如，红色阳极电极R_AE)电连接。 [0208] 第十一连接图案1750可以具有岛状形状。第十一连接图案1750可以通过形成在第十一连接图案1750的一侧上的接触部分接触第一复位电压布线1670。第十一连接图案1750可以通过形成在第十一连接图案1750的相对侧上的接触部分接触屏蔽电极SSE(参考图6)。 [0209] 读出布线1760可以在第一方向DR1上延伸。读出布线1760可以设置在两个相邻的数据布线(例如，第一数据布线1711和第二数据布线1712)之间。第一数据布线1711和第二数据布线1712之间的距离在图7G中示出为d1。读出布线1760可以与图5A的第d读出线RLd相对应。例如，第d读出信号FSd可以传输到读出布线1760。读出布线1760可以通过接触部分接触输出晶体管ST3。 [0210] 参考图6、图7G和图7H，第七绝缘层70可以覆盖第五导电层1700的至少一部分，并且可以设置在第六绝缘层60上。第六导电层1800可以设置在第七绝缘层70上。第六导电层1800可以包括例如金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料。 [0211] 第六导电层1800可以包括屏蔽电极布线1810、第一虚设连接图案1821和第二虚设连接图案1822。 [0212] 屏蔽电极布线1810可以在第一方向DR1上延伸。屏蔽电极布线1810可以沿读出布线1760延伸。在平面上，屏蔽电极布线1810可以与读出布线1760重叠。屏蔽电极布线1810可以通过接触部分接触第十一连接图案1750。因此，施加到第一复位电压布线1670的复位电压Vrst(参考图5A)可以通过第十一连接图案1750施加到屏蔽电极布线1810。屏蔽电极布线1810可以与图6中所示的屏蔽电极SSE相对应。 [0213] 屏蔽电极布线1810可以部分地覆盖第三电路部分SDC。特别地，屏蔽电极布线1810可以覆盖复位晶体管ST1、放大晶体管ST2和输出晶体管ST3。 [0214] 屏蔽电极布线1810可以具有其中容纳第二虚设连接图案1822的开口部分1810_OP。开口部分1810_OP可以具有在第二方向DR2上从屏蔽电极布线1810的一侧凹陷的凹陷形状。 [0215] 第二虚设连接图案1822可以具有岛状形状。第二虚设连接图案1822可以设置在开口部分1810_OP中，并且可以与屏蔽电极布线1810间隔开。第二虚设连接图案1822可以不接触屏蔽电极布线1810。第二虚设连接图案1822可以与屏蔽电极布线1810电绝缘。第二虚设连接图案1822可以通过接触部分接触第九连接图案1730。第二虚设连接图案1822可以接触图4A的第一光接收元件OPD1的第一感测阳极电极O_AE1。 [0216] 第一虚设连接图案1821可以通过接触部分接触第十连接图案1740。第一虚设连接图案1821可以通过接触部分接触相应的发光元件(例如，红色发光元件ED_R)的阳极电极(例如，红色阳极电极R_AE)。 [0217] 参考图6、图7H和图7I，第八绝缘层80可以覆盖第六导电层1800的至少一部分，并且可以设置在第七绝缘层70上。第七导电层1900可以设置在第八绝缘层80上。第七导电层1900可以包括例如金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料。 [0218] 第七导电层1900可以包括红色阳极电极R_AE、第一绿色阳极电极G1_AE、蓝色阳极电极B_AE和第一感测阳极电极O_AE1。第七导电层1900还可以包括图4A中所示的第二绿色阳极电极G2_AE和第二感测阳极电极O_AE2。 [0219] 红色阳极电极R_AE、第一绿色阳极电极G1_AE和蓝色阳极电极B_AE中的每一个通过接触部分与第一虚设连接图案1821接触。第一感测阳极电极O_AE1通过接触部分与第二虚设连接图案1822接触。在平面上，第一绿色阳极电极G1_AE和第一感测阳极电极O_AE1可以与屏蔽电极布线1810重叠。 [0220] 参考图7G和图7I，第一数据布线1711和第二数据布线1712可以在第二方向DR2上彼此间隔开第一间隙d1。屏蔽电极布线1810在第二方向DR2上具有第一宽度W1。在本公开的实施方式中，第一宽度W1可以小于第一间隙d1。在这种情况下，屏蔽电极布线1810可以与读出布线1760重叠，但是可以不与第一数据布线1711和第二数据布线1712重叠。 [0221] 屏蔽电极布线1810可以减小形成在读出布线1760与第一数据布线1711和第二数据布线1712之间的耦合电容。换言之，屏蔽电极布线1810用作屏蔽读出布线1760以防止从读出布线1760输出的感测信号受到施加到第一数据布线1711和第二数据布线1712的数据信号的影响。因此，可以改善传感器FX(参考图3)的感测精度。 [0222] 尽管图7H示出了屏蔽电极布线1810完全覆盖读出布线1760的结构，但本公开不限于此。或者，屏蔽电极布线1810可以部分地与读出布线1760重叠。 [0223] 屏蔽电极布线1810可以屏蔽复位晶体管ST1、放大晶体管ST2和输出晶体管ST3，并且可以减小第一感测节点SN1(参考图5A)和读出布线1760之间的耦合电容。因此，可以稳定第一感测节点SN1的电位，并且因此，可以改善传感器FX(参考图3)的感测精度。 [0224] 图8A和图8B是示出根据本公开的实施方式的屏蔽电极布线的平面图。 [0225] 参考图6、图7G、图7H和图8A，第六导电层1801可以包括屏蔽电极布线1811、第一虚设连接图案1821和第二虚设连接图案1822。 [0226] 屏蔽电极布线1811可以在第一方向DR1上延伸。屏蔽电极布线1811可以沿读出布线1760延伸。屏蔽电极布线1811在第二方向DR2上具有第二宽度W2。在本公开的实施方式中，第二宽度W2可以大于第一间隙d1。第一间隙d1与第一数据布线1711和第二数据布线1712之间的间隔距离相对应。在这种情况下，屏蔽电极布线1811可以在平面上与读出布线 1760以及第一数据布线1711和第二数据布线1712重叠。屏蔽电极布线1811可以通过接触部分接触第十一连接图案1750。因此，施加到第一复位电压布线1670的复位电压Vrst(参考图 5A)可以通过第十一连接图案1750施加到屏蔽电极布线1811。屏蔽电极布线1811可以与图6中所示的屏蔽电极SSE相对应。 [0227] 屏蔽电极布线1811可以具有其中容纳第二虚设连接图案1822的开口部分1811_OP。开口部分1811_OP可以具有穿过屏蔽电极布线1811形成的孔的形状。开口部分1811_OP可以围绕第二虚设连接图案1822。 [0228] 屏蔽电极布线1811可以减小形成在读出布线1760与第一数据布线1711和第二数据布线1712之间的耦合电容。换言之，屏蔽电极布线1811用作屏蔽读出布线1760以及第一数据布线1711和第二数据布线1712，以防止从读出布线1760输出的感测信号受到施加到第一数据布线1711和第二数据布线1712的数据信号的影响。因此，可以改善传感器FX(参考图3)的感测精度。 [0229] 第二虚设连接图案1822可以具有岛状形状。第二虚设连接图案1822可以设置在开口部分1811_OP中，并且可以与屏蔽电极布线1811间隔开。第二虚设连接图案1822可以与屏蔽电极布线1811电绝缘。 [0230] 第二虚设连接图案1822可以通过接触部分接触第九连接图案1730。 [0231] 第二虚设连接图案1822可以接触图7I的第一感测阳极电极O_AE1。 [0232] 参考图6、图7G、图7H和图8B，第六导电层1802可以包括屏蔽电极布线1812、第一虚设连接图案1821和第二虚设连接图案1822。 [0233] 屏蔽电极布线1812可以在第一方向DR1上延伸。在屏蔽电极布线1812不与第一数据布线1711和第二数据布线1712重叠的结构中，开口部分1812_OP可以具有穿过屏蔽电极布线1812形成的孔的形状。第二虚设连接图案1822可以具有岛状形状。第二虚设连接图案1822可以设置在开口部分1812_OP中，并且可以与屏蔽电极布线1812间隔开。 [0234] 在本公开中，开口部分1810_OP、1811_OP和1812_OP的形状和位置没有特别限制，并且可以修改成与第二虚设连接图案1822的形状和位置相对应。 [0235] 图9A至图9C是示出根据本公开的实施方式的形成屏蔽电极布线的工艺的平面图。 [0236] 参考图9A至图9C，导电图案和半导体图案可以根据预定规则在平面上重复布置。图9A至图9C示出了像素驱动电路的部分和传感器驱动电路的一部分的平面图。 [0237] 第一电路部分PDCa和第二电路部分PDCb可以具有彼此对称的结构。第一电路部分PDCa可以是图4A中所示的第一绿色像素驱动电路G1_PD和第二绿色像素驱动电路G2_PD的一部分，并且第二电路部分PDCb可以是图4A中所示的蓝色像素驱动电路B_PD和红色像素驱动电路R_PD的一部分。第三电路部分SDCa可以是图4A中所示的两个传感器驱动电路O_SD的一部分。 [0238] 参考图6和图9A，第五导电层1701可以包括第一数据布线1711、第二数据布线1712、驱动电压布线1720、第九连接图案1730、第一子连接图案1741和第二子连接图案 1742、第二复位电压布线1751、第十一连接图案1752和读出布线1760。 [0239] 第一数据布线1711和第二数据布线1712可以在第一方向DR1上延伸。第一数据布线1711和第二数据布线1712可以在第二方向DR2上彼此间隔开。第一数据布线1711和第二数据布线1712中的一个可以与图5A的第i数据线DLi相对应。例如，第i数据信号Di可以被提供至第一数据布线1711和第二数据布线1712中的一个。第一数据布线1711和第二数据布线1712中的每一个可以通过接触部分接触第一连接图案1610(参考图7F)。 [0240] 驱动电压布线1720可以在第一方向DR1上延伸，并且可以与第一电路部分PDCa和第二电路部分PDCb重叠。驱动电压布线1720可以与图5A的第一驱动电压线VL1相对应。例如，第一驱动电压ELVDD可以被提供至驱动电压布线1720。驱动电压布线1720可以通过接触部分接触第二连接图案1620(参考图7F)。 [0241] 第九连接图案1730可以具有岛状形状。第九连接图案1730可以通过形成在第九连接图案1730的一侧上的接触部分接触第四半导体图案1420(参考图7D)。第九连接图案1730可以通过形成在第九连接图案1730的相对侧上的接触部分与图4A的第一光接收元件OPD1的第一感测阳极电极O_AE1电连接。第九连接图案1730可以设置在第三电路部分SDCa中。 [0242] 第一子连接图案1741和第二子连接图案1742中的每一个可以具有岛状形状。第一子连接图案1741和第二子连接图案1742中的每一个可以通过形成在其一侧上的接触部分接触第一半导体图案1110(参考图7A)。第一子连接图案1741可以通过形成在第一子连接图案1741的相对侧上的接触部分与相应的发光元件(例如，蓝色发光元件ED_B(参考图4A))的阳极电极(例如，蓝色阳极电极B_AE(参考图9C))电连接。第二子连接图案1742可以通过形成在第二子连接图案1742的相对侧上的接触部分与相应的发光元件(例如，第二绿色发光元件ED_G2(参考图4A))的阳极电极(例如，第二绿色阳极电极G2_AE(参考图9C))电连接。第一子连接图案1741和第二子连接图案1742中的每一个可以设置在驱动电压布线1720的部分之间。 [0243] 第二复位电压布线1751可以在第一方向DR1上延伸。第二复位电压布线1751可以设置在第一数据布线1711和读出布线1760之间。然而，本公开不限于此。或者，第二复位电压布线1751可以设置在第二数据布线1712和读出布线1760之间。 [0244] 第十一连接图案1752可以从第二复位电压布线1751的一侧延伸。第十一连接图案1752和第二复位电压布线1751可以彼此一体地形成。第十一连接图案1752可以通过形成在第十一连接图案1752的一侧上的接触部分接触第一复位电压布线1670(参考图7F)。第二复位电压布线1751可以通过第十一连接图案1752与第一复位电压布线1670电连接。 [0245] 读出布线1760可以在第一方向DR1上延伸。读出布线1760可以设置在两个相邻的数据布线(例如，第一数据布线1711和第二数据布线1712)之间。读出布线1760可以与图5A的第d读出线RLd相对应。例如，第d读出信号FSd可以传输到读出布线1760。读出布线1760可以通过接触部分接触输出晶体管ST3。 [0246] 参考图6、图9A和图9B，第六导电层1803可以包括屏蔽电极布线1813、第一子虚设连接图案1821_a、第二子虚设连接图案1821_b和第二虚设连接图案1822。 [0247] 屏蔽电极布线1813包括在平面上与读出布线1760重叠的主电极布线1813_m和从主电极布线1813_m延伸的子电极布线1813_s。主电极布线1813_m可以在第一方向DR1上延伸。主电极布线1813_m可以在平面上另外与第二复位电压布线1751重叠。子电极布线1813_s可以与主电极布线1813_m一体形成。子电极布线1813_s可以在平面上与第二光接收元件OPD2(参考图4A)的第二感测阳极电极O_AE2(参考图9C)(或虚设阳极电极)重叠。子电极布线1813_s可以在平面上与路由布线RW(参考图9C)重叠。 [0248] 屏蔽电极布线1813可以通过接触部分接触第十一连接图案1752。因此，施加到第一复位电压布线1670的复位电压Vrst(参考图5A)可以通过第十一连接图案1752施加到屏蔽电极布线1813。屏蔽电极布线1813可以与图6中所示的屏蔽电极SSE相对应。 [0249] 屏蔽电极布线1813可以具有其中容纳第二虚设连接图案1822的开口部分1813_OP。开口部分1813_OP可以具有穿过屏蔽电极布线1813形成的孔的形状。 [0250] 第二虚设连接图案1822可以具有岛状形状。第二虚设连接图案1822可以设置在开口部分1813_OP中，并且可以与屏蔽电极布线1813间隔开。第二虚设连接图案1822可以由屏蔽电极布线1813围绕。第二虚设连接图案1822可以与屏蔽电极布线1813电绝缘。第二虚设连接图案1822可以通过接触部分接触第九连接图案1730。第二虚设连接图案1822可以接触第一感测阳极电极O_AE1(参考图9C)。 [0251] 第一子虚设连接图案1821_a可以通过接触部分接触第一子连接图案1741。第一子虚设连接图案1821_a可以通过接触部分接触相应的发光元件(例如，蓝色发光元件ED_B)的阳极电极(例如，蓝色阳极电极B_AE)。第二子虚设连接图案1821_b可以通过接触部分接触第二子连接图案1742。第二子虚设连接图案1821_b可以通过接触部分接触相应的发光元件(例如，第二绿色发光元件ED_G2)的阳极电极(例如，第二绿色阳极电极G2_AE)。 [0252] 参考图6、图9A、图9B和图9C，第七导电层1901可以包括红色阳极电极R_AE、第一绿色阳极电极G1_AE、第二绿色阳极电极G2_AE、蓝色阳极电极B_AE、第一感测阳极电极O_AE1和第二感测阳极电极O_AE2。 [0253] 红色阳极电极R_AE和蓝色阳极电极B_AE中的每一个通过接触部分与第一子虚设连接图案1821_a接触。第一绿色阳极电极G1_AE和第二绿色阳极电极G2_AE中的每一个通过接触部分与第二子虚设连接图案1821_b接触。第一感测阳极电极O_AE1通过接触部分与第二虚设连接图案1822接触。第一感测阳极电极O_AE1可以通过路由布线RW与第二感测阳极电极O_AE2电连接。在本公开的实施方式中，第一感测阳极电极O_AE1、路由布线RW和第二感测阳极电极O_AE2可以一体形成。 [0254] 在平面上，第一绿色阳极电极G1_AE、第一感测阳极电极O_AE1、路由布线RW和第二感测阳极电极O_AE2可以与屏蔽电极布线1813重叠。 [0255] 屏蔽电极布线1813可以减小形成在读出布线1760与第一数据布线1711和第二数据布线1712之间的耦合电容。换言之，屏蔽电极布线1813用作屏蔽读出布线1760以防止从读出布线1760输出的感测信号受到施加到第一数据布线1711和第二数据布线1712的数据信号的影响。因此，可以改善传感器FX(参考图3)的感测精度。 [0256] 屏蔽电极布线1813的主电极布线1813_m可以屏蔽复位晶体管ST1、放大晶体管ST2和输出晶体管ST3，并且可以减小第一感测节点SN1(参考图5A)和读出布线1760之间的耦合电容。因此，可以稳定第一感测节点SN1的电位，并且因此，可以改善传感器FX(参考图3)的感测精度。 [0257] 图10A和图10B是示出根据本公开的实施方式的屏蔽电极布线的平面图。在图10A和图10B中所示的部件之中，与图9B中所示的部件相同的部件将被赋予相同的附图标记，并且将省略关于它们的具体描述。 [0258] 参考图6、图9A和图10A，第六导电层1804可以包括屏蔽电极布线1814、第一子虚设连接图案1821_a、第二子虚设连接图案1821_b和第二虚设连接图案1822。 [0259] 屏蔽电极布线1814包括在平面上与读出布线1760重叠的主电极布线1814_m和从主电极布线1814_m延伸的子电极布线1814_s。主电极布线1814_m可以在第一方向DR1上延伸。子电极布线1814_s可以与主电极布线1814_m一体形成。子电极布线1814_s可以在平面上与驱动电压布线1720重叠。子电极布线1814_s可以通过接触部分接触驱动电压布线1720。因此，施加到驱动电压布线1720的第一驱动电压ELVDD(参考图5A)可以通过接触部分施加到屏蔽电极布线1814。屏蔽电极布线1814可以与图6中所示的屏蔽电极SSE相对应。 [0260] 屏蔽电极布线1814可以具有其中容纳第二虚设连接图案1822的开口部分1814_OP。开口部分1814_OP可以具有从屏蔽电极布线1814的一侧凹陷的凹陷形状。 [0261] 第二虚设连接图案1822可以设置成岛状形状。第二虚设连接图案1822可以设置在开口部分1814_OP中，并且可以与屏蔽电极布线1814间隔开。第二虚设连接图案1822可以与屏蔽电极布线1814电绝缘。 [0262] 参考图6、图9A和图10B，第六导电层1805可以包括屏蔽电极布线1815、第一子虚设连接图案1821_a、第二子虚设连接图案1821_b和第二虚设连接图案1822。 [0263] 屏蔽电极布线1815包括在平面上与读出布线1760重叠的主电极布线1815_m和从主电极布线1815_m延伸的子电极布线1815_s。主电极布线1815_m可以在第一方向DR1上延伸。子电极布线1815_s可以与主电极布线1815_m一体形成。子电极布线1815_s可以与驱动电压布线1720重叠，并且可以具有与驱动电压布线1720相对应的形状。子电极布线1815_s可以在第一方向DR1上延伸。子电极布线1815_s可以通过接触部分接触驱动电压布线1720。因此，施加到驱动电压布线1720的第一驱动电压ELVDD(参考图5A)可以通过接触部分施加到屏蔽电极布线1815。 [0264] 尽管已经描述了复位电压或第一驱动电压被提供至屏蔽电极布线1810、1811、1812、1813、1814和1815，但本公开不限于此。或者，屏蔽电极布线1810、1811、1812、1813、 1814和1815可以电连接至第一初始化电压布线1340(参考图7C)或第二初始化电压布线 1680(参考图7F)，并且可以接收第一初始化电压VINT1(参考图5A)或第二初始化电压VINT2(参考图5A)。 [0265] 除了用于屏蔽读出布线1760的主电极布线1815_m之外，屏蔽电极布线1815还可以包括与驱动电压布线1720相对应的子电极布线1815_s，从而防止被提供至驱动电压布线1720的第一驱动电压ELVDD的电压跌落现象。因此，第一驱动电压ELVDD可以被均匀地提供至显示面板DP的整个区域(参考图3)，并且因此，可以改善显示面板DP的由第一驱动电压ELVDD的不均匀性引起的显示质量的劣化。 [0266] 图11A至图11C是示出根据本公开的实施方式的形成第二复位电压布线和屏蔽电极布线的工艺的平面图。在图11A至图11C中所示的部件之中，与图7F至图7I中所示的部件相同的部件将被赋予相同的附图标记，并且将省略关于它们的具体描述。 [0267] 参考图6和图11A，第四导电层1600可以包括第一连接图案1610、第二连接图案1620、第三连接图案1630、第四连接图案1640、第五连接图案1650、第六连接图案1660、第一复位电压布线1670、第二初始化电压布线1680以及第七连接图案1691和第八连接图案 1692。 [0268] 第五导电层1702可以包括第一数据布线1711、第二数据布线1712、驱动电压布线1720、第九连接图案1730、第十连接图案1740、第十一连接图案1750、第二复位电压布线 1753和读出布线1760。 [0269] 第二复位电压布线1753可以在第一方向DR1上延伸。第二复位电压布线1753可以设置在读出布线1760和第二数据布线1712之间。第二复位电压布线1753可以通过接触部分接触第一复位电压布线1670。 [0270] 读出布线1760可以在第一方向DR1上延伸。读出布线1760可以设置在两个相邻的数据布线(例如，第一数据布线1711和第二数据布线1712)之间。读出布线1760可以与图5A的第d读出线RLd相对应。例如，第d读出信号FSd可以传输到读出布线1760。读出布线1760可以通过接触部分接触输出晶体管ST3。 [0271] 参考图6、图11A和图11B，第六导电层1806可以包括屏蔽电极布线1816、第一虚设连接图案1821和第二虚设连接图案1822。 [0272] 屏蔽电极布线1816可以在第一方向DR1上延伸。屏蔽电极布线1816可以沿读出布线1760延伸。在平面上，屏蔽电极布线1816可以与读出布线1760和第二复位电压布线1753重叠。屏蔽电极布线1810可以通过接触部分与第十一连接图案1750接触。因此，施加到第一复位电压布线1670的复位电压Vrst(参考图5A)可以通过第十一连接图案1750施加到屏蔽电极布线1816。屏蔽电极布线1816可以与图6中所示的屏蔽电极SSE相对应。 [0273] 在图11B中，屏蔽电极布线1816示出为不与第一数据布线1711和第二数据布线1712重叠。然而，本公开不限于此。或者，屏蔽电极布线1816可以设置成与第一数据布线 1711和第二数据布线1712两者或者仅与第一数据布线1711和第二数据布线1712中的一个重叠。 [0274] 屏蔽电极布线1816可以具有其中容纳第二虚设连接图案1822的开口部分1816_OP。开口部分1816_OP可以具有在第二方向DR2上从屏蔽电极布线1816的一侧凹陷的凹陷形状。 [0275] 参考图6、图11B和图11C，第七导电层1900可以包括红色阳极电极R_AE、第一绿色阳极电极G1_AE、蓝色阳极电极B_AE和第一感测阳极电极O_AE1。第七导电层1900还可以包括图4A中所示的第二绿色阳极电极G2_AE和第二感测阳极电极O_AE2。 [0276] 红色阳极电极R_AE、第一绿色阳极电极G1_AE和蓝色阳极电极B_AE中的每一个通过接触部分与第一虚设连接图案1821接触。第一感测阳极电极O_AE1通过接触部分与第二虚设连接图案1822接触。在平面上，第一绿色阳极电极G1_AE和第一感测阳极电极O_AE1可以与屏蔽电极布线1816重叠。 [0277] 屏蔽电极布线1816可以减小形成在读出布线1760与第一数据布线1711和第二数据布线1712之间的耦合电容。换言之，屏蔽电极布线1810用作屏蔽读出布线1760以防止从读出布线1760输出的感测信号受到施加到第一数据布线1711和第二数据布线1712的数据信号的影响。此外，设置在读出布线1760和第二数据布线1712之间的第二复位电压布线1753允许在读出布线1760和第二数据布线1712之间有足够的空间。此外，可以减小读出布线1760和第二数据布线1712之间的电容，消除或防止耦合现象。因此，可以改善传感器FX(参考图3)的感测精度。 [0278] 图12是示出根据本公开的实施方式的第二复位电压布线和屏蔽电极布线之间的布置关系的平面图。在图12中所示的部件之中，与图11B中所示的部件相同的部件将被赋予相同的附图标记，并且将省略关于它们的具体描述。 [0279] 在图11B中，屏蔽电极布线1816与第二复位电压布线1753重叠。然而，本公开不限于此。如图12中所示，第六导电层1807包括屏蔽电极布线1817，并且在平面上，屏蔽电极布线1817可以与读出布线1760重叠，但不与第二复位电压布线1753重叠。例如，屏蔽电极布线1817可以在图12中向左移动。 [0280] 屏蔽电极布线1817可以具有其中容纳第二虚设连接图案1822的开口部分1817_OP。开口部分1817_OP可以具有在第二方向DR2上从屏蔽电极布线1817的一侧凹陷的凹陷形状。 [0281] 图13A和图13B是示出根据本公开的实施方式的屏蔽电极图案的位置的平面图。在图13A和图13B中所示的部件之中，与图9B和图9C中所示的部件相同的部件将被赋予相同的附图标记，并且将省略关于它们的详细描述。 [0282] 参考图7H和图13A，第六导电层1808包括可以具有岛状形状的屏蔽电极图案1818。屏蔽电极图案1818可以部分地覆盖第三电路部分SDCa。特别地，屏蔽电极图案1818可以在平面上与复位晶体管ST1重叠，特别是第一感测节点SN1(参考图5A)。屏蔽电极图案1818可以与图6中所示的屏蔽电极SSE相对应。 [0283] 屏蔽电极图案1818可以通过接触部分接触第十一连接图案1752。因此，施加到第二复位电压布线1751的复位电压Vrst(参考图5A)可以通过第十一连接图案1752施加到屏蔽电极图案1818。 [0284] 第一子虚设连接图案1821_a和第二子虚设连接图案1821_b中的每一个可以具有岛状形状。第一子虚设连接图案1821_a和第二子虚设连接图案1821_b中的每一个可以在第二方向DR2上与屏蔽电极图案1818间隔开。第一子虚设连接图案1821_a和第二子虚设连接图案1821_b中的每一个可以与屏蔽电极图案1818电绝缘。 [0285] 第二虚设连接图案1822可以具有岛状形状。第二虚设连接图案1822可以设置于在第一方向DR1上彼此相邻的两个屏蔽电极图案1818之间。第二虚设连接图案1822可以更靠近在第一方向DR1上彼此相邻的两个屏蔽电极图案1818中的一个。第二虚设连接图案1822可以与屏蔽电极图案1818电绝缘。 [0286] 参考图13A和图13B，第七导电层1901可以包括红色阳极电极R_AE、第一绿色阳极电极G1_AE、第二绿色阳极电极G2_AE、蓝色阳极电极B_AE、第一感测阳极电极O_AE1和第二感测阳极电极O_AE2。 [0287] 红色阳极电极R_AE和蓝色阳极电极B_AE中的每一个通过接触部分与第一子虚设连接图案1821_a接触。第一绿色阳极电极G1_AE和第二绿色阳极电极G2_AE中的每一个通过接触部分与第二子虚设连接图案1821_b接触。第一感测阳极电极O_AE1通过接触部分与第二虚设连接图案1822接触。第一感测阳极电极O_AE1可以通过路由布线RW与第二感测阳极电极O_AE2电连接。在本公开的实施方式中，第一感测阳极电极O_AE1、路由布线RW和第二感测阳极电极O_AE2可以一体形成。 [0288] 在平面上，第一绿色阳极电极G1_AE可以与屏蔽电极图案1818重叠。在平面上，屏蔽电极图案1818可以不与第一感测阳极电极O_AE1和第二感测阳极电极O_AE2重叠。 [0289] 屏蔽电极图案1818可以屏蔽复位晶体管ST1，并且可以减小第一感测节点SN1(参考图5A)和读出布线1760之间的耦合电容。因此，可以稳定第一感测节点SN1的电位，并且因此，可以改善传感器FX(参考图3)的感测精度。 [0290] 尽管图13A和图13B示出了屏蔽电极图案1818不与读出布线1760重叠的结构，但本公开不限于此。或者，屏蔽电极图案1818可以部分地与读出布线1760重叠。 [0291] 图14A和图14B是示出根据本公开的实施方式的显示面板的发光元件和光接收元件的剖视图。 [0292] 参考图14A和图14B，第一电极层设置在电路层DP_CL上。像素限定层PDL形成在第一电极层上。第一电极层可以包括红色阳极电极R_AE、绿色阳极电极G_AE和蓝色阳极电极B_AE。像素限定层PDL的第一发光开口OP1_1、第二发光开口OP1_2和第三发光开口OP1_3分别暴露红色阳极电极R_AE、绿色阳极电极G_AE和蓝色阳极电极B_AE的至少一部分。在本公开的实施方式中，像素限定层PDL可以另外包括黑色材料。像素限定层PDL可以另外包括诸如炭黑、苯胺黑等的黑色有机染料/颜料。像素限定层PDL可以通过混合蓝色有机材料和黑色有机材料形成。像素限定层PDL可以另外包括拒液有机材料。 [0293] 如图14A中所示，显示面板DP可以包括第一发射区域PXA‑R、第二发射区域PXA‑G和第三发射区域PXA‑B以及与第一发射区域PXA‑R、第二发射区域PXA‑G和第三发射区域PXA‑B相邻的第一非发射区域NPXA‑R、第二非发射区域NPXA‑G和第三非发射区域NPXA‑B。非发射区域NPXA‑R、NPXA‑G和NPXA‑B可以分别围绕相应的发射区域PXA‑R、PXA‑G和PXA‑B。在该实施方式中，第一发射区域PXA‑R与红色阳极电极R_AE的由第一发光开口OP1_1暴露的部分区域相对应。第二发射区域PXA‑G与绿色阳极电极G_AE的由第二发光开口OP1_2暴露的部分区域相对应。第三发射区域PXA‑B与蓝色阳极电极B_AE的由第三发光开口OP1_3暴露的部分区域相对应。非像素区域NPA可以限定在第一非发射区域NPXA‑R、第二非发射区域NPXA‑G和第三非发射区域NPXA‑B之间。 [0294] 发光层可以设置在第一电极层上。发光层可以包括红色发光层R_EL、绿色发光层G_EL和蓝色发光层B_EL。红色发光层R_EL、绿色发光层G_EL和蓝色发光层B_EL可以分别设置在与第一发光开口OP1_1、第二发光开口OP1_2和第三发光开口OP1_3相对应的区域中。红色发光层R_EL、绿色发光层G_EL和蓝色发光层B_EL可以彼此分开。红色发光层R_EL、绿色发光层G_EL和蓝色发光层B_EL中的每一个可以包括有机材料和/或无机材料。红色发光层R_EL、绿色发光层G_EL和蓝色发光层B_EL可以产生具有预定颜色的光束。例如，红色发光层R_EL可以产生红光，绿色发光层G_EL可以产生绿光，并且蓝色发光层B_EL可以产生蓝光。 [0295] 尽管在该实施方式中示出了图案化的红色发光层R_EL、绿色发光层G_EL和蓝色发光层B_EL，但是一个发光层可以共同设置在第一发射区域PXA‑R、第二发射区域PXA‑G和第三发射区域PXA‑B中。在这种情况下，发光层可以产生白光或蓝光。此外，发光层可以具有称为叠层结构的多层结构。 [0296] 红色发光层R_EL、绿色发光层G_EL和蓝色发光层B_EL中的每一个可以包括低分子量有机材料或高分子量有机材料作为发光材料。或者，红色发光层R_EL、绿色发光层G_EL和蓝色发光层B_EL中的每一个可以包括量子点材料作为发光材料。量子点的核可以选自II‑VI族化合物、III‑V族化合物、IV‑VI族化合物、IV族元素、IV族化合物及其组合。 [0297] 第二电极层设置在红色发光层R_EL、绿色发光层G_EL和蓝色发光层B_EL上。第二电极层可以包括红色阴极电极R_CE、绿色阴极电极G_CE和蓝色阴极电极B_CE。红色阴极电极R_CE、绿色阴极电极G_CE和蓝色阴极电极B_CE可以彼此电连接。在本公开的实施方式中，红色阴极电极R_CE、绿色阴极电极G_CE和蓝色阴极电极B_CE可以一体形成。在这种情况下，红色阴极电极R_CE、绿色阴极电极G_CE和蓝色阴极电极B_CE可以共同设置在第一发射区域PXA‑R、第二发射区域PXA‑G和第三发射区域PXA‑B、第一非发射区域NPXA‑R、第二非发射区域NPXA‑G和第三非发射区域NPXA‑B以及非像素区域NPA中。 [0298] 元件层DP_ED还可以包括第一光接收元件OPD1。第一光接收元件OPD1可以是光电二极管。像素限定层PDL还可以包括设置成与第一光接收元件OPD1相对应的光接收开口OP2。 [0299] 第一光接收元件OPD1可以包括第一感测阳极电极O_AE1、第一光电转换层O_RL1和感测阴极电极O_CE1。第一感测阳极电极O_AE1可以设置在与第一电极层相同的层上。换言之，第一感测阳极电极O_AE1可以设置在电路层DP_CL上，并且可以通过与红色阳极电极R_AE、绿色阳极电极G_AE和蓝色阳极电极B_AE相同的工艺同时形成。 [0300] 像素限定层PDL的光接收开口OP2暴露第一感测阳极电极O_AE1的至少一部分。第一光电转换层O_RL1设置在由光接收开口OP2暴露的第一感测阳极电极O_AE1上。第一光电转换层O_RL1可以包括有机光敏材料。感测阴极电极O_CE1可以设置在第一光电转换层O_RL1上。感测阴极电极O_CE1可以通过与红色阴极电极R_CE、绿色阴极电极G_CE和蓝色阴极电极B_CE相同的工艺同时形成。在本公开的实施方式中，感测阴极电极O_CE1可以与红色阴极电极R_CE、绿色阴极电极G_CE和蓝色阴极电极B_CE一体形成以形成公共阴极电极C_CE(参考图6)。 [0301] 封装层TFE设置在元件层DP_ED上。封装层TFE至少包括无机层或有机层。在本公开的实施方式中，封装层TFE可以包括两个无机层和设置在它们之间的有机层。在本公开的实施方式中，封装层TFE可以包括彼此交替堆叠的多个无机层和多个有机层。 [0302] 无机封装层保护红色发光元件ED_R、绿色发光元件ED_G和蓝色发光元件ED_B以及第一光接收元件OPD1免受湿气/氧气的影响，并且有机封装层保护红色发光元件ED_R、绿色发光元件ED_G和蓝色发光元件ED_B以及第一光接收元件OPD1免受诸如尘埃颗粒的异物的影响。无机封装层可以包括但不特别限于硅氮化物层、硅氧氮化物层、硅氧化物层、钛氧化物层或铝氧化物层。有机封装层可以包括但不特别限于丙烯酸酯基有机层。 [0303] 显示装置DD(参考图1)包括设置在显示面板DP上的输入感测层ISL和设置在输入感测层ISL上的滤色器层CFL。 [0304] 输入感测层ISL可以直接设置在封装层TFE上。输入感测层ISL包括第一导电层ICL1、绝缘层IL、第二导电层ICL2和保护层PL。第一导电层ICL1可以设置在封装层TFE上。例如，第一导电层ICL1可以与封装层TFE直接接触。绝缘层IL也可以与封装层TFE直接接触。尽管图14A和图14B示出了第一导电层ICL1直接设置在封装层TFE上的结构，但本公开不限于此。输入感测层ISL还可以包括设置在第一导电层ICL1和封装层TFE之间的基础绝缘层。在这种情况下，封装层TFE可以由基础绝缘层覆盖，并且第一导电层ICL1可以设置在基础绝缘层上。在本公开的实施方式中，基础绝缘层可以包括无机绝缘材料。 [0305] 绝缘层IL可以覆盖第一导电层ICL1。第二导电层ICL2设置在绝缘层IL上。第二导电层ICL2可以在非像素区域NPA中与第一导电层ICL1重叠。尽管图14A和图14B示出了输入感测层ISL包括第一导电层ICL1和第二导电层ICL2的结构，但本公开不限于此。例如，输入感测层ISL可以仅包括第一导电层ICL1和第二导电层ICL2中的一个。 [0306] 保护层PL可以设置在第二导电层ICL2上。保护层PL可以包括有机绝缘材料。保护层PL可以保护第一导电层ICL1和第二导电层ICL2免受湿气/氧气的影响，并且保护第一导电层ICL1和第二导电层ICL2免受异物的影响。 [0307] 滤色器层CFL可以设置在输入感测层ISL上。滤色器层CFL可以直接设置在保护层PL上。滤色器层CFL可以包括第一滤色器CF_R、第二滤色器CF_G和第三滤色器CF_B。第一滤色器CF_R具有第一颜色，第二滤色器CF_G具有第二颜色，并且第三滤色器CF_B具有第三颜色。在本公开的实施方式中，第一颜色可以是红色，第二颜色可以是绿色，并且第三颜色可以是蓝色。 [0308] 滤色器层CFL还可以包括虚设滤色器DCF。在本公开的实施方式中，当设置第一光电转换层O_RL1的区域是光接收区域SA并且光接收区域SA周围的区域是非光接收区域NSA时，虚设滤色器DCF可以设置成与光接收区域SA相对应。虚设滤色器DCF可以与光接收区域SA和非光接收区域NSA重叠。在本公开的实施方式中，虚设滤色器DCF可以具有与第一滤色器CF_R、第二滤色器CF_G和第三滤色器CF_B中的一个相同的颜色。在本公开的实施方式中，虚设滤色器DCF可以具有与第二滤色器CF_G相同的绿色。 [0309] 滤色器层CFL还可以包括黑色矩阵BM。黑色矩阵BM可以设置成与非像素区域NPA相对应。黑色矩阵BM可以设置成在非像素区域NPA中与第一导电层ICL1和第二导电层ICL2重叠。在本公开的实施方式中，黑色矩阵BM可以与非像素区域NPA和第一非发射区域NPXA‑R、第二非发射区域NPXA‑G和第三非发射区域NPXA‑B重叠。黑色矩阵BM可以不与第一发射区域PXA‑R、第二发射区域PXA‑G和第三发射区域PXA‑B重叠。 [0310] 滤色器层CFL还可以包括外涂层OCL。外涂层OCL可以包括有机绝缘材料。外涂层OCL可以具有足够的厚度以消除第一滤色器CF_R、第二滤色器CF_G和第三滤色器CF_B之间的台阶。在没有任何特别限制的情况下，外涂层OCL可以包括具有预定厚度并且可以使滤色器层CFL的上表面平坦化的任何材料。例如，外涂层OCL可以包括丙烯酸酯基有机材料。 [0311] 参考图14B，当显示装置DD(参考图1)工作时，红色发光元件ED_R、绿色发光元件ED_G和蓝色发光元件ED_B可以输出光。红色发光元件ED_R输出红色波段中的红光，绿色发光元件ED_G输出绿色波段中的绿光，并且蓝色发光元件ED_B输出蓝色波段中的蓝光。 [0312] 在本公开的实施方式中，第一光接收元件OPD1可以接收来自红色发光元件ED_R、绿色发光元件ED_G和蓝色发光元件ED_B之中的特定发光元件(例如，绿色发光元件ED_G)的光。换言之，可以从绿色发光元件ED_G输出绿光Lg1，并且第一光接收元件OPD1可以接收通过用户的指纹反射绿光Lg1而获得的绿反射光Lg2。绿光Lg1和绿反射光Lg2可以是绿色波段中的光。虚设滤色器DCF设置在第一光接收元件OPD1之上。虚设滤色器DCF的颜色可以为绿色。因此，绿反射光Lg2可以穿过虚设滤色器DCF并且可以入射在第一光接收元件OPD1上。 [0313] 从红色发光元件ED_R输出的红光和从蓝色发光元件ED_B输出的蓝光也可以通过用户的手US_F反射。例如，当通过用户的手US_F反射从红色发光元件ED_R输出的红光Lr1而获得的光是红反射光Lr2时，红反射光Lr2不能穿过虚设滤色器DCF并且可以由虚设滤色器DCF吸收。因此，红反射光Lr2不能穿过虚设滤色器DCF并且无法入射在第一光接收元件OPD1上。同样，即使通过用户的手US_F反射蓝光，蓝光也可以由虚设滤色器DCF吸收。因此，只有绿反射光Lg2可以被提供至第一光接收元件OPD1。 [0314] 根据本公开的实施方式，屏蔽电极布线可以向读出布线提供屏蔽，导致形成在读出布线与第一数据布线和第二数据布线之间的耦合电容减小。由于数据信号不再干扰通过读出布线读出的感测信号，因此这种耦合电容的减小引起传感器感测精度的改善。 [0315] 此外，屏蔽电极布线可以屏蔽传感器驱动电路的复位晶体管，导致第一感测节点和读出布线之间的耦合电容减小。这种耦合电容的减小有助于稳定第一感测节点的电位，引起传感器感测精度的改善。 |
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