[0001] 本实用新型发明涉及光伏电池技术领域的一种P型单晶硅电池。

[0002] 太阳能作为可再生能源具有取之不尽、用之不竭、绿色无污染等优点，太阳能电池作为一种直接将太阳能转换为电能的装置，近年来得到了大力发展。高效晶体硅太阳电池的技术发展方向是低成本、高效率、高稳定性，太阳能电池的种类繁多，具体包括单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、硅异质结太阳能电池、非晶硅薄膜太阳能电池、砷化镓太阳能电池、铜铟镓硒系太阳能电池、碲化镉太阳能电池、染料敏化电池、有机太阳能电池、有机无机杂化太阳能电池、钙钛矿太阳能电池等种类的太阳能池。其中，在硅异质结太阳能电池的发展历程中，通常是改善硅基底的掺杂类型、硅基底的表面形貌以及电池的具体结构等，以提高硅异质结太阳能电池的光电转换效率。

[0003] 本实用新型发明的目的在于提供一种高光电转换效率P型单晶硅电池。

[0004] 本实用新型是通过以下技术方案实现的：

[0005] 一一种P型单晶硅电池，包括P型单晶硅片，其特征在于：所述P型单晶硅片的表面形成纳米绒面结构，在P型单晶硅片的正面形成发射极，P型单晶硅片的背面依次设置本征非晶硅层、P型非晶硅层、透明导电层和电极，所述P型单晶硅片进行甲基化处理，P型单晶硅片的上下表面形成Si‑CH3键；P型非晶硅层上沉积透明导电层，透明导电层上沉积电极；对上述技术方案做进一步的说明：所述透明导电层的厚度为300‑500纳米，透明导电层的材质为AZO、ITO、FTO、石墨烯、银纳米线以及碳纳米管中的一种或多种；对上述技术方案做进一步的说明：所述电极厚度为400‑800纳米，电极的材质为银、铜、金、钛、钯、铝中的一种或多种；对上述技术方案做进一步的说明：所述电极通过丝网印刷在P型单晶硅片上形成金属电极。

[0006] 本实用新型发明具有提高P型单晶硅光伏电池的光电转换效率和电池的稳定性等特点。附图说明

[0007] 图1为P型单晶硅电池的结构图。

[0008] 图中：P型单晶硅片1、本征非晶硅层2、P型非晶硅层3、透明导电层4、电极5和发射极6。

[0009] 下面结合附图和具体实施例对本实用新型发明作进一步的说明：

[0010] 如图所示为P型单晶硅电池的结构图，包括P型单晶硅片1、本征非晶硅层2、P型非晶硅层3、透明导电层4、电极5和发射极6。

[0011] 为提高太阳电池转换效率问题，本发明提供一种P型单晶硅太阳电池的结构，在P型单晶硅表面形成纳米绒面结构；在硅片的正面形成发射极，背面依次设置本征非晶硅层、P型非晶硅层、透明导电层和电极。

[0012] 实施例

[0013] 具体实施步骤：

[0014] 1)在P型单晶硅片的表面形成纳米绒面结构；

[0015] 2)在P型单晶硅片的正面形成发射极；

[0016] 3)采用湿法刻蚀去除硅片上的磷硅玻璃并抛光硅片的背面；

[0017] 4)着对P型单晶硅片进行甲基化处理，在P型单晶硅片的上下表面形成Si‑CH3键，将P型单晶硅片在HF溶液中处理5分钟，接着将该P型单晶硅片浸入饱和五氯化磷的氯苯溶液中并在100℃下保持3小时，然后将该P型单晶硅片浸入甲基氯化镁的四氢呋喃溶液中并在80℃下保持9小时，最后清洗该P型单晶硅片；

[0018] 5)在P型单晶硅片的背面依次沉积本征非晶硅层、P型非晶硅层，本征非晶硅层的厚度为3纳米，P型非晶硅层2纳米；

[0019] 6)在所述P型非晶硅层上沉积透明导电层，透明导电层的厚度为400纳米，透明导电层的材质为AZO、ITO、FTO、石墨烯、银纳米线以及碳纳米管中的多种；

[0020] 7)在透明导电层上沉积电极，电极为铜、金、铝的叠层。

[0021] 经测试该P型单晶硅光伏电池的光电转换效率为20.1％。

[0022] 上述为本实用新型的优选技术方案之一，本领域的技术人员可以对发明进行各种改动和变型，在不脱离本发明的精神和范围内的修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内。