1.一种纳米管传感器，其中包括：
第一构件；
具有与所述第一构件相连的第一端并具有第二端的第二构件；
具有与所述第一构件相连的第一端并具有第二端的第三构件；以 及
连在所述第二和第三构件的第二端上的至少一个纳米管。
2.如权利要求1所述的传感器，其特征在于：还包括位于所述 第一构件上并接近所述至少一个纳米管的第四构件。
3.如权利要求2所述的传感器，其特征在于：所述第二和第三 构件的第二端可在温度变化后即向着所述第一构件移动。
4.如权利要求3所述的传感器，其特征在于：所述第四构件可 吸收热量。
5.如权利要求4所述的传感器，其特征在于：所述至少一个纳 米管可靠近所述第四构件。
6.如权利要求5所述的传感器，其特征在于：所述第二和第三 构件的温度变化可使所述至少一个纳米管移离或移近所述第四构 件。
7.如权利要求6所述的传感器，其特征在于：所述至少一个纳 米管的电流-电压(IV)特性是可测量的。
8.如权利要求7所述的传感器，其特征在于：所述至少一个纳 米管可暴露在流体中。
9.如权利要求8所述的传感器，其特征在于：所述流体可以是 气体和/或液体。
10.如权利要求9所述的传感器，其特征在于：所述至少一个纳 米管的IV特性可指示所述至少一个纳米管暴露在哪种流体中。
11.如权利要求10所述的传感器，其特征在于：加热所述至少 一个纳米管可去除所述至少一个纳米管曾在其中暴露的流动气体的 相当大一部分。
12.如权利要求11所述的传感器，其特征在于：加热可造成所 述第二和第三构件将所述至少一个纳米管移离所述第四构件。
13.如权利要求12所述的传感器，其特征在于：所述至少一个 纳米管移离所述第四构件可能造成所述至少一个纳米管增加受热。
14.如权利要求13所述的传感器，其特征在于：冷却可造成所 述第二和第三构件将所述至少一个纳米管移近所述第四构件。
15.如权利要求14所述的传感器，其特征在于：所述至少一个 纳米管移近所述第四构件可造成所述至少一个纳米管增加冷却。
16.如权利要求15所述的传感器，其特征在于：所述至少一个 纳米管可由所述第二和第三构件加热。
17.如权利要求16所述的传感器，其特征在于：所述第二和/或 第三构件具有双层结构。
18.如权利要求15所述的传感器，其特征在于：所述至少一个 纳米管由所述第一构件加热。
19.如权利要求18所述的传感器，其特征在于：所述第二和/或 第三构件具有双层结构。
20.如权利要求6所述的传感器，其特征在于：所述传感器如同 一只晶体管；以及
所述第二、第三和第四构件分别是所述晶体管的源极、漏极和栅 极。
21.如权利要求20所述的传感器，其特征在于：所述传感器的 电流-栅压(IVg)特性是可测量的。
22.如权利要求21所述的传感器，其特征在于：所述至少一个 纳米管可暴露在流体中。
23.如权利要求22所述的传感器，其特征在于：所述流体可以 是气体或液体。
24.如权利要求23所述的传感器，其特征在于：所述IVg特性 可以指示所述至少一个纳米管暴露在哪一种流体中。
25.如权利要求24所述的传感器，其特征在于：加热所述至少 一个纳米管可以去除所述至少一个纳米管曾在其中暴露的流体的相 当大一部分。
26.如权利要求25所述的传感器，其特征在于：加热可造成所 述第二和第三构件将所述至少一个纳米管移离所述第四构件，从而增 加所述至少一个纳米管的温度。
27.如权利要求26所述的传感器，其特征在于：冷却可能造成 所述第二和第三构件将所述至少一个纳米管移近所述第四构件，从而 降低所述至少一个纳米管的温度。
28.如权利要求27所述的传感器，其特征在于：所述第二和第 三构件中的至少一个具有热动双层结构。
29.如权利要求28所述的传感器，其特征在于：所述第一、第 二、第三和第四构件中的至少一个是用基于MEMS的工艺制造的。
30.如权利要求2所述的传感器，其特征在于：所述至少一个纳 米管位于所述第一构件和所述第四构件之间。
31.如权利要求30所述的传感器，其特征在于：所述第四构件 具有连在所述第一构件上的第一和第二端。
32.如权利要求31所述的传感器，其特征在于：所述至少一个 纳米管的电流-电压(IV)特性是可测量的。
33.如权利要求32所述的传感器，其特征在于：所述至少一个 纳米管可暴露在流体中，而该流体可以是气体和/或液体。
34.如权利要求33所述的传感器，其特征在于：所述至少一个 纳米管的IV特性可指示所述至少一个纳米管曾暴露在哪种流体中。
35.如权利要求31所述的传感器，其特征在于：所述传感器如 同一只晶体管；所述第二、第三和第四构件分别如同晶体管的源极、 漏极和栅极。
36.如权利要求35所述的传感器，其特征在于：所述传感器的 电流-栅压(IVg)特性是可测量的。
37.如权利要求36所述的传感器，其特征在于：所述至少一个 纳米管可暴露在流体中；而该流体可以是气体和/或液体。
38.如权利要求37所述的传感器，其特征在于：所述IVg特性 可指示所述至少一个纳米管曾暴露在哪种流体中。
39.如权利要求38所述的传感器，其特征在于：
加热所述至少一个纳米管可以排除所述至少一个纳米管曾在其 中暴露并吸收的流体的相当大一部分；
冷却所述至少一个纳米管使之能重新吸收一种流体。
40.如权利要求39所述的传感器，其特征在于：所述第二和第 三构件在受热后即将所述至少一个纳米管移离所述第四构件，而在冷 却后即将所述至少一个纳米管移向所述第四构件。
41.如权利要求40所述的传感器，其特征在于：所述第二和第 三构件具有温度双层结构。
42.如权利要求39所述的传感器，其特征在于：所述第四构件 是其位置大致不与所述至少一个纳米管平行的纵向构件。
43.如权利要求42所述的传感器，其特征在于：所述第一构件 具有与所述至少一个纳米管接近的凹坑。
44.如权利要求2所述的传感器，其特征在于：所述至少一个纳 米管位于所述第四构件和所述第一构件之间；而所述第四构件具有连 在所述第一构件上的第一和第二端。
45.如权利要求44所述的传感器，其特征在于：
所述至少一个纳米管的电流-电压(IV)特性是可测量的；
所述至少一个纳米管可暴露在流体中；
所述流体可以是气体和/或液体；以及
所述至少一个纳米管的IV特性可以指示所述至少一个纳米管曾 暴露在哪种流体中。
46.如权利要求45所述的传感器，其特征在于：
所述传感器如同一只晶体管；
所述第二、第三和第四构件分别如同晶体管的源极、漏极和栅 极；
所述传感器的电流-栅压(IVg)特性是可测量的；
所述至少一个纳米管可暴露在流体中；
所述流体可以是气体和/或液体；以及
所述IVg特性可以指示所述至少一个纳米管曾暴露在哪种流体 中。
47.如权利要求46所述的传感器，其特征在于：所述第四构件 是其位置大致不与所述至少一个纳米管平行的纵向构件。
48.如权利要求47所述的传感器，其特征在于：所述第一构件 具有与所述至少一个纳米管接近的凹坑。
49.如权利要求47所述的传感器，其特征在于：所述第二和第 三构件在受热后即将所述至少一个纳米管移离所述第四构件；而在冷 却后即将所述至少一个纳米管移向所述第四构件。
50.如权利要求49所述的传感器，其特征在于：所述传感器是 用基于MEMS工艺制造的。
51.一种纳米管传感器，其中包括：
衬底；
在所述衬底上的第一纵向突出物；
在所述衬底上的第二纵向突出物；以及
生长后连接第一和第二纵向突出物的至少一个纳米管。
52.如权利要求51所述的传感器，其特征在于：所述第一和第 二突出物在受热时移离所述衬底，而在冷却时移向所述衬底。
53.如权利要求52所述的传感器，其特征在于：
所述突出物处于乙烯、甲烷、CO或其他类似流体的周围环境中；
所述环境被加热至足够使所述突出物移离所述衬底的温度；
所述温度足以生长所述至少一个纳米管；以及
在所述至少一个纳米管生长后环境冷却，所述突出物随同所述至 少一个纳米管移向所述衬底。
54.如权利要求51所述的传感器，其特征在于还包括：
在所述第一和第二突出部移向所述衬底后所述至少一个纳米管 可搁置的散热构件；
其中：
所述至少一个纳米管可以吸收附近环境中的气体/液体；以及
所述至少一个纳米管的电流-电压(IV)特性可揭示关于所吸收 气体的信息。
55.如权利要求54所述的传感器，其特征在于：
在加热所述第一和第二突出物后，所述至少一个纳米管移离所述 散热构件并被加热，从而释放所述至少一个纳米管上的相当大一部分 气体/液体；以及在冷却所述第一和第二突出物后，所述至少一个纳米管可移向所 述散热构件进行冷却并可吸收若干气体/液体。
56.如权利要求55所述的传感器，其特征在于：
所述传感器如同一只晶体管，其中所述第一突出物、所述第二突 出物和所述散热构件如同该晶体管的源极、漏极和栅极连接；以及
所述至少一个纳米管的电流-栅压(IV)特性可揭示关于被所述 至少一个纳米管吸收的气体的信息。
57.如权利要求51所述的传感器，其特征在于：所述第一和第 二突出物在吸热时在第一方向移动，在冷却时在第二方向移动。
58.如权利要求57所述的传感器，其特征在于：还包括一个具 有连在所述衬底上的第一和第二端的纵向条。
59.如权利要求58所述的传感器，其特征在于：
所述至少一个纳米管位于所述纵向条和所述衬底之间；以及
所述第一和第二突出物分别如同晶体管的源极和漏极，而所述纵 向条如同晶体管的栅极。
60.如权利要求59所述的传感器，其特征在于：所述至少一个 纳米管的电流-电压特性可指示关于所述至少一个纳米管吸收的气 体的信息。
61.如权利要求59所述的传感器，其特征在于：所述传感器的 电流-电压特性可指示关于所述至少一个纳米管吸收的气体的信 息。
62.如权利要求58所述的传感器，其特征在于：
所述纵向条位于所述至少一个纳米管和所述衬底之间；以及
所述第一和第二突出物分别如同晶体管的源极和漏极，而所述纵 向条如同晶体管的栅极。
63.如权利要求62所述的传感器，其特征在于：所述至少一个 纳米管的电流-电压特性可指示关于所述至少一个纳米管吸收的气 体的信息。
64.如权利要求62所述的传感器，其特征在于：所述传感器的 电流-栅压特性可指示关于所述至少一个纳米管吸收的气体的信 息。
65.一种纳米管，其中包括：
散除热量的装置；以及
支持并相对于所述散除热量装置移动纳米管的装置；其特征在 于：
所述支持并移动纳米管的装置在被加热时移动纳米管离开所述 散除热量装置，而在被冷却时移动纳米管靠近所述散除热量装置。
66.如权利要求65所述的传感器，其特征在于：还包括测量纳 米管的电流-电压特性的装置，其中所述测量装置与纳米管相连。
67.如权利要求66所述的传感器，其特征在于：所述纳米管的 电流-电压特性可指示关于所述纳米管吸收的气体或液体的信息。
68.如权利要求67所述的传感器，其特征在于：还包括加热所 述纳米管的装置。
69.如权利要求65所述的传感器，其特征在于还包括：
提供邻近纳米管的栅极的装置；以及
测量所述纳米管的电流-栅压特性的装置；
其中：
与所述纳米管的第一连接和第二连接分别是源极和漏极；
与所述栅极装置一起，所述源极和漏极导致所述纳米管如同一只 晶体管。
70.如权利要求69所述的传感器，其特征在于：所述纳米管的 电流-栅压特性可指示关于所述纳米管吸收的气体或液体的信息。
71.如权利要求70所述的传感器，其特征在于：还包括一个加 热所述纳米管的装置。
72.一种检测气体/液体的方法，包括以下步骤：
获得一个具有分别与纳米管的端部连接的第一端和第二端的结 构；
将所述纳米管暴露在气体/液体中；
测量所述纳米管的电流-电压特性；以及
分析电流-电压特性，以获取关于气体/液体的可能信息。
73.如权利要求72所述的方法，其特征在于还包括以下步骤：
加热所述纳米管以从所述纳米管释放气体/液体；以及
从所述纳米管中散热，使所述纳米管准备吸收气体/液体。
74.一种检测气体或液体的方法，包括以下步骤：
获得具有与纳米管连接的源极和漏极以及邻近所述纳米管的栅 极的构件；
将所述纳米管暴露在气体/液体中；
测量所述纳米管的电流-栅压特性；以及
分析电流-栅压特性，以获得关于气体/液体的可能信息。
75.如权利要求74所述的方法，其特征在于还包括以下步骤：
加热所述纳米管以从所述纳米管释放气体或液体；以及
从所述纳米管散热，使所述纳米管准备吸收气体或液体。