控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法专利检索-消光系数物理专利检索查询-专利查询网

控制光阻所需介电抗反射 薄膜反射率及消光系数的方法

阅读：113发布：2020-05-15

专利汇可以提供控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明公开了一种控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法，其中，在介电抗反射薄膜的制作工艺流程中，具体包括下列步骤：将反应气体通入到排气管道直到其稳定；先通反应气体使其流入反应腔或先开启电浆，形成通入反应气体与开启电浆之间的时间延迟；进行介电抗反射薄膜沉积；以及先关反应气体然后再关闭电浆。与已有技术相比，本发明的有益效果在于：先通反应气体再开启电浆，将增加整个反应腔体初期反应物矽的含量，可有效提高介电抗反射薄膜的反射率及消光系数。反之先开启电浆再通反应气体，将降低整个反应腔体初期反应物矽的含量，可有效降低介电抗反射薄膜的反射率及消光系数。，下面是控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法，其特征在于，在介电抗反射薄膜的制作工艺流程中，具体包括下列步骤：
将反应气体通入到排气管道直到其稳定；
先通反应气体使其流入反应腔或先开启电浆，形成通入反应气体与开启电浆之间的时间延迟；
进行介电抗反射薄膜沉积；以及
先关反应气体然后再关闭电浆。
2.根据权利要求1所述的控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法，其特征在于，先通反应气体流入反应腔，再开启电浆，将增加整个反应腔体初期反应物硅的含量，从而提高介电抗反射薄膜的反射率及消光系数。
3.根据权利要求1所述的控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法，其特征在于，先开启电浆，再通反应气体流入反应腔，将降低整个反应腔体初期反应物硅的含量，从而降低介电抗反射薄膜的反射率及消光系数。
4.根据权利要求1所述的控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法，其特征在于，通反应气体和开启电浆之间的时间间隔为0至2秒。
5.根据权利要求1所述的控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法，其特征在于，反应气体为SiH4和N2O，其中SiH4 为170~270sccm，N2O为220~320sccm，反应温度400℃，反应压力为2.0~2.4托，采用高频比频率450~650Watts。
6.根据权利要求1所述的控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法，其特征在于，得到的介电抗反射薄膜的反射率为1.9~2.2，消光系数为0.45~0.75。

说明书全文

控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法

技术领域

[0001] 本发明涉及一种半导体集成电路的工艺技术方法，尤其涉及一种控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法。

背景技术

[0002] 随着制程线宽越来越窄，使得微影制程的困难度随之增加，这是因为线宽缩减后，容易发生对准失误的情形，尤其在定义导体层时，因为导体层的反射系数通常较介电层或绝缘层大，致使定义光阻层图案时，曝光光源容易在导体层表面发生反射，造成光阻层尺寸偏差，导致微影图案转换不正确。为防止上述所提的误差出现，可以在导体层上制造一层抗反射层，以达到降低反射率的效果。

[0003] 如图1所示，现有技术中，在介电抗反射薄膜的制作工艺流程中，具体包括：（1）反应气体流到排气管道直到稳定；（2）在同一时间反应气体流入反应腔及电浆开启；（3）介电抗反射薄膜沉积；（4）先关反应气体然后再关闭电浆。现有光阻所需介电抗反射薄膜的沉积厚度介于200-500埃，整个沉积步骤通常只有8-20秒，所以在同时开启电浆及通反应气体，不容易控制得到所需的反射率及消光系数。

发明内容

[0004] 针对上述存在的问题，本发明的目的是提供一种控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法，其可有效控制获得所需介电抗反射薄膜的反射率及消光系数。

[0005] 本发明的目的是通过下述技术方案实现的：一种控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法，其中，在介电抗反射薄膜的制作工艺流程中，具体包括下列步骤：
将反应气体通入到排气管道直到其稳定；
先通反应气体使其流入反应腔或先开启电浆，形成通入反应气体与开启电浆之间的时间延迟；
进行介电抗反射薄膜沉积；以及
先关反应气体然后再关闭电浆。

[0006] 上述控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法，其中，先通反应气体流入反应腔，再开启电浆，将增加整个反应腔体初期反应物硅的含量，从而提高介电抗反射薄膜的反射率及消光系数。

[0007] 上述控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法，其中，先开启电浆，再通反应气体流入反应腔，将降低整个反应腔体初期反应物硅的含量，从而降低介电抗反射薄膜的反射率及消光系数。

[0008] 上述控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法，其中，通反应气体和开启电浆之间的时间间隔为0至2秒。

[0009] 上述控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法，其中，反应气体为SiH4和N2O，其中SiH4 为170~270sccm，N2O为220~320sccm，反应温度400℃，反应压力为2.0~2.4托，采用高频比频率450~650Watts。

[0010] 上述控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法，其中，得到的介电抗反射薄膜的反射率为1.9~2.2，消光系数为0.45~0.75。

[0011] 与已有技术相比，本发明的有益效果在于：1、先通反应气体再开启电浆，将增加整个反应腔体初期反应物矽的含量，可有效提高介电抗反射薄膜的反射率及消光系数。

[0012] 2、反之先开启电浆再通反应气体，将降低整个反应腔体初期反应物矽的含量，可有效降低介电抗反射薄膜的反射率及消光系数。附图说明

[0013] 图1是现有技术中介电抗反射薄膜的制作工艺流程示意框图；图2是本发明中介电抗反射薄膜的制作工艺流程示意框图。

具体实施方式

[0014] 下面结合原理图和具体操作实施例对本发明作进一步说明。

[0015] 如图1和图2所示，本发明是在现有技术介电抗反射薄膜的制作工艺流程的基础上加以改进，将反应气体SiH4和N2O通入到排气管道直到其稳定，具体来说，是先通反应气体使其流入反应腔，或者先开启电浆，形成通入反应气体与开启电浆之间的时间延迟，通反应气体和开启电浆之间的时间间隔为0至2秒；再进行介电抗反射薄膜沉积，最后先关反应气体然后再关闭电浆。化学方程式如下：其中，SiH4 为170~270sccm，N2O为220~320sccm，反应温度400℃，反应压力为2.0~2.4托，采用高频比频率450~650Watts。最后生成的介电抗反射薄膜，即氮氧化硅薄膜的反射率为1.9~2.2，消光系数为0.45~0.75。氮氧化硅（SiON）薄膜是一种介电抗反射的薄膜材料，具有优良的充电性能、机械性能、钝化性能和化学稳定性能。通过形成通入反应气体与开启电浆之间的时间延迟，可以灵活调节介电抗反射薄膜的反射率和消光系数，先通反应气体再开启电浆，将增加整个反应腔体初期反应物矽的含量，可有效提高介电抗反射薄膜的反射率及消光系数；反之先开启电浆再通反应气体，将降低整个反应腔体初期反应物矽的含量，可有效降低介电抗反射薄膜的反射率及消光系数。

[0016] 以上对本发明的具体实施例进行了详细描述，但本发明并不限制于以上描述的具体实施例，其只是作为范例。对于本领域技术人员而言，任何对该发明进行的等同修改和替代也都在本发明的范畴之中。因此，在不脱离本发明的精神和范围下所作出的均等变换和修改，都应涵盖在本发明的范围内。

标题	发布/更新时间	阅读量
一种基于深度信念网络的气溶胶消光系数反演方法	2020-05-14	766
具有高消光系数的纳米晶体以及这种纳米晶体的制备和使用方法	2020-05-14	786
一种从气凝胶玻璃实验数据反推气凝胶消光系数的方法	2020-05-15	611
对射式测量消光系数的方法、系统和激光雷达	2020-05-11	518
一种低吸收薄膜材料消光系数的精确测量方法	2020-05-11	919
一种多波长大气消光系数高度分布数据反演方法	2020-05-14	921
一种激光雷达水平探测气溶胶消光系数反演方法	2020-05-14	541
一种利用激光点云计算三维森林冠层消光系数的方法	2020-05-15	307
无需大气消光系数的红外小目标距离估计方法	2020-05-12	138
黑碳气溶胶消光系数测量装置及测量方法	2020-05-12	389

控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法

控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法

技术领域

背景技术

发明内容

具体实施方式

该功能需要专业版企业版VIP权限，您可以：