1.一种半导体处理设备，其特征在于，包括：
腔室本体，包括相互连通的上腔体和下腔体，所述上腔体支撑在所述下腔体上；
承载装置，设置于所述下腔体中，用于承载晶圆；
线圈组件，环绕所述上腔体设置，用于将通入所述上腔体内的工艺气体激发形成等离子体；
环形磁性组件，环绕所述线圈组件设置，其中，所述环形磁性组件的两个磁极沿竖直方向设置；
旋转磁铁组件，设置于所述上腔体的上方，并绕所述上腔体的中心轴旋转，所述旋转磁铁组件的两个磁极沿竖直方向设置。
2.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述环形磁性组件包括多个磁铁，所述磁铁环绕所述线圈组件均匀分布，并且所述磁铁的两个磁极沿竖直方向设置。
3.根据权利要求2所述的半导体处理设备，其特征在于，所述磁铁为永磁铁或者电磁铁。
4.根据权利要求3所述的半导体处理设备，其特征在于，所述永磁铁包括：
支撑部，支撑在所述下腔体上；
至少一个承载部，由所述支撑部的侧面向所述上腔体的一侧延伸，所述承载部用于承载所述线圈组件。
5.根据权利要求3所述的半导体处理设备，其特征在于，还包括支撑在所述下腔体上的支架，所述线圈组件设置在所述支架上；
所述永磁铁为磁柱，所述磁柱设置于所述支架与所述上腔体之间。
6.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述旋转磁铁组件包括：
转轴，设置于所述上腔体的顶面，并与所述上腔体同轴设置；
第一旋转磁铁，与所述转轴连接，并正对所述上腔体的顶面边缘，并且所述转轴转动时，带动所述第一旋转磁铁做旋转运动；所述第一旋转磁铁的两个磁极沿竖直方向设置。
7.根据权利要求6所述的半导体处理设备，其特征在于，所述旋转磁铁组件还包括：
至少一个配重件，分别与所述转轴连接，用于将所述旋转磁铁组件的重心调整至所述转轴上，并且所述转轴转动时，带动所述配重件做旋转运动。
8.根据权利要求7所述的半导体处理设备，其特征在于，所述配重件中的一个或全部为第二旋转磁铁，其中，所述第二旋转磁铁的两个磁极沿竖直方向设置。
9.根据权利要求1‑8所述的半导体处理设备，其特征在于，还包括设置于所述上腔体和所述下腔体之间的筛网，所述上腔体和所述下腔体通过所述筛网相互连通，所述筛网用于过滤所述等离子体中的离子。
10.根据权利要求9所述的半导体处理设备，其特征在于，所述下腔体包括相对设置的顶壁、第一底壁以及连接所述顶壁和所述第一底壁的第一环形侧壁，所述顶壁设有开口；
所述筛网封盖在所述开口处；
所述上腔体罩设于所述开口的上方，并支撑在所述顶壁上；
所述半导体处理设备还包括上屏蔽罩和下屏蔽罩；
所述上屏蔽罩包括：
环形支撑板，支撑于所述顶壁上；
第二环形侧壁，由所述环形支撑板的内圈向下延伸，并且所述第二环形侧壁位于所述开口内；
所述下屏蔽罩包括：
第二底壁，所述承载装置设置于所述第二底壁上；
第三环形侧壁，由所述第二底壁的边缘向上延伸，并套设在所述第二环形侧壁的外侧，所述第三环形侧壁和所述第二环形侧壁之间设有环形间隙，并且所述第三环形侧壁的端面与所述顶壁间隔设置。