一种电解铜箔表面处理工艺与HVLP铜箔产品及其应用 |
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| 申请号 | CN202210627146.3 | 申请日 | 2022-06-02 | 公开(公告)号 | CN114990654B | 公开(公告)日 | 2024-04-26 |
| 申请人 | 山东金宝电子有限公司; | 发明人 | 王学江; 孙云飞; 王维河; 徐好强; 张艳卫; 王其伶; 刘亚净; 刘铭; 徐凤; | ||||
| 摘要 | 本 发明 公开了一种 电解 铜 箔 表面处理 工艺，取双面光电解铜箔作为基材，依次进行 酸洗 、粗化、 固化 、 合金 化、 镀 铬、 浸涂 硅 烷 偶联剂 处理工艺，制备得到HVLP(超低轮廓)铜箔产品。本发明还提供了由上述电解铜箔表面处理工艺制备得到的HVLP铜箔产品及其在高速讯号传输上的应用。本发明能够在平滑铜箔表面制备出具有低粗糙度、高 比表面积 、均匀分布的铜瘤形貌，制备的铜瘤大小可达到亚微米、 纳米级 别，可以保证电解铜箔与 树脂 结合的可靠性，形成良好的结合 力 ，制备加工的铜箔产品可满足高 频率 下讯号的高速传输。 | ||||||
| 权利要求 | 1.一种电解铜箔表面处理工艺，其特征在于，取18μm双面光电解铜箔作为基材，依次进行酸洗、粗化、固化、合金化、镀铬、浸涂硅烷偶联剂处理工艺，制备得到HVLP铜箔产品； |
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| 说明书全文 | 一种电解铜箔表面处理工艺与HVLP铜箔产品及其应用技术领域[0001] 本发明涉及电解铜箔加工技术领域，特别涉及一种电解铜箔表面处理工艺与HVLP铜箔产品及其应用。 背景技术[0003] 根据趋肤深度和频率的关系，当信号传输频率超过1GHz后，信号传输仅在表面粗糙度的数量级范围内进行，其中1GHz的趋肤深度为2μm，而10GHz时趋肤深度仅有0.66μm。根据信号传输理论，表面粗糙度的起伏将导致信号“驻波”和“反射”，影响信号传输，增大信号损耗，进而影响高频高速条件下信号传输的完整性。因此，铜箔在线路板中进行信号传输过程，其表面粗糙度大小是影响高频信号传输的一个重要因素。 [0004] 为保证信号的高频高速传输，减少传输损耗，要求铜箔表面粗糙度尽可能低，甚至趋于无轮廓，同时还要具有较大的比表面积，使铜箔与基材间保持良好的结合力，这对铜箔表面的粗化处理技术提出了非常高的挑战。因此，开发一种高速讯号传输用电解铜箔的表面粗化处理工艺至关重要。 发明内容[0005] 本发明的目的在于解决现有技术中存在的上述技术问题。本发明提供了一种电解铜箔表面处理工艺与HVLP铜箔产品及其应用，可在平滑铜箔表面制备出具有低粗糙度、高比表面积、均匀分布的铜瘤形貌，制备的铜瘤大小可达到亚微米、纳米级别，可以保证电解铜箔与树脂结合的可靠性，形成良好的结合力，满足5G信号下传输频率高、速度快、损耗低的性能要求。 [0007] 进一步，具体包括以下工艺步骤： [0008] (1)酸洗：将所述基材置于酸洗液中浸泡一定时间； [0010] (3)固化：将经过粗化处理的基材置于固化液中进行电沉积； [0011] (4)合金化：将经过固化处理的基材浸于合金水溶液中电沉积，其中，所述合金水溶液中含NiSO4 1‑3g/L,ZnSO4 1.5‑3g/L,Na2MoO4 0.4‑2g/L,柠檬酸钠50‑80g/L，溶液pH为2 3‑6，工作温度为30‑50℃，电流密度为0.5‑6A/dm，电沉积时间为4‑10s； [0012] (5)镀铬：将经过合金化处理的基材浸于CrO3 1‑5g/L的水溶液中进行电沉积，溶2 液pH为10‑13，工作温度为20‑36℃，电流密度为2‑8A/dm，电沉积时间2‑8s； [0013] (6)浸涂硅烷偶联剂：制备1‑10g/L的涂覆液，将经过镀铬处理的双面光电解铜箔于20‑35℃下浸涂所述涂覆液2‑5s。 [0014] 进一步，步骤(1)中，所述酸洗液为80‑180g/L的硫酸水溶液，将所述基材于20‑35℃下在酸洗液中浸4‑8s。 [0015] 进一步，步骤(2)中，所述粗化液为含CuSO4 17.5‑62.5g/L，CoSO4 1.5‑5g/L，H2SO4 2 120‑220g/L的水溶液，工作温度为10‑35℃，电流密度25‑50A/dm，电沉积时间3‑8s。 [0016] 进一步，所述粗化液中还包含0.05‑5g/L的添加剂A以及20‑80ppm Cl‑； [0017] 所述添加剂A的结构式为YnXM12O40·nH2O或YnX2M18O62·nH2O，其中Y为H+、Na+、Cu2+中的任一种,X为P、Si、Ge、As中的任一种，M为Mo、W、V、Cr、Nb中的任一种。 [0018] 进一步，步骤(3)中，所述固化液为含CuSO4 62.5‑112.5g/L，H2SO4120‑220g/L的水2 溶液，工作温度为35‑55℃，电流密度为10‑25A/dm，电沉积时间为2‑6s。 [0019] 进一步，所述固化液中还包含0.02‑0.2g/L的添加剂B以及20‑80ppm Cl‑； [0020] 所述添加剂B为半胱氨酸、蛋氨酸中的任一种或两种。 [0021] 进一步，所述硅烷偶联剂为3‑氨丙基三甲氧基硅烷，3‑氨丙基三乙氧基硅烷，3‑氨丙基甲基二乙氧基硅烷，3‑(2,3‑环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷，3‑(2,3‑环氧丙氧)丙基三乙氧基硅烷，3‑(2,3‑环氧丙氧)丙基甲基二甲氧基硅烷，3‑(2,3‑环氧丙氧)丙基甲基二乙氧基硅烷，3‑(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷，3‑(甲基丙烯酰氧)丙基三乙氧基硅烷，乙烯基三甲基硅烷，乙烯基三乙氧基硅烷中的任一种或多种。 [0022] 本发明的实施方式还公开了由上述电解铜箔表面处理工艺制备得到的HVLP铜箔产品。 [0023] 本发明的实施方式还公开了上述HVLP铜箔产品在高速讯号传输上的应用。 [0024] 与现有技术相比，本发明具有如下技术效果： [0025] 本发明开发了一种高速讯号传输用电解铜箔表面处理工艺，采用该处理工艺，可以调控铜瘤形貌，在平滑铜箔表面制备出具有低粗糙度、高比表面积、均匀分布的铜瘤形貌，铜瘤粒径可以达到30‑200nm，可以保证电解铜箔与树脂结合的可靠性，形成良好的结合力，满足5G信号下传输频率高、速度快、损耗低的性能要求。附图说明 [0026] 图1示出本发明表面处理前的铜箔表面SEM图； [0027] 图2示出本发明表面处理后的铜箔表面SEM图。 具体实施方式[0028] 以下由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。虽然本发明的描述将结合较佳实施例一起介绍，但这并不代表此发明的特征仅限于该实施方式。恰恰相反，结合实施方式作发明介绍的目的是为了覆盖基于本发明的权利要求而有可能延伸出的其它选择或改造。为了提供对本发明的深度了解，以下描述中将包含许多具体的细节。本发明也可以不使用这些细节实施。此外，为了避免混乱或模糊本发明的重点，有些具体细节将在描述中被省略。需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。 [0029] 实施例1 [0030] 该实施例的电解铜箔表面处理工艺，包括以下工艺流程：酸洗‑粗化‑固化‑合金化‑镀铬‑浸涂硅烷偶联剂； [0031] 以18μm双面光铜箔为生箔，进行表面处理，具体工艺如下： [0032] (1)酸洗：H2SO4 160g/L的纯水溶液，将铜箔于30℃下在酸洗液中浸4s； [0033] (2)粗化：纯水溶液含CuSO4 55g/L，CoSO4 2g/L，H2SO4 200g/L，H4PMo11VO40·30H2O ‑ 24g/L，Cl40ppm，电沉积工艺为：温度30℃，电流密度45A/dm，电沉积时间5s； [0034] (3)固化：纯水溶液含CuSO4 65g/L，H2SO4 200g/L，半胱氨酸0.08g/L，Cl‑60ppm，电2 沉积工艺为：温度46℃，电流密度16A/dm，电沉积时间4s； [0035] (4)合金化：纯水溶液中含NiSO4 1.6g/L,ZnSO4 2.6g/L,Na2MoO4 2g/L,柠檬酸钠2 80g/L，PH 5.0，电沉积工艺为：温度38℃，电流密度2.5A/dm，电沉积时间6s； [0036] (5)镀铬：纯水溶液中CrO3 4g/L，PH 12.6，电沉积工艺为：温度26℃，电流密度2A/2 dm，电沉积时间6s； [0038] 实施例2 [0039] 该实施例的电解铜箔表面处理工艺，包括以下工艺流程：酸洗‑粗化‑固化‑合金化‑镀铬‑浸涂硅烷偶联剂； [0040] 以18μm双面光铜箔为生箔，进行表面处理，具体工艺如下： [0041] (1)酸洗：H2SO4 80g/L的纯水溶液，将铜箔于35℃下在酸洗液中浸8s； [0042] (2)粗化：纯水溶液含CuSO4 22.5g/L，CoSO4 5g/L，H2SO4 150g/L，H4PMo11VO40·‑ 230H2O 0.1g/L，Cl20ppm，电沉积工艺为：温度15℃，电流密度26A/dm，电沉积时间8s； [0043] (3)固化：纯水溶液含CuSO4 100g/L，H2SO4 150g/L，蛋氨酸0.18g/L，Cl‑60ppm，电2 沉积工艺为：温度50℃，电流密度25A/dm，电沉积时间2s； [0044] (4)合金化：纯水溶液中含NiSO4 3g/L,ZnSO4 1.6g/L,Na2MoO4 0.4g/L,柠檬酸钠2 60g/L，PH 3.5，电沉积工艺为温度48℃，电流密度5A/dm，电沉积时间4s； [0045] (5)镀铬：纯水溶液中CrO3 2g/L，PH 12.0，电沉积工艺为温度32℃，电流密度6A/2 dm，电沉积时间4s； [0046] (6)浸涂硅烷偶联剂：纯水溶液中含1.6g/L的3‑(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷，待硅烷偶联剂水解均匀后，将铜箔的粗化处理面在20℃下浸涂5s。 [0047] 实施例3 [0048] 该实施例的电解铜箔表面处理工艺，包括以下工艺流程：酸洗‑粗化‑固化‑合金化‑镀铬‑浸涂硅烷偶联剂； [0049] 以18μm双面光铜箔为生箔，进行表面处理，具体工艺如下： [0050] (1)酸洗：H2SO4 120g/L的纯水溶液，将铜箔23℃下在酸洗液中浸8s； [0051] (2)粗化：纯水溶液含CuSO4 42.5g/L，CoSO4 3g/L，H2SO4 120g/L，Na3PMo12O40·‑ 26H2O 0.5g/L，Cl80ppm，电沉积工艺为：温度20℃，电流密度35A/dm，电沉积时间4s； [0052] (3)固化：纯水溶液含CuSO4 87.5g/L，H2SO4 120g/L，半胱氨酸0.08g/L，蛋氨酸‑ 20.08g/L，Cl30ppm，电沉积工艺为：温度36℃，电流密度14A/dm，电沉积时间6s； [0053] (4)合金化：纯水溶液中含NiSO4 1g/L,ZnSO4 3g/L,Na2MoO4 1.6g/L,柠檬酸钠2 60g/L，PH 6.0，电沉积工艺为温度32℃，电流密度0.5A/dm，电沉积时间10s； [0054] (5)镀铬：纯水溶液中CrO3 1.6g/L，PH 10.5，电沉积工艺为温度30℃，电流密度2 3A/dm，电沉积时间8s； [0055] (6)浸涂硅烷偶联剂：纯水溶液中含10g/L的3‑(2,3‑环氧丙氧)丙基三乙氧基硅烷，待硅烷偶联剂水解均匀后，将铜箔的粗化处理面在32℃下浸涂3s。 [0056] 实施例4 [0057] 该实施例的电解铜箔表面处理工艺，包括以下工艺流程：酸洗‑粗化‑固化‑合金化‑镀铬‑浸涂硅烷偶联剂； [0058] 以18μm双面光铜箔为生箔，进行表面处理。具体工艺如下： [0059] (1)酸洗：H2SO4 150g/L的纯水溶液，将铜箔32℃下在酸洗液中浸5s； [0060] (2)粗化：纯水溶液含CuSO4 32.5g/L，CoSO4 4g/L，H2SO4 160g/L，H6P2W9Mo9O62·‑ 230H2O 3.5g/L，Cl30ppm，电沉积工艺为：温度32℃，电流密度32A/dm，电沉积时间3s； [0061] (3)固化：纯水溶液含CuSO4 75g/L，H2SO4 160g/L，蛋氨酸0.1g/L，Cl‑30ppm，电沉2 积工艺为：温度40℃，电流密度20A/dm ,电沉积时间3s； [0062] (4)合金化：纯水溶液中含NiSO4 2.8g/L,ZnSO4 2g/L,Na2MoO4 1.2g/L,柠檬酸钠2 60g/L，PH 4.2，电沉积工艺为温度46℃，电流密度1A/dm，电沉积时间8s； [0063] (5)镀铬：纯水溶液中CrO3 1g/L，PH 12.6，电沉积工艺为温度26℃，电流密度3A/2 dm，电沉积时间6s； [0064] (6)浸涂硅烷偶联剂：纯水溶液中含5g/L的乙烯基三乙氧基硅烷，待硅烷偶联剂水解均匀后，将铜箔的粗化处理面在25℃下浸涂2s。 [0065] 实施例5 [0066] 该实施例的电解铜箔表面处理工艺，包括以下工艺流程：酸洗‑粗化‑固化‑粗化‑固化‑合金化‑镀铬‑浸涂硅烷偶联剂； [0067] 以18μm双面光铜箔为生箔，进行表面处理，具体工艺如下： [0068] (1)酸洗：H2SO4 150g/L的纯水溶液，将铜箔32℃下在酸洗液中浸5s； [0069] (2)粗化：纯水溶液含CuSO4 32.5g/L，CoSO4 4g/L，H2SO4 160g/L，H6P2W9Mo9O62·‑ 230H2O 3.5g/L，Cl30ppm，电沉积工艺为：温度32℃，电流密度32A/dm，电沉积时间3s； [0070] (3)固化：纯水溶液含CuSO4 75g/L，H2SO4 160g/L，蛋氨酸0.1g/L，Cl‑30ppm，电沉2 积工艺为：温度40℃，电流密度20A/dm，电沉积时间3s； [0071] (4)合金化：纯水溶液中含NiSO4 2.8g/L,ZnSO4 2g/L,Na2MoO4 1.2g/L,柠檬酸钠2 60g/L，PH 4.2，电沉积工艺为温度46℃，电流密度1A/dm，电沉积时间8s； [0072] (5)镀铬：纯水溶液中CrO3 1g/L，PH 12.6，电沉积工艺为温度26℃，电流密度3A/2 dm，电沉积时间6s； [0073] (6)浸涂硅烷偶联剂：纯水溶液中含5g/L的乙烯基三乙氧基硅烷，待硅烷偶联剂水解均匀后，将铜箔的粗化处理面在25℃下浸涂2s。 [0074] 实施例6 [0075] 该实施例的电解铜箔表面处理工艺，包括以下工艺流程：酸洗‑粗化‑固化‑粗化‑固化‑粗化‑固化‑合金化‑镀铬‑浸涂硅烷偶联剂； [0076] 以18μm双面光铜箔为生箔，进行表面处理，具体工艺如下： [0077] (1)酸洗：H2SO4 150g/L的纯水溶液，将铜箔32℃下在酸洗液中浸5s； [0078] (2)粗化：纯水溶液含CuSO4 32.5g/L，CoSO4 4g/L，H2SO4 160g/L，H6P2W9Mo9O62·‑ 230H2O 3.5g/L，Cl30ppm，电沉积工艺为：温度32℃，电流密度32A/dm，电沉积时间3s； [0079] (3)固化：纯水溶液含CuSO4 75g/L，H2SO4 160g/L，蛋氨酸0.1g/L，Cl‑30ppm，电沉2 积工艺为：温度40℃，电流密度20A/dm ,电沉积时间3s； [0080] (4)合金化：纯水溶液中含NiSO4 2.8g/L,ZnSO4 2g/L,Na2MoO4 1.2g/L,柠檬酸钠2 60g/L，PH 4.2，电沉积工艺为温度46℃，电流密度1A/dm ,电沉积时间8s。 [0081] (5)镀铬：纯水溶液中CrO3 1g/L，PH 12.6，电沉积工艺为温度26℃，电流密度3A/2 dm，电沉积时间6s； [0082] (6)浸涂硅烷偶联剂：纯水溶液中含5g/L的乙烯基三乙氧基硅烷，待硅烷偶联剂水解均匀后，将铜箔的粗化处理面在25℃下浸涂2s。 [0083] 对比例1 [0084] 对比例1的电解铜箔表面处理工艺，包括以下工艺流程：酸洗‑粗化‑固化‑镀铬‑浸涂硅烷偶联剂； [0085] 以18μm双面光铜箔为生箔，进行表面处理，具体工艺如下： [0086] (1)酸洗：H2SO4 120g/L的纯水溶液，将铜箔23℃下在酸洗液中浸8s； [0087] (2)粗化：纯水溶液含CuSO4 42.5g/L，CoSO4 3g/L，H2SO4 120g/L，Na3PMo12O40·‑ 26H2O 0.5g/L，Cl80ppm，电沉积工艺为：温度20℃，电流密度35A/dm ,电沉积时间4s； [0088] (3)固化：纯水溶液含CuSO4 87.5g/L，H2SO4 120g/L，半胱氨酸0.08g/L，蛋氨酸‑ 20.08g/L，Cl30ppm，电沉积工艺为：温度36℃，电流密度14A/dm ,电沉积时间6s； [0089] (4)镀铬：纯水溶液中CrO3 1.6g/L，PH 10.5，电沉积工艺为温度30℃，电流密度2 3A/dm，电沉积时间8s； [0090] (5)浸涂硅烷偶联剂：纯水溶液中含10g/L的3‑(2,3‑环氧丙氧)丙基三乙氧基硅烷，待硅烷偶联剂水解均匀后，将铜箔的粗化处理面在32℃下浸涂3s。 [0091] 对比例2 [0092] 对比例2的电解铜箔表面处理工艺，包括以下工艺流程：酸洗‑粗化‑固化‑合金化‑浸涂硅烷偶联剂； [0093] 以18μm双面光铜箔为生箔，进行表面处理，具体工艺如下： [0094] (1)酸洗：H2SO4 120g/L的纯水溶液，将铜箔23℃下在酸洗液中浸8s； [0095] (2)粗化：纯水溶液含CuSO4 42.5g/L，CoSO4 3g/L，H2SO4 120g/L，Na3PMo12O40·‑ 26H2O 0.5g/L，Cl80ppm，电沉积工艺为：温度20℃，电流密度35A/dm ,电沉积时间4s； [0096] (3)固化：纯水溶液含CuSO4 87.5g/L，H2SO4 120g/L，半胱氨酸0.08g/L，蛋氨酸‑ 20.08g/L，Cl30ppm，电沉积工艺为：温度36℃，电流密度14A/dm ,电沉积时间6s； [0097] (4)合金化：纯水溶液中含NiSO4 1g/L,ZnSO4 3g/L,Na2MoO4 1.6g/L,柠檬酸钠2 60g/L,PH 6.0，电沉积工艺为温度32℃，电流密度0.5A/dm ,电沉积时间10s； [0098] (5)浸涂硅烷偶联剂：纯水溶液中含10g/L的3‑(2,3‑环氧丙氧)丙基三乙氧基硅烷，待硅烷偶联剂水解均匀后，将铜箔的粗化处理面在32℃下浸涂3s。 [0099] 对比例3 [0100] 对比例3的电解铜箔表面处理工艺，包括以下工艺流程：酸洗‑粗化‑固化‑合金化‑镀铬； [0101] 以18μm双面光铜箔为生箔，进行表面处理，具体工艺如下： [0102] (1)酸洗：H2SO4 120g/L的纯水溶液，将铜箔23℃下在酸洗液中浸8s； [0103] (2)粗化：纯水溶液含CuSO4 42.5g/L，CoSO4 3g/L，H2SO4 120g/L，Na3PMo12O40·‑ 26H2O 0.5g/L，Cl80ppm，电沉积工艺为：温度20℃，电流密度35A/dm ,电沉积时间4s； [0104] (3)固化：纯水溶液含CuSO4 87.5g/L，H2SO4 120g/L，半胱氨酸0.08g/L，蛋氨酸‑ 20.08g/L，Cl30ppm，电沉积工艺为：温度36℃，电流密度14A/dm ,电沉积时间6s； [0105] (4)合金化：纯水溶液中含NiSO4 1g/L,ZnSO4 3g/L,Na2MoO4 1.6g/L,柠檬酸钠2 60g/L,PH 6.0，电沉积工艺为温度32℃，电流密度0.5A/dm，电沉积时间10s； [0106] (5)镀铬：纯水溶液中CrO3 1.6g/L，PH 10.5，电沉积工艺为温度30℃，电流密度2 3A/dm，电沉积时间8s。 [0107] 对比例4 [0108] 对比例4的电解铜箔表面处理工艺，包括以下工艺流程：酸洗‑粗化‑固化； [0109] 以18μm双面光铜箔为生箔，进行表面处理，具体工艺如下： [0110] (1)酸洗：H2SO4 120g/L的纯水溶液，将铜箔23℃下在酸洗液中浸8s； [0111] (2)粗化：纯水溶液含CuSO4 42.5g/L，CoSO4 3g/L，H2SO4 120g/L，Na3PMo12O40·‑ 26H2O 0.5g/L，Cl80ppm，电沉积工艺为：温度20℃，电流密度35A/dm ,电沉积时间4s； [0112] (3)固化：纯水溶液含CuSO4 87.5g/L，H2SO4 120g/L，半胱氨酸0.08g/L，蛋氨酸‑ 20.08g/L，Cl30ppm，电沉积工艺为：温度36℃，电流密度14A/dm ,电沉积时间6s。 [0114] 表1 [0115]编号 线粗糙度Rz 表面积比 实施例1样品 0.71μm 1.092 实施例2样品 0.92μm 1.165 实施例3样品 1.34μm 1.367 实施例4样品 0.83μm 1.106 实施例5样品 1.426μm 1.307 实施例6样品 1.874μm 1.521 对比例1样品 1.32μm 1.362 对比例2样品 1.38μm 1.372 对比例3样品 1.36μm 1.365 对比例4样品 1.35μm 1.370 [0117] 表2 [0118]编号 剥离强度 实施例1样品 0.76N/mm 实施例2样品 1.03N/mm 实施例3样品 1.26N/mm 实施例4样品 0.78N/mm 实施例5样品 1.23N/mm 实施例6样品 1.42N/mm 对比例1样品 0.74N/mm 对比例2样品 0.92N/mm 对比例3样品 0.89N/mm 对比例4样品 0.53N/mm [0119] 通过表1可以看出，采用双毛铜箔进行表面处理后可制备出具有低粗糙度，较高比表面积的高速讯号传输用铜箔。表2数据可以看出，采用本专利处理工艺流程制备铜箔样品表面粗糙度Rz在降到2.0μm以下甚至1.0μm以下时，依靠优异的铜瘤分布和表面积比，其与FR‑4压板后依然具有相当不错的结合力。与实施例3相比，对比例1‑4分别缺少“合金化，镀铬，浸涂硅烷偶联剂，合金化‑镀铬‑硅烷偶联剂”工艺步骤，可以看出对比例1‑4铜箔样品与实施例3铜箔样品在粗糙度、表面积比基本一致的情况下，其与FR‑4压板的结合力明显降低，对比例4铜箔样品板材结合力甚至降到0.53N/mm，下降幅度达58％。 [0120] 综上，本专利所要保护的铜箔表面处理工艺可以在满足高速讯号传输的基础上，同时具有稳定可靠的板材结合力。 [0121] 虽然通过参照本发明的某些优选实施方式，已经对本发明进行了图示和描述，但本领域的普通技术人员应该明白，以上内容是结合具体的实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。本领域技术人员可以在形式上和细节上对其作各种改变，包括做出若干简单推演或替换，而不偏离本发明的精神和范围。 |
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