显示装置和制造显示装置的方法 |
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| 申请号 | CN202311121133.X | 申请日 | 2023-09-01 | 公开(公告)号 | CN117915704A | 公开(公告)日 | 2024-04-19 |
| 申请人 | 三星显示有限公司; | 发明人 | 申铉亿; 李东敏; 朴俊龙; | ||||
| 摘要 | 本公开涉及一种显示装置和一种制造显示装置的方法。所述显示装置包括：基底；栅极线，在所述基底上；无机膜，在所述基底上，并且 覆盖 所述栅极线；以及倾斜膜，在所述无机膜上，并且覆盖所述无机膜的在所述栅极线的宽度方向上与所述栅极线重叠的侧表面。 | ||||||
| 权利要求 | 1.一种显示装置，其中，所述显示装置包括： |
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| 说明书全文 | 显示装置和制造显示装置的方法技术领域[0001] 实施例涉及一种显示装置。更具体地，实施例涉及显示装置和制造显示装置的方法。 背景技术[0003] 与液晶显示装置不同，有机发光显示装置具有自发射特性并且不使用单独的光源，使得有机发光显示装置通常具有降低的厚度和重量。另外，有机发光二极管显示器可以表现出诸如低功耗、高亮度和高反应速度的高质量特性。 [0004] 包括在显示装置中的线可以以精细的结构形成，以改善显示质量。随着线的宽度减小，线的截面面积减小，使得线的电阻可能增加。当加宽线的截面面积以减小电阻时，可能在线上形成台阶结构，使得可能由此影响后续工艺。发明内容 [0005] 在显示装置中，其中，在所述显示装置中线的截面面积被加宽以减小电阻的情况下，可能出现在蚀刻以形成线之后残余膜残留的绞线缺陷(a stringer defect)。残余膜可能在后续工艺中与金属等反应而导致短路。 [0006] 实施例提供一种能够实现低电阻线的显示装置。 [0007] 实施例提供一种制造显示装置的方法。 [0008] 根据实施例的显示装置包括：基底；栅极线，在所述基底上；无机膜，在所述基底上，并且覆盖所述栅极线；以及倾斜膜，在所述无机膜上，并且覆盖所述无机膜的在所述栅极线的宽度方向上与所述栅极线重叠的侧表面。 [0009] 在实施例中，所述倾斜膜可以具有锥形形状。 [0010] 在实施例中，所述倾斜膜的侧表面和所述基底之间的角可以小于所述栅极线的侧表面和所述基底之间的角。 [0011] 在实施例中，所述栅极线、所述无机膜和所述倾斜膜可以在所述栅极线的所述宽度方向上彼此重叠。 [0012] 在实施例中，所述倾斜膜的厚度可以随着在所述栅极线的所述宽度方向上远离所述栅极线而减小。 [0013] 在实施例中，所述倾斜膜可以包括有机材料和无机材料。 [0014] 在实施例中，所述倾斜膜可以包括SiO2。 [0016] 在实施例中，所述栅极线的侧表面和所述基底之间的角可以在大约80度至大约90度的范围内。 [0017] 在实施例中，所述显示装置还可以包括：数据线，在所述倾斜膜上。 [0018] 在实施例中，所述数据线可以与所述栅极线交叉。 [0019] 在实施例中，所述栅极线可以包括铜。 [0020] 在实施例中，所述栅极线可以包括：金属层，包括铜；第一合金层，在所述金属层上；以及第二合金层，在所述金属层下方。 [0021] 在实施例中，所述第一合金层和所述第二合金层中的每一者可以包括钛。 [0022] 在实施例中，所述第一合金层和所述第二合金层中的每一者还可以包括锌，并且包括在所述第一合金层和所述第二合金层中的每一者中的锌的含量可以在大约40原子百分比(at％)至大约70at％的范围内。 [0023] 在实施例中，所述倾斜膜还可以与所述栅极线的上表面重叠。 [0024] 根据实施例的显示装置可以包括：基底；金属图案，在所述基底上；第一无机膜，在所述基底上，并且覆盖所述金属图案；第一倾斜膜，在所述第一无机膜上，并且覆盖所述第一无机膜的在所述金属图案的宽度方向上与所述金属图案重叠的侧表面；以及栅极线，在所述第一倾斜膜和所述第一无机膜上。 [0025] 在实施例中，所述显示装置还可以包括：第二无机膜，在所述第一倾斜膜和所述第一无机膜上，并且覆盖所述栅极线；以及第二倾斜膜，在所述第二无机膜上，并且覆盖所述第二无机膜的在所述栅极线的宽度方向上与所述栅极线重叠的侧表面。 [0026] 在实施例中，所述第一倾斜膜和所述第二倾斜膜中的每一者可以具有锥形形状。 [0027] 在实施例中，所述第一倾斜膜的侧表面和所述基底之间的角可以小于所述金属图案的所述侧表面和所述基底之间的角，并且所述第二倾斜膜的侧表面和所述基底之间的角可以小于所述栅极线的侧表面和所述基底之间的角。 [0028] 在实施例中，所述第一倾斜膜和所述第二倾斜膜中的每一者可以包括有机材料和无机材料。 [0029] 根据实施例的制造显示装置的方法可以包括：在基底上形成栅极线；在所述基底上形成无机膜以覆盖所述栅极线；以及在所述无机膜上形成倾斜膜，以覆盖所述无机膜的侧表面。 [0030] 在实施例中，所述形成所述倾斜膜可以包括：在所述无机膜上施加初步倾斜层；并且烘烤所述初步倾斜层。 [0031] 在实施例中，所述初步倾斜层可以包括有机材料和无机材料。 [0032] 在实施例中，所述形成所述栅极线可以包括：在所述基底上形成第一初步合金层；在所述第一初步合金层上形成初步金属层；在所述初步金属层上形成第二初步合金层；并且蚀刻所述第一初步合金层、所述初步金属层和所述第二初步合金层。 [0033] 在实施例中，所述第一初步合金层和所述第二初步合金层中的每一者可以包括包含钛和锌的合金。 [0034] 在实施例中，所述初步金属层可以包括铜。 [0035] 在实施例中，可以以使得所述栅极线的所述侧表面和所述基底之间的角在大约80度至大约90度的范围内的方式蚀刻所述栅极线。 [0036] 在实施例中，所述方法还可以包括：在所述倾斜膜和所述无机膜上形成数据线，以与所述栅极线交叉。 [0037] 在根据本公开的实施例的显示装置中，由于倾斜膜覆盖无机膜的在栅极线的宽度方向上与栅极线重叠的侧表面，因此栅极线的台阶差可以由倾斜膜缓解。因此，通过使栅极线的截面面积最大化并且缓解栅极线的台阶差，可以减小栅极线的电阻，并且在制造工艺中可以有效地防止由于台阶差造成的绞线缺陷。 [0038] 在这样的实施例中，由于无机膜覆盖栅极线并且倾斜膜形成在无机膜上，因此栅极线和倾斜膜彼此可以不直接接触。因此，可以不形成来自栅极线和倾斜膜之间的反应的副产品，使得可以有效地防止由副产品引起的缺陷。 [0039] 在这样的实施例中，通过在栅极线上形成无机膜和倾斜膜，即使栅极线的截面形成为基本上矩形的形状，在随后的工艺中也可以有效地防止由于栅极线中的台阶差引起的问题。当数据线形成在倾斜膜上时，通过减小栅极线的台阶差，可以有效地防止由台阶差引起的诸如绞线缺陷的问题。即，通过无机膜和倾斜膜，可以减小栅极线的电阻，并且可以有效地防止显示装置的制造工艺中的问题。 [0040] 在这样的实施例中，由于倾斜层与无机膜的侧表面重叠，并且倾斜层不形成或者薄薄地形成在无机膜的上表面和栅极线之间，因此可以省略用于在倾斜层中形成接触孔的附加工艺。即，由于不使用用于形成接触孔的附加掩模，因此在显示装置的制造工艺期间可以减少制造成本和制造时间。因此，显示装置的制造工艺的效率可以提高。附图说明 [0041] 图1是根据本公开的实施例的显示装置的平面图。 [0042] 图2是沿着图1的线I‑I'截取的截面图。 [0043] 图3是图1的区域A的放大平面图。 [0044] 图4是沿着图3的线II‑II'截取的截面图。 [0045] 图5是图4的栅极线的放大截面图。 [0046] 图6是示出图5的另一示例的截面图。 [0047] 图7是示出图4的另一示例的截面图。 [0048] 图8是示出图2的另一示例的截面图。 [0049] 图9是图8的区域B的放大截面图。 [0050] 图10是图9的金属图案的放大截面图。 [0051] 图11是示出图9的另一示例的截面图。 [0052] 图12至图23是示出根据实施例的制造显示装置的方法的视图。 具体实施方式[0053] 现在将在下文中参照其中示出了各种实施例的附图更充分地描述本发明。然而，本发明可以以许多不同的方式实现，并且不应被解释为限于本文中所阐述的实施例。而是，提供这些实施例，使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本发明的范围。 [0054] 将理解的是，当元件被称为“在”另一元件“上”时，所述元件可以直接在所述另一元件上，或者可以在所述元件和所述另一元件之间存在居间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在居间元件。 [0055] 将理解的是，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可以用于描述各种元件、组件、区、层和/或部分，但是这些元件、组件、区、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区、层或部分与另一元件、组件、区、层或部分区分开。因此，在不脱离本文中的教导的情况下，下面讨论的“第一元件”、“第一组件”、“第一区”、“第一层”或“第一部分”可以被命名为“第二元件”、“第二组件”、“第二区”、“第二层”或“第二部分”。 [0056] 本文中使用的术语仅是出于描述具体实施例的目的，并且不旨在进行限制。除非上下文另外明确指出，否则如本文中使用的，“一”、“一个(种/者)”、“所述/该”和“至少一个(种/者)”不表示数量的限制，并且旨在包括单数和复数两种形式。例如，除非上下文另外明确指出，否则“一个元件”与“至少一个元件”具有相同的含义。“至少一个(种/者)”不被解释为限于“一”或“一个(种/者)”。“或”表示“和/或”。如本文中使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任何组合和所有组合。将进一步理解的是，当在本说明书中使用术语“包括(comprises，comprising)”或“包含(includes，including)”说明存在所陈述的特征、区、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其它特征、区、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。 [0057] 此外，本文中可以使用诸如“下(下部)”或“底部”和“上(上部)”或“顶部”的相对术语来描述如附图中所示的一个元件与另一元件的关系。将理解的是，除了附图中描绘的方位之外，相对术语还旨在涵盖装置的不同方位。例如，如果在一幅附图中的装置被翻转，则描述为在其它元件的“下”侧上的元件随后将被定向在其它元件的“上”侧上。因此，依据附图的具体方位，术语“下(下部)”可以涵盖“下(下部)”和“上(上部)”两种方位。类似地，如果在一幅附图中的装置被翻转，则描述为在其它元件“下方”或“之下”的元件随后将被定向在其它元件“上方”。因此，术语“在……下方”或“在……之下”可以涵盖在……上方和在……下方两种方位。 [0058] 考虑到讨论中的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)，如本文中使用的“大约”或“近似”包括所陈述的值，并且表示在如由本领域普通技术人员确定的用于特定值的可接受的偏差范围内。例如，“大约”可以表示在一个或多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、±20％、±10％或±5％内。 [0059] 除非另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)与由本公开所属领域的普通技术人员通常理解的具有相同的含义。将进一步理解的是，除非本文中明确地如此定义，否则术语(诸如在通用词典中定义的术语)应当被解释为具有与它们在相关领域的背景和本公开中的含义相一致的含义，并且将不以理想化的或过于形式化的含义来解释。 [0060] 本文中参照作为理想化的实施例的示意图的截面图来描述实施例。如此，预计到由于例如制造技术和/或公差引起的示图的形状的变化。因此，本文中描述的实施例不应当被解释为限于如本文中示出的区的具体形状，而是包括由于例如制造引起的形状的偏差。例如，示出或描述为平坦的区通常可以具有粗糙的和/或非线性的特征。此外，示出的尖角可以被倒圆。因此，在附图中示出的区在本质上是示意性的，并且它们的形状并不旨在示出区的精确形状，并且不旨在限制本权利要求的范围。 [0061] 在下文中，将参照附图详细描述根据实施例的显示装置。在附图中，相同的附图标记用于相同的组件，并且将省略或简化对相同组件的任何重复的详细描述。 [0062] 图1是根据本公开的实施例的显示装置的平面图。 [0063] 参照图1，显示装置10的实施例可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA可以是用于显示图像的区域。显示区域DA的平面形状可以是矩形形状，或者如图1中所示，是具有圆角的矩形形状。然而，显示区域DA的平面形状不限于此，并且显示区域DA可以具有诸如圆形形状、椭圆形形状和其他多边形形状的各种平面形状。 [0064] 非显示区域NDA可以设置在显示区域DA周围。非显示区域NDA可以围绕显示区域DA。非显示区域NDA可以是其中不显示图像的区域。在实施例中，用于显示显示区域DA的图像的驱动器可以设置在非显示区域NDA中。 [0065] 多个像素PX可以在显示区域DA中以矩阵形式布置。诸如栅极线GL和数据线DL的信号线可以设置在显示区域DA中。诸如栅极线GL和数据线DL的信号线可以连接到多个像素PX中的每一个。多个像素PX中的每一个可以通过信号线接收栅极信号和数据信号等。 [0066] 在实施例中，例如，栅极线GL可以沿着第一方向DR1布置，并且可以在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上延伸。数据线DL可以沿着第二方向DR2布置并且可以在第一方向DR1上延伸。 [0067] 图2是沿着图1的线I‑I'截取的截面图。 [0068] 参照图1和图2，显示装置10的实施例可以包括基底100、显示元件层200和封装层300。显示元件层200可以包括电路元件层210和发光元件层220。 [0069] 电路元件层210可以设置在基底100上，并且包括金属图案BML、缓冲层BFR、晶体管TR、栅极线(例如，图4的栅极线GL)、无机膜IOL和倾斜膜(倾斜层)SLP、连接电极CP、第一绝缘层IL1、第二绝缘层IL2和第三绝缘层IL3。晶体管TR可以包括有源层ACT、栅极电极GE、源极电极SE和漏极电极DE。发光元件层220可以设置在电路元件层210上，并且可以包括第四绝缘层IL4、间隔件SPC和发光二极管LD。发光二极管LD可以包括第一电极E1、发光层LEL、和第二电极E2。 [0070] 基底100可以支撑显示元件层200。基底100可以是基体基底或基体构件，并且可以包括诸如聚合物树脂的绝缘材料或由诸如聚合物树脂的绝缘材料制成。在实施例中，例如，基底100可以是能够被弯曲、折叠或卷曲的柔性基底。在可替代实施例中，例如，基底100可以包括柔性材料或刚性材料。 [0071] 金属图案BML可以设置在基底100上。金属图案BML可以包括金属。 [0072] 缓冲层BFR可以设置在基底100上。缓冲层BFR可以覆盖金属图案BML。缓冲层BFR可以有效地防止金属原子或杂质从基底100扩散到有源层ACT中。 [0073] 有源层ACT可以设置在基底100上。有源层ACT可以与金属图案BML重叠。有源层ACT可以被划分为掺杂有杂质的源极区和漏极区以及源极区和漏极区之间的沟道区。 [0074] 有源层ACT可以包括氧化物半导体。在实施例中，例如，氧化物半导体可以包括：诸如氧化铟(In)、氧化锡(Sn)或氧化锌(Zn)的一元金属氧化物；诸如In‑Zn基氧化物、Sn‑Zn基氧化物、Al‑Zn基氧化物、Zn‑Mg基氧化物、Sn‑Mg基氧化物、In‑Mg基氧化物或In‑Ga基氧化物的二元金属氧化物；诸如In‑Ga‑Zn基氧化物、In‑Al‑Zn基氧化物、In‑Sn‑Zn基氧化物、Sn‑Ga‑Zn基氧化物、Al‑Ga‑Zn基氧化物、Sn‑Al‑Zn基氧化物、In‑Hf‑Zn基氧化物、In‑La‑Zn基氧化物、In‑Ce‑Zn基氧化物、In‑Pr‑Zn基氧化物、In‑Nd‑Zn基氧化物、In‑Sm‑Zn基氧化物、In‑Eu‑Zn基氧化物、In‑Gd‑Zn基氧化物、In‑Tb‑Zn基氧化物、In‑Dy‑Zn基氧化物、In‑Ho‑Zn基氧化物、In‑Er‑Zn基氧化物、In‑Tm‑Zn基氧化物、In‑Yb‑Zn基氧化物或In‑Lu‑Zn基氧化物的三元金属氧化物或者诸如In‑Sn‑Ga‑Zn基氧化物、In‑Hf‑Ga‑Zn基氧化物、In‑Al‑Ga‑Zn基氧化物、In‑Sn‑Al‑Zn基氧化物、In‑Sn‑Hf‑Zn基氧化物或In‑Hf‑Al‑Zn基氧化物的四元金属氧化物。这些材料可以单独或组合使用。在实施例中，例如，有源层ACT可以包括In‑Ga‑Zn基氧化物之中的氧化铟镓锌(IGZO)。然而，本公开并不限于此。 [0075] 第一绝缘层IL1可以设置在缓冲层BFR上。第一绝缘层IL1可以覆盖有源层ACT。然而，本公开不限于此，并且可替代地，第一绝缘层IL1可以与有源层ACT重叠并具有岛状形状。在实施例中，例如，第一绝缘层IL1可以包括无机材料。 [0076] 包括栅极线(例如，图4的栅极线GL)和栅极电极GE的栅极层可以设置在第一绝缘层IL1上。在实施例中，栅极电极GE可以与有源层ACT的沟道区重叠。然而，本公开不限于此，并且可替代地，栅极电极GE可以是栅极线的一部分。因此，栅极电极GE(或形成栅极电极GE)的材料和栅极电极GE的厚度可以与栅极线的材料和厚度相同。 [0077] 无机膜IOL可以设置在第一绝缘层IL1上。无机膜IOL可以覆盖栅极线和栅极电极GE。无机膜IOL可以具有单层结构或多层结构。而且，无机膜IOL可以包括无机材料。在实施例中，例如，构成无机膜IOL的无机材料可以包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。这些材料可以单独或组合使用。 [0078] 无机膜IOL可以覆盖栅极线和栅极电极GE，并且可以沿着栅极线和栅极电极GE的轮廓具有基本上相同(或恒定)的厚度。然而，本公开不限于此。 [0079] 倾斜膜SLP可以设置在无机膜IOL上。倾斜膜SLP可以覆盖无机膜IOL的侧表面IOLa(例如，参见图4)。 [0080] 源极电极SE和漏极电极DE可以设置在无机膜IOL上。源极电极SE可以通过限定或形成在缓冲层BFR、第一绝缘层IL1和无机膜IOL中的第一接触孔与金属图案BML接触。而且，源极电极SE可以通过限定或形成在无机膜IOL和第一绝缘层IL1中的第二接触孔与有源层ACT的源极区接触。漏极电极DE可以通过限定或形成在第一绝缘层IL1和无机膜IOL中的第三接触孔与有源层ACT的漏极区接触。然而，本公开不限于此。在可替代实施例中，漏极电极DE可以通过限定或形成在缓冲层BFR、第一绝缘层IL1和无机膜IOL中的第一接触孔与金属图案BML接触，并且可以通过限定或形成在第一绝缘层IL1和无机膜IOL中的第二接触孔与有源层ACT接触。在这样的实施例中，源极电极SE可以通过限定或形成在第一绝缘层IL1和无机膜IOL中的第三接触孔与有源层ACT接触。 [0081] 第二绝缘层IL2可以设置在无机膜IOL上。另外，第二绝缘层IL2可以覆盖源极电极SE和漏极电极DE，并且具有基本上平坦的上表面，而不在源极电极SE和漏极电极DE周围产生台阶(或台阶结构)。在实施例中，例如，第二绝缘层IL2可以包括有机材料。 [0082] 连接电极CP可以设置在第二绝缘层IL2上。连接电极CP可以通过限定或形成在第二绝缘层IL2中的第四接触孔与源极电极SE或漏极电极DE接触。 [0083] 第三绝缘层IL3可以设置在第二绝缘层IL2上。另外，第三绝缘层IL3可以覆盖连接电极CP，并且可以具有基本上平坦的上表面而不在连接电极CP周围产生台阶。在实施例中，例如，第三绝缘层IL3可以包括有机材料。 [0084] 第一电极E1可以设置在第三绝缘层IL3上。第一电极E1可以具有反射特性或光透射特性。在实施例中，例如，第一电极E1可以包括金属。 [0085] 第一电极E1可以通过限定或形成在第三绝缘层IL3中的第五接触孔与连接电极CP接触，使得第一电极E1可以连接到晶体管TR。 [0086] 第四绝缘层IL4可以设置在第三绝缘层IL3上，并且暴露第一电极E1的上表面的开口可以限定在第四绝缘层IL4中。在实施例中，例如，第四绝缘层IL4可以包括有机材料或无机材料。 [0087] 间隔件SPC可以设置在第四绝缘层IL4上。在实施例中，例如，间隔件SPC可以包括有机材料或无机材料。间隔件SPC可以保持封装层300和显示元件层200之间的间隙。 [0088] 在实施例中，间隔件SPC可以与第四绝缘层IL4的材料包括不同的材料。间隔件SPC可以在形成第四绝缘层IL4之后形成。然而，根据本公开的实施例不限于此，并且可替代地，间隔件SPC可以与第四绝缘层IL4包括相同的材料。而且，第四绝缘层IL4和间隔件SPC可以使用半色调掩模同时形成。 [0089] 发光层LEL可以设置在第一电极E1上。发光层LEL可以设置在形成在第四绝缘层IL4中的开口中。在实施例中，发光层LEL可以具有包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层的多层结构。有机发光层可以包括发光材料。 [0090] 第二电极E2可以覆盖发光层LEL并且可以设置在第四绝缘层IL4和间隔件SPC上。在实施例中，第二电极E2可以具有板形状。另外，第二电极E2可以具有光透射特性或反射特性。在实施例中，例如，第二电极E2可以包括金属。 [0091] 封装层300可以有效地防止水分和氧气从外部渗透到发光二极管LD中。在实施例中，例如，封装层300可以包括第一无机封装层IEL1、有机封装层OEL和第二无机封装层IEL2。 [0092] 第一无机封装层IEL1可以以沿着第二电极E2的轮廓以基本上相同(或恒定)的厚度设置在第二电极E2上。有机封装层OEL可以设置在第一无机封装层IEL1上，并且可以具有基本上平坦的上表面，而在第一无机封装层IEL1周围不产生台阶。第二无机封装层IEL2可以设置在有机封装层OEL上。 [0093] 图3是图1的区域A的放大平面图。图4是沿着图3的线II‑II'截取的截面图。图5是图4的栅极线的放大截面图。具体地，图4可以是省略了基底100(例如，参见图2)和缓冲层BFR(例如，参见图2)的视图。 [0094] 参照图1至图4，在实施例中，栅极线GL和数据线DL可以彼此交叉。数据线DL可以设置在无机膜IOL和倾斜膜SLP上。栅极线GL可以设置在第一绝缘层IL1上。栅极线GL可以包括铜。 [0095] 进一步参照图5，在实施例中，栅极线GL可以包括金属层ML、第一合金层AL1和第二合金层AL2。第一合金层AL1可以设置在金属层ML上。第二合金层AL2可以设置在金属层ML下面。然而，本公开不限于此。 [0096] 金属层ML可以包括铜。第一合金层AL1和第二合金层AL2中的每一者可以包括钛。另外，第一合金层AL1和第二合金层AL2中的每一者可以包括锌。即，第一合金层AL1和第二合金层AL2中的每一者可以包括包含钛和锌的合金。 [0097] 包括在第一合金层AL1和第二合金层AL2中的每一者中的锌的含量可以在大约40原子百分比％(at％)至大约70at％的范围内。如果锌的含量低于大约40at％，第一合金层AL1和第二合金层AL2中的每一者的蚀刻速率可能低于金属层ML的蚀刻速率。在这种情况下，由于第一合金层AL1和第二合金层AL2中的每一者的蚀刻速率与金属层ML的蚀刻速率之间的差异增加，因此当第一合金层AL1、金属层ML和第二合金层AL2被蚀刻时，蚀刻程度的差异可能增加。在这种情况下，例如，金属层ML可能以比第一合金层AL1和第二合金层AL2中的每一者的宽度小的宽度形成。因此，可能难以控制栅极线GL的宽度。 [0098] 如果锌的含量大于大约70at％，则第一合金层AL1和第二合金层AL2中的每一者的蚀刻速率可能大于金属层ML的蚀刻速率。类似地，在这种情况下，由于第一合金层AL1和第二合金层AL2的蚀刻速率与金属层ML的蚀刻速率之间的差异增加，因此当蚀刻第一合金层AL1、金属层ML和第二合金层AL2时，蚀刻量可能彼此不同。在这种情况下，例如，第一合金层AL1和第二合金层AL2中的每一者可能以比金属层ML的宽度小的宽度形成。因此，可能难以控制栅极线GL的宽度。 [0099] 返回参照图4，栅极线GL的侧表面GLa和基底100(例如，参见图2)(例如，栅极线GL的侧表面GLa和第一绝缘层IL1)之间的角θ1可以在大约80度至大约90度的范围内。即，栅极线GL的截面可以具有基本上矩形的形状。如果栅极线GL的侧表面GLa和基底100之间的角θ1小于大约80度，则栅极线GL的截面面积可能减小，使得栅极线GL的电阻可能增加。在实施例中，例如，栅极线GL之中的金属层ML的侧表面和基底100(例如，栅极线GL之中的金属层ML的侧表面和第二合金层AL2)之间的角θ可以在大约80度至大约90度的范围内(参见图5)。然而，本公开并不限于此。 [0100] 在实施例中，由于栅极线GL的截面具有基本上矩形的形状，因此栅极线GL的截面面积可以增加，并且栅极线GL的电阻可以减小。 [0101] 无机膜IOL可以设置在第一绝缘层IL1上并且可以覆盖栅极线GL。无机膜IOL可以沿着栅极线GL和栅极电极GE的轮廓以基本上相同(或恒定)的厚度设置。然而，本公开不限于此。 [0102] 倾斜膜SLP可以覆盖无机膜IOL的侧表面IOLa。无机膜IOL的侧表面IOLa可以是无机膜IOL的在栅极线GL的宽度方向上与栅极线GL重叠的表面。在实施例中，例如，栅极线GL在第二方向DR2上延伸，并且栅极线GL的宽度方向可以是第一方向DR1。栅极线GL、无机膜IOL和倾斜膜SLP可以在第一方向DR1上彼此重叠。 [0103] 在实施例中，倾斜膜SLP可以具有锥形形状(tapered shape)。与栅极线GL的截面(具有基本上矩形的形状)不同，倾斜膜SLP可以具有锥形形状。即，倾斜膜SLP的厚度(T)可以随着栅极线GL和倾斜膜SLP之间的距离在第一方向DR1上的增加(即，随着倾斜膜SLP在第一方向DR1上远离栅极线GL)而减小。 [0104] 在实施例中，倾斜膜SLP的侧表面SLPa和基底100(例如，倾斜膜SLP的侧表面SLPa和第一绝缘层IL1)之间的角θ2可以小于栅极线GL的侧表面GLa和基底100之间的角θ1。即，倾斜膜SLP的侧表面SLPa可以比栅极线GL的侧表面GLa具有平缓的坡度。 [0105] 倾斜膜SLP可以包括有机材料和/或无机材料。在实施例中，例如，倾斜膜SLP可以包括SiO2，并且还可以包括硅氧烷或聚酰亚胺。即，倾斜膜SLP可以由有机/无机复合层形成。 [0106] 数据线DL可以设置在倾斜膜SLP上。数据线DL可以包括金属。 [0107] 在实施例中，倾斜膜SLP覆盖无机膜IOL的在第一方向DR1上与栅极线GL重叠的侧表面，使得栅极线GL的台阶差可以由于倾斜膜SLP而被缓解。因此，通过使栅极线GL的截面面积最大化和缓解栅极线GL的台阶差，可以在制造工艺中通过倾斜膜SLP有效地防止由于台阶差造成的绞线缺陷。因此，显示装置10(例如，参见图2)的可靠性可以改善。 [0108] 在这样的实施例中，无机膜IOL覆盖栅极线GL，并且倾斜膜SLP设置或形成在无机膜IOL上，使得栅极线GL和倾斜膜SLP彼此可以不直接接触。因此，可以不形成来自栅极线GL和倾斜膜SLP之间的反应的副产品。因此，可以通过无机膜IOL有效地防止由来自栅极线GL和倾斜膜SLP之间的反应的副产品引起的缺陷。 [0109] 图6是示出图5的另一示例的截面图。 [0110] 参照图4和图6，在实施例中，包括在栅极线GL中的第一合金层AL1可以从金属层ML向外突出。即，栅极线GL可以具有下切结构。在这样的实施例中，栅极线GL的下切结构可以被覆盖无机膜IOL的侧表面IOLa的倾斜层SLP覆盖。即，栅极线GL的侧表面GLa上的台阶也可以由倾斜层SLP缓解。 [0111] 图7是示出图4的另一示例的截面图。 [0112] 由于除了倾斜膜SLP'与无机膜IOL和栅极线GL的重叠范围之外，图7中的倾斜膜(倾斜层)SLP'与参照图4描述的倾斜膜SLP基本上相同，因此将省略其任何重复的详细描述。 [0113] 参照图7，在可替代实施例中，倾斜层SLP'可以覆盖无机膜IOL的在第一方向DR1上与栅极线GL重叠的侧表面。倾斜膜SLP'还可以在第三方向DR3上与无机膜IOL和栅极线GL重叠。第三方向DR3可以与第一方向DR1和第二方向DR2交叉。即，倾斜膜SLP'还可以与栅极线GL的上表面和无机膜IOL的上表面IOLb重叠。 [0114] 倾斜膜SLP'的在第三方向DR3上与栅极线GL的顶表面重叠的一部分的厚度T1可以小于倾斜膜SLP'的在第一方向DR1上与无机膜IOL的侧表面相邻的一部分的厚度T2。 [0115] 图8是示出图2的另一示例的截面图。图9是图8的区域B的放大截面图。图10是图9的金属图案的放大截面图。 [0116] 由于除了显示装置11还包括第一无机膜IOL1和第一倾斜层(第一倾斜膜)SLP1之外，图8至图10中示出的显示装置11与参照图2至图5描述的显示装置10基本上相同，因此将省略其任何重复的详细描述。 [0117] 参照图8和图9，显示装置11的实施例还可以包括第一无机膜IOL1和第一倾斜膜SLP1。金属图案BML可以设置在基底100上。 [0118] 金属图案BML的侧表面BMLa和基底100之间的角θ3可以在大约80度至大约90度的范围内。即，金属图案BML的截面可以具有基本上矩形的形状。在实施例中，由于金属图案BML的截面具有基本上矩形的形状，因此金属图案BML的截面面积可以增加，并且金属图案BML的电阻可以减小。 [0119] 第一无机膜IOL1可以设置在基底100上并且可以覆盖金属图案BML。第一无机膜IOL1可以沿着金属图案BML的轮廓以基本上相同(或恒定)的厚度设置。然而，本公开不限于此。在实施例中，第一无机膜IOL1可以包括无机材料。 [0120] 第一倾斜膜SLP1可以设置在第一无机膜IOL1上，并且可以覆盖第一无机膜IOL1的侧表面IOL1a。第一无机膜IOL1的侧表面IOL1a可以是第一无机膜IOL1的在金属图案BML的宽度方向上与金属图案BML重叠的表面。在实施例中，例如，金属图案BML的宽度方向可以是第一方向DR1。然而，本公开不限于此。金属图案BML、第一无机膜IOL1和第一倾斜膜SLP1可以在第一方向DR1上彼此重叠。 [0121] 在实施例中，第一倾斜膜SLP1可以具有锥形形状。与金属图案BML的截面(具有基本上矩形的形状)不同，第一倾斜膜SLP1可以具有锥形形状。即，第一倾斜膜SLP1的厚度可以随着金属图案BML和第一倾斜膜SLP1之间在第一方向DR1上的距离增加(即，随着第一倾斜膜SLP1在第一方向DR1上远离金属图案BML)而减少。 [0122] 在实施例中，第一倾斜膜SLP1的侧表面SLP1a和基底100(第一无机膜IOL1)之间的角θ4可以小于金属图案BML的侧表面BMLa和基底100之间的角θ3。即，第一倾斜膜SLP1的侧表面SLP1a可以比金属图案BML的侧表面BMLa具有平缓的坡度。 [0123] 第一倾斜膜SLP1可以包括有机材料和无机材料。在实施例中，例如，第一倾斜膜SLP1可以包括SiO2，并且还可以包括硅氧烷或聚酰亚胺。 [0124] 第二无机膜IOL2可以覆盖栅极线GL(例如，参见图4)和栅极电极GE。第二无机膜IOL2可以包括无机材料。第二倾斜膜SLP2可以覆盖第二无机膜IOL2的侧表面(例如，图4的无机膜IOL的侧表面IOLa)。 [0125] 第二无机膜IOL2可以设置成沿着栅极线GL和栅极电极GE的轮廓具有基本上相同(或恒定)的厚度。然而，本公开不限于此。 [0126] 进一步参照图10并且结合图8，金属图案BML可以设置在基底100上。在实施例中，例如，金属图案BML可以包括金属层ML、第一合金层AL1和第二合金层AL2。 [0127] 金属层ML可以包括铜。第一合金层AL1和第二合金层AL2中的每一者可以包括钛。另外，第一合金层AL1和第二合金层AL2中的每一者可以包括锌。即，第一合金层AL1和第二合金层AL2中的每一者可以包括包含钛和锌的合金。 [0128] 包括在第一合金层AL1和第二合金层AL2中的每一者中的锌的含量可以在大约40at％至大约70at％的范围内。在这样的实施例中，包括在第一合金层AL1和第二合金层AL2中的每一者中的锌的含量在大约40at％至大约70at％的范围内，第一合金层AL1和第二合金层AL2的蚀刻速率可以与金属层ML的蚀刻速率相似。因此，栅极线GL(例如，参见图4)的宽度可以容易地控制。 [0129] 在实施例中，由于第一倾斜膜SLP1覆盖第一无机膜IOL1的在第一方向DR1上与金属图案BML重叠的侧表面，因此金属图案BML的台阶差可以由第一倾斜层SLP1缓解。因此，在使金属图案BML的截面面积最大化的同时，在制造工艺中由第一倾斜层SLP1通过缓解金属图案BML的台阶差可以有效地防止由于台阶差造成的绞线缺陷。因此，显示装置11的可靠性可以改善。 [0130] 在这样的实施例中，由于第一无机膜IOL1覆盖金属图案BML，并且第一倾斜膜SLP1设置或形成在第一无机膜IOL1上，金属图案BML和第一倾斜膜SLP1彼此可以不直接接触。因此，由于第一无机膜IOL1，可以不形成来自金属图案BML和第一倾斜膜SLP1之间的反应的副产品。因此，可以有效地防止由金属图案BML和第一倾斜膜SLP1之间的反应的副产品引起的缺陷。 [0131] 图11是示出图9的另一示例的截面图。 [0132] 由于除了第一倾斜膜SLP1'与第一无机膜IOL1和金属图案BML的重叠范围之外，图11中示出的第一倾斜膜SLP1'与参照图9描述的第一倾斜膜SLP1基本上相同，因此将省略其任何重复的详细描述。 [0133] 参照图11，第一倾斜膜SLP1'可以覆盖第一无机膜IOL1的在第一方向DR1上与金属图案BML重叠的侧表面。第一倾斜膜SLP1'还可以在第三方向DR3上与第一无机膜IOL1和金属图案BML重叠。即，第一倾斜膜SLP1'还可以与金属图案BML的上表面和第一无机膜IOL1的上表面IOL1b重叠。 [0134] 第一倾斜膜SLP1'的在第三方向DR3上与第一无机膜IOL1的上表面IOL1b重叠的一部分的厚度可以小于第一倾斜膜SLP1'的在第一方向DR1上与第一无机膜IOL1的侧表面(例如，图9的第一无机膜IOL1的侧表面IOL1a)相邻的一部分的厚度。 [0135] 图12至图23是示出根据实施例的制造显示装置的方法的视图。 [0136] 图12至图23可以示出制造图1至图5的显示装置10的方法。因此，将省略图12至图23中示出的与上述的元件相同或相似的显示装置的元件的任何重复的详细描述。 [0137] 参照图12，可以在基底100上形成(或提供)金属图案BML。可以在基底100上形成缓冲层BFR以覆盖金属图案BML。可以在缓冲层BFR上形成有源层ACT。可以在缓冲层BFR上形成第一绝缘层IL1，以覆盖有源层ACT。 [0138] 图13是图12的区域C的放大截面图。 [0139] 参照图13至图18，可以在第一绝缘层IL1上形成栅极线GL和栅极电极(例如，图2的栅极电极GE)。在下文中，由于栅极线GL和栅极电极可以在同一工艺期间形成，因此将详细描述用于形成栅极线GL的工艺作为参照。 [0140] 参照图14至图16，可以在第一绝缘层IL1上形成第一初步合金层PAL1。可以在第一初步合金层PAL1上形成初步金属层PML。可以在初步金属层PML上形成第二初步合金层PAL2。 [0141] 第一初步合金层PAL1和第二初步合金层PAL2中的每一者可以由包括钛和锌的合金形成。初步金属层PML可以由铜形成。 [0142] 进一步参照图17和图18，可以在第二初步合金层PAL2上形成光致抗蚀剂图案PR。第一初步合金层PAL1、初步金属层PML和第二初步合金层PAL2可以通过光致抗蚀剂图案PR进行蚀刻。在实施例中，可以通过蚀刻第一初步合金层PAL1在第一绝缘层IL1上形成第二合金层AL2，可以通过蚀刻初步金属层PML在第二合金层AL2上形成金属层ML，并且可以通过蚀刻第二初步合金层PAL2在金属层ML上形成第一合金层AL1。因此，可以形成包括第一合金层AL1、金属层ML和第二合金层AL2并且在第二方向DR2上延伸的栅极线GL。 [0143] 当蚀刻第一初步合金层PAL1、初步金属层PML和第二初步合金层PAL2时，第一初步合金层PAL1、初步金属层PML和第二初步合金层PAL2的蚀刻速率可以彼此不同。在实施例中，包括在第一初步合金层PAL1和第二初步合金层PAL2中的每一者中的锌的含量可以在大约40at％至大约70at％之间。因此，第一合金层AL1和第二合金层AL2的蚀刻速率可以与金属层ML的蚀刻速率相似。因此，栅极线GL的宽度可以被容易地控制。 [0144] 在实施例中，当蚀刻第一初步合金层PAL1、初步金属层PML和第二初步合金层PAL2以形成栅极线GL时，可以以使得栅极线GL的侧表面GLa和基底100(例如，参见图2)(例如，栅极线GL的侧表面GLa和第一绝缘层IL1)之间的角θ1在大约80度至大约90度的范围内的方式蚀刻栅极线GL。即，栅极线GL的截面可以具有基本上矩形的形状。在这样的实施例中，栅极线GL的侧表面GLa和基底100之间的角θ1在大约80度至大约90度的范围内，使栅极线GL的截面面积最大化，从而可以使栅极线GL的电阻最小化。 [0145] 在形成栅极线GL之后，可以去除光致抗蚀剂图案PR。 [0146] 进一步参照图19，可以在栅极线GL上形成无机膜IOL。可以将无机膜IOL形成为覆盖栅极线GL。无机膜IOL可以由无机材料形成。无机膜IOL可以覆盖栅极线GL，并且可以沿着栅极线GL的轮廓具有基本上相同(或恒定)的厚度。然而，本公开不限于此。 [0147] 进一步参照图20至图22，可以在无机膜IOL上形成倾斜膜SLP。 [0148] 详细而言，参照图20，可以在无机膜IOL上完全涂覆用于形成初步倾斜膜(初步倾斜层)PSLP的材料(在图20中也标识为PSLP)。初步倾斜膜PSLP可以由有机材料和/或无机材料形成。在实施例中，例如，初步倾斜膜PSLP可以包括SiO2，并且还可以包括硅氧烷或聚酰亚胺。即，初步倾斜膜PSLP可以由有机/无机复合层形成。 [0149] 参照图21，初步倾斜膜PSLP可以具有低粘度，并且因此可以从无机膜IOL的上表面IOLb向下流动到无机膜IOL的侧表面IOLa。 [0150] 因此，初步倾斜膜PSLP可以几乎不残留在无机膜IOL的上表面IOLb上，并且初步倾斜膜PSLP可以仅残留在无机膜IOL的侧表面IOLa上。另外，初步倾斜膜PSLP甚至几乎不残留在相邻的栅极线GL之间，并且可以被吸引到无机膜IOL的侧表面IOLa。然而，本公开不限于此，并且可替代地，初步倾斜膜PSLP可以残留在无机膜IOL的上表面IOLb上或相邻栅极线GL之间。 [0151] 参照图22，在将初步倾斜膜PSLP(例如，参见图21)完全施加到无机膜IOL上之后，可以烘烤初步倾斜膜PSLP。通过烘烤初步倾斜膜PSLP，可以形成倾斜膜SLP以覆盖无机膜IOL的侧表面IOLa。 [0152] 倾斜膜SLP的侧表面SLPa和第一绝缘层IL1之间的角θ2可以小于栅极线GL的侧表面GLa和第一绝缘层IL1之间的角θ1。 [0153] 因此，倾斜膜SLP可以覆盖无机膜IOL的侧表面IOLa并减小由栅极线GL和无机膜IOL引起的台阶差。 [0154] 由于无机膜IOL设置在倾斜膜SLP和栅极线GL之间，因此倾斜膜SLP和栅极线GL彼此可以不直接接触。因此，可以有效地防止由倾斜膜SLP和栅极线GL之间的反应引起的副产品的形成。 [0155] 进一步参照图23，可以在倾斜膜SLP上形成数据线DL。数据线DL可以在第一方向DR1上延伸并且可以与栅极线GL交叉。数据线DL可以由金属形成。 [0156] 然而，本公开不限于此。在实施例中，除在栅极线GL上之外，可以进一步在金属图案BML上形成无机膜和倾斜膜(参见图8至图10)。而且，金属图案BML可以包括第一合金层、第二合金层和金属层。可以在基底100上形成无机膜。无机膜可以覆盖金属图案BML，并且可以沿着金属图案BML的轮廓具有基本上相同(或恒定)的厚度。 [0157] 在这样的实施例中，倾斜膜可以形成在无机膜上并且覆盖无机膜的侧表面。倾斜膜可以形成在无机膜的侧表面上，以缓解由金属图案BML和无机膜造成的台阶差。 [0158] 在实施例中，由于无机膜IOL和倾斜膜SLP形成在栅极线GL上，因此即使栅极线GL的截面形成为基本上矩形的形状，在后续工艺中也可以有效防止由栅极线GL的台阶差引起的问题。由于倾斜膜SLP覆盖栅极线GL的台阶差，因此当在倾斜膜SLP上形成数据线DL时，可以有效地防止由台阶差引起的问题(诸如绞线缺陷)。即，通过无机膜IOL和倾斜膜SLP可以减小栅极线GL的电阻，并且可以防止显示装置10(参见图2)的在制造工艺中的问题。 [0159] 在这样的实施例中，由于倾斜膜SLP与无机膜IOL的侧表面IOLa重叠，并且倾斜膜SLP不形成在无机膜IOL的上表面(例如，图22的无机膜IOL的上表面IOLb)和栅极线GL之间或形成得薄，因此可以不需要在倾斜膜SLP中形成接触孔的附加工艺。即，由于不使用用于形成接触孔的附加掩模，因此在显示装置10的制造工艺期间可以减少制造成本和制造时间。因此，可以提高显示装置10的制造工艺的效率。 [0161] 本发明不应被解释为限于本文中所阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本发明的构思。 [0162] 虽然本发明已经参照其实施例进行了具体地示出和描述，但本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离本发明的由所附权利要求限定的精神或范围的情况下，可以在其中对形式和细节进行各种改变。 |
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