专利汇可以提供高能伽玛辐射探测装置专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种高能伽 马 辐射 探测装置,包括监测主机和探测结构;所述探测结构包括依次 信号 连接的 硅 半导体 探测器、电荷灵敏 放大器 和主放大器;所述主放大器与所述检测主机连接。本发明的有益效果如下:采用半导体探测器,相对于GM计数管,其优点是:GM计数管通常需要几百伏 电压 ,本设计不需要高的工作电压,只需2.7V-6.0V电压;GM计数管在高 剂量率 照射时会出现阻塞,输出脉冲 频率 反而很低,难以测量高剂量率,而半导体探测器量程较宽,输出脉冲宽度为20μs,频率可达到5×104/s,避免了高剂量率时的测量阻塞。全固态结构适合在没有空气的 真空 环境工作,同时具备在极端 温度 下工作的能 力 ,对于优化功能设计都大为有利。,下面是高能伽玛辐射探测装置专利的具体信息内容。
1.高能伽马辐射探测装置,其特征在于:包括监测主机和探测结构;所述探测结构包括依次信号连接的硅半导体探测器、电荷灵敏放大器和主放大器;所述主放大器与所述检测主机连接。
2.如权利要求1所述的高能伽马辐射探测装置,其特征在于:经过所述主放大器后的电信号通过数模转换器传输给监测主机。
3.如权利要求1所述的高能伽马辐射探测装置,其特征在于:所述监测主机包括处理器、显示模块、人机交互模块、数据接口电路、数据存储模块、数据传输模块和报警系统;所述显示模块、人机交互模块、数据接口电路、数据存储模块、数据传输模块和报警系统均与所述处理器连接;所述主放大器与所述数据接口电路连接。
4.如权利要求1所述的高能伽马辐射探测装置,其特征在于:所述电荷灵敏放大器的输入极为结型场效应管。
5.如权利要求4所述的高能伽马辐射探测装置,其特征在于:所述电荷灵敏放大器之后设置有极零补偿网络。
6.如权利要求1所述的高能伽马辐射探测装置,其特征在于:每套高能伽马辐射探测装置包括4套探测机构。
7.如权利要求1-6任一所述的高能伽马辐射探测装置,其特征在于:所述硅半导体探测器外层由碳钢包覆,安装于设置在铜皮外壳内的支架上。
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