1.一种电路，其包括：
输入电路系统，其包括：
尾电流晶体管，以及
第一输入晶体管和第二输入晶体管，其各自具有耦合到所述尾电流晶体管的电流端子，其中所述第二输入晶体管与所述第一输入晶体管的电流密度比是N；以及主电路系统，其包括：
第一核心晶体管，其具有第一电流端子、第二电流端子和控制端子，所述第二电流端子耦合到基准节点，
第二核心晶体管，其具有第一电流端子、第二电流端子和控制端子，所述第二电流端子耦合到所述基准节点，其中所述第二核心晶体管与所述第一核心晶体管的电流密度比是N，第一上分支和第一下分支，所述第一下分支耦合在所述第一上分支与所述第一核心晶体管的所述第一电流端子之间，所述第一上分支与所述第一下分支之间的耦合限定耦合到所述第一输入晶体管的控制端子的第一电流输入，
第二上分支和第二下分支，所述第二下分支耦合在所述第二上分支与所述第二核心晶体管的所述第一电流端子之间，所述第二上分支与所述第二下分支之间的耦合限定耦合到所述第二输入晶体管的控制端子的第二电流输入，以及
基极电阻元件，其耦合在所述第一核心晶体管的所述控制端子与所述第一核心晶体管的所述第二电流端子之间，
其中N是大于1的整数。
2.根据权利要求1所述的电路，其进一步包括：
输出区段，其耦合到所述主电路系统的所述第一上分支和所述第二上分支并耦合到所述第一核心晶体管的所述控制端子，所述输出区段包括误差校正电路系统和输出端子。
3.根据权利要求2所述的电路，其中所述误差校正电路系统包括：
第一输出电阻元件，其具有耦合到所述主电路系统的所述第一上分支和所述第二上分支的第一端；
输出晶体管，其具有第一电流端子、第二电流端子和控制端子，所述第一电流端子耦合到所述第一输出电阻元件的第二端以限定所述输出端子；
放大器，其具有第一输入、第二输入和输出，所述第一输入耦合到所述第一核心晶体管的所述控制端子，所述第二输入耦合到所述输出晶体管的所述第二电流端子，并且所述输出耦合到所述输出晶体管的所述控制端子；以及
第二输出电阻元件，其具有耦合到所述输出晶体管的所述第二电流端子并耦合到所述放大器的所述第二输入的第一端，所述第二输出电阻元件具有耦合到所述基准节点的第二端。
4.根据权利要求3所述的电路，其中所述第一输出电阻元件和所述第二输出电阻元件具有近似相同的电阻值。
5.根据权利要求1所述的电路，其中所述主电路系统进一步包括：
在所述第一上分支中的第一电阻元件，所述第一电阻元件具有第一电阻值；
在所述第二上分支中的第二电阻元件，所述第二电阻元件具有小于所述第一电阻值的第二电阻值；以及
在所述第二下分支中的第三电阻元件，所述第三电阻元件具有小于所述第二电阻值的第三电阻值。
6.根据权利要求1所述的电路，其进一步包括复制电路系统和放大器，
所述复制电路系统包括：
偏置电流晶体管，其具有耦合到所述尾电流晶体管的控制端子的控制端子；以及第一电流支路和第二电流支路；
所述放大器具有分别耦合到所述第一电流支路和所述第二电流支路的第一输入和第二输入，以及耦合到所述偏置电流晶体管的所述控制端子的输出。
7.根据权利要求6所述的电路，其中所述复制电路系统包括分别耦合到所述第一支路和所述第二支路的第一复制晶体管和第二复制晶体管，其中所述第二复制晶体管与所述第一复制晶体管的电流密度比是N。
8.根据权利要求7所述的电路，其中：
所述复制电路系统和所述放大器被配置为生成偏置电流；
所述尾电流晶体管被配置为生成尾电流，所述尾电流的量是所述偏置电流的量的倍数，所述倍数是2或更大的整数；并且
所述电路被配置为：
响应于施加到所述电路的偏置电压而生成所述第一上分支和所述第二上分支中的每一个中的上分支电流，
在所述第一输入晶体管和所述第二输入晶体管中的每一个的所述控制端子处生成基极电流，
生成通过所述基极电阻元件的误差电流以生成压降，所述误差电流近似等于所述基极电流，以及
生成中间输出电压，所述中间输出电压具有为所述基极电流的值和所述基极电阻元件的电阻值的函数的电压分量。
9.根据权利要求8所述的电路，其进一步包括：
输出区段，其耦合到所述主电路系统的所述第一上分支和所述第二上分支并耦合到所述第一核心晶体管的所述控制端子，所述输出区段包括误差校正电路系统和输出端子，所述误差校正电路系统被配置为：
去除所述中间输出电压的误差分量，所述误差分量近似等于所述压降。
10.根据权利要求1所述的电路，其中：
所述第一输入晶体管和所述第二输入晶体管中的每一个是PNP晶体管，其中每个输入晶体管的耦合到所述尾电流晶体管的所述电流端子是发射极端子；并且
所述第一核心晶体管和所述第二核心晶体管中的每一个是竖直配置的PNP晶体管，其中所述第一核心晶体管和所述第二核心晶体管中的每一个的所述第一电流端子是发射极端子，并且所述第一核心晶体管和所述第二核心晶体管中的每一个的所述第二电流端子是集电极端子。
11.根据权利要求1所述的电路，其进一步包括：
折叠共源共栅放大器，其具有电压输入和电压输出，所述折叠共源共栅放大器耦合到所述第一输入晶体管和所述第二输入晶体管，
其中所述主电路系统进一步包括控制晶体管，所述控制晶体管具有耦合到所述折叠共源共栅放大器的所述电压输出的控制端子。
12.一种带隙电路，其包括：
复制电路系统和放大器，所述复制电路系统被配置为在所述放大器的控制下生成偏置电流；
核心，其包括输入电路系统和主电路系统，所述核心被配置为响应于电压输入和所述偏置电流而输出中间输出电压；以及
输出区段，其包括误差校正电路系统，所述误差校正电路系统被配置为去除所述中间输出电压的误差分量并输出带隙基准电压，所述带隙基准电压是所述中间输出电压与所述误差分量之间的差值。
13.根据权利要求12所述的带隙电路，其中所述复制电路系统是所述主电路系统的复制品，所述复制电路系统和所述主电路系统中的每一个包括具有为N的电流密度比的第一核心晶体管和第二核心晶体管，其中N是大于1的整数。
14.根据权利要求13所述的带隙电路，其中所述输入电路系统包括具有为N的电流密度比的第一输入晶体管和第二输入晶体管。
15.根据权利要求14所述的带隙电路，其中所述输入电路系统被配置为分别从所述第一输入晶体管和所述第二输入晶体管的控制端子生成第一基极电流和第二基极电流。
16.根据权利要求15所述的带隙电路，其中所述主电路系统被配置为：
在所述主电路系统的第一上分支中生成第一电流；
在所述主电路系统的第二上分支中生成第二电流。
17.根据权利要求16所述的带隙电路，其中所述核心被配置为：
在耦合到所述主电路系统的所述第一核心晶体管的发射极的发射极电流路径处组合所述第一基极电流与所述第一电流；以及
在耦合到所述主电路系统的所述第二核心晶体管的发射极的发射极电流路径处组合所述第二基极电流与所述第二电流。
18.根据权利要求17所述的带隙电路，其中所述主电路系统被配置为生成通过基极电阻器的误差电流，所述基极电阻器耦合在所述主电路系统的所述第一核心晶体管的控制端子与基准节点之间。
19.根据权利要求18所述的带隙电路，其中所述误差校正电路系统包括放大器，所述放大器被配置为感测所述基极电阻器两端的压降。
20.一种方法，其包括：
生成偏置电流；
将所述偏置电流成镜像到带隙电路的核心部分以生成用于所述核心的第一输入晶体管和第二输入晶体管的尾电流；
响应于施加到所述核心的输入，分别在所述核心的主电路系统的第一上分支和第二上分支中生成第一电流和第二电流，其中所述第一电流和所述第二电流近似相等；以及响应于所述尾电流，分别在所述第一输入晶体管和所述第二输入晶体管的所述基极处生成用于所述主电路系统的第一基极电流和第二基极电流，其中所述第一基极电流和所述第二基极电流近似相等。
21.根据权利要求20所述的方法，其进一步包括：
生成用于所述核心的第一核心晶体管的发射极的第一发射极电流，所述第一发射极电流是所述第一电流与所述第一基极电流的总和；
生成用于所述核心的第二核心晶体管的发射极的第二发射极电流，所述第二发射极电流是所述第二电流与所述第二基极电流的总和；以及
在耦合在所述第一核心晶体管的控制端子与基准节点之间的电阻器中生成误差电流。
22.根据权利要求21所述的方法，其包括：
在所述核心的输出处生成中间输出电压；以及
使用所述带隙电路的输出区段的误差校正电路系统去除所述中间输出电压的误差分量。
23.根据权利要求22所述的方法，其中去除所述中间输出电压的所述误差分量包括：
使用所述误差校正电路系统的放大器感测所述基极电阻器两端的压降，所述压降代表所述误差分量；
通过驱动由所述放大器的输出控制的输出晶体管来将所述误差电流施加到第一输出电阻器；
生成通过第二输出电阻器的输出电流以生成所述压降；以及
在所述带隙电路的输出端子处生成带隙基准电压，所述带隙基准电压是所述中间输出电压与所述误差分量之间的差值。