专利汇可以提供光辅助MBE系统及生长ZnO单晶薄膜的方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种光辅助MBE系统及生长ZnO单晶 薄膜 的方法,属于 半导体 材料与器件领域。该系统包括在生长室(1)上,衬底(3)的对面或 侧壁 上,设置照射衬底(3)的 光源 (5)。该方法的步骤为:1.将清洗过的蓝 宝石 或 石英 衬底传入MBE生长系统,打开光源控制电源(4),使光源点亮,调节控制电源的功率,使衬底到达700-900℃,高温处理20-40分钟,再在400-500℃下, 氧 等离子体 处理20-40分钟;2.在400-500℃下,生长1-4nm的MgO层;3.在700-800℃下, 退火 处理10-30分钟;4.在350-450℃下,生长10-30nm的ZnO过渡层;5.在700-900℃下,氧等离子体气氛下退火10-30分钟;6.在600-700℃下,生长ZnO单晶薄膜。本发明不仅快速升降生长 温度 ,改善粒子迁移能和分子解离能。提高氧化物薄膜生长 质量 。用于在光 电子 器件制备。,下面是光辅助MBE系统及生长ZnO单晶薄膜的方法专利的具体信息内容。
1.光辅助分子束外延系统,其特征在于,在生长室(1)上,衬底(3)的对面或侧壁上, 设置照射衬底(3)的光源(5),光线照射生长面,其发光波长从红外到紫外。
2.根据权利要求1所述光辅助分子束外延系统,其特征在于,照射衬底(3)的光源包 括:高压汞灯、卤素灯、卤钨灯或氙灯的任一种。
3.根据权利要求1所述光辅助分子束外延系统,其特征在于,照射衬底(3)的光源放 置生长室内或室外。
4.用光辅助分子束外延系统生长ZnO单晶薄膜的方法,其特征在于,该方法的步骤为:
步骤1,将清洗过的蓝宝石或石英衬底传入分子束外延生长系统,打开光源控制电源(4), 使光源点亮,调节控制电源的功率,使衬底到达700-900℃,高温处理20-40分钟,再在 400-500℃下,氧等离子体处理20-40分钟;
步骤2,在400-500℃下,生长厚度为1-4nm的MgO柔性层;
步骤3,在700-800℃下,退火处理10-30分钟;
步骤4,在350-450℃下,生长厚度为10-30nm的ZnO过渡层;
步骤5,在700-900℃下,氧等离子体气氛下退火10-30分钟;
步骤6,在600-700℃下,进行外延生长ZnO单晶薄膜。
本发明属于半导体材料与器件及其制备方法领域,特别是涉及一种宽禁带半导体氧化物 薄膜生长的改进分子束外延(MBE、P-MBE、RF-MBE、L-MBE)系统(即光辅助分子束外 延系统)、及其工艺方法和P型掺杂技术。
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