专利汇可以提供一种温度补偿电路专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种 温度 补偿 电路 ,属于集成电路领域,所述 温度补偿电路 包括:参考 电压 生成子电路、 电流 源子电路、温度 传感器 子电路、镜像电流生成子电路和补偿电流生成子电路。所述参考电压生成子电路与所述电流源子电路和补偿电流生成子电路连接,电流源子电路与温度传感器子电路和镜像电流生成子电路连接,补偿电流生成子电路与温度传感器子电路、参考电压生成子电路及镜像电流生成子电路连接。通过补偿电流生成电路等价为一种用模拟电路实现的 人工神经元 网络,调整其中各个单元电路的 阈值 电压和工作电流,可以生成随温度按任意函数关系变化的补偿电流,可对多种典型电路进行较高 精度 的温度补偿。,下面是一种温度补偿电路专利的具体信息内容。
1.一种温度补偿电路,所述温度补偿电路用于在集成电路设计中实现温度补偿,其特征在于,所述温度补偿电路包括:
参考电压生成子电路、电流源子电路、温度传感器子电路、镜像电流生成子电路和补偿电流生成子电路;
所述参考电压生成子电路与所述电流源子电路和补偿电流生成子电路连接,电流源子电路与温度传感器子电路和镜像电流生成子电路连接,补偿电流生成子电路与温度传感器子电路、参考电压生成子电路及镜像电流生成子电路连接;
其中,所述补偿电流生成子电路至少包括低温补偿子电路、高温补偿子电路以及区间温度补偿子电路中的任意一个;
所述参考电压生成子电路用于生成温度系数较低且基本不随电源电压变化的多个参考电压,这些参考电压用于所述电流源子电路和所述补偿电流生成子电路;
所述电流源子电路用于产生基本不随工作电源变化的基准电流,这些基准电流用于所述温度传感器子电路和所述镜像电流生成子电路;
所述镜像电流生成子电路用于产生多个基本不随工作电源变化的吸收型电流源,各个所述吸收型电流源的电流大小与所述基准电流呈比例;
所述温度传感器子电路用于获取环境温度,产生随所述环境温度呈近似线性变化的电压;
所述补偿电流生成子电路用于根据所述环境温度,在所述参考电压生成子电路、所述温度传感器子电路及所述镜像电流生成子电路的基础上,产生需要的补偿电流;
所述低温补偿子电路包括至少一个低温补偿单元子电路ITN型单元,所述ITN型单元的结构特征是有6个端口,分别定义为阈值电压输入端VS,温度电压输入端VT,工作电流控制端IS,电流输出端IO以及电源正端V+和电源负端V-;在低温补偿子电路中,每个所述ITN单元的VS端分别与所述参考电压生成子电路连接,所有所述ITN型单元的VT端连接在一起,并与所述温度传感器子电路的输出电压连接,每个所述ITN型单元的IS端分别与所述镜像电流生成子电路连接;所有所述ITN型单元的IO端连接在一起;所有所述ITN型单元的V+连接到其工作电源的正端,所有所述ITN型单元的V-端连接到其工作电源的负端,所述ITN型单元的功能特征是当温度低于设定温度时输出电流开始产生,并随温度下降而增加,最终达到设定的最大电流;其输出电流与端口电压和电流近似满足如下关系:
其中,IO是从IO端流出的电流,VT是VT端的电压,VT在电路中连接温度传感器子电路的输出电压,随温度升高近似线性下降;VS是VS端的电压,在电路中连接到参考电压生成子电路,基本不随温度变化;IS是从IS端流出的电流,k是由内部电路结构和参数决定的常数;如果工作电源,即V+和V-之间的电压在适当的范围内时,则IO与电源电压无关。
2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,
所述高温补偿子电路包括至少一个高温补偿单元ITP型单元;所述ITP型单元与ITN型单元具有相同的结构特征;ITP型单元的功能特征是当温度高于设定温度时输出电流开始产生,并随温度增加而增加,最终达到最大设定电流;其输出电流与外部输入端的电压和电流满足如下关系:
其中,IO是从IO端流出的电流,VT是VT端的电压,VT端在电路中连接温度传感器子电路的输出电压,随温度升高近似线性下降;VS为是VS端的电压,为固定值;IS是从IS端流出的电流,k是由内部电路结构和参数决定的常数;如果工作电源,即V+和V-之间的电压在适当的范围内时,则IO与电源电压无关。
3.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,
所述区间温度补偿子电路包括至少一个区间温度补偿单元子电路ITC型单元;ITC型单元结构特征是具有8个端口,即两个阈值电压输入端VSL和VSR,两个工作电流控制端IS1和IS2,一个温度电压输入端VT,一个电流输出端IO,及工作电源正端V+和工作电源负端V-;在区间温度补偿子电路中,所有ITC型单元的VT端连接在一起并与温度传感器子电路相连接;所有ITC型单元的IO端连接在一起;每个所述ITC型单元的VSL和VSR端分别与所述参考电压生成子电路的输出相连接;每个所述ITC型单元的IS1和IS2端分别与镜像电流生成单元相连接;所述ITC型单元的功能特征是当环境温度介于两个设定温度值之间时有输出电流产生,当温度位于设定温度区间中心时,输出电流达到最大值;其输出电流与端口电压和工作电流满足如下关系:
式中,ΔVS=VSR-VSL,
其中,IO为从IO端流出的电流,VSL为VSL端的电压,VSR为VSR端的电压,VT是VT端的电压,k1和k2是与温度无关的常数,IS为IS1端和IS2端流出的电流,这里假设两个电流的大小都是IS。
4.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,
所述ITN型单元的一种具体实现方式包括使用5个MOS管实现,连接关系为:以NMOS管M4的栅极作为VT端,以NMOS管M5的栅极作为VS端,M4和M5的源极连接在一起作为IS端,M4和M5的体连接在一起并连接到V-端;M4的漏极连接PMOS管M1的漏极和栅极以及PMOS管M3的栅极;M5的漏极连接PMOS管M2的漏极和栅极;M1的源极和体连接V+端,M2的源极和体连接V+端,PMOS管M3的源极和体都连接V+端,漏极连接IO端。
5.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,
所述ITN型单元的等价实现方式包括使用两个MOS管和3个PNP型晶体管实现,连接关系为:MOS管M4的栅极作为温度电压输入端VT,MOS管M5的栅极作为阈值电压输入端VS,MOS管M4和M5的源极连接在一起作为工作电流控制端IS,M4和M5的体连接在一起并连接到端口V-;M4的漏极连接到PNP晶体管Q2的集电极和基极以及PNP晶体管Q1的基极;M5的漏极连接PNP晶体管Q3的集电极和基极;Q1、Q2和Q3的发射极都连接V+端,Q1的集电极作为输出电流IO端。
6.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,
所述ITP型单元的一种具体实现方式包括使用5个MOS管实现;连接关系为:以NMOS管M4的栅极作为VT端,以NMOS管M5的栅极作为VS端,M4和M5的源极连接在一起作为IS端,M4和M5的体连接在一起并连接到V-端;M4的漏极连接PMOS管M1的漏极和栅极;M5的漏极连接PMOS管M2的漏极和栅极以及PMOS管M3的栅极;M1的源极和体连接V+端,M2的源极和体连接V+端,PMOS管M3的源极和体都连接V+端,漏极作为IO端。
7.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,
所述ITP型单元的等价实现方式包括使用3个PNP晶体管和2个MOS管实现;连接关系为:
MOS管M1的栅极作为温度电压输入端VT,MOS管M2的栅极作为阈值电压输入端VS,MOS管M1和M2的源极连接在一起作为工作电流控制端IS,M1和M2的体连接在一起并连接到端口V-;M2的漏极连接到PNP晶体管Q2的集电极和基极以及PNP晶体管Q3的基极;M1的漏极连接PNP晶体管Q1的集电极和基极;Q1、Q2和Q3的发射极都连接V+端,Q3的集电极作为输出电流IO端。
8.根据权利要求3所述的电路,其特征在于,
所述ITC型单元的一种具体实现方式包括使用10个MOS管实现;连接关系为:NMOS管M4的栅极与NMOS管M9的栅极连接在一起作为温度电压输入端VT,NMOS管M5的栅极作为阈值电压输入端VSL,NMOS管M10的栅极作为阈值电压输入端VSR,M4、M5、M9和M10的体连接在一起作为V-端,M4与M5的源极连接在一起作为一个工作电流控制端IS1,M9和M10的源极连接在一起作为另一个工作电流控制端IS2,M4的漏极连接PMOS管M1的栅极和漏极,M5的漏极连接PMOS管M2的栅极和漏极以及PMOS管M3的栅极,M9的漏极连接PMOS管M6的栅极和PMOS管M7的栅极和漏极,M10的漏极连接PMOS管M8的栅极和漏极;M3的漏极连接M6的源极,M6的漏极作为IO端,M1、M2、M3、M7和M8的源极连接V+端,M1、M2、M3、M6、M7和M8的体连接V+端。
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