半导体密封用树脂组合物和使用它的 半导体装置及制法

本发明涉及环氧树脂类密封剂，在80℃以下较低温度显示低粘度，特别是排出，涂布作业性优良，且贮存稳定性优良的半导体密封用树脂组合物，和使用它的半导体装置以及半导体装置的制备方法。

以前，在TAB(载带自动焊接)，COB(电路板上的芯片)等中的半导体密封中，使用液体状的密封剂。上述液体状密封剂在室温(25℃)使用，通过分配器、印刷等将半导体元件用树脂密封制造半导体装置。作为这样的液体密封剂，已知一般是含有液体状环氧树酯和液体状酸酐硬化剂，以及通常的硬化促进剂和二氧化硅粉末形成的环氧树脂组合物。

但是，上述液体状密封剂，由于在室温为液体状态，贮藏稳定性差，由于室温贮藏时粘度变大，二氧化硅粉末沉降，树脂凝固固化等，因此需要特别的贮藏方式。

本发明鉴于这样的事实，目的是提供使用时间加长且贮存稳定性优良，同时排出和涂布作业性优良的半导体密封用树脂组合物和使用它的半导体装置，以及半导体装置的制备方法。

为达到上述目的，本发明的第1要点是半导体密封用树脂组合物，其特征在于是含有下述(A)-(D)成分的半导体密封用树脂组合物，上述半导体密封用树脂组合物在25℃的粘度为700Pa·s以上或在25℃时为固体，且在80℃时粘度为500Pa·s以下，(A)环氧树脂(B)酸酐类硬化剂(C)潜在性硬化促进剂(D)无机填充剂。

另外，本发明的第2要点是在配线电路基板上，通过多个连接用电装载半导体元件，上述配线电路基板与半导体元件之间的空隙是用密封用树脂层密封形成的半导体装置，上述密封用树脂层是用树脂组合物形成的。

另外，本发明的第3要点是在配线电路基板上，通过多个连接用电极装载半导体元件，上述配线电路基板与半导体元件之间的空隙用密封用树脂层密封形成半导体装置的制备方法，在上述配线电路基板与半导体元件之间的空隙中填充上述半导体密封用树脂组合物之后，通过硬化形成上述密封树脂层。

另外，本发明的第4要点是在配线电路基板上装载半导体元件，配线电路基板与半导体元件是电连接，用密封树脂层将半导体元件周围密封使上述半导体元件以内藏方式形成的半导体装置，上述密封用树脂层是用上述半导体密封用树脂组合物形成的。

另外，本发明的第5要点是在配线电路基板上装载半导体元件，配线电路基板与半导体元件是电连接，用密封树脂层将半导体元件周围密封使上述半导体元件以内藏方式形成半导体装置的制备方法，在上述配线电路基板面上装载半导体元件，配线电路基板与半导体元件电连接之后，在装载上述半导体元件一侧的配线电路基板上供给半导体密封用树脂组合物，通过硬化形上述密封树脂层。

另外，本发明的第6要点是在实际安装用基板上，通过多个连接用电极和在半导体装置自身的配线电路基板的反面装载形成树脂密封层的半导体装置，上述实际安装用基板与半导体装置之间的空隙用密封用树脂层密封形成的半导体制品，上述密封用树脂层是用上述半导体密封用树脂组合物形成的。

另外，本发明的第7要点是半导体装置的制备方法，包括将具有多个配设突起状电极的半导体元件形成的半导体晶片，在上述突起状电极配设面上用上述半导体密封用树脂组合物形成一定厚度的树脂层的步骤，上述突起状电极至少头部从上述树脂层中露出，和将上述形成树脂层的半导体晶片切断成独立的半导体元件的步骤。

另外，本发明的第8要点是半导体装置的制备方法，包括对在由独立的配线电路形成的矩阵状配线电路基板上装载的全部多个半导体元件供给上述半导体密封用树脂组合物，使半导体元件以内藏方式形成树脂层的步骤，和将形成内藏半导体元件的树脂层的矩阵状配线电路基板与树脂层一起切断成独立的半导体元件的步骤。

另外，本发明的第9要点是半导体装置的制备方法，包括在具有多个配设突起状电极的半导体元件形成的半导体晶片的在上述突起状电极配设面上用上述半导体密封用树脂组合物形成一定厚度的树脂层的步骤，和将上述形成树脂层的半导体晶片切断成独立的半导体元件的步骤，和将上述切断的半导体元件的树脂层形成面和在配线电路基板的反面，将配线电路基板与半导体元件通过热压进行电连接的同时，将上述树脂层熔融硬化，在上述半导体元件与配线电路基板之间形成密封树脂层的树脂密封步骤。

另外，本发明的第10要点是半导体装置的制备方法，包括在由独立的配线电路形成的矩阵状配线电路基板上涂布上述半导体密封用树脂组合物形成树脂层的步骤，和将上述形成树脂层的配线电路基板切断成独立的配线电路基板的步骤，和将独立配设多个连接用电极的半导体元件的连接用电极配设面和在切断的配线电路基板的反面，将半导体元件与配线电路基板通过热压进行电连接的同时，将上述树脂层熔融硬化，在上述半导体元件与配线电路基板之间形成密封树脂层的树脂密封步骤。

即，本发明者为获得延长使用时间且贮存稳定性优良的，同时排出和涂布作业性优良的密封材料进行了一系列的研究。其结果发现，使用环氧树脂和酸酐类硬化剂和潜在性硬化促进剂和无机填充剂，且在25℃和80℃的各温度具有特定的状态、粘度的树脂组合物，可达到所期望的目的，并因此完成了本发明。

特别是，作为上述环氧树脂，在使用多官能环氧树脂时，可提高玻璃化转变温度(Tg)，在提高耐热性方面是有利的。

另外，作为上述潜在性硬化促进剂，由于用特定的外壳部分包覆硬化促进剂形成核心部分，在使用具有心／壳结构的微胶囊型硬化促进剂时，含有它形成的半导体密封用树脂组合物可大大延长使用时间，具有贮存稳定特别优良的优点。

另外，作为无机填充剂使用球状熔融二氧化硅粉末，当其在半导体密封用树脂组合物中以特定的比例存在时，可使流动性变的优良，具有排出和涂布作业性特别优良的优点。

下面对本发明的实施方式进行详细的说明。

本发明的半导体密封用树脂组合物，是使用环氧树脂(A组分)和、酸酐类硬化剂(B组分)和潜在性硬化促进剂(C组分)及无机填充剂(D组分)得到的，是在25℃和80℃各温度分别具有特定的状态、粘度的物质。

作为上述环氧树脂(A组分)，没有特别的限制，可使用各种环氧树脂。例如，可列举的有，多官能固体环氧树脂，结晶性环氧树脂，二官能固体环氧树脂，三缩水甘油基异氰酸酯，双酚F型环氧树脂，双酚A型环氧树脂等。这些可单独使用或2种以上并用。这里，多官能固体环氧树脂是指在1个分子中环氧基在3个以上的固体环氧树脂。作为这样的多官能环氧树脂，可列举的有，例如，四官能萘型环氧树脂，三苯甲烷型环氧树脂，二环戊二烯型环氧树脂，三井化学公司制造的特考棉(テクモア)VG3101L，邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂等。另外，结晶性环氧树脂是指X射线衍射显示多个结晶峰的固体环氧树脂，物理上显示清晰(sharp)的熔点，且熔融时几乎没有分子间相互作用的具有极低的粘度性质的物质。作为这样的结晶性环氧树脂，可列举的有，例如，双酚型，联苯型，1，2-二苯乙烯型等。在结晶性环氧树脂中，使用熔点在90℃以上的物质时，为了在80℃以下流动性变好，优选使用2种以上的物质组合使用。

作为上述环氧树脂(A组分)中的结晶性环氧树脂，可列举的有，例如市售的商品名GK-4137(新日铁化学公司制造)，商品名GK-5079(新日铁化学公司制造)，商品名YDC-1312(东都化成公司制造)等。上述GK-4137用下述化学式(2)表示。另外，上述GK-5079用下述化学式(3)表示。另外，上述YDC-1312用下述化学式(4)表示。[化2][化3][化4]另外，上述结晶性环氧树脂中的联苯型环氧树脂用下述通式(5)表示。[化5][上式(5)中，R3-R6为氢原子或碳原子数1-5的烷基，彼此可相同或不同。]作为上式(5)中的R3-R6表示的碳原子数1-5的烷基，可列举的有，甲基，乙基，正丙基，异丙基，正丁基，异丁基，仲丁基，叔丁基等直链或支链的低级烷基，上述R3-R6彼此可相同或不同。

作为上述联苯型环氧树脂，优选使用上述R3-R6全部是甲基的下述式(6)所示结构的联苯型环氧树脂和上述R3-R6全部是氢的下述式(7)所示结构的联苯型环氧树脂的几乎等量的混合物。

[化6][化7]因此，作为A组分的环氧树脂，优选使用环氧当量为140-270g／eq，软化点为50-100℃或熔点为40-150℃的物质，其中特别优选环氧当量为150-220g／eq，软化点为60-80℃或熔点为60-130℃的物质。

作为与上述A组分同时使用的酸酐类硬化剂(B组分)，只要是作为上述环氧树脂(A组分)的硬化剂可发挥作用的物质都可以，没有特别的限制，可使用各种酸酐，但在不损害所期望的目的范围内，可以联合使用各种酚类树脂，胺类，苯二酸类等。作为上述酸酐类硬化剂(B组分)，可列举的有，六氢苯二酸酐，甲基六氢苯二酸酐，四氢苯二酸酐，苯二酸酐，偏苯三酸酐等。这些可单独使用或2种以上并用。

作为B组分的酸酐，优选使用当量为100-200的物质，其中特别优选当量为150-180，且在常温为液体的物质。

上述环氧树脂(A组分)和酸酐类硬化剂(B组分)的配合比例为优选对上述环氧树脂使用0．6-1．4当量的酸酐类硬化剂。更优选使用0．7-1．1当量的酸酐类硬化剂。

在上述环氧树脂(A组分)与酸酐类硬化剂(B组分)的组合中，例如，使用双酚F型环氧树脂[特别是商品名YDF-8170(东都化成公司制造)]与甲基六氢苯二酸酐[甲基化HHPA(例如，商品名：リカシフド MH-700，新日本理化公司制造)]的组合，从硬化性、耐热性、流动性方面是优选的。

与上述A组分和B组分同时使用的潜在性硬化促进剂(C组分)，是含有其形成的半导体密封用树脂组合物在50℃氛围下放置72小时后的粘度(测定温度：80℃)为其放置前粘度的10倍以下的物质。可列举的有，例如，由各种硬化促进剂形成的核心部分被具有下述通式(1)所示结构单元的聚合物作为主要成分形成的外壳部分包覆的具有核心／壳结构的，其外壳部分中存在的反应性氨基被封端化的微胶囊型硬化促进剂。使用这样的微胶囊型硬化促进剂，含有其形成的半导体密封用树脂组合物可大大延长可使用时间，贮藏稳定性特别优良。另外，即使在少量使用通常的硬化促进剂时，如果相对于放置前的粘度为10倍以下，通常为1-3倍的，也可作为硬化促进剂。

[化8][上式(1)中，R1，R2分别为氢原子或1价有机基团，彼此可相同或不同。]在上述微胶囊型硬化促进剂中，作为核心部内包的硬化促进剂，只要是具有促进硬化反应作用的物质都可以，没有特别的限制，可使用现有技术中公知的物质。因此，此时从调整微胶囊型的实际作业性或所得微胶囊的特性方面考虑，优选在室温为液体的物质。另外，在室温呈液体状是指除了包括氧化促进剂本身的性状在室温(25℃)显示液体状外，还包括即使在室温为固体但溶解或分散于任意的有机溶剂呈液体状的物质。

因此，作为上述内包的硬化促进剂，可列举的有，例如，胺类，咪唑类，磷类，硼类，磷-硼类等硬化促进剂。具体可列举的有，2-甲基咪唑，2-乙基咪唑，2-乙基-4-甲基咪唑，2-异丙基咪唑，2-十二烷基咪唑，2-十一烷基咪唑，2-十七烷基咪唑，2-苯基咪唑，1-苄基-2-甲基咪唑，1-苄基-2-苯基咪唑，1-氰基乙基-2-甲基咪唑等咪唑类，乙基胍，三甲基胍，苯基胍，联苯基胍等烷基取代的胍类，3-(3，4-二氯苯基)-1，1-二甲基脲，3-苯基-1，1-二甲基脲，3-(4-氯苯基)-1，1-二甲基脲等3-取代的苯基-1，1-二甲基脲，2-甲基咪唑啉，2-苯基咪唑啉，2-十一烷基咪唑啉，2-十七烷基咪唑啉等咪唑啉类，2-氨基吡啶等单氨基吡啶类，N，N-二甲基-N-(2-羟基-3-烯丙氧基丙基)胺-N’-乳酰亚胺等胺酰亚胺类，乙基膦，丙基膦，丁基膦，苯基膦，三甲基膦，三乙基膦，三丁基膦，三辛基膦，三苯基膦，三环己基膦，三苯基膦／三苯基甲硼烷络合物，四苯基鏻四苯基硼酸酯等有机磷类化合物，1，8二氮杂双环[5，4，0]十一碳烯-7等二氮杂双环链烯类化合物和1，4-二氮杂双环[2，2，2]辛烷等。这些可单独使用或2种以上并用。其中，从含有硬化促进剂的微胶囊的制作容易性，或可操作性的容易性方面考虑，优选使用咪唑类化合物或有机磷类化合物。

具有前述式(1)所示结构单元的聚合物为主要成分形成的聚合物，例如，可通过多价异氰酸酯与多价胺类的加成聚合反应得到。或者，通过多价异氰酸酯与水的反应得到。

作为上述多价异氰酸酯类，可以是分子内含有2个以上的异氰酸酯基的化合物，具体可列举的有，间苯撑二异氰酸酯，对苯撑二异氰酸酯，2，4-甲苯撑二异氰酸酯，2，6-甲苯撑二异氰酸酯，萘-1，4-二异氰酸酯，二苯基甲烷-4，4’-二异氰酸酯，3，3’-二甲氧基-4，4’-联苯基二异氰酸酯，3，3’-二甲基二苯基甲烷-4，4’-二异氰酸酯，苯二甲基-1，4-二异氰酸酯，4，4’-二苯基丙烷二异氰酸酯，三甲撑二异氰酸酯，六甲撑二异氰酸酯，丙撑-1，2-二异氰酸酯，丁撑-1，2-二异氰酸酯，环己撑-1，2-二异氰酸酯，环己撑-1，4-二异氰酸酯等二异氰酸酯类，对苯撑二异硫氰酸酯，苯二甲基-1，4-二异硫氰酸酯，次乙基二异硫氰酸酯等三异氰酸脂类，4，4’-二甲基二苯基甲烷-2，2’，5，5’-四异氰酸酯等四异氰酸酯类，六甲撑二异氰酸酯与己三醇的加成产物，2，4-甲苯撑二异氰酸酯与邻苯二酚的加成产物，甲苯撑二异氰酸酯与己三醇的加成产物，甲苯撑二异氰酸酯与三羟甲基丙烷的加成产物，苯二甲基二异氰酸酯与三羟甲基丙烷的加成产物，六甲撑二异氰酸酯与三羟甲基丙烷的加成产物，三苯基二甲撑三异氰酸酯，四苯基三甲撑四异氰酸酯，五苯基四甲撑五异氰酸酯，赖氨酸异氰酸酯，六甲撑二异氰酸酯等脂肪族多价异氰酸酯的三聚物等异氰酸酯预聚体等。这些可单独使用或2种以上并用。

上述多价异氰酸酯类中，从微胶囊调制时的造膜性或机强度方面考虑，优选使用甲苯撑二异氰酸酯与三羟甲基丙烷的加成产物(X)，和苯二甲基二异氰酸酯与三羟甲基丙烷的加成产物(Y)中的至少一种3价的异氰酸酯预聚体。另外，三苯基二甲撑三异氰酸酯也可作为优选的多价异氰酸酯使用。

另一方面，作为与上述多价异氰酸酯反应的多价胺类，可以是分子内含有2个以上的氨基的化合物，具体可列举的有，二乙撑三胺，三乙撑四胺，四乙撑五胺，1，6-六甲撑二胺，1，8-八甲撑二胺，1，12-十二甲撑二胺，邻苯撑二胺，间苯撑二胺，对苯撑二胺，邻苯二甲基二胺，间苯二甲基二胺，对苯二甲基二胺，孟烷二胺，双(4-氨基-3-甲基环己基)甲烷，异佛尔酮二胺，1，3-二氨基环己烷，螺缩醛类二胺等。这些可单独使用或2种以上并用。

另外，上述多价异氰酸酯类与水的反应，首先，通过多价异氰酸酯的水解形成胺，通过该胺与未反应的异氰酸酯基反应(即所谓的自身加成聚合反应)，形成具有前述通式(1)所示的结构单元的聚合物为主要成分的聚合物。

另外，作为形成上述外壳部分(壁膜)的聚合物，可列举的有，例如，在使用上述多价异氰酸酯的同时并用多价醇，具有尿烷键的聚氨酯-聚脲。

作为上述多价醇，可以是脂肪族、芳香族或脂环族的任意一种，可列举的有，例如儿茶酚，间苯二酚，1，2-二羟基-4-甲基苯，1，3-二羟基-5-甲基苯，3、4-二羟基-1-甲基苯，3，5-二羟基-1-甲基苯，2，4-二羟基乙基苯，1，3-萘二醇，1，5-萘二醇，2，7-萘二醇，2，3-萘二醇，o，o’-联苯酚，p，p’-联苯酚，双酚A，双-(2-羟基苯基)甲烷，苯二甲基二醇，乙二醇，1，3-丙二醇，1，4-丁二醇，1，5-戊二醇，1，6-己二醇，1，7-庚二醇，1，8-辛二醇，1，1，1-三羟甲基丙烷，己三醇，季戊四醇，甘油，山梨糖醇等。这些可单独使用或2种以上并用。

上述微胶囊型硬化促进剂，例如，可使用下述3步步骤制造。

[第1步骤]将核心组分的硬化促进剂溶解或微分散于作为壁膜(外壳)原料的多价异氰酸酯中形成油相。接着，在含有分散稳定剂的水介质(水相)中，将上述油相分散，制作油滴状O／W型(油相／水相型)乳液。接着，通过向上述O／W型乳液的水相中加入多价胺，溶解，使之与油相中的多价异氰酸酯之间发生界面聚合的加成聚合反应。或，通过将上述O／W型乳液加热，使油相中的多价异氰酸酯在与水相的界面与水反应，生成胺，进行连续自身加成聚合反应。这样，就得到了聚脲类的聚合物，优选具有前述通式(1)所示结构单元的聚脲形成壳部(壁膜)制作的微胶囊的微胶囊分散液。

另一方面，在将固体硬化促进剂溶解于有机溶剂形成核心部分时，形成S／O／W型(固相／油相／水相)乳液。另外，该乳液型是硬化促进剂为亲油性的情况，硬化促进剂具有亲水性时虽然很难形成上述乳液型，但在此时，可通过调整溶解度以O／O型(油相／油相)乳液，或S／O／O(固相／油相／油相)型乳液进行界面聚合。

作为该情况中使用的有机溶剂，只要是在室温为液体状的都可以，没有特别的限制，但至少应是不溶解壳部(壁膜)的物质。具体地说，除了乙酸乙酯，甲乙酮，丙酮，二氯甲烷，二甲苯，甲苯，四氢呋喃等有机溶剂外，还可使用苯基二甲苯基乙烷，二烷基萘等油类。

[第2步骤]向上述第1步骤得到的微胶囊分散液中，加入封端化试剂进行溶解或分散。此时，通过离心分离等将水相中的分散稳定剂或未反应的胺除去后，使上述添加封端化试剂生效。

[第3步骤]

将上述第2步骤中，氨基被封端化试剂封端的微胶囊分散液，通过离心分离或过滤等，除去多余的封端化试剂后，进行干燥，可制作粉末状的微胶囊型硬化促进剂。

首先，在上述第1步骤中，作为向水介质(水相)中加入的分散稳定剂，可列举的有，聚乙烯基醇，羟甲基纤维素等水溶性高分子类，阴离子类表面活性剂，非离子类表面活性剂，阳离子类表面活性剂等表面活性剂类。另外，也可使用胶体二氧化硅，粘性矿物等亲水性无机胶体物质等。这些分散稳定剂的添加量，优选在水相中占0．1-10重量％。

另外，作为在上述第2步骤中使用的封端化试剂，只要是与氨基有反应性的化合物都可以，没有特别的限制，可列举的有，例如，环氧化合物，醛化合物，酸酐，酯化合物，异氰酸酯化合物等与氨基反应形成共价键的化合物。另外，可列举的有，乙酸，甲酸，乳酸，草酸，琥珀酸等有机羧酸类，对甲苯磺酸，2-萘磺酸，十二烷基苯磺酸等有机磺酸类，酚化合物，硼酸，硝酸，磷酸，亚硝酸，盐酸等无机酸类，二氧化硅，气凝胶(アェロジル)等具有酸性表面的固体物质等与氨基进行中和反应形成盐的酸性化物。这些化合物中，上述酸性化合物作为有效的壁膜表面和壁膜内部存在的氨基的封端化合物是优选使用的，特别优选甲酸，有机磺酸类。

上述封端化试剂的添加量，可添加与壁膜表面和壁膜内部存在的氨基等摩尔数的封端化试剂。在实际应用中，可列举的有，例如，作为封端化试剂使用酸性化合物时，可在调制微胶囊(界面聚合)后的分散液中添加酸性物质(酸性化合物)，使分散液的pH由碱性变为酸性，优选调整至pH2-5，之后，通过离心分离或过滤等手段除去过量的酸性化合物的方法。

另外，在由上述第1至第3步骤形成微胶囊型硬化促进剂的方法中，作为第2步骤，可使用通过将微胶囊分散液通过酸性阳离子交换树脂柱，除去未反应的游离氨基，中和残存的氨基的方法。

对于所得微胶囊型硬化促进剂的平均粒径没有特别的限制，例如，从均一分散性的观点考虑，优选在0．05-500μm的范围内，更优选0．1-30μm范围内。作为上述微胶囊型硬化促进剂的形状，优选球状，椭球状也可以。因此，该微胶囊的形状不是真球状而是椭圆状或扁平状等不能规定统一粒径时，将其最长径与最短径的单纯平均值作为平均粒径。

另外，上述微胶囊型硬化促进剂中，内包的硬化促进剂的量优选为微胶囊全量的10-95重量％，更优选30-80重量％。即，硬化促进剂的内包量不足10重量％时，硬化反应的时间过长，缺乏反应性，相反，如果硬化促进剂的内包量超过95重量％，壁膜的厚度过薄，恐怕核心部分(硬化剂)的隔离性或机械强度等不足。

另外，相对于上述微胶囊型硬化促进剂的粒径，外壳部分(壁膜)的厚度比率优选为3-25％，特别优选5-25％。即，上述比率不足3％时，不能得到对在环氧树脂组合物制造时混合步骤中所加剪切力的充分的机械强度，另外，在超过25％时，存在内包的硬化促进放出不充分的倾向。

因此，上述潜在性硬化促进剂(C组分)的配合量，相对于前述酸酐类硬化剂(B组分)100重量份(以下简称为“份”)优选0．1-40份。特别优选5-20份。即，在上述潜在性硬化促进剂的配合量不足0．1份时，硬化速度过慢，会引起强度低下，如果超过40份，硬化速度过快，会损害流动性。

另外，在本发明中，作为C组分潜在性硬化促进剂，除了上述含有硬化促进剂的微胶囊以外，只要不损害所期望的目的，可使用市售的微胶囊型硬化促进剂。作为市售品，可列举的有，例如，商品名为MCE-9957(日本化药公司制造，使用甲基丙烯酸甲酯作为壁膜的产品)，旭汽巴(チバ)公司制造的南巴桥(ノバキコア一)(商品名HX-3748，3741，3742，HX-3921HR，HX-39421HP)等。另外，微胶囊型硬化促进剂以外的硬化促进剂双氰胺，或富士化成工业公司制造的富士浮(フジキュフ一)FXR-1030、FXE-1000等催化活性弱的产品或少量添加通常的硬化促进剂的催化活性弱的产品也可以。

作为与上述A-C组分一起使用的无机填充剂(D组分)，没有特别的限制，司使用各种无机填充剂。可列举的有，例如，二氧化硅，粘土，石膏，碳酸钙，硫酸钡，氧化铝，氧化铍，碳化硅，氮化硅，气凝胶(アェロジル)等，但也可加入镍、金、铜、银、锡、铅、Bi等导电性粒子。其中，球状二氧化硅粉末，具体地说，特别优选球状熔融的二氧化硅粉末。另外，优选平均粒径在0．01-60μm范围的，更优选0．1～15μm范围的。另外，在本发明中，球状是指用流动式粒子图像分析装置(SYSMEX公司制造的FPIA-100型)测定的真球度平均为0．85以上的物质。

因此，上述无机填充剂(D组分)的含有比例为，优选占半导体密封用树脂组合物总量的50-92重量％，特别优选为60-88重量％。即，无机填充剂的含有量不足50重量％时，硬化物的线膨胀系数变大，很容易发生应力，如果超过92重量％，流动性降低，有排出和作业性变差的倾向。

另外，在本发明的半导体密封用树脂组合物中，除了上述A-D组分以外，可根据需要适当配合其它添加剂。

作为上述其他添加剂，可列举的有，例如，阻燃剂，蜡，乙醇，甲醇等醇类，聚丙二醇，聚乙二醇，甘油等二醇类，流平剂，消泡剂，助溶剂，颜料，染料，有机硅烷偶合剂，钛酸酯偶合剂等。作为上述有机硅烷偶合剂，可列举的有，例如，γ-巯基丙基三甲氧硅烷，γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧硅烷，β-(3，4-环氧环己基)乙基三甲氧硅烷，γ-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧硅烷，含有氨基的硅烷等。这些可单独使用或2种以上并用。

另外，作为上述阻燃剂，可列举的有，酚醛清漆型溴化环氧树脂，溴化双酚A型环氧树脂，三氧化锑，五氧化锑，氢氧化镁，氢氧化铝等金属化合物，红磷，磷酸酯等磷类化合物。这些可单独使用或2种以上并用。

另外，除了上述阻燃剂以外，也司使用下述通式(8)所示的多面体形状的金属氢氧化物。该金属氢氧化物，是结晶形状为具有多面体形状的物质，不是象以前的具有六角板状的物质，或鳞片状那样的，具有所谓厚度为薄平板状的结晶形状的物质，其在纵、横及厚方向同时(c轴方向)的结晶成长大，例如，在板状结晶物质的厚度方向(c轴方向)成长结晶得到立体且近似于球状的粒状的结晶形状，例如，具有12面体，8面体，4面体等形状的金属氢氧化物。

[化9]M1-xQx(OH)2…(8)[上式(8)中，M是选自Mg、Ca、Sn、和Ti中的至少一种金属原子，Q是选自Mn、Fe、Co、Ni、Cu和Zn中的至少一种金属原子，另外，x是0．01-0．5的正数。

这样的结晶形状为多面体形状的金属氢氧化物，例如，可通过在金属氢氧化物的制造步骤中通过控制各种条件，纵、横同时在厚度方向(c轴方向)成长大的结晶，得到所期望的多面体形状，例如，具有12面体、8面体、4面体等形状的金属氢氧化物，通常由这些的混合物形成。

作为具有上述多面体形状的金属氢氧化物的具体代表例，可列举的有，Mg1-xNix(OH)2[0．01＜x＜0．5]、Mg1-xZnx(OH)2[0．01＜x＜0．5]。作为这些金属氢氧化物的市售品，可列举的有，例如，塔台号(タテホ)化学工业公司制造的埃考-玛古(ェコ一マグ)。

另外，上述具有多面体形状的金属氢氧化物的形状比，通常为1-8，优选1-7，特别优选1-4。这里的形状比是指金属氢氧化物的长径与短径比。即，如果形状比超过8，含有该金属氢氧化物的环氧树脂组合物在熔融时的粘度降低，缺少效果。

作为上述蜡，可列举的有，高级脂肪酸，高级脂肪酸酯，高级脂肪酸钙，酰胺类等化合物，可单独使用或2种以上并用。

另外，在本发明的半导体密封用树脂组合物中，除了上述其他添加剂以外，为了低应力化可配合使用聚硅氧烷硅油和硅橡胶、合成橡胶、反应性稀释剂等组分，为了在耐湿信赖性试验中提高信赖性，可配合使用水滑石类、氢氧化铋等离子捕捉剂。

本发明的半导体密封用树脂组合物，例如，可按照如下的制造方法制造。即，将上述的A-D组分以及根据需要的其他添加剂混合后，在万能搅拌釜等混合机械中在加热状态混合进行熔融混合。接着，通过将其冷却至室温(25℃左右)制造所期望的半导体密封用树脂组合物。另外，为了调整半导体密封用树脂组合物的流动性，可添加有机溶剂。作为上述有机溶剂，可列举的有，例如，甲苯，二甲苯，甲乙酮(MEK)，丙酮，双丙酮醇等。这些可单独使用或2种以上并用。

这样得到的半导体密封用树脂组合物，必须是在25℃时为固体或在25℃时粘度在700Pa·s以上，且在80℃的粘度在500Pa·s以下。特别优选，在25℃时为固体或在25℃时粘度在700Pa·s以上，且在80℃的粘度在300Pa·s以下。即，在25℃时不足700Pa·s时，贮藏稳定性很差，在80℃时超过500Pa·s时，排出和涂布作业性会变差，都不能满足初期的特性。

另外，上述半导体密封用树脂组合物在25℃和80℃的粘度，分别在上述各温度用E型粘度计测定。具体地说，如下所述进行。

[25℃时的粘度]使用东机产业公司制造的RE80U型转子(ロ一タ)为3°×R7．7，在锥体转子(コ一冫ロ一タ)回转数1rpm预处理1分钟，在0．1rpm放置10钟后测定。

[80℃时的粘度]

使用东机产业公司制造的RE80R型，粘度不足100Pa·s的物质用转子(ロ一タ)为3°×R14，粘度在100Pa·s以上的物质用转子(ロ一タ)为3°×R7．7，在コ一ンロ一タ回转数1rpm预处理1分钟，在0．5rpm放置10分钟后测定。

使用本发明的半导体密封用树脂组合物制造半导体装置，可使用现有技术中公知的各种方法进行。例如，在使用倒装片法(フリップチップ)、COB、顶部熔合法(グラフトップ)、模穴填充法(キャビティ一フィル)等的实际安装中，用分配器将加热的(40-90℃左右，优选60-80℃左右)上述半导体密封用树脂组合物浇注封装后，通过形成加热硬化的密封树脂层可制造半导体装置。另外，不预先加热，将固体或半固体状的半导体密封用树脂组合物直接贴附或涂布于半导体元件上，之后通过加热硬化形成密封树脂层可制造半导体装置。另外，上述实际安装可在真空下进行。

上述半导体装置的制造方法中的倒装片法实际安装中，使用侧面填充(サィドフィル)密封方法、凸点挤压(プしスバ ンプ)密封方法和印刷密封方法作为例子具体说明。

[侧面填充密封方法]首先，准备在配线电路基板上通过多个连接用电极装载了半导体元件的产品。然后，在预加热(40-130℃左右，优选60-100℃左右)的配线电路基板与半导体元件之间的空隙中，用分配器注入加热的(40-90℃左右，优选60-80℃左右)上述半导体密封用树脂组合物填充后，通过加热硬化形成密封树脂层，可制造用倒装片法实际安装的半导体装置。

另外，不进行预加热，将固体或半固体的半导体密封用树脂组合物在半导体元件或其附近直接贴附或涂布，之后加热硬化，也可在上述半导体元件与配线电路基板之间的空隙形成密封树脂层。

另外，使用上述侧面填充密封方法的半导体装置的制造方法也可在真空下进行。作为在真空下进行的装置，可列举的有，例如，武藏工程公司制造的MBC-V系列(シリ一ズ)型等。另外，在上述真空下制造半导体装置时，在真空下用分配器在配线电路基板与半导体元件的空隙中注入半导体密封用树脂组合物填充后，回到大气压下，也可用压差填充进一步进行半导体密封用树脂组合物的填充。

[凸点挤压密封方法]首先，在配线电路基板上用分配器浇注封装加热的(40-90℃左右，优选60-80℃左右)上述半导体密封用树脂组合物。之后，用倒装键合(フリップチップボンダ一)等挤压连接方式，在半导体元件与配线电路基板电连接的同时形成密封树脂层，可制造用倒装片法实际安装的半导体装置。

另外，也可不进行预加热，将固体或半固体的半导体密封用树脂组合物在半导体元件或配线电路基板上直接贴附或涂布，之后用挤压连接方式，在半导体元件与配线电路基板电连接的同时形成密封树脂层。

另外，使用上述挤压密封方法的半导体装置的制造方法也可根据需要在真空下进行。

另外，如果可能，可使用印刷涂布代替用分配器浇注封装，之后，用倒装键合等挤压连接方式，在半导体元件与配线电路基板电连接的同时形成密封树脂层。另外，印刷涂布可将印刷氛围气全体加热，也可对掩膜、刮浆板等部分进行加热(加热的目标是40-100℃)。

[印刷密封方法]首先，准备在配线电路基板上通过多个连接用电极装载了半导体元件的产品。然后，在预加热(40-130℃左右，优选60-100℃左右)的配线电路基板与半导体元件之间的空隙中，用分配器滴加加热的(40-90℃左右，优选60-80℃左右)上述半导体密封用树脂组合物，用印刷密封形成密封树脂层，可制造用倒装片法实际安装的半导体装置。

关于上述印刷密封，使用利用真空压差的东丽(东レ)工程公司制造的真空印刷密封装置(VPE-100系列)，从密封树脂层中不容易进入气泡这一点上是优选的。

另外，不进行预加热，将固体或半固体的半导体密封用树脂组合物在载物台、刮浆板等上直接贴附或涂布，也可进行印刷密封。

另一方面，关于上述半导体装置的制造方法中的模穴填充形态的半导体装置的制备方法，下面进行具体的说明。

首先，准备在配线电路基板上装载了半导体元件，两者通过搭接电线电连接的产品。然后，在预加热(40-130℃左右，优选60-100℃左右)的配线电路基板与半导体元件上，用分配器浇注封装加热的(40-90℃左右，优选60-80℃左右)上述半导体密封用树脂组合物，加热硬化，以半导体元件内藏方式形成密封树脂层，可制造模穴填充形态的半导体装置。

另外，不进行预加热，将固体或半固体的半导体密封用树脂组合物直接贴附或涂布，之后进行加热硬化，也可以半导体元件内藏方式形成密封树脂层。

另外，用上述密封方法的半导体装置的制造方法，也可在真空下进行。作为在真空下进行的装置，可列举的有，例如武藏工程公司制造的MBC-V系列型等。

下面叙述其他的制造方法。即，首先，准备在配线电路基板上装载了半导体元件，两者通过搭接电线电连接的产品。然后，在预加热(40-130℃左右，优选60-100℃左右)的配线电路基板与半导体元件上，用印刷等方法供给加热的(40-90℃左右，优选60-80℃左右)上述半导体密封用树脂组合物，加热硬化，以半导体元件内藏方式形成密封树脂层，也可制造模穴填充形态的半导体装置。

上述用印刷密封方法的半导体装置的制造方法，也可在真空下进行。另外，在真空下制造半导体时，在真空下印刷密封后，也可提升氛围气的气压，除去半导体密封用树脂组合物中的空穴，保持原状态进一步进行精印刷。

这样得到的半导体装置，例如可供应实际安装用基板(母板)装载中使用的半导体制品的制造。即，在实际安装用基板(母板)上，通过多个连接用电极，在装载半导体装置的同时，上述实际安装用基板与半导体装置之间的空隙，用本发明的半导体密封用树脂组合物填充，通过加热硬化形成密封树脂层，制造半导体制品。

作为上述半导体密封用树脂组合物的加热硬化方法，没有特别的限制，可列举的有，例如使用对流式干燥机，IR回流炉，电热板等的加热方法。

另外，使用本发明的半导体密封用树脂组合物在上述实际安装用基板与半导体装置之间的空隙中填充的方法，例如，可使用在前面半导体装置的制造方法中关于倒装片法实际安装所述的同样方法，侧面填充密封方法、挤压密封方法、印刷密封方法等。另外，也可在上述半导体密封用树脂组合物中分散镍、金、铜、银、锡、铅、Bi等导电性粒子，作为ACF(各向异性导电薄膜)、ACP(各向异性导电糊剂)在倒装片法实际安装中使用。作为其他的使用方法，上述半导体密封用树脂组合物可作为配线电路基板上的块材使用，也可用作配线的连接板与放热板的粘合剂和芯片焊接剂。

本发明的半导体密封用树脂组合物，对于半导体晶片或矩阵状配线电路基板使用的半导体装置的制造，可使用现有技术中公知的各种方法进行。

下面对使用配设突起状电极的多个半导体元件形成的半导体晶片的情况进行描述。即，在上述突起状电极配设面，用分配器涂布加热的(40-90℃左右，又选60-8O℃左右)的上述半导体密封用树脂组合物，由半导体密封用树脂组合物形成一定厚度的树脂层。在由上述半导体密封用树脂组合物形成一定厚度的树脂层时，上述突起状电极的至少头部应从上述树脂层中露出。接着，切断形成上述树脂层的半导体晶片，制造半导体装置。

作为由上述半导体密封用树脂组合物形成树脂层的方法，可列举的有通过掩膜开口进行印刷的方法。

上述形成的树脂层，可最终加热硬化，加热硬化步骤可在半导体晶片切断前也可在切断后。

另一方面，可向独立的配线电路基板形成的矩阵状配线电路基板上装载的多个半导体元件全体上供给上述半导体密封用树脂组合物，以半导体元件内藏的方式形成树脂层。接着，将上述树脂层加热硬化，多个半导体元件用树脂密封后，将用树脂密封的多个半导体元件切断成独立的半导体元件，制造半导体装置。

上述形成的树脂层，可最终加热硬化，加热硬化步骤可在半导体元件切断前也可在切断后。

作为由上述半导体密封用树脂组合物形成树脂层的方法，可列举的有与前面叙述方法相同的使用分配器的方法，通过掩膜开口进行印刷的方法等。

另外，配设突起状电极的多个半导体元件形成的半导体晶片的，在上述突起状电极配设面，供给上述半导体密封用树脂组合物形成一定厚度的树脂层后，切断形成上述树脂层的半导体晶片形成单独的半导体元件。接着，将上述切断的半导体元件的树脂层形成面与在多个配线电路基板的对面，通过将配线电路基板与半导体元件热压将两者电连接的同时，将上述树脂层熔融硬化，在上述半导体元件与配线电路基板之间形成密封树脂层进行树脂密封。这样制造半导体装置。

另外，在对独立的配线电路形成的矩阵状配线电路基板上供给上述半导体密封用树脂组合物形成树脂层后，切断形成上述树脂层的配线电路基板成为独立的配线电路基板。接着，将分别配设多个连接用电极的半导体连接电极配设面与在上述切断的配线电路基板的对面，通过将半导体元件与配线电路基板热压将两者电连接的同时，将上述树脂层熔融硬化，在半导体元件与配线电路基板之间形成密封树脂层进行树脂密封。这样制造半导体装置。

作为由上述半导体密封用树脂组合物形成树脂层的方法，可列举的有，与前面叙述方法相同的，使用分配器的方法，通过掩膜开口进行印刷的方法等。

下面，使用实施例和比较例进行说明。

首先，先对实施例准备如下所示各组分。

[环氧树脂a1]下述化学式(2)所示的结晶性环氧树脂(环氧当量174g／eq、熔点79℃，新日铁化学公司制造的GK-4137)。[化10][环氧树脂a2]双酚F型环氧树脂(在25℃时为液体，环氧当量158g／eq，东都化成公司制造的ェポト一ト YDF-8170)。

[环氧树脂a3]双酚A型环氧树脂(在25℃时为固体，环氧当量450g／eq，油化シェル公司制造的ェピコ一ト 1001W)。

[环氧树脂a4]下述化学式(3)所示的结晶性环氧树脂(环氧当量190g／eq、熔点78℃，新日铁化学公司制造的GK-5079)。[化11][酸酐]甲基六氢邻苯二甲酸酐(甲基化HHPA，新日本理化公司，リカシツドMH-700)。

[硬化促进剂c1]制作按照前述方法的微胶囊型硬化促进剂。即，首先，将苯二甲基二异氰酸酯3摩尔与三羟甲基丙烷1摩尔的加成产物11份，甲苯撑二异氰酸酯3摩尔与三羟甲基丙烷1摩尔的加成产物4．6份在作为硬化促进剂的三苯基膦7份和乙酸乙酯3．9份的混合液中均一溶解，调制油相。另外调制由蒸馏水100份和聚乙烯基醇5份形成的水相，向其中加入上述调制的油相，在高速混合器中乳化为乳液状态，将其加入装备有回流管、搅拌机、滴液漏斗的聚合反应器中。

另一方面，调制含有三乙撑四胺3份的水溶液10份，将其加入上述聚合反应器中装备的滴液漏斗，向反应器中的乳液滴加，在70℃进行界面聚合3小时，得到微胶囊型硬化促进剂的水性悬浮液。接着，通过离心分离除去水相中的聚乙烯基醇等之后，加入蒸馏水100份再进行分液，得到悬浮液。

对于该悬浮液，滴入甲酸调整体系的pH为3。通过这样制作壁膜表面和内部的氨基被甲酸封端的微胶囊型硬化促进剂。将这样得到的微胶囊型硬化促进剂反复进行离心分离分级、水洗的操作后，通过干燥以具有自由流动性的粉末状粒子形式单独分离出来。该微胶囊型硬化促进剂的平均粒径为2μm。另外，对于微胶囊的粒径，壳的厚度比率为15％，三苯基膦的内包量占全体的30重量％。

[硬化促进剂c2]日本化药公司制造的MCE-9957。

[硬化促进剂c3]2-乙基-4-甲基咪唑(四国化成工业公司制造的キコアゾ一ル 2E4MZ)。

[无机填充剂d1]球状熔融的二氧化硅粉末(平均粒径0．56μm，ア ドマテッヶス公司制造的SE-2100)。

[无机填充剂d2]球状熔融的二氧化硅粉末(平均粒径15μm，电气化学工业公司制造的FB-48X)[实施例1-4、比较例]将上述各组分按照下述表1所示的配合比例进行配合，在万能搅拌釜中混炼进行熔融混合。接着，将其冷却至室温制造所需的半导体密封用树脂组合物。另外，关于混炼条件如下所示。即首先加入环氧树脂和酸酐，在100℃混合20分钟。然后降温至80℃，加入机填充剂，混合20分钟。再降温至70℃，加入硬化促进剂混合2分钟。

[表1]

对于这样得到的实施例和比较例的半导体密封用树脂组合物，在25℃和80℃时的粘度用E型粘度计按照前述方法进行测定。另外，关于玻璃化转变温度(Tg)、贮藏稳定性(无机填充剂的沉降程度、粘度变化的程度)、排出和涂布作业性、可使用时间，可按照下述方法测定、评价。另外，使用上述半导体密封用树脂组合物制作的半导体装置的耐湿信赖性可用下述方法进行测定、评价。因此，这些结果如后面表2所示。

[玻璃化转变温度(Tg)]将预脱泡处理的半导体密封用树脂组合物在150℃硬化3小时形成的试样，使用リガヶ公司制造的TMA装置(MG800GM型)进行测定。另外，测定条件是在升温5℃／分荷重30g下进行。因此，以横轴为温度，纵轴为伸长做成图表，以50-70℃之间的切线和200-230℃之间的切线交点作为Tg，求值。

[贮藏稳定性]

*1：无机填充剂的沉降程度将半导体密封用树脂组合物装入内径16mmφ，高180mm的试管中密栓(试料高度：120mm)，在25℃放置30天后，确认无机填充剂的沉降程度。作为有无沉降的判断，由于无机填充剂的沉降，其部分的半导体密封用树脂组合物的浊度水平会变化，因此用目视可确认浊度的变化。浊度减少(透明度增加)的作为有沉降。沉降部分的高度在1mm以上的作为有沉降，用×表示，完全没有沉降的作为无沉降用◎表示。

*2：粘度变化的程度在25℃的氛围气中放置(30天)，对于放置前后的粘度用E型粘度计测定(测定温度：80℃，对于以前的例子测定温度：25℃)。因此，放置后的粘度是放置前粘度1．5倍以下的用◎表示，放置后的粘度是放置前粘度1．5倍以上但3倍以下的用○表示，放置后的粘度是放置前粘度3．0倍以上但10倍以下的用△表示，放置后的粘度超过放置前粘度10倍的用×表示。另外，使用E型粘度计测定粘度，前述25℃或80℃时的粘度测定方法可同样地进行。

[排出性、涂布作业性]加热至80℃的半导体密封用树脂组合物用分配器在一定时间和压力条件下评价排出时的排出量。即使用武藏工程公司制造的ツリンジ10cc，金属针SN-17G(内径2．4mm)，在压力49．05×104N／m2测定10秒后的排出量。其结果，排出量1000mg以上的用◎表示，200mg以上不足1000mg的用○表示，50mg以上不足200mg的用△表示，不足50mg的用×表示。另外，如果在上述条件下不足50mg，是半导体不能用树脂密封的水平。

[可使用时间(粘度变化)]对于各半导体密封用树脂组合物，用E型粘度计测定50℃×72小时放置前后的粘度(测定温度：80℃，对于比较例的测定温度：25℃)。因此，放置后的粘度是放置前粘度1．5倍以下的用◎表示，放置后的粘度是放置前粘度1．5倍以上但3倍以下的用○表示，放置后的粘度是放置前粘度3．0倍以上但10倍以下的用△表示，放置后的粘度超过放置前粘度10倍的用×表示。另外，使用E型粘度计测定粘度，前述25℃或80℃时的粘度测定方法可同样地进行。

[表2]

*1：无机填充剂的沉降程度*1：粘度的变化程度从表2的结果可知，所有实施例产品与比较例产品相比，没有无机填充剂的沉降，另外可使用时间长，贮藏稳定性优良。因此，排出性和涂布作业性优良。另外，实施例1-3的产品，由于作为潜在性硬化促进剂使用了特定的微胶囊型硬化促进剂，与使用市售的微胶囊型硬化促进剂的产品相比，可使用时间特别长，贮藏稳定性特别优良。

与此相对，比较例产品贮藏稳定性很差，由于使用的不是潜在性硬化促剂的硬化促进剂，可使用时间变短。

下面，对上述半导体装置的制备方法实施例进行说明。

[实施例5]使用前述实施例1制造的半导体密封用树脂组合物在预加热70℃的真空下减压脱泡的产品，如下所述制造半导体装置。即，准备在配线电路基板上装载半导体元件，两者通过搭接电线电连接的产品。之后，在预加热70℃的配线电路基板和半导体元件上，在0．67kPa的真空下通过掩膜开口印刷涂布加热至70℃的上述半导体密封用树脂组合物。接着，设定氛围气压20kPa，将上述半导体密封用树脂组合物中的空穴除去，维持其20kPa的状态，用上述加热至70℃的半导体密封用树脂组合物进行精印刷。之后，在120℃×16小时的条件加热硬化，以半导体元件内藏的方式形成树脂层，制造模穴填充形态的半导体装置。

[实施例6]

使用前述实施例1制造的半导体密封用树脂组合物在预加热70℃的真空下减压脱泡的产品，如下所述制造半导体装置。即，在预加热至100℃的配线电路基板上用分配器浇注封装加热至70℃的半导体密封用树脂组合物。之后，使用倒装键合(フ リップチップボンダ一)，在上述配线电路基板上装载半导体元件(大小：9．5mm×9．5mm)，通过热压连接(条件：140℃×20N×60分+220℃×5N×2分)在半导体元件与配线电路基板用电极电连接的同时，在配线电路基板与半导体元件之间的空隙形成密封树脂层，制造倒装片法实际安装的半导体装置。

[实施例7]使用前述实施例1制造的半导体密封用树脂组合物在预加热70℃的真空下减压脱泡的产品，如下所述制造半导体装置。即，准备在配线电路基板上通过连接电极装载半导体元件的产品。之后，在预加热至100℃的配线电路基板和半导体元件的空隙中，用分配器填充加热至70℃的半导体密封用树脂组合物。之后，在120℃×16小时加热硬化，在配线电路基板和半导体元件的空隙中形成密封树脂层，制造倒装片法实际安装的半导体装置。

[实施例8]使用前述实施例1制造的半导体密封用树脂组合物在预加热70℃的真空下减压脱泡的产品，如下所述制造半导体装置。即，准备在配线电路基板上通过连接电极装载半导体元件的产品。之后，在预加热至70℃的配线电路基板和半导体元件的空隙中，用分配器填充在0．67kPa的真空下加热至70℃的半导体密封用树脂组合物。之后，在120℃×16小时加热硬化，在配线电路基板和半导体元件的空隙中形成密封树脂层，制造倒装片法实际安装的半导体装置。

[实施例9]使用前述实施例1制造的半导体密封用树脂组合物在预加热70℃的真空下减压脱泡的产品，如下所述制造半导体装置。即，准备在配线电路基板上通过连接电极装载半导体元件的产品。之后，在预加热至70℃的配线电路基板和半导体元件的空隙中，用分配器填充在0．67kPa的真空下加热至70℃的半导体密封用树脂组合物。之后，回到大气压，填充(压差填充)上述加热至70℃的半导体密封用树脂组合物后，在120℃×16小时加热硬化，在配线电路基板和半导体元件的空隙中形成密封树脂层，制造倒装片法实际安装的半导体装置。

[实施例10]

使用前述实施例1制造的半导体密封用树脂组合物在预加热70℃的真空下减压脱泡的产品，如下所述制造半导体装置。即，在预加热至100℃的配线电路基板上，用分配器浇注封装加热至70℃的半导体密封用树脂组合物。之后，使用倒装键合，在上述配线电路基板上装载半导体元件，通过热压连接(条件：140℃×20N×60分+220℃×5N×2分)在半导体元件与配线电路基板用连接用电极电连接的同时，在配线电路基板与半导体元件之间的空隙形成密封树脂层，制造倒装片法实际安装的半导体装置。

[实施例11]使用前述实施例1制造的半导体密封用树脂组合物在预加热70℃的真空下减压脱泡的产品，如下所述制造半导体装置。即，在预加热至100℃的半导体元件上，用分配器浇注封装加热至70℃的半导体密封用树脂组合物。之后，使用倒装键合，在上述半导体元件上装载加热至70℃的配线电路基板，通过热压连接(条件：140℃×20N×60分+220℃×5N×2分)在半导体元件与配线电路基板用连接用电极电连接的同时，在配线电路基板与半导体元件之间的空隙形成密封树脂层，制造倒装片法实际安装的半导体装置。

[实施例12]使用前述实施例1制造的半导体密封用树脂组合物在预加热70℃的真空下减压脱泡的产品，如下所述制造半导体装置。即，在预加热至70℃的配线电路基板上，在0．67kPa的真空下用分配器浇注封装加热至70℃的半导体密封用树脂组合物。之后，使用倒装键合，在上述配线电路基板上装载半导体元件，通过热压连接(条件：140℃×20N×60分+220℃×5N×2分)在半导体元件与配线电路基板用连接用电极电连接的同时，在配线电路基板与半导体元件之间的空隙形成密封树脂层，制造倒装片法实际安装的半导体装置。

[实施例13]使用前述实施例1制造的半导体密封用树脂组合物在预加热70℃的真空下减压脱泡的产品，如下所述制造半导体装置。即，在预加热至70℃的半导体元件上，在0．67kPa的真空下用分配器浇注封装加热至70℃的半导体密封用树脂组合物。之后，使用倒装键合，在上述半导体元件上装载加热至70℃的配线电路基板，通过热压连接(条件：140℃ ×20N×60分+220℃×5N×2分)在半导体元件与配线电路基板用连接用电极电连接的同时，在配线电路基板与半导体元件之间的空隙形成密封树脂层，制造倒装片法实际安装的半导体装置。

[实施例14]使用前述实施例1制造的半导体密封用树脂组合物在预加热70℃的真空下减压脱泡的产品，如下所述制造半导体装置。即，在预加热至70℃的半导体元件上，通过掩膜的开口印刷涂布加热至70℃的半导体密封用树脂组合物。之后，使用倒装键合，在上述半导体元件上装载配线电路基板，通过热压连接(条件：140℃×20N×60分+220℃×5N×2分)在半导体元件与配线电路基板用连接用电极电连接的同时，在配线电路基板与半导体元件之间的空隙形成密封树层，制造倒装片法实际安装的半导体装置。

[实施例15]使用前述实施例1制造的半导体密封用树脂组合物在预加热70℃的真空下减压脱泡的产品，如下所述制造半导体装置。即，在预加热至70℃的配线电路基板上，通过掩膜的开口印刷涂布加热至70℃的半导体密封用树脂组合物。之后，使用倒装键合，在上述配线电路基板上装载半导体元件，通过热压连接(条件：140℃×20N×60分+220℃×5N×2分)在半导体元件与配线电路基板用连接用电极电连接的同时，在配线电路基板与半导体元件之间的空隙形成密封树脂层，制造倒装片法实际安装的半导体装置。

[实施例16]使用前述实施例1制造的半导体密封用树脂组合物在预加热70℃的真空下减压脱泡的产品，如下所述制造半导体装置。即，在预加热至70℃的半导体元件上，在0．67kPa的真空下通过掩膜的开口印刷涂布加热至70℃的半导体密封用树脂组合物。之后，使用倒装键合，在上述半导体元件上装载加热至70℃的配线电路基板，通过热压连接(条件：140℃×20N×60分+220℃×5N×2分)在半导体元件与配线电路基板用连接用电极电连接的同时，在配线电路基板与半导体元件之间的空隙形成密封树脂层，制造倒装片法实际安装的半导体装置。

[实施例17]使用前述实施例1制造的半导体密封用树脂组合物在预加热70℃的真空下减压脱泡的产品，如下所述制造半导体装置。即，在预加热至70℃的配线电路基板上，在0．67kPa的真空下通过掩膜的开口印刷涂布加热至70℃的半导体密封用树脂组合物。之后，使用倒装键合，在上述配线电路基板上装载半导体元件(大小：9．5mm×9．5mm)，通过热压连接(条件：140℃ ×20N×60分+220℃×5N×2分)在半导体元件与配线电路基板用连接用电极电连接的同时，在配线电路基板与半导体元件之间的空隙形成密封树脂层，制造倒装片法实际安装的半导体装置。

[实施例18]使用前述实施例1制造的半导体密封用树脂组合物在预加热70℃的真空下减压脱泡的产品，如下所述制造半导体装置。即，准备在配线电路基板上装载半导体元件，两者通过搭接电线电连接的产品。之后，在预加热至100℃的半导体元件上，用分配器浇注封装加热至70℃的半导体密封用树脂组合物。之后，在120℃×16小时的条件加热硬化，以半导体元件内藏的方式形成树脂层，制造模穴填充形态的半导体装置。

[实施例19]使用前述实施例1制造的半导体密封用树脂组合物在预加热70℃的真空下减压脱泡的产品，如下所述制造半导体装置。即，准备在配线电路基板上装载半导体元件，两者通过搭接电线电连接的产品。之后，在预加热至70℃的半导体元件上，在0．67kPa的真空下用分配器浇注封装加热至70℃的半导体密封用树脂组合物。之后，在120℃×16小时的条件加热硬化，以半导体元件内藏的方式形成树脂层，制造模穴填充形态的半导体装置。

[实施例20]使用前述实施例1制造的半导体密封用树脂组合物在预加热70℃的真空下减压脱泡的产品，如下所述制造半导体装置。即，准备在配线电路基板上装载半导体元件，两者通过搭接电线电连接的产品。之后，在预加热至70℃的半导体元件上，通过掩腊的开口印刷涂布加热至70℃的半导体密封用树脂组合物。之后，在120℃×16小时的条件加热硬化，以半导体元件内藏的方式形成树脂层，制造模穴填充形态的半导体装置。

[实施例21]使用前述实施例1制造的半导体密封用树组合物在预加热70℃的真空下减压脱泡的产品，如下所述制造半导体装置。即，准备在配线电路基板上装载半导体元件，两者通过搭接电线电连接的产品。之后，在预加热至70℃的半导体元件上，在0．67kPa的真空下通过掩膜的开口印刷涂布加热至70℃的半导体密封用树脂组合物。之后，在120℃×16小时的条件加热硬化，以半导体元件内藏的方式形成树脂层，制造制造模穴填充形态的半导体装置。

[实施例22]使用前述实施例1制造的半导体密封用树脂组合物在预加热70℃的真空下减压脱泡的产品，如下所述制造半导体装置。即，准备在配线电路基板上装载半导体元件，两者通过搭接电线电连接的产品。之后，在预加热至70℃的半导体元件上，在0．67kPa的真空下通过掩膜的开口印刷涂布加热至70℃的半导体密封用树脂组合物。接着，设定氛围气压20kPa，将上述半导体密封用树脂组合物中的空穴除去，维持其20kPa的状态，用上述加热至70℃的半导体密封用树脂组合物进行精印刷。之后，在120℃×16小时的条件加热硬化，以半导体元件内藏的方式形成树脂层，制造制造模穴填充形态的半导体装置。

[实施例23]准备在实际安装用基板(母版)上装载上述实施例12制造的半导体装置，通过电连接加热至100℃的产品。之后，用分配器在实际安装用基板与半导体装置之间的空隙中填充加热至70℃的半导体密封用树脂组合物(前述实施例1中制造的树脂组合物)。之后，在120℃×16小时进行硬化，在半导体装置和实际安装用基板之间的空隙形成密封树脂层，制造半导体制品。

对于如上所述得到的各半导体装置和半导体制品的密封树脂层，用目视确认气泡的有无。其结果如下述表3-表5所示。

[表3]

[表4]

[表5]

从上述表3-表5的结果可知，除了实施例18、20以外，大部分的半导体装置和半导体制品的密封树脂层没有气泡或有少量气泡。

下面，对在半导体晶片和矩阵状配线电路基板中使用本发明的半导体密封用树脂组合物的半导体装置的制备方法实施例进行说明。

[实施例24]使用前述实施例1制造的半导体密封用树脂组合物在预加热70℃的真空下减压脱泡的产品，如下所述制造半导体装置(晶片水平CSP)。即，在预加热70℃的配设突起状电极的多个半导体元件形成的半导体晶片的上述突起状电极配设面上，用分配器将上述半导体密封用树脂组合物涂布成厚度150μm形成树脂层。之后，在0．67kPa的真空下脱泡，在120℃×16小时的条件加热硬化，形成密封树脂层。之后，进一步研磨树脂层使上述突起状电极的头部从上述密封用树脂层中露出后，用切片机切成独立的片状，制造半导体装置(晶片水平CSP)。

[实施例25]使用前述实施例1制造的半导体密封用树脂组合物在预加热70℃的真空下减压脱泡的产品，如下所述制造半导体装置(晶片水平CSP)。即，在预加热70℃的配设突起状电极的多个半导体元件形成的半导体晶片的上述突起状电极配设面上，在0．67kPa的真空下通过掩膜开口印刷密封上述半导体密封用树脂组合物形成厚度150μm。之后，在0．67kPa的真空下脱泡，在120℃×16小时的条件加热硬化，形成密封树脂层。之后，进一步研磨树脂层使上述突起状电极的头部从上述密封用树脂层中露出后，用切片机切成独立的片状，制造半导体装置(晶片水平CSP)。

[实施例26]使用前述实施例1制造的半导体密封用树脂组合物在预加热70℃的真空下减压脱泡的产品，如下所述制造半导体装置(晶片水平CSP)。即，在预加热70℃的配设突起状电极的多个半导体元件形成的半导体晶片的上述突起状电极配设面上，在0．67kPa的真空下通过掩膜开口印刷密封上述半导体密封用树脂组合物形成厚度150μm。之后，回到20kPa除去空穴，进一步在20kPa的真空下进行精印刷。精印刷后，在120℃×16小时的条件加热硬化，形成密封树脂层。之后，进一步研磨树脂层使上述突起状电极的头部从上述密封用树脂层中露出后，用切片机切成独立的片状，制造半导体装置(晶片水平CSP)。

[实施例27]在独立的配线电路形成的矩阵状配线电路基板上，通过搭接电线装载多个半导体元件。之后，使用前述实施例1制造的半导体密封用树脂组合物在预加热70℃的真空下减压脱泡的产品，如下所述制造半导体装置(MAP-BGA法)。即，在预加热70℃的，矩阵状配线电路基板上装载的全体半导体元件上，用分配器涂布上述半导体密封用树脂组合物，以半导体元件内藏的方式形成树脂层。树脂层形成后，在0．67kPa的真空下脱泡，之后，在120℃×16小时的条件加热硬化，形成密封树脂层。之后，用切片机切成独立的片状，制造半导体装置(MAP-BGA法)。

[实施例28]在独立的配线电路形成的矩阵状配线电路基板上，通过搭接电线装载多个半导体元件。之后，使用前述实施例1制造的半导体密封用树脂组合物在预加热70℃的真空下减压脱泡的产品，如下所述制造半导体装置(MAP-BGA法)。即，在预加热70℃的，矩阵状配线电路基板上装载的全体半导体元件上，在0．67kPa的真空下通过掩膜开口印刷密封上述半导体密封用树脂组合物。之后，在120℃×16小时的条件加热硬化，形成密封树脂层。之后，用切片机切成独立的片状，制造半导体装置(MAP-BGA法)。

[实施例29]在独立的配线电路形成的矩阵状配线电路基板上，通过搭接电线装载多个半导体元件。之后，使用前述实施例1制造的半导体密封用树脂组合物在预加热70℃的真空下减压脱泡的产品，如下所述制造半导体装置(MAP-BGA法)。即，在预加热70℃的，矩阵状配线电路基板上装载的全体半导体元件上，在0．67kPa的真空下通过掩膜开口印刷密封上述半导体密封用树脂组合物。印刷密封后，回到20kPa除去空穴，进一步在20kPa进行精印刷。精印刷之后，在120℃×16小时的条件加热硬化，形成密封树脂层。之后，用切片机切成独立的片状，制造半导体装置(MAP-BGA法)。

[实施例30]使用前述实施例1制造的半导体密封用树脂组合物在预加热70℃的真空下减压脱泡的产品，如下所述制造用倒装片法实际安装的半导体装置。即，在预加热70℃的配设突起状电极的多个半导体元件形成的半导体晶片的上述突起状电极配设面上，用分配器涂布上述半导体密封用树脂组合物形成厚度50μm的树脂层。之后，用切片机切成独立的片状。接着，将预加热至70℃的配线电路基板上和上述切片化的半导体元件树脂层形成面以相对状态用倒装键合热压连接(条件：140℃×20N×60分+220℃×5N×2分)，在半导体元件与配线电路基板通过上述突起状电极电连接的同时，在配线电路基板与半导体元件之间的空隙形成密封树脂层，制造倒装片法实际安装的半导体装置。

[实施例31]使用前述实施例1制造的半导体密封用树脂组合物在预加热70℃的真空下减压脱泡的产品，如下所述制造用倒装片法实际安装的半导体装置。即，在预加热70℃的配设突起状电极的多个半导体元件形成的半导体晶片的上述突起状电极配设面上，通过掩膜开口印刷密封上述半导体密封用树脂组合物形成厚度50μm的树脂层。之后，用切片机切成独立的片状。接着，将预加热至70℃的配线电路基板上和上述切片化的半导体元件树脂层形成面以相对状态用倒装键合热压连接(条件：140℃×20N×60分+220℃×5N×2分)，在半导体元件与配线电路基板通过上述突起状电极电连接的同时，在配线电路基板与半导体元件之间的空隙形成密封树脂层，制造用倒装片法实际安装的半导体装置。

[实施例32]使用前述实施例1制造的半导体密封用树脂组合物在预加热70℃的真空下减压脱泡的产品，如下所述制造用倒装片法实际安装的半导体装置。即，在预加热70℃的配设突起状电极的多个半导体元件形成的半导体晶片的上述突起状电极配设面上，通过掩膜开口印刷密封上述半导体密封用树脂组合物形成厚度50μm的树脂层。之后，在0．67kPa的真空下除去空穴。之后，用切片机切成独立的片状。接着，将预加热至70℃的配线电路基板上和上述切片化的半导体元件树脂层形成面以相对状态用倒装键合热压连接(条件：140℃×20N×60分+220℃×5N×2分)，在半导体元件与配线电路基板通过上述突起状电极电连接的同时，在配线电路基板与半导体元件之间的空隙形成密封树脂层，制造用倒装片法实际安装的半导体装置。

[实施例33]使用前述实施例1制造的半导体密封用树脂组合物在预加热70℃的真空下减压脱泡的产品，如下所述制造用倒装片法实际安装的半导体装置。即，在预加热70℃的配设突起状电极的多个半导体元件形成的半导体晶片的上述突起状电极配设面上，通过掩膜开口在0．67kPa的真空下印刷密封上述半导体密封用树脂组合物形成厚度50μm的树脂层。之后，回到20kPa的真空下，除去空穴。进一步在20kPa的条件下进行精印刷。之后，用切片机切成独立的片状。接着，将预加热至70℃的配线电路基板上和上述切片化的半导体元件树脂层形成面以相对状态用倒装键合热压连接(条件：140℃×20N×60分+220℃×5N×2分)，在半导体元件与配线电路基板通过上述突起状电极电连接的同时，在配线电路基板与半导体元件之间的空隙形成密封树脂层，制造用倒装片法实际安装的半导体装置。

[实施例34]使用前述实施例1制造的半导体密封用树脂组合物在预加热70℃的真空下减压脱泡的产品，如下所述制造用倒装片法实际安装的半导体装置。即，在预加热70℃的独立配线电路形成的矩阵状配线电路基板的全体上，用分配器在0．67kPa的真空下涂布上述半导体密封用树脂组合物形成树脂层。之后，用切片机切成独立的片状。接着，将预加热至70℃的多个连接用电极的配设独立半导体元件的连接用电极配设面和上述切片化的配线电路基板的树脂层形成面以相对状态用倒装键合热压连接(条件：140℃×20N×60分+220℃×5N×2分)，在半导体元件与配线电路基板通过上述突起状电极电连接的同时，在配线电路基板与半导体元件之间的空隙形成密封树脂层，制造倒装片法实际安装的半导体装置。

[实施例35]使用前述实施例1制造的半导体密封用树脂组合物在预加热70℃的真空下减压脱泡的产品，如下所述制造用倒装片法实际安装的半导体装置。即，在预加热70℃的独立配线电路形成的矩阵状配线电路基板的全体上，通过掩膜开口印刷上述半导体密封用树脂组合物形成树脂层。之后，用切片机切成独立的片状。接着，将预加热至70℃的多个连接用电极独立配设的半导体元件的连接用电极配设面和上述切片化的配线电路基板的树脂层形成面以相对状态用倒装键合热压连接(条件：140℃×20N×60分+220℃×5N×2分)，在半导体元件与配线电路基板通过上述突起状电极电连接的同时，在配线电路基板与半导体元件之间的空隙形成密封树脂层，制造倒装片法实际安装的半导体装置。

[实施例36]使用前述实施例1制造的半导体密封用树脂组合物在预加热70℃的真空下减压脱泡的产品，如下所述制造用倒装片法实际安装的半导体装置。即，在预加热70℃的独立配线电路形成的矩阵状配线电路基板的全体上，通过掩膜开口印刷上述半导体密封用树脂组合物形成树脂层后，在0．67kPa的真空下除去空穴。之后，用切片机切成独立的片状。接着，将预加热至70℃的多个连接用电极独立配设的半导体元件的连接用电极配设面和上述切片化的配线电路基板的树脂层形成面以相对状态用倒装键合热压连接(条件：140℃ ×20N×60分+220℃×5N×2分)，在半导体元件与配线电路基板通过上述突起状电极电连接的同时，在配线电路基板与半导体元件之间的空隙形成密封树脂层，制造倒装片法实际安装的半导体装置。

[实施例37]使用前述实施例1制造的半导体密封用树脂组合物在预加热70℃的真空下减压脱泡的产品，如下所述制造用倒装片法实际安装的半导体装置。即，在预加热70℃的独立配线电路形成的矩阵状配线电路基板的全体上，通过掩膜开口在0．67kPa的真空下印刷上述半导体密封用树脂组合物形成树脂层后，回到20kPa的真空下除去空穴。进一步在20kPa的条件下进行精印刷。之后，用切片机切成独立的片状。接着，将预加热至70℃的多个连接用电极独立配设的半导体元件的连接用电极配设面和上述切片化的配线电路板的树脂层形成面以相对状态用倒装键合热压连接(条件：140℃×20N×60分+220℃×5N×2分)，在半导体元件与配线电路基板通过上述突起状电极电连接的同时，在配线电路基板与半导体元件之间的空隙形成密封树脂层，制造倒装片法实际安装的半导体装置。

对于如上所述得到的各半导体装置的密封树脂层，用目视确认气泡的有无。其结果如下述表6-表7所示。

[表6]

[表7]

从上述表6-表7的结果可知，半导体装置的密封树脂层中没有气泡或有少量气泡。

如上所述，本发明是含有环氧树脂(A组分)和酸酐类硬化剂(B组分)以及潜在性硬化促进剂(C组分)和无机填充剂(D组分)的半导体密封用树脂组合物，其在25℃和80℃各温度，半导体密封用树脂组合物的状态、粘度分别设定在特定的范围。因此，与现有的液体密封剂相比，可延长使用时间，贮藏稳定性优良。而且，即使在室温是固体或半固体，在40-80℃左右的低温也会急剧降低粘度液化，所以排出性和涂布作业性优良。其中，本发明的半导体密封用树脂组合物，由于在常温是固体或半固体，即使在半导体元件或配线电路基板上不是密封后硬化的状态，也可在常温自由取放，因此，可将该半导体密封用树脂组合物在半导体晶片或矩阵状配线电路基板上涂布后，切断成独立的元件和配线电路基板，用倒装键合等将配线电路基板与半导体元件行热压连接。另外，本发明的半导体密封用树脂组合物，在室温下，由于可以固体或半固体状态贮藏，因此没有无机填充剂(D组分)的沉降。因此，由于在固体或半固体状态贮藏，可根据需要在低温下液化使用，可良好的进行密封，结果可得到信赖性高的半导体装置。

因此，作为上述潜在性硬化促进剂(C组分)，由于特定的外壳部分包覆由硬化促进剂形成核心部分，在使用具有心／壳结构的微胶囊型硬化促进剂时，含有它形成的半导体密封用树脂组合物，具有使用时间非常长，贮藏稳定性特别优良的优点。

另外，作为上述无机填充剂(D组分)使用球状熔融二氧化硅，当其在半导体密封用树脂组合物中占有特定的比例时，含有它形成的半导体密封用树脂组合物具有流动性优良，排出和涂布作业性优良的优点。