一种非平衡磁控溅射离子镀磁场闭合状态控制方法
专利汇可以提供一种非平衡磁控溅射离子镀磁场闭合状态控制方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种非平衡 磁控溅射 离子 镀 磁场 闭合状态控制方法，在靶材（2）内侧设有夹具（3），夹具（3）与靶材（2）之间形成闭合磁场（4），靶材（2）上的离子受磁场轰击，离子在磁场约束的环境中，向夹具（3）悬挂镀件方向沉积。本发明使相邻 磁控管 的所述外磁极为相反极性，使得磁场在所述外磁极之间延伸，以防止 离子化 的 电子 在相邻磁控管之间的实质逃逸，是的电子不会损失且可以增强离子化形核速率和镀层的组织结构和致密性增强，并使得镀层更加均匀。，下面是一种非平衡磁控溅射离子镀磁场闭合状态控制方法专利的具体信息内容。
1.一种非平衡磁控溅射离子镀磁场闭合状态控制方法，其特征在于：在靶材（2）内侧设有夹具（3），夹具（3）与靶材（2）之间形成闭合磁场（4），靶材（2）上的离子受磁场轰击，离子在磁场约束的环境中，向夹具（3）悬挂镀件方向沉积。
2.根据权利要求1所述的一种非平衡磁控溅射离子镀磁场闭合状态控制方法，其特征在于：所述闭合磁场（4）采用靶材（2）上磁控管（1）形成磁场。
3.根据权利要求2所述的一种非平衡磁控溅射离子镀磁场闭合状态控制方法，其特征在于：所述磁控管（1）具有内磁极和外磁极，所述外磁极的极性与所述内磁极极性相反。
4.根据权利要求3所述的一种非平衡磁控溅射离子镀磁场闭合状态控制方法，其特征在于：所述磁控管（1）采用2个NSN型磁控管和2个SNS型磁控管对靶放置。
5.根据权利要求2所述的一种非平衡磁控溅射离子镀磁场闭合状态控制方法，其特征在于：所述磁控管（1）均采用非平衡磁控管，且所述任意相邻磁控管之间外磁极极性相反，使磁场在所述外磁极之间延伸。
6.根据权利要求5所述的一种非平衡磁控溅射离子镀磁场闭合状态控制方法，其特征在于：所述相邻磁控管（1）之间反向磁极形成磁场产生等离子体保持场。
一种非平衡磁控溅射离子镀磁场闭合状态控制方法
技术领域
背景技术
些对镀层性能有特殊要求的配件时，常存在性能不符合及镀膜厚度不均等现象，往往不能
很好满足所加工配件的精密度及特殊性能指标，从而限制了该技术的应用范围。在此背景
下，我们设计了多种非平衡闭合场磁控溅射离子镀技术，通过调整磁力线在不同靶材之间
闭合状态来改变沉积粒子的损耗比率及工件表面粒子浓度，从而达到有效解决产品性能不
达标及厚度不均的现实问题。
发明内容
防止离子化的电子在相邻磁控管之间的实质逃逸，是的电子不会损失且可以增强离子化形
核速率和镀层的组织结构和致密性增强，并使得镀层更加均匀。
的环境中，向夹具悬挂镀件方向沉积。
伸。
以增强离子化形核速率和镀层的组织结构和致密性增强，并使得镀层更加均匀。
状态对基体偏流影响很大，随着磁场闭合程度的增加基体偏流上升很快，使得在不同的磁
场闭合状态下离子对基体表面和镀层组织的轰击作用增加，从而影响到在离子轰击作用下
基体表面的浓度、形核速率以及镀层的组织结构和致密性。
的数目减少，而形成闭合型磁场的数目增多。从而使得随着磁场闭合程度的增加，磁力线扩
展到真空腔体中央部分基体附近区域的密度和均匀性增加，进而使真空腔体内部磁场束缚
的二次电子数目增多，有利于提高氩气原子的离化率以及离子对基体表面和镀层组织的轰
击效应。
应增强，一方面使得镀层结构致密，另一方面可能引起反溅作用，从而导致镀层沉积速率随
磁场闭合程度的增加而减小。
备具有高硬度及高致密性的纤维状组织的镀层。由于全闭合状态下，工件表面沉积粒子浓
度最高且分布较均匀，所以更易于提高镀层厚度的均匀性。
从而导致了镀层生长温度不同，最终表现为镀层不同的晶体生长方式、沉积速率和扩散速
率共同影响着Cr镀层生长过程中的镀层的晶体结构，也影响着表面粗糙度、晶体类型和致
密性。
织形貌及表面粗糙度等重要应用指标，从而直接决定了其应用范围及价值。
具体实施方式
轰击，离子在磁场约束的环境中，向夹具3悬挂镀件方向沉积。
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