一种电子束蒸发制备电荷陷阱存储器件的方法
专利汇可以提供一种电子束蒸发制备电荷陷阱存储器件的方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种 电子 束 蒸发 制备电荷陷阱 存储器 件的方法，利用 电子束蒸发 沉积系统在 硅 衬底表面顺序蒸 镀 隧穿层、存储层、阻挡层和上 电极 ，然后将沉积了 薄膜 的样品翻转，在硅衬底背面沉积下电极，形成电荷陷阱存储器件。该方法操作简单，薄膜 质量 高，厚度可控。，下面是一种电子束蒸发制备电荷陷阱存储器件的方法专利的具体信息内容。
1.一种电子束蒸发制备电荷陷阱存储器件的方法，其特征在于具体步骤如下：
a)利用氢氟酸清Si衬底，去除Si表面的氧化物，然后将Si衬底放置在电子束蒸发沉积系统的衬底台上，将蒸发材料N置于坩埚中，N可在SiO2和Al2O3中任选一种，加热衬底至200℃，蒸镀过程中保持腔体内的压强为1×10-2Pa；
b)利用电子束蒸发沉积系统在Si衬底表面蒸镀一层3nm的N作为隧穿层，蒸镀速度控制为10nm/min；
c)更换坩埚，将ZrO2蒸发材料置于坩埚中，然后利用电子束蒸发沉积系统在隧穿层N表面蒸镀一层ZrO2薄膜作为存储层，厚度在5nm至10nm范围内取值，蒸镀速度控制为10nm/min，蒸镀过程中保持腔体内的压强为1×10-2Pa；
d)更换坩埚，将蒸发材料N置于坩埚中，N可在SiO2和Al2O3中任选一种，然后利用电子束蒸发沉积系统在ZrO2存储层表面蒸镀一层N薄膜作为阻挡层，厚度在10nm至20nm范围内取值，确保阻挡层与隧穿层为同一种物质，蒸镀速度控制为10nm/min，蒸镀过程中保持腔体内的压强为1×10-2Pa；
e)更换坩埚，将金属M蒸发材料置于坩埚中，然后利用电子束蒸发沉积系统在N阻挡层表面蒸镀一层金属M作为上电极，电极厚度在100nm至200nm范围内取值，M可在Al、Pt、Au中任选一种，蒸镀速度控制为10nm/min，蒸镀过程中保持腔体内的压强为1×10-2Pa；
f)将衬底台上蒸镀了薄膜的样品翻转，利用电子束蒸发沉积系统在Si衬底背面蒸镀一层金属M作为下电极，电极厚度在100nm至200nm范围内取值，M可在Al、Pt、Au中任选一种，确保上电极和下电极为同一种物质，蒸镀速度控制为10nm/min，蒸镀过程中保持腔体内的压强为1×10-2Pa。
2.如权利要求1所述的一种电子束蒸发制备电荷陷阱存储器件的方法，其特征在于利用电子束蒸发沉积系统在Si衬底上顺序蒸镀隧穿层、存储层、阻挡层和上电极。
3.如权利要求1所述的一种电子束蒸发制备电荷陷阱存储器件的方法，其特征在于电荷陷阱存储器件的隧穿层、存储层、阻挡层、上电极和下电极均由电子束蒸发沉积系统形成。
4.如权利要求1所述的一种电子束蒸发制备电荷陷阱存储器件的方法，其特征在于隧穿层、存储层、阻挡层、上电极和下电极的蒸镀速度均为10nm/min。
5.如权利要求1所述的一种电子束蒸发制备电荷陷阱存储器件的方法，其特征在于电子束蒸发制备的隧穿层和阻挡层为同一种物质，上电极和下电极为同一种物质。
6.如权利要求1-5所述的电子束蒸发制备的电荷陷阱存储器件在信息存储中的应用。
一种电子束蒸发制备电荷陷阱存储器件的方法
技术领域
背景技术
发明内容
具体实施方式
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