波长监视器
阅读：92发布：2020-05-11
专利汇可以提供波长监视器专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 得到一种可以抑制从多个 半导体 激光器 向后面方向出射的激光的 波长 监视特性的偏差的波长监视器。一种波长监视器，其特征在于，对从在半导体 基板 (1)中并列地形成的2个以上的半导体激光器(101～112)出射的激光的波长进行监视，具备：使来自各半导体激光器(101～112)的激光 准直 的 准直透镜 (2)；配置成可以入射由准直透镜(2)准直了的激光且具有周期性的干涉仪(3)；以及接收透射了干涉仪(3)的激光而检测光强度的光检测器(4)，从各半导体激光器(101～112)出射的激光的干涉仪(3)内的光线传输 角 度成为通过式1得到的规定的角度。，下面是波长监视器专利的具体信息内容。
1.一种波长监视器，对从并列地形成于半导体基板的4个以上的半导体激光器出射的激光的波长进行监视，其特征在于，具备：
透镜，使来自各所述半导体激光器的激光准直；
滤波器，配置成由所述透镜准直了的激光能够入射且具有周期性；以及
光检测器，接收透射了所述滤波器的激光而检测光强度，
以使从各所述半导体激光器出射的激光的所述滤波器内的光线传输角度成为通过下述式得到的规定的角度的方式，各个邻接的各所述半导体激光器的激光出射位置的间隔从所述半导体基板的中心朝向所述半导体基板的外侧是不等间隔地形成的，【式1】
其中，f表示任意的峰值频率；mk表示干涉次数，其针对每个k是任意的自然数；c表示光速；nλ表示波长λ下的所述滤波器的折射率；Letalon表示所述滤波器的长度；θk表示从第k个各所述半导体激光器出射的激光的滤波器内光线传播角，其单位是rad。
2.根据权利要求1所述的波长监视器，其特征在于，
在所述半导体基板上，形成了对从各所述半导体激光器向所述半导体基板的后方侧出射的所述激光出射位置进行变换的4个以上的光波导路，
通过所述光波导路而被变换的所述激光出射位置的间隔从所述半导体基板的中心朝向所述半导体基板的外侧是不等间隔的，
从各所述半导体激光器出射的激光的所述滤波器内的光线传输角度成为通过所述式得到的规定的角度。
3.根据权利要求2所述的波长监视器，其特征在于，
通过所述光波导路而被变换的所述激光出射位置与所述半导体基板的端面所成的角是70°以下。
4.根据权利要求1所述的波长监视器，其特征在于，
在所述半导体基板上，形成了对从所述半导体激光器向所述半导体基板的后方侧出射的所述激光出射位置进行变换的4个以上的光波导路，
通过将各所述光波导路的出射角度设定为规定的角度，从各所述半导体激光器出射的激光的所述滤波器内的光线传输角度成为通过所述式得到的规定的角度。
5.根据权利要求1所述的波长监视器，其特征在于，
所述透镜的表面形状被设计成，从各所述半导体激光器出射的激光的所述滤波器内的光线传输角度成为通过所述式得到的规定的角度。
6.根据权利要求1所述的波长监视器，其特征在于，
从各所述半导体激光器出射的激光的所述滤波器内的光线传输角度成为通过所述式得到的规定的角度，并且所述滤波器内的光线传输角度中至少1对角度是正负对称。
7.根据权利要求1所述的波长监视器，其特征在于，
从各所述半导体激光器出射的激光的所述滤波器内的光线传输角度成为通过所述式得到的规定的角度，并且从位于最外侧的2个所述半导体激光器出射的激光的所述滤波器内的光线传输角度的符号成为正负对称。
8.根据权利要求1所述的波长监视器，其特征在于，
从各所述半导体激光器出射的激光的所述滤波器内的光线传输角度成为通过所述式得到的规定的角度，并且全部成为1度以上。
9.根据权利要求1～8中的任意一项所述的波长监视器，其特征在于，
具备调整所述滤波器的温度的温度调整元件，
所述滤波器设置于所述温度调整元件上。
10.根据权利要求1～8中的任意一项所述的波长监视器，其特征在于，
所述光检测器形成为并列配置了各所述半导体激光器的方向成为长度方向的长方形。
11.根据权利要求1～8中的任意一项所述的波长监视器，其特征在于，
所述光检测器由至少2个光检测器的多个光检测器构成，在并列配置了各所述半导体激光器的方向上阵列状地配置。
12.根据权利要求1～8中的任意一项所述的波长监视器，其特征在于，
所述滤波器是石英制干涉仪。
13.根据权利要求1～8中的任意一项所述的波长监视器，其特征在于，
所述滤波器是晶体制干涉仪。
波长监视器
技术领域
[0001] 本发明涉及波长监视器。
背景技术
[0002] 近年来，在光通信的领域中，光传送方式的高速/大容量化得到了发展，作为其核心技术，通过1根光纤进行光复用传送的波分复用(Wavelength Division Multiplexing，WDM)方式得到了普及。该WDM系统为了实施稳定的运营，为了防备不予期的信号光源的停止，需要确保振荡波长相同的预备信号光源，维护成本增加。为了抑制该成本，可以通过1个信号光源输出多个波长的激光的光波长可变型的光源的需求变高。
[0003] 波长可变光源要求光信号的波长长期稳定，所以开发出了设置了对来自半导体激光器的出射光进行监视的波长监视的功能的光源。作为代表性的波长可变光源，提出了通过使半导体激光器的温度变化而使振荡波长可变的方式。本方式的半导体激光器的振荡波长的可变幅度由动作温度范围决定，最多仅为2～3nm左右，所以为了增大波长可变幅度，大多使用设置了多个半导体激光器的构造。
[0004] 作为与波长可变光源的波长监视器相关的代表性的以往技术，提出了将从多个半导体激光器向前面方向的出射光通过光合波器合波到1个波导路，并通过分束器等将从1个端口出射而输出到光纤的光的一部分取出而用于波长监视的构造(例如，下述专利文献1、2、3)。
[0005] 另外，提出了将从多个半导体激光器向后面方向的出射光用于波长监视的构造(例如，下述专利文献3、4)。
[0006] 【专利文献1】日本特开2002-185074号公报
[0007] 【专利文献2】日本特开2007-157937号公报
[0008] 【专利文献3】日本特开2002-171023号公报
[0009] 【专利文献4】日本特开2003-163411号公报
发明内容
[0010] 但是，根据上述以往的技术，存在以下那样的问题。在使用前面出射光来进行波长监视的以往方法(例如上述专利文献1、2、3)中，将向光纤输出的光的一部分取出为波长监视用，所以存在来自波长可变光源的输出功率降低这样的课题。另外，需要分束器等光学部件，所以存在波长可变光源整体的尺寸变大、成本增大这样的课题。
[0011] 另外，在使用向后面方向的出射光来进行波长监视的以往方法(例如上述专利文献4)中，虽然解决了上述课题，但来自半导体基板的光的出射点针对每个半导体激光器不同，所以起因于向滤波器的入射角度以及入射位置的波长监视特性的偏差成为问题。例如，在上述专利文献4中，通过在半导体芯片中设置将多个半导体激光器的后面出射光导入半导体芯片的后方端的窄的范围的后方光波导路，使出射光被收集于监视光可入射范围位置。但是，实际的光的出射位置完全不同，所以依赖于从设置于半导体芯片的后方的准直透镜观察的各个发光点的偏芯量，准直透镜透射后的准直光的传输角度变化。滤波器的透射率的频率的周期性依赖于光的入射角度，所以其结果，由光检测器检测的来自各半导体激光器的出射光的光强度与光的频率的关系不同，而光的波长的监视精度劣化。
[0012] 本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于得到一种可以抑制从多个半导体激光器向后面方向出射的激光的波长监视特性的偏差的波长监视器。
[0013] 为了解决上述课题，并达成目的，本发明提供一种波长监视器，对从并列地形成于半导体基板的2个以上的半导体激光器出射的激光的波长进行监视，其特征在于，具备：
[0014] 透镜，使来自各所述半导体激光器的激光准直；
[0015] 滤波器，配置成由所述透镜准直了的激光能够入射且具有周期性；以及
[0016] 光检测器，接收透射了所述滤波器的激光而检测光强度，
[0017] 从各所述半导体激光器出射的激光的所述滤波器内的光线传输角度成为通过下述式得到的规定的角度，
[0018] 【式1】
[0019]
[0020] 其中，f表示任意的峰值频率；mk表示干涉次数，其针对每个k是任意的自然数；c表示光速；nλ表示波长λ下的所述滤波器的折射率；Letalon表示所述滤波器的长度；θk表示从第k个各所述半导体激光器出射的激光的滤波器内光线传播角(rad)。
[0022] 图1是示出本发明的实施方式1的波长监视器的结构的图。
[0023] 图2是示意性地示出透射干涉仪(etalon)的光的传播的图。
[0025] 图4是示出在使用了等间隔地配置了半导体激光器的半导体基板的情况下由光检测器检测的光强度与光的频率的关系的图。
[0026] 图5是示出在如表1所示配设了半导体激光器的情况下由光检测器检测的光强度的波长依赖性的图。
[0027] 图6是示出本发明的实施方式2的波长监视器的结构的图。
[0028] 图7是示出本发明的实施方式3的波长监视器的结构的图。
[0029] 图8是示出本发明的实施方式4的波长监视器的结构的图。
[0030] 图9是示出本发明的实施方式5的波长监视器的结构的图。
[0031] (符号说明)
[0032] 1：半导体基板；2：准直透镜；3：干涉仪；4：光检测器；6：珀耳帖元件；10、20、30：虚线；31、32、33、34、35：光线；41、42、43、44：光检测器；51、52、53：光线路径；101、102、
103、104、105、106、107、108、109、110、111、112：半导体激光器；121、122、123、124、125、
126、127、128、129、130、131、132：光波导路。
103、104、105、106、107、108、109、110、111、112：半导体激光器；121、122、123、124、125、
126、127、128、129、130、131、132：光波导路。
具体实施方式
[0033] 以下，根据附图，详细说明本发明的波长监视器的实施方式。另外，本发明不限于该实施方式。
[0034] 实施方式1.
[0035] 图1是示出本发明的实施方式1的波长监视器的结构的图。本实施方式的波长监视器配置于可以变更出射光的波长的波长可变光模块(未图示)的内部，构成为具有半导体基板1、在半导体基板1上并列地形成的2个以上的半导体激光器101～112、使从半导体激光器101～112出射的扩散光准直为平行光的准直透镜2、以使透射了准直透镜2的准直光入射的方式配置于半导体基板1的后方面侧的具有周期性的透射率的频率依赖性的滤波器(例如干涉仪3)、以及接收透射了干涉仪3的光而检测光强度的光检测器4。
[0036] 另外，在图1中，作为一个例子，示意性地示出了从半导体激光器104出射的光线路径51、从半导体激光器106出射的光线路径52、以及从半导体激光器108出射的光线路径53。
[0037] 在本实施方式的波长监视器中，以使包括光线路径51、52、53的、来自所有半导体激光器101～112的出射光的干涉仪3内光线传输角度θk成为式(1)的解的方式，不等间隔地配设了半导体激光器101～112。具体而言，在各个邻接的半导体激光器101～112内，例如从半导体激光器106至半导体激光器101的各激光出射点间的间隔从半导体基板1的中心向半导体基板1的外侧(半导体激光器的层叠方向)是不等间隔。
[0038] 【式1】
[0039]
[0040] 其中，θk表示从第k个半导体激光器出射的激光的干涉仪3内的光线传播角(rad)、mk表示干涉次数(针对每个k是任意的自然数)、c表示光速、nλ表示波长λ下的干涉仪3的折射率、Letalon表示干涉仪3的长度、f表示任意的峰值频率(其中，在所有k下相同)。
[0041] 对于从1个半导体激光器出射的光，通过准直透镜2进行准直，并透射了干涉仪3之后，通过光检测器4检测光强度。干涉仪3的透射率具有周期性的频率依赖性，所以由光检测器4检测的光强度依赖于从半导体激光器101～112出射的光的频率。因此，如果预先已知由光检测器4检测的光强度与光的频率的关系，则通过观测由光检测器4检测的光强度，可以监视从半导体激光器输出的光的波长(＝光速/频率)。
[0042] 此处，在来自所有半导体激光器101～112的出射光的干涉仪3内光线传输角度θk成为式(1)的情况下，由光检测器4检测的光强度与光的频率的对应关系在半导体激光器101～112中一致，所以可以实现高精度的波长监视器。
[0043] 以下，说明在满足式(1)的情况下，由光检测器4检测的光强度与从半导体激光器101～112输出的光的波长的对应关系一致的原理。
[0044] 图2是示意性地示出透射干涉仪3的光的传播的图。如果对干涉仪3，从图中的右侧以入射角度θk1入射了光线31，则依照斯内尔定律，光线折射，干涉仪内传输角度成为θk2。入射到干涉仪内的光线反复干涉仪内的反射和部分透射。最终，包含从干涉仪3的出射面(附图左侧)出射的光线32、33、34、35的全部出射光干涉的结果成为透射光。此时，根据各出射光的光程差Δl，计算透射光强度成为峰值的频率。光程差Δl用式(2)来表示。光程差是指，从发光位置向干涉仪内的光透射侧出射的光通过的路线的光学距离、与从发光位置向反射侧出射并在反射位置反射之后向光透射侧出射的光通过的路线的光学距离之差。
[0045] 【式2】
[0046]
[0047]
[0048] 在光程差Δl成为波长的整数倍时，光相互加强，所以干涉仪透射光的峰值频率用式(3)来表示。
[0049] 【式3】
[0050]
[0051]
[0052]
[0053]
[0054]
[0055] 在使式(3)中的最上段的等式变形了的情况下可以变形为式(4)，在使式(3)中的最下段的等式变形了的情况下可以变形为式(5)。
[0056] 【式4】
[0057]
[0058] 【式5】
[0059]
[0060] (3)～(5)中的各参数与式(1)相同。在式(3)～(5)的参数中，光速c、折射率nλ、以及干涉仪长度Letalon是固定值，并且任意的峰值频率f不依赖于动作的半导体激光器k，所以变量仅成为mk(干涉次数)。干涉次数是指，在干涉信号中检测的相位的2π的整数倍的分量中，对2π乘以的整数。
[0061] 图3是示出使干涉仪内传输角度θk变化了时的干涉仪透射光强度的频率依赖性的图。横轴表示频率、纵轴表示干涉仪透射光强度(波长监视功率)、纵深方向的轴表示干涉仪内传输角度θk。在图3中，示出了将相同的干涉次数mk的峰值连接了的虚线10、20、30，其相当于在式(3)中，将光速c、折射率nλ、干涉仪长度Letalon、以及干涉次数mk固定了时的、频率f的干涉仪内传输角度θk依赖性。根据该图，如果比较例如θk＝0.5度的图形和θk＝2.0度的图形，则可知干涉次数mk不同的峰值的频率大致一致。具体而言，在θk
14
＝2.0度的图形中，虚线20的峰值频率是约1.9003×10 Hz，在θk＝0.5度的图形中，虚
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线10的峰值频率也成为约1.9003×10 Hz。如果将其用式(3)来表现，则如以下的式(6)、式(7)所示。
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＝2.0度的图形中，虚线20的峰值频率是约1.9003×10 Hz，在θk＝0.5度的图形中，虚
14
线10的峰值频率也成为约1.9003×10 Hz。如果将其用式(3)来表现，则如以下的式(6)、式(7)所示。
[0062] 【式6】
[0063] (θk＝0.5°的情况)
[0064] …(6)
[0065] 【式7】
[0066] (θk＝2.0°的情况)
[0067] …(7)
[0068] 在实施方式1中，针对以使来自所有半导体激光器的出射光的干涉仪3内光线传输角度θk成为式(1)的解的方式，不等间隔地配置了半导体激光器101～112时的效果，示出计算例。
[0069] 图4是示出在使用了等间隔地配置了半导体激光器101～112的半导体基板1的情况下由光检测器4检测的光强度与光的频率的关系的图。在图4中，示出了由如以下那样构成的波长监视器检测出的光强度、与光的频率的关系。即，该波长监视器包括：将半导体激光器101～112的设置间隔设成20μm间距的半导体基板1(即等间隔地配置了各半导体激光器101～112的半导体基板1)；透镜中心位于半导体激光器106的延长上、并且设置于从半导体激光器106离开1.0mm的位置的、焦距是1.0mm的准直透镜2；以使与半导体激光器106的延长线所成的角成为1度的方式、并且从准直透镜2离开5.0mm地设置的、折射率是约1.52的晶体干涉仪3；以及以与半导体激光器106的延长线垂直的方式、并且从干涉仪3离开2.0mm地配置的、受光面积是250μm见方的正方形的光电二极管即光检测器4。
[0070] 在该波长监视器中，对于从半导体激光器101～112出射的光，透射准直透镜2和干涉仪3，通过光检测器4进行检测。根据图4可知，在不满足式(1)的情况下，由光检测器4检测的光强度与光的频率的关系针对动作的半导体激光器101～112的每一个不同。例如，如果着眼于频率1.90×1014Hz，则由光检测器4检测的来自各半导体激光器101～112的出射光的光强度在0.04(例如半导体激光器108)至0.24(半导体激光器101)的范围内不同。
[0071] 接下来，表1示出来自所有半导体激光器101～112的出射光的干涉仪内光线传输角度θk成为式(1)的解那样的设计例。表1示出各半导体激光器101～112的激光的出射位置、和此时的干涉仪内光线传输角度θk。换言之，表1示出了以使从各个半导体激光器101～112出射的激光(出射光)的干涉仪3内光线传输角度θk成为在式(1)中得到的解(规定的角度)的方式，配设了半导体激光器101～112的情况下的各激光的出射位置的一个例子。
[0072] 【表1】
[0073]
[0074] 在半导体激光器101～112的间距方向上的半导体基板1的中心例如是半导体激光器106与107之间的情况下，从该中心起-17.75μm的位置成为半导体激光器106的激光出射点位置，从该中心起17.75μm的位置成为半导体激光器107的激光出射点位置。以下同样地，例如，从半导体基板1的中心起-39.67μm的位置成为半导体激光器105的激光出射点位置，从半导体基板1的中心起+39.67μm的位置成为半导体激光器108的激光出射点位置。另外，相对于半导体激光器105的激光出射点位置与半导体激光器106的激光出射点位置之间是21.92μm，比半导体激光器105配设于外侧的半导体激光器104的激光出射点位置与半导体激光器105的激光出射点位置之间是比21.92μm窄的13.55μm。
[0075] 图5是示出在如表1所示配设了半导体激光器101～112的情况下由光检测器4检测的光强度的波长依赖性的图。在图5中，示出了各出射光从以表1的条件在半导体基板1中配设的半导体激光器101～112透射准直透镜2和干涉仪3，并通过光检测器4进行了检测的光强度。另外，准直透镜2、干涉仪3、光检测器4成为与图4同样的设定。根据图5可知，在满足式(1)的情况下，从动作的半导体激光器101～112射出并由光检测器4检
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测的光强度与光的频率的关系一致。例如，如果着眼于频率1.90×10 Hz，则对于半导体激光器101～112，由光检测器4检测的光强度是0.17而大致一致。因此，本实施方式的波长监视器相比于以往技术，可以提高光的波长的监视精度。
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测的光强度与光的频率的关系一致。例如，如果着眼于频率1.90×10 Hz，则对于半导体激光器101～112，由光检测器4检测的光强度是0.17而大致一致。因此，本实施方式的波长监视器相比于以往技术，可以提高光的波长的监视精度。
[0076] 以下，说明其他效果。根据本发明的实施方式1的光模块，如表1所示，在来自多个半导体激光器101～112的出射光的干涉仪内传输角度θk(即式(1)的解)内至少1对以上的角度以零为基点成为正负对称。例如，表1所示的与半导体激光器105的出射点位置对应的干涉仪内传输角度θk、和与半导体激光器108的出射点位置对应的干涉仪内传输角度θk成为对称。
[0077] 根据这样的构造，通过驱动成为对称的1对半导体激光器，动态地调整准直透镜2的位置，可以使调整作业变得容易。
[0078] 特别通过设计成来自最外侧的半导体激光器101和112的出射光的干涉仪内传输角度θk的符号成为正负对称，可以高精度地调整准直透镜2的位置。其理由为，例如，相对于来自配设于最内侧的半导体激光器106和107的出射光的干涉仪内传输角度θk分别是-1.012和1.012，来自半导体激光器101和112的出射光的干涉仪内传输角度θk成为4倍以上的大的值。其原因为，在以使准直透镜2的中心对准于半导体激光器101～112的间距方向上的半导体基板1的中心的方式进行位置调整时，在干涉仪内传输角度θk大的情况下，可以高精度地调整。
[0079] 另外，如表1所示，通过使来自所有半导体激光器101～112的出射光的干涉仪内传输角度θk成为±1.0度以上，可以使在干涉仪3的表面反射了的光返回半导体激光器101～112的比率成为约-50dB以下。其结果，可以抑制由于返回光引起的半导体激光器
101～112的多模振荡。
101～112的多模振荡。
[0080] 另外，请注意，半导体基板1、准直透镜2、干涉仪3、以及光检测器4的数值、形状、原材料、位置关系不限于实施方式1。在本实施方式中示出的半导体基板1中，配置了12个半导体激光器，但不限于12个，既可以是12个以下(例如4个、8个等)、也可以是12个以上。另外，准直透镜2的焦距也不限于1.0mm，干涉仪3的材料不限于晶体而也可以是石英，也可以是空气间隙干涉仪。另外，干涉仪3是具有周期性的透射率的频率依赖性的滤波器即可，所以也可以是例如在Si、GaAs、InP等半导体基板、乃至聚合物、玻璃基板上形成的共振器等。光检测器4也不限于受光面积是250μm见方的正方形的光电二极管，而受光面积既可以是250μm见方以上也可以是以下，除了正方形以外也可以采用例如长方形、圆形的受光部。
[0081] 另外，在本实施方式中，不等间隔地设计半导体激光器101～112，使包括光线路径51、52、53的来自所有半导体激光器的出射光的干涉仪3内光线传输角度θk成为式(1)的解，但也可以通过其他方法、例如等间隔地配设半导体激光器101～112并适合地设计准直透镜2的形状，以使包括上述光线路径51、52、53的来自所有半导体激光器的出射光的干涉仪3内光线传输角度θk成为式(1)的解。
[0082] 如以上的说明，本实施方式的波长监视器包括：半导体基板1；在半导体基板1中并列地形成而可以使出射光的波长任意地变化的1对以上的半导体激光器101～112；用于使从半导体激光器101～112出射的激光准直的准直透镜2；以使准直光入射的方式配置并具有周期性的滤波器(干涉仪3)；以及接收透射了上述滤波器的准直光而检测光强度的光检测器4，使来自上述多个半导体激光器的出射光的滤波器内光线传输角度成为式(1)的解，所以对于动作的半导体激光器101～112，由光检测器4检测的光强度与光的频率的关系如图5所示大致一致，可以提高光的波长的监视精度。
[0083] 实施方式2.
[0084] 图6是示出本发明的实施方式2的波长监视器的结构的图。图6所示的波长监视器包括：半导体基板1；在上述半导体基板1上并列地形成的2个以上的半导体激光器101～112；发挥将光封入到微小的区域而向特定的方向波导的作用的光波导路121～
132；使从上述光波导路121～132出射的扩散光准直为平行光的准直透镜2；以使透射了上述准直透镜2的准直光入射的方式配置于半导体基板1的后方面侧的、具有周期性的透射率的频率依赖性的滤波器、例如干涉仪3；以及接收透射了上述干涉仪3的光而检测光强度的光检测器4。另外，在该光波导路121～132中，从半导体基板1出射的位置满足式(1)。
132；使从上述光波导路121～132出射的扩散光准直为平行光的准直透镜2；以使透射了上述准直透镜2的准直光入射的方式配置于半导体基板1的后方面侧的、具有周期性的透射率的频率依赖性的滤波器、例如干涉仪3；以及接收透射了上述干涉仪3的光而检测光强度的光检测器4。另外，在该光波导路121～132中，从半导体基板1出射的位置满足式(1)。
[0085] 对于半导体激光器101～112，由于构造上的制约，必需将间距间隔确保一定以上，但光波导路121～132可以相比于半导体激光器101～112，使间距间隔更窄，所以通过在半导体基板1上设置光波导路121～132，可以使从半导体激光器101～112出射的光的出射点间隔变窄。
[0086] 另外，通过设置用于调整发光点间距的光波导路121～132，可以等间隔地设定半导体激光器101～112自身。另外，光波导路121～132的出射部分与半导体基板1的端面所成的角既可以是垂直，也可以是70度以下。在使所成的角成为70度以下的情况下，可以降低从半导体基板1的端面向半导体激光器101～112的反射返回光，使半导体激光器101～112的动作稳定化。
[0087] 另外，在本实施方式中不等间隔地设计光波导路121～132的出射位置，使包括上述光线路径51、52、53的来自所有半导体激光器101～112的出射光的干涉仪内光线传输角度θk成为式(1)的解，但不限于本方式，例如，也可以通过适合地设计光波导路121～132的出射角度来实现上述效果。
[0088] 实施方式3.
[0089] 图7是示出本发明的实施方式3的波长监视器的结构的图。本实施方式是实施方式1、2的变形例，包括：半导体基板1；在上述半导体基板1上并列地形成的2个以上的半导体激光器101～112；发挥将光封入微小的区域而向特定的方向波导的作用的光波导路121～132(是可选择的部分，由于与图6所示的结构相同，所以未图示)；使从上述光波导路121～132出射的扩散光准直为平行光的准直透镜2；以使透射了上述准直透镜2的准直光入射的方式配置于半导体基板1的后方面侧的、具有周期性的透射率的频率依赖性的滤波器、例如干涉仪3；接收透射了上述干涉仪3的光而检测光强度的光检测器4；以及可调整温度的珀耳帖元件6，将干涉仪3设置于珀耳帖元件6上。
[0090] 在制作实施方式1、2的波长监视器的情况下，依赖于制作精度而产生偏差。根据实施方式3的波长监视器，可以抑制由于该制作偏差引起的波长监视特性劣化，通过适合地调整干涉仪温度可以补偿制作偏差。具体而言，通过在±20℃的范围内调整干涉仪3的温度，所容许的准直透镜2的位置偏移成为约±2.5μm。另外，该干涉仪温度的调整范围不限于±20℃。
[0091] 实施方式4.
[0092] 图8是示出本发明的实施方式4的波长监视器的结构的图。本实施方式是实施方式1、2、3的变形例，其特征在于，光检测器4的受光部分是半导体激光器101～112的并列方向成为长边(长度方向)那样的长方形。即，光检测器4的长度方向是在半导体激光器101～112的间距方向上形成的。如果半导体基板1上的半导体激光器101～112的集成数增加，则位于外侧的半导体激光器101、112的与准直透镜2的偏芯量变大，所以存在准直光的传输角度变大这样的问题。通过使光检测器4成为上述构造，通过光检测器4还可以检测传输角度大的准直光。
[0093] 实施方式5.
[0094] 图9是示出本发明的实施方式5的波长监视器的结构的图。本实施方式是实施方式1、2、3的变形例，本实施方式的光检测部具有多个光检测器41～44在与半导体激光器101～112的间距方向相同的方向上配置成阵列状的构造。如果半导体基板1上的半导体激光器101～112的集成数增加，则位于外侧的半导体激光器101、112的与准直透镜2的偏芯量变大，所以存在准直光的传输角度变大这样的问题。通过将光检测部设成上述构造，通过光检测器41～44还可以检测传输角度大的准直光。另外，在实施方式5中作为一个例子将光检测器的数量设成4个，但不限于该数，而根据准直光的传输角度适合地设定即可。
[0095] 另外，实施方式1～5所示的波长监视器是本发明的内容的一个例子，还可以与其他公知的技术组合，当然还可以在不脱离本发明的要旨的范围内，将部分省略等变更而构成。
[0096] 产业上的可利用性
[0097] 如上所述，本发明可以应用于光模块，特别作为在对来自多个半导体激光器的出射光进行波长监视时，可以简易地抑制波长监视特性的偏差的发明是有用的。
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