1.一种采用薄片绝缘热电偶的切削温度测试方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
步骤S1：选用金属薄片热电偶，将热电偶的第一金属薄片和第二金属薄片的四个侧面进行抛光处理；
步骤S2：在第一金属薄片和第二金属薄片的四个侧面上通过薄膜沉积方式镀一层绝缘薄膜；
步骤S3：镀膜后的第一金属薄片、第二金属薄片分别作为热电偶的正极和负极，分别通过导线与热电偶测温采集卡进行连接；
步骤S4：将工件切割成第一工件和第二工件，镀膜后的第一金属薄片与第二金属薄片平行贴合，第一工件和第二工件夹紧热电偶的第一金属薄片与第二金属薄片，金属薄片垂直于工件加工方向并凸出工件加工表面，绝缘薄膜将第一金属薄片、第二金属薄片与工件进行绝缘；
步骤S5：加工工件时，切削刀具将工件上表面凸出的热电偶金属薄片连同工件材料切除，在切削刀具作用下，工件材料与金属薄片发生塑性变形，第一金属薄片与第二金属薄片粘接在一起，形成测温结点，热电偶测温采集卡测量金属结点之间的电势差，得到工件加工区域温度值。
2.根据权利要求1所述的采用薄片绝缘热电偶的切削温度测试方法，其特征在于，所述步骤S1中的第一金属薄片和第二金属薄片的材料符合IEC国际标准，分度号及材料为S型铂铑‑纯铂、R型铂铑‑纯铂、B型铂铑‑铂铑、K型镍铬‑镍硅、T型纯铜‑铜镍、J型铁‑铜镍、N型镍铬硅‑镍硅、E型镍铬‑铜镍；
所述第一金属薄片和第二金属薄片的厚度为10μm–200μm，宽度为1mm‑5mm。
3.根据权利要求1所述的采用薄片绝缘热电偶的切削温度测试方法，其特征在于，所述步骤S2中的薄膜沉积方式为化学气相沉积或者物理气相沉积；
所述绝缘薄膜为具有绝缘性质的陶瓷氧化物或者金属氧化物。
4.根据权利要求1所述的采用薄片绝缘热电偶的切削温度测试方法，其特征在于，所述步骤S2中的绝缘薄膜的材质为二氧化硅、氧化铝或二氧化钛；
所述绝缘薄膜的厚度为0.1μm–1.5μm。
5.根据权利要求1所述的采用薄片绝缘热电偶的切削温度测试方法，其特征在于，所述步骤S4中的第一工件与第二工件贴合后存在一个从工件加工表面贯穿到工件底面的长方体区域，用于放置薄片热电偶，工件表面矩形贯穿区域的长度不低于金属薄片宽度，矩形贯穿区域的宽度不大于经过镀膜的第一金属薄片和第二金属薄片贴合后的厚度。
6.一种采用薄片绝缘热电偶的切削温度测试系统，其特征在于，所述系统包括如下模块：
模块M1：选用金属薄片热电偶，将热电偶的第一金属薄片和第二金属薄片的四个侧面进行抛光处理；
模块M2：在第一金属薄片和第二金属薄片的四个侧面上通过薄膜沉积方式镀一层绝缘薄膜；
模块M3：镀膜后的第一金属薄片、第二金属薄片分别作为热电偶的正极和负极，分别通过导线与热电偶测温采集卡进行连接；
模块M4：将工件切割成第一工件和第二工件，镀膜后的第一金属薄片与第二金属薄片平行贴合，第一工件和第二工件夹紧热电偶的第一金属薄片与第二金属薄片，金属薄片垂直于工件加工方向并凸出工件加工表面，绝缘薄膜将第一金属薄片、第二金属薄片与工件进行绝缘；
模块M5：加工工件时，切削刀具将工件上表面凸出的热电偶金属薄片连同工件材料切除，在切削刀具作用下，工件材料与金属薄片发生塑性变形，第一金属薄片与第二金属薄片粘接在一起，形成测温结点，热电偶测温采集卡测量金属结点之间的电势差，得到工件加工区域温度值。
7.根据权利要求6所述的采用薄片绝缘热电偶的切削温度测试系统，其特征在于，所述模块M1中的第一金属薄片和第二金属薄片的材料符合IEC国际标准，分度号及材料为S型铂铑‑纯铂、R型铂铑‑纯铂、B型铂铑‑铂铑、K型镍铬‑镍硅、T型纯铜‑铜镍、J型铁‑铜镍、N型镍铬硅‑镍硅、E型镍铬‑铜镍；
所述第一金属薄片和第二金属薄片的厚度为10μm–200μm，宽度为1mm‑5mm。
8.根据权利要求6所述的采用薄片绝缘热电偶的切削温度测试系统，其特征在于，所述模块M2中的薄膜沉积方式为化学气相沉积或者物理气相沉积；
所述绝缘薄膜为具有绝缘性质的陶瓷氧化物或者金属氧化物。
9.根据权利要求6所述的采用薄片绝缘热电偶的切削温度测试系统，其特征在于，所述模块M2中的绝缘薄膜的材质为二氧化硅、氧化铝或二氧化钛；
所述绝缘薄膜的厚度为0.1μm–1.5μm。
10.根据权利要求6所述的采用薄片绝缘热电偶的切削温度测试系统，其特征在于，所述模块M4中的第一工件与第二工件贴合后存在一个从工件加工表面贯穿到工件底面的长方体区域，用于放置薄片热电偶，工件表面矩形贯穿区域的长度不低于金属薄片宽度，矩形贯穿区域的宽度不大于经过镀膜的第一金属薄片和第二金属薄片贴合后的厚度。