专利汇可以提供用于光伏薄层太阳能电池的多层背电极、用于制造薄层太阳能电池和薄层太阳能模块的多层背电极的应用、包含多层背电极的光伏薄层太阳能电池和模块及制造方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且用于光伏薄层 太阳能 电池 的多层背 电极 ,按顺序地包括:至少一个 块 背电极层,包含V、Mn、Cr、Mo、Co、Zr、Ta、Nb和/或W或者基本上由V、Mn、Cr、Mo、Co、Zr、Ta、Nb和/或W构成,和/或包含含有V、Mn、Cr、Mo、Co、Zr、Fe、Ni、Al、Ta、Nb和/或W的 合金 和/或基本上由含有V、Mn、Cr、Mo、Co、Zr、Fe、Ni、Al、Ta、Nb和/或W的合金构成;至少一个导 电阻 挡层;至少一个尤其是欧姆的 接触 层,包含Mo、W、Ta、Nb,Zr和/或Co或者基本上由Mo、W、Ta、Nb,Zr和/或Co构成,尤其是包含Mo和/或W或者基本上由Mo和/或W构成,和/或包含至少一种金属硫族化物或基本上由至少一种金属硫族化物构成,和/或包含至少一个与阻挡层相邻的第一覆层,包含Mo、W、Ta、Nb,Zr和/或Co或者基本上由Mo、W、Ta、Nb,Zr和/或Co构成,尤其是包含Mo和/或W或者基本上由Mo和/或W构成,以及至少一个不与阻挡层相邻的第二覆层,包含至少一种金属硫族化物或基本上由至少一种金属硫族化物构成。,下面是用于光伏薄层太阳能电池的多层背电极、用于制造薄层太阳能电池和薄层太阳能模块的多层背电极的应用、包含多层背电极的光伏薄层太阳能电池和模块及制造方法专利的具体信息内容。
1.用于光伏薄层太阳能电池的多层背电极,按顺序地包括:
至少一个块背电极层,包含V、Mn、Cr、Mo、Co、Zr、Ta、Nb和/或W或者基本上由V、Mn、Cr、Mo、Co、Zr、Ta、Nb和/或W构成,和/或包含含有V、Mn、Cr、Mo、Co、Zr、Fe、Ni、Al、Ta、Nb和/或W的合金和/或基本上由含有V、Mn、Cr、Mo、Co、Zr、Fe、Ni、Al、Ta、Nb和/或W的合金构成;
至少一个导电阻挡层;
至少一个尤其是欧姆的接触层,
包含Mo、W、Ta、Nb,Zr和/或Co或者基本上由Mo、W、Ta、Nb,Zr和/或Co构成,尤其是包含Mo和/或W或者基本上由Mo和/或W构成,
和/或
包含至少一种金属硫族化物或基本上由至少一种金属硫族化物构成,
和/或
包含至少一个与阻挡层相邻的第一覆层,包含Mo、W、Ta、Nb,Zr和/或Co或者基本上由Mo、W、Ta、Nb,Zr和/或Co构成,尤其是包含Mo和/或W或者基本上由Mo和/或W构成,以及至少一个不与阻挡层相邻的第二覆层,包含至少一种金属硫族化物或基本上由至少一种金属硫族化物构成。
2.根据权利要求1所述的背电极,其特征在于,块背电极和接触层包含钼或钨或钼合金或钨合金、尤其是钼或钼合金,或者基本上由钼或钨或钼合金或钨合金构成,尤其是基本上由钼或钼合金构成。
3.根据权利要求1或2所述的背电极,其特征在于,阻挡层是针对从块背电极层迁移、尤其是扩散或可扩散的成分和/或经过块背电极层迁移、尤其是扩散或可扩散的成分的阻挡,和/或是针对从接触层迁移、尤其是扩散或可扩散的成分和/或经过接触层迁移、尤其是扩散或可扩散的成分的阻挡。
4.根据前述权利要求之一所述的背电极,其特征在于,阻挡层是针对碱离子、尤其是钠离子、硒或硒化合物、硫或硫化合物、金属尤其是Cu、In、Ga、Fe、Ni、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Al和/或W、和/或含碱离子的化合物的阻挡。
5.根据前述权利要求之一所述的背电极,其特征在于,阻挡层包含至少一种金属氮化物尤其是TiN、MoN、TaN、ZrN和/或WN、至少一种金属碳化物、至少一种金属硼化物和/或至少一种金属硅氮化物尤其是TiSiN、TaSiN和/或WSiN,或者基本上由至少一种金属氮化物尤其是TiN、MoN、TaN、ZrN和/或WN、至少一种金属碳化物、至少一种金属硼化物和/或至少一种金属硅氮化物尤其是TiSiN、TaSiN和/或WSiN构成。
6.根据前述权利要求之一所述的背电极,其特征在于,块背电极层被至少一种选自由以下元素构成的组的元素:Fe、Ni、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W、Al和/或Na和/或上述元素的化合物所污染。
7.根据前述权利要求之一所述的背电极,其特征在于,接触层的或接触层的第二覆层的金属硫族化物的金属选自钼、钨、钽、锆、钴和/或铌并且该金属硫族化物的硫族元素选自硒和/或硫,其中金属硫族化物尤其是MSe2、MS2和/或M(Se1-x,Sx)2,M=Mo、W、Ta、Zr、Co或Nb,其中x取0至1的值。
8.根据前述权利要求之一所述的背电极,其特征在于,
接触层的第一覆层的金属和第二覆层的金属一致,和/或接触层的第一覆层的金属和/或第二覆层的金属与块背电极的金属一致。
9.根据前述权利要求之一所述的背电极,其特征在于,
接触层、接触层的第一和/或第二覆层具有至少一种用于薄层太阳能电池的半导体吸收层的掺杂剂,尤其是具有至少一种选自如下组的元素:钠、钾和锂和/或这些元素的至少一种化合物,优选带有氧、硒、硫、硼和/或卤素例如碘或氟,和/或具有至少一种碱金属青铜、尤其是青铜钠和/或青铜钾,优选带有选自钼、钨、钽和/或铌的金属。
10.根据前述权利要求之一所述的背电极,其特征在于,
块背电极层的平均厚度处于50nm至500nm的范围中、尤其是在80nm至250nm的范围
中,和/或阻挡层的平均厚度处于10nm至250nm的范围中、尤其是在20nm至150nm的范围中,和/或接触层的平均厚度处于2nm至200nm的范围中、尤其是在5nm至100nm的范围中。
11.根据前述权利要求之一所述的背电极,其特征在于,
块背电极层包含钼和/或钨尤其是钼,或者基本上由钼和/或钨尤其是钼构成,
导电的阻挡层包含TiN或者基本上由TiN构成,并且
尤其是包含一种或多种掺杂剂的接触层包含MoSe2或者基本上由MoSe2构成。
12.根据权利要求9至11之一所述的背电极,其特征在于,在接触层中的掺杂剂、尤其
13 17 2 14 16 2
是钠离子在剂量上处于10 至10 原子/cm 的范围中、尤其是处于10 至10 原子/cm 的范围中。
13.光伏薄层太阳能电池,包括至少一个根据前述权利要求之一所述的多层背电极。
14.根据权利要求13所述的薄层太阳能电池,按顺序地包括至少一个衬底层、至少一个根据本发明权利要求1至12之一所述的背电极层、至少一个导电的阻挡层、至少一个尤其是直接靠置在接触层上的半导体吸收层、尤其是黄铜矿半导体吸收层或硫铜锡锌矿半导体吸收层、以及至少一个前电极。
15.根据权利要求14所述的薄层太阳能电池,其特征在于,在半导体吸收层和前电极之间有至少一个缓冲层、尤其是至少一个包含CdS或者基本上由CdS构成的层或者无CdS的层、尤其是包含Zn(S,OH)或In2S3或者基本上由Zn(S,OH)或In2S3构成,和/或至少一个包含固有的氧化锌和/或高欧姆的氧化锌或者基本上由固有的氧化锌和/或高欧姆的氧化锌构成的层。
16.根据权利要求13至15之一所述的薄层太阳能电池,其特征在于,
半导体吸收层是或包括四元的IB-IIIA-VIA-黄铜矿层尤其是Cu(In,Ga)Se2层、五
元的IB-IIIA-VIA-黄铜矿层尤其是Cu(In,Ga)(Se1-x,Sx)2层或者硫铜锡锌矿层尤其是Cu2ZnSn(Sex,S1-x)4层,其中x取0至1的值,和/或半导体吸收层的平均厚度处于400nm至
2500nm的范围中,尤其是处于500nm至1500nm的范围中并且优选处于800nm至1200nm的范围中。
17.光伏薄层太阳能模块,包括至少两个、尤其是大量尤其是单片集成的串联连接的根据权利要求13至16之一所述的薄层太阳能电池。
18.根据权利要求13至16之一所述的薄层太阳能电池用于制造光伏薄层太阳能模块的应用。
19.根据权利要求1至12之一所述的多层背电极用于制造薄层太阳能电池或者薄层太阳能模块的应用。
20.根据权利要求9至12之一所述的多层背电极用于在制造尤其是根据权利要求13
至16之一所述的光伏薄层太阳能电池、或者尤其是根据权利要求17所述的光伏薄层太阳能模块期间对半导体吸收层掺杂的应用。
21.用于制造根据权利要求13至16之一所述的光伏薄层太阳能电池或者根据权利要求17所述的光伏薄层太阳能模块的方法,包括步骤:
借助物理薄层淀积方法或者借助化学气相淀积来施加块背电极层、阻挡层、接触层、半导体吸收层的金属和/或一种或多种掺杂剂,所述物理薄层淀积方法尤其是包括物理气相沉积(PVD)涂层、借助电子束蒸发器的蒸镀、借助电阻蒸发器、电感蒸发、ARC蒸发和/或阴极喷雾(溅射涂层)尤其是DC或RF磁控管溅射的蒸镀,这些蒸镀优选分别在高真空中进行,所述化学气相淀积尤其是包括化学气相沉积(CVD)、低压(low pressure)CVD和/或大气压(atmospheric pressure)CVD。
22.根据权利要求20或21所述的方法,其特征在于,一种或多种尤其是选自钠化合物、钠离子、钠钼青铜、和/或钠钨青铜的掺杂剂连同接触层和/或吸收层的至少一种成分一起被施加,尤其是从共同的混合或烧结靶被施加。
阳能电池和薄层太阳能模块的多层背电极的应用、包含多
层背电极的光伏薄层太阳能电池和模块及制造方法
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