专利汇可以提供一种迟滞比较器专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 属于模拟集成 电路 技术领域,涉及一种 迟滞 比较器。本发明与传统的迟滞比较器相比,主要是通过增加一个与X点电位相关的动态 电流 ,当X点 电压 增加时,X点的下拉能 力 增强,因此相对于传统的迟滞比较器,改善了上述的那种情况,动态增强了比较器的 稳定性 ;此外,该动态电流并不会影响比较器的迟滞量要求。本发明的有益效果为,通过提出的动态增强迟滞比较器架构,既保证了比较器所需的迟滞量,也同时改善了迟滞比较器的可靠性。该动态增强迟滞比较器结构简洁,易于实现,具有实用价值。,下面是一种迟滞比较器专利的具体信息内容。
1.一种迟滞比较器,包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第一反相器INV1、第二反相器INV2、电容和电流源;第一PMOS管MP1的源极接电源,其栅极与漏极互连;第二PMOS管MP2的源极接电源,其栅极接第一PMOS管MP1的漏极;
第三PMOS管MP3的源极接电源,其栅极接第一PMOS管MP1的漏极;电流源的一端接第一PMOS管MP1的漏极,另一端接地;第四PMOS管MP4的源极接第二PMOS管MP2的漏极,第四PMOS管MP4的栅极接第一输入信号;第五PMOS管MP5的源极接第二PMOS管MP2的漏极,第五PMOS管MP5的栅极接第二输入信号;第一NMOS管MN1的漏极和栅极接第四PMOS管MP4的漏极,第一NMOS管MN1的源极接地;第二NMOS管MN2的源极接第五PMOS管MP5的漏极,第二NMOS管MN2的栅极接地第四PMOS管MP4的漏极,第二NMOS管MN2的源极接地;第三NMOS管MN3的漏极接第五PMOS管MP5的漏极,第三NMOS管MN3的栅极接地第四PMOS管MP4的漏极;第四NMOS管MN4的漏极接第三NMOS管MN3的源极,第四NMOS管MN4的源极接地;第五NMOS管MN5的漏极接第三PMOS管MP3的漏极,第五NMOS管MN5的栅极接第五PMOS管MP5的漏极,第五NMOS管MN5的源极接地;第五PMOS管MP5栅极通过电容后接第五PMOS管MP5漏极、第二NMOS管MN2漏极、第三NMOS管MN3漏极和第五NMOS管MN5栅极的连接点;第三PMOS管MP3漏极与第五NMOS管MN5漏极的连接点接第一反相器INV1的输入端,第一反相器INV1的输出端接第二反相器INV2的输入端,第二反相器INV2的输出端接第四NMOS管MN4的栅极;第二反相器INV2输出端与第四NMOS管MN4栅极的连接点为输出端;其中,第一晶体管MN1和第三晶体管MN3的镜像比为1/m,m为第三晶体管MN3和第一晶体管MN1的镜像比值,具体为:m越大,对第五PMOS管MP5漏极与第二NMOS管MN2漏极连接点处电压的下拉能力越强。
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