1.一种SiC吸‑透叠层吸波涂层的制备方法，其特征在于它是按以下步骤进行的：
一、将钴氧化物、硅粉、二氧化硅粉及碳粉混合，得到混合物；
二、在惰性气氛下，将混合物升温至900℃～1100℃，并在温度为900℃～1100℃的条件下，保温20min～60min，再在惰性气氛下，升温至1300℃～1600℃，并在温度为1300℃～
1600℃的条件下，保温0.5h～2h，然后在惰性气氛下冷却，最后高温除碳，得到改性碳化硅粉末；
三、按照质量份数称取25份～35份改性碳化硅粉末、40份～80份无机胶黏剂及0份～30份溶胶并混合均匀，得到涂料Ⅰ；
四、按照质量份数称取5份～20份改性碳化硅粉末、55份～90份无机胶黏剂及0份～40份溶胶并混合均匀，得到涂料Ⅱ；
五、将涂料Ⅰ、涂料Ⅱ及二次胶依次涂覆于基板上，得到SiC吸‑透叠层吸波涂层。
2.根据权利要求1所述的一种SiC吸‑透叠层吸波涂层的制备方法，其特征在于步骤一中所述的钴氧化物与硅粉的摩尔比为(0.2～1):1；步骤一中所述的硅粉与二氧化硅粉的摩尔比为1:(1～2)；步骤一中所述的硅粉与碳粉的摩尔比为1:(2～4)。
3.根据权利要求1所述的一种SiC吸‑透叠层吸波涂层的制备方法，其特征在于步骤一中所述的钴氧化物为氧化钴或四氧化三钴。
4.根据权利要求1所述的一种SiC吸‑透叠层吸波涂层的制备方法，其特征在于步骤二中在惰性气氛下，先在80min～120min内升温至400℃～600℃，再在20min～40min内升温至
700℃～800℃，然后在30min～50min内升温至900℃～1100℃；步骤二中在惰性气氛下，在
200min～400min内升温至1300℃～1600℃。
5.根据权利要求1所述的一种SiC吸‑透叠层吸波涂层的制备方法，其特征在于步骤二中冷却具体是在惰性气氛下，在200min～400min内降温至900℃～1100℃，再在30min～
50min内降温至700℃～800℃，然后在20min～40min内降温至400℃～600℃，最后在80min～120min内降温至室温。
6.根据权利要求1所述的一种SiC吸‑透叠层吸波涂层的制备方法，其特征在于步骤二中所述的高温除碳具体是按以下步骤进行：在空气气氛下，先在30min～60min内升温至450℃～550℃，再在30min～60min内升温至650℃～800℃，并在空气气氛及温度为650℃～800℃的条件下，保温1.5h～3h，然后在空气气氛下，在30min～60min内降温至450℃～550℃，最后在30min～60min内降温至室温。
7.根据权利要求1所述的一种SiC吸‑透叠层吸波涂层的制备方法，其特征在于步骤三及四中所述的无机胶黏剂为质量百分数为40％～80％的磷酸二氢铝水溶液或质量百分数为40％～80％的硅酸钠水溶液；步骤三及四中所述的溶胶为锆溶胶或硅溶胶；步骤五中所述的二次胶为质量分数为60％～90％的磷酸二氢铝水溶液或硅酸钠二次胶；所述的硅酸钠二次胶按质量份数由40份～70份硅酸钠、10份～50份硅溶胶和1份～20份氧化铝混合而成。
8.根据权利要求1所述的一种SiC吸‑透叠层吸波涂层的制备方法，其特征在于步骤五中所述的基板为玻璃片、钛钢、铟钢或石英件。
9.根据权利要求1所述的一种SiC吸‑透叠层吸波涂层的制备方法，其特征在于步骤五中所述的涂料Ⅰ的涂覆厚度为0.5mm～2mm；步骤五中所述的涂料Ⅱ的涂覆厚度为0.5mm～
2mm；步骤五中所述的二次胶的涂覆厚度为0.2mm～2mm。
10.根据权利要求1所述的一种SiC吸‑透叠层吸波涂层的制备方法，其特征在于步骤五中将涂料Ⅰ涂覆于基板上，在温度为25℃～100℃的条件下，干燥5h～12h，得到涂层Ⅰ，然后将涂料Ⅱ涂覆于涂层Ⅰ上，在温度为25℃～100℃的条件下，干燥5h～12h，得到涂层Ⅱ，最后将二次胶涂覆于涂层Ⅱ上，在温度为25℃～100℃的条件下，干燥12h～24h，得到涂层Ⅲ。