模块式微波等离子体源
阅读：169发布：2020-05-13
专利汇可以提供模块式微波等离子体源专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且实施方式包括模 块 式 微波 源。在一个实施方式中，模块式微波源包括 电压 控制 电路 、 电压控制 振荡器 ，其中来自该电压控制电路的 输出电压 驱动 电压控制振荡器 中的振荡。模块式微波源也可包括耦接至电压控制振荡器的固态微波放大模块。在一个实施方式中，固态微波放大模块将来自电压控制振荡器的输出放大。模块式微波源也可包括耦接至该固态微波放大模块的施加器(applicator)，其中施加器是介电 谐振器 。，下面是模块式微波等离子体源专利的具体信息内容。
1.一种模块式微波源，包括：
电压控制电路；
电压控制振荡器，其中来自所述电压控制电路的输出电压驱动所述电压控制振荡器中的振荡；
固态微波放大模块，所述固态微波放大模块耦接所述电压控制振荡器，其中所述固态微波放大模块将来自所述电压控制振荡器的输出放大；及
施加器(applicator)，所述施加器耦接至所述固态微波放大模块，其中所述施加器是介电谐振器。
2.根据权利要求1所述的模块式微波源，其中所述固态微波放大模块进一步包括前置放大器、主功率放大器及电源供应器，所述电源供应器电耦接至所述前置放大器和所述主功率放大器。
3.根据权利要求2所述的模块式微波源，其中所述微波放大模块进一步包括移相器。
4.根据权利要求2所述的模块式微波源，其中所述微波放大模块进一步包括循环器，所述循环器沿着介于所述主功率放大器与所述施加器之间的传输路径，其中所述循环器将从所述施加器反射的功率传送到虚拟负载；及反馈线，所述反馈线在所述虚拟负载与所述电压控制电路之间。
5.根据权利要求2所述的模块式微波源，其中所述微波放大模块以脉冲模式操作。
6.根据权利要求1所述的模块式微波源，其中所述介电谐振器包括：
介电谐振腔；
施加器壳体，所述施加器壳体围绕所述介电谐振腔的外侧壁而形成；
单极，所述单极延所述介电谐振器的轴向中心向下延伸且延伸进入通道，所述通道形成于所述介电谐振腔的所述中心之中。
7.根据权利要求6所述的模块式微波源，其中所述介电谐振腔在垂直于所述单极的平面处的横截面是圆形、矩形或对称多边形。
8.根据权利要求6所述的模块式微波源，其中所述介电谐振腔在垂直于所述单极的所有平面处的横截面不是相同的。
9.根据权利要求8所述的模块式微波源，其中所述介电谐振腔在垂直于所述单极的第一平面处的第一横截面是对称多边形，并且其中所述介电谐振腔在垂直于所述单极的第二平面处的第二横截面是圆形的。
10.根据权利要求6所述的模块式微波源，进一步包括阻抗调谐背向短路器(backshort)。
11.一种等离子体处理工具，包括：
处理腔室；及
多个模块式微波源，所述模块式微波源耦接至所述处理腔室，其中所述多个模块式微波源包含：
施加器阵列，其中所述施加器阵列相对于所述处理腔室中的卡盘而定位，一个或多个基板在所述卡盘上被处理；及
微波放大模块阵列，其中各微波放大模块耦接至所述施加器阵列中的不同的施加器。
12.根据权利要求11所述的等离子体处理工具，其中介电板形成所述处理腔室的外壁的一部分，并且其中所述施加器阵列耦接至所述介电板。
13.根据权利要求11所述的等离子体处理工具，其中所述微波放大模块的每一个是可独立控制的。
14.根据权利要求13所述的等离子体处理工具，进一步包括定位在所述施加器之中的多个等离子体传感器。
15.根据权利要求11所述的等离子体处理工具，其中所述施加器阵列中的每个施加器具有对称多边形形状的横截面，并且其中所述施加器阵列中的所述施加器是紧密堆积的。
模块式微波等离子体源
[0001] 相关申请的交叉引用
[0002] 本申请要求主张于2016年8月16日提出的，名称为“MODULAR MICROWAVE PLASMA SOURCE(模块式微波等离子体源)”的第15/283,695号美国非临时专利申请的优先权权益，本申请出于所有目的通过引用的方式将以上美国专利申请并入本文。
技术领域
背景技术
[0004] 等离子体处理广泛地使用于许多不同技术的制造中，如半导体工业中、显示器技术、微机电系统(micro-electro-mechanical system,MEMS)和类似领域的制造中。目前，最常使用的是射频(RF)产生的等离子体。然而，利用微波源产生的等离子体允许更密集的等离子体和/或具有高浓度的受激发中性物种的等离子体。不幸的是，利用微波源产生的等离子体也受其自身的缺点所困扰。
[0005] 典型的微波等离子体系统使用单一的、大型微波辐射源(通常是磁控管)以及用于将微波辐射从磁控管引导至处理腔室的传输路径。对于半导体工业中典型的高功率应用，传输路径是微波波导。使用波导是因为波导的外部被设计成承载微波源的特定频率，微波功率随距离快速衰减。也需要额外的元件，如调谐器、耦合器、模式变压器(mode transformer)和类似元件，以将微波辐射输送到处理腔室。这些元件把构造限制为大型系统(即至少与波导及相关的元件的总和一样大)，并严重地限制了设计。因为等离子体的几何形状类似于波导的形状，使得可产生的等离子体的几何形状受到限制。因此，难以将等离子体的几何形状与正被处理的基板的几何形状相匹配。特别是，在更大基板(如300mm或更大的晶片)的整个表面上产生等离子体的地方难以产生微波等离子体。某些微波产生的等离子体可使用槽线天线以允许微波能量被分布在延伸的表面上。然而，此类系统是复杂的，需要特定的几何形状，且受限于可以耦接至等离子体的功率密度。
[0006] 另外，微波源通常产生不是高度均匀的和/或无法具有空间可调谐密度的等离子体。随着正在处理的基板的尺寸不断增加，变得越来越难以应对边缘效应。此外，无法调谐等离子体限制了修改处理配方来应对接踵而来的基板非均匀性的能力和调整用于处理系统的等离子体密度的能力，在处理系统中需要非均匀性去补偿处理系统的设计(如在某些处理腔室中容许旋转晶圆的非均匀径向速度)。发明内容
[0007] 实施方式包括模块式微波源。在一个实施方式中，模块式微波源包括电压控制电路、电压控制振荡器，其中来自所述电压控制电路的输出电压驱动所述电压控制振荡器中的振荡。模块式微波源也可包括耦接至所述电压控制振荡器的固态微波放大模块。在一个实施方式中，固态微波放大模块将来自所述电压控制振荡器的输出放大。模块式微波源也可包括耦接至所述固态微波放大模块的施加器，其中所述施加器是介电谐振器。
[0008] 额外的实施方式可包括一种等离子体处理工具，包括处理腔室和耦接至处理腔室的多个模块式微波源。多个模块式微波源可包括施加器阵列及微波放大模块阵列，其中所述施加器阵列相对于处理腔室中的卡盘而定位，一个或多个基板在所述卡盘上被处理，其中各微波放大模块耦接至所述施加器阵列中的不同的施加器。
[0009] 以上总结不包括所有实施方式的全面列举。可以预期的是，包含的所有系统和方法可以从上面概述的各实施方式，以及在下文详细说明中公开的并特别是在和本申请一同提交的权利要求书中指出的实施方式的所有合适组合来实施。这些组合具有没有具体记载于上述总结中的特别优点。附图说明
[0010] 图1是根据一实施方式的包括模块式微波等离子体源的等离子体处理工具的示意图。
[0011] 图2是根据一实施方式的固态微波等离子体源的示意方块图。
[0012] 图3A是根据一个实施方式可用于将微波辐射耦合至处理腔室的施加器的截面图示。
[0013] 图3B是根据一实施方式的定位在作为处理腔室的部分的介电片材上施加器阵列的截面图示。
[0014] 图4A是根据一实施方式的可用于将微波辐射耦合至处理腔室的施加器阵列的平面图。
[0015] 图4B是根据额外实施方式的可用于将微波辐射耦合至处理腔室的施加器阵列的平面图。
[0017] 图4D是根据一个实施方式的在多区处理工具的一个区中形成的施加器阵列的平面图。
[0018] 图5绘示了根据一实施方式的可与模块式微波辐射源一起使用的示范性电脑系统。
具体实施方式
[0019] 根据各种实施方式描述包括一个或多个模块式微波等离子体源的装置。在下面的描述中，阐述了许多具体细节，以提供对实施方式的全面理解。显然，熟悉本领域的技术人员可在没有这些具体细节的情况下实施这些实施方式。在其他实例中，为了不必要地混淆实施方式，未详述已知的方面。此外，应理解到，在附图中所示的各种实施方式是说明性表示且不一定按比例绘示。
[0020] 实施方式包括包含了一个或多个微波模块的微波源。根据一个实施方式，每个微波模块包括微波固态电子部分和施加器部分。在一个实施方式中，施加器部分可以是介电谐振器。
[0021] 使用固态电子元件来代替磁控管允许等离子体源的尺寸和复杂性的显著减少。具体来说，固态元件远比上述的磁控管硬件小。另外，使用固态元件允许消除将微波辐射传送到处理腔室所需要的大量波导。相反地，微波辐射可利用同轴电缆传输。波导的消除也允许构造大面积的微波源，其中所形成的等离子体尺寸不受波导的尺寸的限制。相反地，微波模块阵列可依给定的图案(pattern)而构造，允许等离子体是任意大(和任意形状)的形成来匹配任何基板的形状。此外，可选择施加器的横截面形状，使得所述施加器阵列可尽可能紧密地(即紧密堆积阵列)聚集在一起。
[0022] 使用微波模块阵列也通过独立改变每个微波模块的功率设定来在局部改变等离子体密度的能力方面提供更大的灵活性。如此允许在等离子体处理期间进行均匀性最佳化，例如针对晶片边缘效应进行调整，针对接踵而来的晶片非均匀性进行调整，以及针对处理系统的等离子体密度进行调整的能力，在处理系统中需要非均匀性去补偿处理系统的设计(例如在某些处理腔室中容许旋转晶片的非均匀径向速度)。
[0023] 另外的实施方式也可包括一个或多个等离子体监测传感器。此类实施方式提供了一种通过每个施加器局部地量测等离子体密度(或任何其他等离子体性质)的方式，及使用该测量作为反馈回路的一部分来控制施加到每个微波模块的功率的方式。因此，每个微波模块可具有独立的反馈，或者所述阵列中的微波模块的子集可以控制区域进行分组，在该控制区域中反馈回路控制该区域中的微波模块的子集。
[0024] 除了等离子体的增强调谐之外，使用独立微波模块提供了比目前可用的等离子体源更大的功率密度。例如，微波模块可允许比典型RF等离子体处理系统大约五倍或更多倍的功率密度。例如，输入至等离子体增强化学气相沉积工艺的典型功率是约3000W，并且为300mm直径的晶片提供约4W/cm2的功率密度。相反地，根据一个实施方式的微波模块可将
300W功率放大器与4cm直径的施加器一起使用，以提供约24W/cm2的功率密度。
300W功率放大器与4cm直径的施加器一起使用，以提供约24W/cm2的功率密度。
[0025] 现在参照图1，根据一个实施方式，示出了处理工具100的横截面图。处理工具100可以是适合于利用等离子体的任何类型的处理操作的处理工具。例如，等离子体处理工具100可以是用于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、等离子体增强原子层沉积(PEALD)、蚀刻和选择性去除以及等离子体清洁的处理工具。尽管本文详细描述的实施方式是针对等离子体处理工具，但是应当理解，额外的实施方式可包括包含利用微波辐射的任何工具的处理工具100。例如，利用微波辐射但不需要形成等离子体的处理工具100可包括工业加热和/或固化处理工具100。
[0026] 一般来说，实施方式包括处理工具100，处理工具100包含腔室178。在用于等离子体处理的处理工具178中，腔室178可以是真空腔室。真空腔室可包括用于将气体从腔室移除以提供所需真空的泵(未图示)。额外实施方式可包括腔室178，腔室178包含用于提供处理气体进入腔室178的一个或多个气体线170及用于将副产物从腔室178去除的一个或多个排气线172。尽管未图示，但是可以理解的是，处理工具可包括用于将处理气体均匀分配在基板174上方的喷头。
[0027] 在一个实施方式中，基板174可被支撑于卡盘176上。例如，卡盘176可以是任何合适的卡盘，如静电卡盘。卡盘也可包括冷却线和/加热器，以在处理期间为基板174提供温度控制。由于本文所述的微波模块的模块式构造，实施方式允许处理工具100适应任何尺寸的基板174。例如，基板174可以是半导体晶片(如200mm、300mm、450mm或更大)。替代实施方式也包括除了半导体晶片之外的基板174。例如，实施方式可包括经构造以用于处理玻璃基板(如用于显示器技术)的处理工具100。
[0028] 根据一个实施方式，处理工具100包括一个或多个模块式微波源105。模块式微波源105可包括固态微波放大电路130和施加器142。在一个实施方式中，电压控制电路110提供输入电压给电压控制振荡器120，以产生传送到每个模块式微波源105中的固态微波放大电路130的所需频率的微波辐射。在由微波放大电路130处理之后，微波辐射被传送到施加器142。根据一个实施方式，施加器142的阵列140耦接至腔室178，且每个用作用于将微波辐射耦合至腔室178中的处理气体以产生等离子体的天线。
[0029] 现在参照图2，根据一个实施方式，示出了并详尽描述了模块式微波源中的电子元件的示意方块图。如上所述，电压控制电路110提供输入电压给电压控制振荡器120。实施方式可包括约1V至10V之间直流的输入电压。电压控制振荡器120是这样一种电子振荡器：其振荡频率由输入电压控制。根据一个实施方式，来自电压控制电路110的输入电压使得电压控制振荡器120以所需频率振荡。在一个实施方式中，微波辐射可具有约2.3GHz至2.6GHz之间的频率。
[0030] 根据一个实施方式，微波辐射从电压控制振荡器120传送到微波放大电路[0031] 130。在所示的实施方式中，示出了微波放大电路130的一个实例。然而，实施方式可包括任何数目的微波放大电路130的实例。具体来说，微波放大电路130实例的数量可等于施加器142的阵列140中所需的施加器142的数量。如此一来，每个施加器142可耦接至微波放大电路130的不同实例，以提供供应到每个施加器142的功率的独立控制。根据一个实施方式，当超过一个的模块式微波源105用于处理工具100中时，微波放大电路130可包括一个移相器232。当仅使用单一施加器时，可省略移相器232。微波放大电路130也可包括驱动器/前置放大器234，以及各自与电源供应器239耦接的主微波功率放大器236。根据一个实施方式，微波放大电路130可以以脉冲模式操作。例如，微波放大电路130可具有1％至99％之间的占空比。在一个更具体的实施方式中，微波放大电路130可具有约15％至30％之间的占空比。
[0032] 在一个实施方式中，微波辐射可在被放大后被传送到施加器142。然而，被传送到施放器142的功率的一部分可能因为输出阻抗的失配而被反射回来。因此，一些实施方式也包括反馈线286，反馈线286允许反射的功率的位准被反馈到电压控制电路110。可通过使用功率放大器236和施加器142之间的循环器238将反射的功率V反馈位准引导到反馈线286。循环器238将反射的功率引导到虚拟负载282与接地284，其中在虚拟负载282之前，反射的功率V反馈位准被读取。在一个实施方式中，反射的功率V反馈位准可被电压控制电路110使用来调整发送到电压控制振荡器120的输出电压，其接着改变传送到微波放大电路130的微波辐射的输出频率。这样一个反馈回路的存在允许实施方式提供电压控制振荡器120的输入电压的连续控制，并允许减少反射的功率V反馈位准。在一个实施方式中，电压控制振荡器120的反馈控制可允许反射的功率位准小于前向功率的约5％。在一些实施方式中，电压控制振荡器120的反馈控制可以允许反射的功率位准小于前向功率的约2％。因此，实施方式允许耦接至处理腔室178的前向功率的增加的百分比，以及增加耦接至等离子体的可用功率密度。此外，使用反馈线286的阻抗调谐优于在典型槽板天线中的阻抗调谐。在槽板天线中，阻抗调谐涉及移动形成在施加器中的两个介电金属块(dielectric slug)。这涉及施加器中两个单独元件的机械运动，这增加了施加器的复杂性。此外，机械运动可能不如由电压控制振荡器120提供的频率变化精确。
[0033] 现在参考图3A，示出了根据一个实施方式的施加器142的剖面图。在一个实施方式中，微波辐射通过同轴电缆351传送到施加器142，同轴电缆351耦接至轴向延伸穿过施加器142的单极357。单极357也可延伸到通道358中，通道358形成至介电谐振腔353的中心之中。
介电谐振腔353可以是介电材料，如石英、氧化铝、氧化钛或类似物。另外的实施方式也可包括不包含材料的谐振腔353(即，介电谐振腔353可以是空气或真空)。根据一个实施方式，介电谐振器的尺寸被调整，使得介电谐振器支持微波辐射的谐振。一般来说，介电谐振腔353的尺寸取决于用于形成介电谐振腔353的材料的介电常数和微波辐射的频率。例如，具有更高介电常数的材料将允许更小的待被形成的谐振腔353。在介电谐振腔353包括圆形横截面的一个实施方式中，介电谐振腔353的直径可以是约1cm至15cm之间。在一个实施方式中，介电谐振腔353沿着垂直于单极357的平面的横截面可以是任何形状，只要介电谐振腔353的尺寸被调整以足以支持谐振。在图示的实施方式中，沿垂直于单极357的平面的横截面是圆形的，尽管也可使用其他形状，例如多边形(如三角形、矩形等)、对称的多边形(如正方形、五边形、六边形等)、椭圆形或类似的形状。
介电谐振腔353可以是介电材料，如石英、氧化铝、氧化钛或类似物。另外的实施方式也可包括不包含材料的谐振腔353(即，介电谐振腔353可以是空气或真空)。根据一个实施方式，介电谐振器的尺寸被调整，使得介电谐振器支持微波辐射的谐振。一般来说，介电谐振腔353的尺寸取决于用于形成介电谐振腔353的材料的介电常数和微波辐射的频率。例如，具有更高介电常数的材料将允许更小的待被形成的谐振腔353。在介电谐振腔353包括圆形横截面的一个实施方式中，介电谐振腔353的直径可以是约1cm至15cm之间。在一个实施方式中，介电谐振腔353沿着垂直于单极357的平面的横截面可以是任何形状，只要介电谐振腔353的尺寸被调整以足以支持谐振。在图示的实施方式中，沿垂直于单极357的平面的横截面是圆形的，尽管也可使用其他形状，例如多边形(如三角形、矩形等)、对称的多边形(如正方形、五边形、六边形等)、椭圆形或类似的形状。
[0034] 在一个实施方式中，介电谐振腔353在垂直于单极357的所有平面处的横截面可不是相同的。例如，靠近施加器壳体355开口端的底部延伸的横截面比靠近通道358的介电谐振腔的横截面更宽。除了具有不同尺寸的横截面之外，介电谐振腔353可具有不同形状的横截面。例如，靠近通道358的介电谐振腔353的部分可具有圆形形状横截面，而靠近施加器壳体355开口端的介电谐振腔353的部分可以是对称多边形形状(如五边形、六边形等)。然而，可以理解，实施方式也可包括在垂直于单极357的所有平面具有均匀横截面的介电谐振腔353。
[0035] 根据一个实施方式，施加器353也可包括阻抗调谐背向短路器(backshort)356。背向短路器356可以是在施加器壳体355的外表面上方滑动的可移动外壳。当需要对阻抗作调整时，致动器(未图示)可沿施加器壳体355的外表面滑动背向短路器356，以改变背向短路器356表面与介电谐振腔353的顶表面之间的距离D。因此，实施方式提供超过一种的方法以调整系统中阻抗。根据一个实施方式，可将阻抗调谐背向短路器356与以上所述的反馈处理一起使用来应对阻抗失配。或者，可独自使用反馈处理或阻抗调谐背向短路器356来调整阻抗失配。
[0036] 根据一个实施方式，施加器142用作介电天线，其直接将微波电磁场耦合入处理腔室178。进入介电谐振腔353的单极357的特定轴向排列可产生TM01δ模式激发。然而，利用不同施加器的排列可实现不同模式的激发。例如，尽管图3示出了轴向排列，但是应当理解的是，单极357可从其他取向进入介电谐振腔353。在一个此类实施方式中，单极357可横向进入介电谐振腔353(即，穿过介电谐振腔353的侧壁)。
[0037] 现在参照图3B，根据一个实施方式，示出了具有耦接至腔室178施加器142的阵列140的处理工具100的部分。在图示的实施方式中，来自施加器142的微波辐射通过靠近介电板350定位而耦接至腔室178。施加器142靠近介电板350允许微波辐射在介电谐振腔353(在图3B中未图示)中谐振，从而与介电板350耦合，其可接着与腔室中的处理气体耦合以产生等离子体。在一个实施方式中，介电谐振腔353可与介电板350直接接触。在另外的实施方式中，介电谐振腔353可与介电板350的表面间隔开，只要微波辐射仍然可以传送到介电板350即可。
[0038] 根据一个实施方式，施加器142的阵列140可从介电板350移除(如，为了维护，重新排列施加器的阵列以适应具有不同尺寸的基板，或为了任何其他原因)而无需将介电板350从腔室178移除。因此，施加器142可从处理工具100移除而无需释放腔室178中的真空。根据另外的实施方式中，介电板350也可用作气体注入板或喷头。
[0039] 如上所述，施加器140的阵列可经布置使得它们提供任意形状基板174的覆盖。图4A是施加器142的阵列140按照匹配圆形基板174的图案布置的平面图。通过按照大致匹配基板174形状的图案形成多个施加器142，等离子体在基板174的整个表面上变得可调谐。例如，每个施加器142可经控制，使得形成横跨基板174整个表面上具有均匀等离子体密度的等离子体。或者，一个或多个施加器142可经独立地控制，以提供横跨基板174表面可变的等离子体密度。如此一来，可校正存在于基板上的接踵而来的非均匀性。例如，靠近基板174外周的施加器142可经控制以具有不同于靠近基板174中心的施加器的功率密度。
[0040] 在图4A中，阵列140中的施加器142以从基板174中心延伸的一系列的同心环的形式聚集在一起。然而，实施方式不限于此类构造，且可根据处理工具100的需求使用任何合适的间隔和/或图案。此外，实施方式允许施加器142具有如上所述任何对称的横截面。因此，针对施加器所选的横截面形状可经选择以提供增强的堆积效率(packing efficiency)。
[0041] 现在参考图4B，根据一个实施方式，示出了具有非圆形横截面的施加器142的阵列140的平面图。所示的实施方式包括具有六边形横截面的施加器142。使用此类施加器可允许改进堆积效率，因为每个施加器142的周边可几乎完美匹配邻近的施加器142。因此，由于可最小化每个施加器142之间的间隔，因此甚至可进一步增进等离子体的均匀性。尽管图4B绘示邻近施加器142共用侧壁表面，但是应当理解，实施方式也可包括相邻施加器142之间含有间距的非圆形的对称形状的施加器。
[0042] 现在参考图4C，根据一个实施方式，示出施加器142的阵列140的另外的平面示意图。图4C的阵列140实质类似于上面参照图4A所描述的阵列140，除了其也包含了多个传感器490在内。多个传感器提供改善的处理监测功能，该能力可用于提供每个模块式微波源105额外的反馈控制。在一个实施方式中，传感器490可包括一个或多个不同的传感器类型
490，如等离子体密度传感器、等离子体发射传感器或类似传感器。横跨基板174表面定位传感器允许监测处理腔室100给定位置处的等离子体属性。
490，如等离子体密度传感器、等离子体发射传感器或类似传感器。横跨基板174表面定位传感器允许监测处理腔室100给定位置处的等离子体属性。
[0043] 根据一个实施方式，每个施加器142可与不同的传感器490配对。在此类实施方式中，来自每个传感器490的输出可用来为已经与传感器490配对的对应施加器142提供反馈控制。额外的实施方式可包括将每个传感器490与多个施加器142配对。例如，每个传感器490可为定位在传感器490附近的多个施加器142提供反馈控制。在又一个实施方式中，来自多个传感器490的反馈可用作为多入多出(multi-input multi-output,MIMO)控制系统的一部分。在这种实施方式中，每个施加器142可基于来自多个传感器490的反馈作调整。例如，直接相邻于第一施加器142的第一传感器490可被加权，以向第一施加器142提供控制作用(control effort)，第一传感器490向第一施加器142提供的控制作用比由第二传感器
490施加在第一施加器142上的控制作用更大，第二传感器490相较第一传感器490相距第一施加器142更远。
490施加在第一施加器142上的控制作用更大，第二传感器490相较第一传感器490相距第一施加器142更远。
[0044] 现在参照图4D，根据一个实施方式，示出定位在多区处理工具100中的施加器142的阵列140的额外平面示意图。在一个实施方式中，多区处理工具100可包括任何数量的区域。例如，图示的实施方式包括区域4751-475n。每个区域475可经构造以在旋转通过不同区域475的基板174上施行不同的处理操作。如图所示，单一阵列140定位在区域475n中。然而，根据装置的需求，实施方式可包括在不同区域475中的一个或多个中具有施加器142的阵列140的多区处理工具100。由实施方式所提供的等离子体空间可调谐密度允许基板174通过不同区域475时，容许旋转基板174非均匀的径向速度。
[0045] 现在参考图5，根据一个实施方式，图示了处理工具100的示例性计算机系统560的方块图。在一个实施方式中，计算机系统560耦接至处理工具100并控制处理工具100中的处理。计算机系统560可与局域网路(LAN)、内联网、外联网或互联网中的其他机器连接(例如联网连接)。计算机系统560可以在主从网路环境中以服务器或客户端机器的能力操作，或作为点对点(或分散式)网路环境中的同级机器(peer machine)操作。计算机系统560可以是个人计算机(PC)、平板PC、机顶盒(set-top box,STB)、个人数字助理(PDA)、蜂窝电话、网路设备、服务器、网络路由器、交换器或桥接器或者能够执行指定机器执行的特定动作的一组指令(顺序的或者其他方式)的任何机器。此外，尽管仅绘示了单一机器作为计算机系统560，但是术语“机器(machine)”应当理解为包括独立或共同执行一组(或多组)指令来执行本文描述的一个或多个方法的任何机器(如计算机)的集合。
[0046] 计算机系统560可包括具有指令储存于其上的非暂态机器可读取媒体的计算机程式产品或软件522，其可用来编程计算机系统560(或其他电子装置)，以执行根据实施方式的处理。机器可读取媒体包括用于以机器(如计算机)可读取的形式储存或发送信息的任何机制(mechanism)。例如，机器可读取(如计算机可读取)媒体包括机器(如计算机)可读取储存媒体(如只读存储器(“ROM”)、随机存取存储器(“RAM”)、磁碟储存媒体、光储存媒体、闪存装置等)、机器(如计算机)可读取传输媒体(电、光、声或其他传播信号的形式(如红外线信号、数字信号等))等。
[0047] 在一个实施方式中，计算机系统560包括系统处理器502、主存储器504(如只读存储器(ROM)、闪存、动态随机存取存储器(DRAM)，如同步DRAM(SDRAM)或Rambus DRAM(RDRAM)等、静态存储器506(如闪存、静态随机存取存储器(SRAM)等)或辅助存储器518(如数据储存装置)，以上各者经由总线530彼此通信。
[0048] 系统处理器502代表一个或多个通用处理装置，如微系统处理器、中央处理单元或类似处理装置。更具体言之，系统处理器可以是复杂指令集计算(complex instruction set computing,CISC)微系统处理器、精简指令集计算(reduced instruction set computing,RISC)微系统处理器、超长指令集(very long instruction word,VLIW)微系统处理器、执行其他指令集的系统处理器或者执行指令集组合的系统处理器。系统处理器502也可以是一个或多个专用处理装置，如特殊用途集成电路(application specific integrated circuit,ASIC)、现场可编程门阵列(field programmable gate array,FPGA)、数字信号系统处理器(digital signal system processor,DSP)、网络系统处理器或类似装置。系统处理器502经构造以执行用于执行本文描述的操作的处理逻辑526。
[0049] 计算机系统560可进一步包括系统网络接口装置508，其用于与其他装置或机器通信。计算机系统560也可包括影像显示单元510(如液晶显示器(LCD)、发光二极管显示器(LED)或阴极射线管(CRT))、字母数字输入装置512(如键盘)、光标控制装置514(如鼠标)和信号产生装置516(如扬声器)。
[0050] 辅助存储器818可包括机器可存取储存媒体531(或更具体地来说，计算机可读取储存媒体)，执行本文描述的方法与功能中的任意一个或多个的一个或多个指令集(如软件522)储存于机器可存取储存媒体531上。在由计算机系统560执行软件222的器件，软件522也可完全或至少部分地驻留在主存储器504内和/或系统处理器502内，主存储器50和系统处理器502也构成可读取储存媒体。软件522也可进一步经由系统网络接口装置508被发送或接收于网络520上。
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