一种半导体泵浦单纵模激光器
专利汇可以提供一种半导体泵浦单纵模激光器专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种 半导体 泵 浦单纵模 激光器 ，其包括泵浦 光源 、光学耦合系统和激光增益介质，其中激光增益介质为一组等厚激光增益介质薄片通过光胶或深化光胶制作而成，每片增益介质薄片的厚度均小于短程吸收产生单纵模所允许的最长厚度，增益介质薄片之间连接面均 镀 有反射膜层，本发明采用以上技术方案，各激光增益介质薄片均为激光振荡 波长 的一个 驻波 节点 ，每片激光增益介质厚度均小于短程吸收允许最长厚度，所以只允许增益最大波长起振，这样消除整个微片中驻波烧孔效应，同时总激光增益介质厚度增大，从而可以提高允许泵浦功率。，下面是一种半导体泵浦单纵模激光器专利的具体信息内容。
技术领域
本发明涉及激光领域，尤其涉及一种通过消除空间烧孔效应而获得较高功率输 出的半导体泵浦单纵模激光器。
半导体泵浦的本专利采用一组等厚激光增益介质薄片通过光胶或深化光胶制作成微片式 单纵模激光器，其中每片增益介质厚度为产生短程吸收产生单纵模激光增益介质所要求的厚 度，每片增益介质粘结面之间镀有一定反射率介质膜构成等间隔标准具，整个微片激光器两 个端面分别镀有全反射膜或部分反射膜构成激光腔，从而构成整个激光器
背景技术
发明内容
本发明采用以下技术方案：单纵模激光器包括泵浦光源、光学耦合系统和激光增益介质， 其中激光增益介质为一组等厚激光增益介质薄片通过光胶或深化光胶制作而成，每片增益介 质薄片的厚度均小于短程吸收产生单纵模所允许的最长厚度，增益介质薄片的光入射面、连 接面之间和光出射面上均镀有反射膜层。
上述的一组等厚激光增益介质薄片为两片以上。
上述反射膜层为全反射膜或部分反射膜。
本发明采用以上技术方案，利用各等厚激光增益介质薄片，其相接表面镀有一定反射率 膜层，使各激光增益介质薄片均为激光振荡波长的一个驻波节点，每片激光增益介质厚度均 小于短程吸收允许最长厚度，所以只允许增益最大波长起振，这样消除整个微片中驻波烧孔 效应，同时总激光增益介质厚度增大，从而可以提高允许泵浦功率，使短程吸收法可获得中 小输出功率，从而使短程吸收法产生单纵模获得实用化。
附图说明
现结合附图对本发明做进一步详述：
图1是本发明单纵模激光器的结构示意图。
具体实施方式
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