专利汇可以提供一种超大直径钼圆片表面渗钌工艺专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种超大直径钼圆片表面渗钌工艺,经过前序准备步骤,将清洗好的钼圆片置于钌溶液中的 电解 槽 中进行化学还原,形成 覆盖 在钼圆片表面的钌膜;之后放入氢气炉加热至800℃后,钌层扩散,渗透 合金 ,保温1小时,然后在氢气中冷却至100℃,然后空气中自然冷却。而后采用除油污 超 声波 清洗机用蒸馏 水 清洗10分钟;根据所需钌层厚度,重复上述的化学还原,钌层扩散渗透合金过程。通过上述工艺制备的超大尺寸的钼圆片表面渗钌工艺,合金层内部晶粒分布均匀,不易开裂, 稳定性 好;在高温下不易 氧 化,压降小,能够长期保证芯片正常运行;使用寿命长,产品的各项指标均优于市场上的相同产品。,下面是一种超大直径钼圆片表面渗钌工艺专利的具体信息内容。
1、一种超大直径钼圆片表面渗钌工艺,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1,将钼圆片置于800℃退火炉中在真空状态或氢气下退火2小时,退火 时钼圆片竖直摆放;
步骤2,研磨钼圆片至平面度在3μm以下,之后清洗干净至粗糙度Ra为0.3μm 以下;采用除油污超声波清洗机用蒸馏水清洗10分钟,然后进行表面活化;
步骤3,将钼圆片置于充满钌离子溶液的电解槽中,进行电解还原,形成覆盖 在钼圆片表面均匀的钌膜层,用蒸馏水冲洗钼圆片;
步骤4,把钼圆片放入氢气炉加热至800℃后渗透合金1个小时;
步骤5,在氢气保护下空冷至100℃以下,之后取出钼圆片;
步骤6,采用除油污超声波清洗机用蒸馏水清洗钼圆片10分钟;
步骤7,重复步骤3~步骤6,循环操作1~10次;
步骤8,将钼圆片置于氢气炉700℃恒温钌层扩散,渗透合金化,时间为15 分钟,之后置于惰性气体室冷却到室温。
2、根据权利要求1所述的一种超大直径钼圆片表面渗钌工艺,其特征在于, 步骤2中,钼圆片清洗干净使用5%g/L的氨基磺酸进行表面活化。
3、根据权利要求1所述的一种超大直径钼圆片表面渗钌工艺,其特征在于, 钼圆片的表面特性为:通态压降VTM<1.1usl,表面粗糙度Ra<0.3μm,平面度<3μm, 偏差<0.02V。
4、根据权利要求1所述的一种超大直径钼圆片表面渗钌工艺,其特征在于, 步骤3中,所述电解槽为离子隔膜槽。
5、根据权利要求1所述的一种超大直径钼圆片表面渗钌工艺,其特征在于, 所述钌溶液为双桥钌溶液,所述双桥钌的化学名称为氮桥双核钌络酸钾。
6、根据权利要求5所述的一种超大直径钼圆片表面渗钌工艺,其特征在于, 电解槽中的钌溶液参数如下:温度,50~55℃;pH值,1.0~1.5;钌离子浓度为, 5~5.4g/L;在电解槽中反应2~5分钟,形成覆盖在钼圆片表面均匀的0.03μm~0.05μm 钌膜层。
7、根据权利要求1所述的一种超大直径钼圆片表面渗钌工艺,其特征在于, 步骤4中,氢气炉为分体式氢气炉。
8、根据权利要求7所述的一种超大直径钼圆片表面渗钌工艺,其特征在于, 步骤8中,所述氢气炉为链式炉。
本发明涉及一种在钼圆片表面渗钌的工艺,特别是一种超大直径钼圆片表面 渗钌工艺。
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