塞贝克系数测量系统
专利汇可以提供塞贝克系数测量系统专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供了一种赛贝克系数测量系统，包括：测试样品平台，用于放置待测样品，并在待测样品两端建立预设的 温度 差，包括：温差加热台，包括温差加热台本体、热端加热柱和冷端加热柱，其中，热端加热柱和冷端加热柱位于温差加热台本体上，两者之间彼此绝热，分别具有各自的加热系统；热端样品放置台和冷端样品放置台，分别位于热端加热柱和冷端加热柱的上方，用于放置待测样品的热端和冷端； 信号 采集和处理系统，用来计算贝塞尔系数； 温度控制 系统，用来控制待测样品两端的温度差。本发明的赛贝克系数测量系统可以实现样品的正负温差测量。，下面是塞贝克系数测量系统专利的具体信息内容。
1.一种赛贝克系数测量系统，包括：
测试样品平台，用于放置待测样品，并在所述待测样品两端建立预设的温度差，包括：
温差加热台，包括温差加热台本体、热端加热柱和冷端加热柱，其中，所述热端加热柱和所述冷端加热柱位于所述温差加热台本体上，两者之间彼此绝热，分别具有各自的加热系统；
热端样品放置台和冷端样品放置台，分别位于所述热端加热柱和冷端加热柱的上方，用于放置所述待测样品的热端和冷端；
信号采集和处理系统，与所述测试样品平台中热端样品放置台和冷端样品放置台的外引线相连接，用来采集和处理待测样品两端的温度及形成的塞贝克电压，计算贝塞尔系数；
温度控制系统，分别连接于所述测试样品平台中热端加热柱和冷端加热柱的加热系统，用来控制待测样品两端的温度差。
2.根据权利要求1所述的赛贝克系数测量系统，其中，所述测试样品平台置于密闭的金属腔内，该金属腔接地；
处于密闭的金属腔内的测试样品平台通过电气连接接口与所述信号采集和处理系统、温度控制系统相连接。
3.根据权利要求2所述的赛贝克系数测量系统，其中，所述金属腔通过真空排气管路与真空系统相连。
4.根据权利要求1所述的赛贝克系数测量系统，其中，所述测试样品平台还包括：
热端漏电保护夹层，位于所述热端样品放置台和热端加热柱之间，用于防止所述热端样品放置台和热端加热柱之间漏电；
冷端漏电保护夹层，位于所述冷端样品放置台和冷端加热柱之间，用于防止所述冷端样品放置台和冷端加热柱之间漏电。
5.根据权利要求4所述的赛贝克系数测量系统，其中，
所述热端漏电保护夹层和冷端漏电保护夹层均自上而下包括：第一圆盘，由绝缘导热材料构成；第二圆盘，由金属材料构成；第三圆盘，由绝缘导热材料构成；
所述信号采集和处理系统包括：
热端电压绝缘保护电路，用于将从所述热端样品放置台采集的电势反馈至所述热端漏电保护夹层的第二圆盘，保持两者的电势相同；
冷端电压绝缘保护电路，用于将从所述冷端样品放置台采集的电势反馈至所述冷端漏电保护夹层的第二圆盘，保持两者的电势相同。
6.根据权利要求1所述的赛贝克系数测量系统，其中，所述测试样品平台还包括：
冷源，用于提供低温；
恒温台，其下端面与所述冷源形成热接触，其上端面与所述温差加热台形成热接触，用于为所述温差加热台提供预设的恒定温度。
7.根据权利要求6所述的赛贝克系数测量系统，其中，所述恒温台包括：
结构部件；
温度传感器，设置于所述结构部件内，用于测量所述结构部件的温度；
温度控制回路，用于根据所述温度传感器测量的结构部件的温度，对结构部件进行加热，使其保持在预设的恒定温度。
8.根据权利要求6所述的赛贝克系数测量系统，其中，所述冷源通过以下方式其中之一实现：液氦、液氮、水冷或者半导体制冷。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的赛贝克系数测量系统，其中，所述热端加热柱和冷端加热柱各自的加热系统为缠绕于所述热端加热柱和冷端加热柱侧面的加热丝。
10.根据权利要求1至8中任一项所述的赛贝克系数测量系统，其中，所述信号采集和处理系统包括：
热端温度传感器和冷端温度传感器，分别位于热端样品放置台和冷端样品放置台，用于测量样品两端的温度；
电压信号前置放大电路，其连接至热端样品放置台和冷端样品放置台，用于获得待测样品两端的电压并进行放大；
模数转换电路，与所述电压信号前置放大电路相连接，用于将待测样品两端的电压分别转换为数字信号；
计算单元，与所述模数转换电路相连接，用于根据样品两端的温度和数字信号形式的样品两端的电压，计算样品的赛贝克系数。
塞贝克系数测量系统
技术领域
背景技术
难以媲美的优点。热电材料的表征是无量纲优值系数ZT＝Sσ/κ，其中，S为塞贝克(Seebeck)系数，σ为电导率，κ为热导率。它的直观意义是制冷吸收能量与耗能之比。一种优良的热电材料应该具有大的塞贝克系数，大的电导率和小的热导率。
阻率往往非常高，达到10 Ω/cm，如果将其制作成为薄膜样品，其电阻将达到10 Ω/cm。尽管最终要成为实用化的热电材料，可以通过掺杂等方式将电导率升高，但是能够精确测量纯的有机热电材料的热电特性是开展这一材料研究的关键。
发明内容
响应速度。目前已能实现阻值为10 Ω样品的塞贝克系数的测定。
附图说明
半导体材料(R＞10 Ω)的塞贝克系数S。
具体实施方式
构示意图。如图5所示，在夹层的上部，是采用一种绝緣度高(阻值＞10 Ω)且高导热的材料制成的圆盘301，在夹层的中部，是采用金属导体制成的导电圆盘302，在夹层的下部，
15
是采用一种绝緣度高(阻值＞10 Ω)且高导热的材料制成的圆盘303。这三个圆盘组装在一起，通过在导电圆盘302上施加与样品放置台相等的电势，可以保证在样品放置台和温差加热台之间没有漏电流通路，保证高电阻测量的精确度。优选的，高阻值且高导热材料选用宝石片，金属薄层采用无氧铜材料加工而成。
材料(R＞10 Ω)的塞贝克系数S。如图10所示，横轴代表样品两端的温差，纵轴代表相应的塞贝克电压，菱形的点代表在不同温差条件下的测试数据点，直线(系列1)代表对数
2
据点进行线性拟合得到的拟合直线。从线性相关系数R 达到0.998以上，可以看出本系统能够胜任高阻样品的塞贝克系数的测量。
| 标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
|---|---|---|
| 一种快速检测热电材料塞贝克系数的便携式设备 | 2020-05-15 | 818 |
| 一种基于扫描热学显微镜原位表征纳米热电塞贝克系数的装置 | 2020-05-15 | 948 |
| 一种测量半导体薄膜材料塞贝克系数和电阻率的装置 | 2020-05-16 | 483 |
| 一种同时测量霍尔系数和塞贝克系数的装置及方法 | 2020-05-14 | 267 |
| 一种原子力显微镜导电探针原位加热、原位表征纳米塞贝克系数的装置 | 2020-05-22 | 219 |
| 一种测量半导体材料塞贝克系数和电阻率的装置 | 2020-05-17 | 852 |
| 用于测试半导体薄膜塞贝克系数的基片及制备和测试方法 | 2020-05-14 | 379 |
| 薄膜型热电材料塞贝克系数及电导率的测试装置 | 2020-05-17 | 554 |
| 半导体薄膜材料低温下的电导率及塞贝克系数测试装置 | 2020-05-23 | 60 |
| 材料塞贝克系数的测试平台 | 2020-05-21 | 772 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台，是提供专利分析，专利查询，专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据，免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析，涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度，系统通过AI智能系统对图表进行解读，只需1分钟，一键生成行业专利分析报告。
